JP2007053252A - 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 アイレット及びリードにそれぞれ最適膜厚の金属めっき層を形成できて低コスト化を図れると共に、十分な放熱性が得られる光半導体素子用パッケージを提供する。
【解決手段】 貫通孔１１が設けられたアイレット１２と、その上に立設する放熱部１４とにより構成される基体部１０の貫通孔１１にリード１６が挿通されて設けられており、ガラス粉末が分散された樹脂材１８によって、リード１６とアイレット１２とを電気的に絶縁した状態で、リード１６がアイレット１２の貫通孔１１に封着されている。放熱部１４は金属立体が鍛造技術によって十分な体積をもつ立体状に成形されて得られるので十分な放熱性を有する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光半導体素子用パッケージ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、光通信装置や光ディスク装置などに適用される半導体レーザ素子などが実装される光半導体素子用パッケージ及びその製造方法に関する。

従来、半導体レーザ素子や受光素子などが実装される光半導体素子用パッケージがある。図１に示すように、従来の光半導体素子用パッケージは、円板状のアイレット１００とその上に立設された放熱部１１０とアイレット１００に設けられた第１〜第３リード１２０ａ，１２０ｂ、１２０ｃとにより基本構成されている。

アイレット１００には、その厚み方向に貫通する貫通孔１００ｘが設けられており、その貫通孔１００ｘ内に第１、第２リード１２０ａ，１２０ｂがガラス１３０によって封着された状態で挿通して固定されている。また、第３リード１２０ｃはアイレット１００の下面に溶接されて設けられている。このようにして、第１、第２リード１２０ａ，１２０ｂはアイレット１００と電気的に絶縁されて設けられ、第３リード１２０ｃはアイレット１００に電気的に接続された状態で設けられている。

そして、半導体レーザ素子（不図示）が放熱部１１０の実装側面Ｓに実装され、受光素子（不図示）がアイレット１２０上に設けられたへこみ部１００ａに実装される。半導体レーザ素子及び受光素子は、ワイヤなどを介して所定のリード１２０ａ〜１２０ｃにそれぞれ電気接続される。

また、特許文献１及び２には、金属薄板を折り曲げるなどして加工することにより薄板状の素子取り付け部が立設されたキャップ状のアイレットを形成し、アイレットに設けられた貫通孔に樹脂材によってリードを封着して固定した構造の光半導体素子用パッケージが記載されている。
特開２００３−２０３２４号公報 特開２００２−９１８９号公報

ところで、光半導体素子用パッケージでは、アイレット（放熱部を含む）及びリードの表面にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）などの金属めっきが施される場合が多い。特にリードは半導体レーザ素子などとワイヤボンディングによって電気接続されるので表面に比較的厚膜の金めっき層が必要となるが、アイレットではリードの金めっき層よりも薄いめっきで十分である。

上述したようなリードがガラスによって封着された光半導体素子用パッケージでは、ガラスを８００℃程度の温度で加熱してリードを封着する必要があるので、アイレットやリードにＮｉ／Ａｕめっきを施した後にガラス封着を行うと金がニッケル層側に拡散して良好な電気接続が得られなくなる。

このため、ガラス封着を行った後（アイレットにリードを固着した後）にＮｉ／Ａｕめっきを施す必要があるが、アイレット上にもリードと同等以上の膜厚の金めっきが施されるので、不必要な金（Ａｕ）材料が無駄に消費されて製造コストの上昇を招くという問題がある。さらには、アイレットにリードを固着した状態でバレルめっき装置によってめっきを施すので、リードが曲がるなどの不具合が発生し、リード修正を行う必要があると共に、製造歩留りの低下の要因となる。

これに対して、上述した特許文献１及び２では、ガラス封着よりも十分に低い温度（２００℃程度）で行われる樹脂封着によってリードをアイレットに固定するので、樹脂封着の前にアイレットとリードに最適膜厚の金めっきを個別に形成しておくことができる。しかしながら、金属薄板を折り曲げるなどして素子取り付け部が立設されたキャップ状のアイレットを形成することから、素子取り付け部は薄板部として形成されて十分な表面積・体積を確保できないので、高い放熱性が要求される光半導体素子のパッケージに適用することは困難である。

本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、アイレット及びリードにそれぞれ最適膜厚の金属めっき層を形成できて低コスト化を図れると共に、十分な放熱性が得られる光半導体素子用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用パッケージに係り、金属立体が鍛造技術によって成形されて得られる基体部であって、貫通孔が設けられたアイレットと、該アイレットの上に設けられた立体状の放熱部とにより構成される前記基体部と、前記アイレットの前記貫通孔に挿通されて設けられたリードと、前記リードと前記アイレットとを電気的に絶縁した状態で、前記リードを前記アイレットの貫通孔に封着する、ガラス粉末が分散された樹脂材とを有することを特徴とする。

本発明の光半導体素子用パッケージを得るには、まず、鍛造技術（プレス加工）によって金属立体が成形されて、貫通孔が設けられたアイレットとその上に立設する立体状（四角柱状や半円柱状など）の放熱部とから構成される基体部を得る。次いで、アイレットの貫通孔にリードを挿通した状態でガラス粉末が分散された樹脂タブレットを溶融させることにより樹脂材によってアイレットの貫通孔にリードを封着する。

本発明では、ガラス封着よりも十分に低い温度（２００℃程度）で封着できる樹脂封着によってリードがアイレットに封着されるので、基体部（アイレット及び放熱部）とリードとに予め金属めっき層が形成された状態でリードを封着しても金属めっき層（Ｎｉ／Ａｕ層など）が拡散するような不具合は発生しない。

従って、リードをアイレットに封着する前に、基体部（アイレット及び放熱部）とリードとに個別に最適膜厚の金属めっき層を予め形成しておくことができるので、金属（Ａｕ）材料が無駄に消費されることがなくなり、低コスト化を図ることができる。

また、基体部は金属立体が鍛造技術によって成形されて得られるので、金属薄板を折り曲げるなどして薄板状の素子取り付け部が立設するアイレットを形成する場合と違って、十分な表面積・体積を有する立体状の放熱部をアイレット上に形成することができる。このため、十分な放熱性が得られるようになり、高い放熱性が要求される光半導体素子のパッケージに容易に適用できるようになる。

本発明の好適な態様では、アイレットの下面側には貫通孔に連通する凹部が設けられており、樹脂材がその凹部に充填されて形成される。また、アイレットの凹部の内面は粗面化されていることが好ましい。このようにすることにより、樹脂材がアイレットに接触する面積を大きくできると共に、アンカー効果によって樹脂材とアイレットとの密着性を向上させることができる。

以上説明したように、本発明の光半導体素子用パッケージでは、基体部（アイレット及び放熱部）とリードとにそれぞれ最適膜厚の金属めっき層を形成できて低コスト化を図れると共に、十分な放熱性が得られる。

以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

図２は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージを示す斜視図、図３は図２のＩ−Ｉに沿った断面図、図４は図２の光半導体素子用パッケージをリード側からみた斜視図である。

図２に示すように、本実施形態の光半導体素子用パッケージ１は、アイレット１２とその上に立設する立体状の放熱部１４とによって構成される基体部１０に４つのリード１６（第１〜第４リード１６ａ〜１６ｄ）が設けられて基本構成されている。放熱部１４は十分な放熱性が得られる表面積・体積を有する立体から形成されており、半導体レーザ素子などの発光素子が実装される実装側面Ｓを有する。

放熱部１４は、金属立体が鍛造技術（プレス加工）によって成形されて得られるものであり、その形状としては、四角柱形状の他に、半円柱形状などの実装側面Ｓの後方に十分な奥行きが確保された各種の立体形状を採用できる。基体部１０の材料としては、銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）合金、又は鉄（Ｆｅ）などが使用されるが、放熱部１４の機能を高める際には熱伝導性の高いＣｕを使用することが好ましい。

図２に図３を加えて参照すると、アイレット１２の下面側の周縁部を除く中央主要部には凹部１２ａが設けられている。さらに、アイレット１２にはその厚み方向に貫通する３つの貫通孔１１（第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃ）が設けられており、貫通孔１１は凹部１２ａに連通して形成されている。そして、第１〜第３リード１６ａ、１６ｂ、１６ｃが第１〜第３貫通孔１１ａ、１１ｂ、１１ｃにそれぞれ挿通され、ガラス粉末が分散された樹脂材１８によって貫通孔１１ａ、１１ｂ、１１ｃにそれぞれ封着されて固定されている。第１、第２リード１６ａ、１６ｂでは、アイレット１２の上面から突出する部分の側面がそれぞれ接続部１６ｘ、１６ｙとなっている。また、第３リード１６ｃでは、アイレット１２上から僅かに突出する部分の上面が接続部１６ｚとなっている。

さらに図４を加えて参照すると、樹脂材１８は第１〜第３リード１６ａ、１６ｂ、１６ｃと第１〜第３貫通孔１１ａ，１１ｂ，１１ｃとのそれぞれの隙間に充填されていると共に、貫通孔１１ａ，１１ｂ，１１ｃに連通するアイレット１２の凹部１２ａの全体に充填されている。

このようにして、第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃは、樹脂材１８によってアイレット１２と電気的に絶縁された状態でアイレット１２の第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃにそれぞれ封着されて固定されている。

さらに、図２〜図４に示すように、第４リード１６ｄ（溶接リード）が樹脂材１８を貫通した状態で放熱部１４の下のアイレット１２の下面部にスポット溶接（抵抗溶接）されており、第４リード１６ｄはアイレット１２に電気的に接続された状態で固定されている。リード１６の材料としては、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、又はコバール（鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる合金）などが使用される。

例えば、第１及び第２リード１６ａ、１６ｂが発光素子用リードとなり、第３リード１６ｃが受光素子用リードとなり、第４リード１６ｄが共通グランドリードとなる。そして、放熱部１４の実装側面Ｓに実装される発光素子はワイヤを介して第１、第２リード１６ａ、１６ｂの接続部１６ｘ、１６ｙに電気接続される。また、放熱部１４の実装側面Ｓの近傍のアイレット１２の上面部に設けられるへこみ部（不図示）に受光素子が実装され、受光素子はワイヤを介して受光素子用の第３リード１６ｃの接続部１６ｚに電気接続される。さらに、発光素子及び受光素子は、ワイヤなどによって基体部１０を介して第４リード１６ｄ（共通グランドリード）に電気接続される。

なお、リードの数は光半導体素子の種類や個数、又は光モジュールに実装する際の仕様に合わせて適宜調整される。

また、図２に示すように、アイレット１２には位置決め用の一対の三角形状の切り欠き部１０ｘと、方向表示用の四角形状の切り欠き部１０ｙとが設けられており、これによってパッケージに汎用性をもたせることができる。

アイレット１２及び放熱部１４は、金属立体が鍛造技術（プレス加工）によって成形されて一体的に得られるものである。このため、金属薄板を折り曲げるなどして薄板状の素子取り付け部が立設するアイレットを形成する場合と違って、放熱部１４は十分な表面積・体積を有する立体として形成されるので、実装側面Ｓに発光素子が実装される際に、高い放熱性が得られるようになる。

また、アイレット１２、放熱部１４及びリード１６の各表面には、金属めっき層（例えばニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層）が形成されている。後述する製造方法で説明するように、本実施形態では、樹脂材１８によってリード１６をアイレット１２に封着する手法を採用するので、ガラスで封着する場合よりも十分に低い温度（２００℃程度）でリード１６を封着することができる。このため、リード１６を封着する前に、予め、アイレット１２及び放熱部１４とリード１６とに個別に最適膜厚の金属めっき層を形成しておくことができる。アイレット１２及び放熱部１４に形成される金属めっき層の膜厚は、リード１６に形成される金属めっき層よりも薄く設定される。

このように本実施形態では、アイレット１２及び放熱部１４に不必要な膜厚のＡｕ層が過剰に形成されないようにしたので、金（Ａｕ）材料を無駄に消費することがなくなり、低コスト化を図ることができる。

次に、本実施形態の光半導体素子用パッケージの製造方法について説明する。図５は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージの製造方法を説明するための工程図、図６は鍛造技術で成形されて得られる基体部（アイレット及び放熱部）を示す斜視図、図７は樹脂タブレットを示す斜視図、図８は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージの組み立て方法を示す断面図である。

図５の工程図に示すように、まず、基体部を得るためのプレス工程Ａ１で、金属立体を鍛造技術（プレス加工）によって成形することにより、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、上述した図２及び図３で説明した、貫通孔１１が設けられ、下面側に凹部１２ａが設けられたアイレット１２の上に放熱部１４が立設した構造の基体部１０を得る。本実施形態では、鍛造技術で基体部１０を形成するので、アイレット１２の上に十分な表面積・体積を有する放熱部を立設することができる。

また、アイレット１２の凹部１２ａには樹脂材１８が充填されるので、凹部１２ａの内面は樹脂材１８との密着力を向上させるため粗面化されて形成される。プレス加工時に微細な凹凸が設けられたポンチを使用するなどしてアイレット１２の凹部１２ａの内面を粗面化して形成することができる。あるいは、凹部１２ａの内面に化学処理によってピンホールを形成して粗面化することもできる。

次いで、図５のめっき工程Ａ２で、基体部１０に膜厚が例えば０．０３μｍのＮｉ／Ａｕめっき層を形成する。本実施形態では、ガラスの溶融温度に比べて十分に低い温度（２００℃程度）で溶融する樹脂タブレットを用いてリード１６をアイレット１２の貫通孔１１に封着する手法を採用するので、アイレット１２やリード１６に施した金属めっきが熱によって拡散するおそれはない。従って、予め、基体部１０に最適膜厚（不必要に厚くない膜厚）のＮｉ／Ａｕめっき層を形成しておくことができる。

次に、溶接リード（図２の第４リード１６ｄ）を形成するための切断工程Ｂ１では、金属線を用意し、それを所定の長さに切断することにより第４リード１６ｄを得る。さらに、めっき工程Ｂ２で、第４リード１６ｄに膜厚が０．３μｍ程度のＮｉ／Ａｕめっき層を形成する。

次に、挿通リード（図２の第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃ）を形成するための切断工程Ｃ１では、金属線を切断・加工することにより、第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃを得る。次いで、めっき工程Ｃ２で、第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃに膜厚が０．３μｍ程度のＮｉ／Ａｕめっき層を形成する。なお、溶接リードと挿通リードを同じ工程でめっき処理してもよい。

このように、本実施形態ではリードを樹脂封着する手法を採用するので、予め、基体部１０（アイレット１２及び放熱部１４）とリード１６ａ〜１６ｄに最適膜厚の金属めっき層をそれぞれ形成しておくことができる。

なお、金属めっき層の一例としてＮｉ／Ａｕめっき層を例示したが、Ｎｉ−Ｐめっき層やＮｉ／Ｐｄめっき層などを使用してもよく、それらの金属めっき層を組み合わせて基体部１０とリード１６との間で異なる金属を含む組み合わせになるようにしてもよい。

次に、樹脂タブレットを形成するための一次成形工程Ｄ１（図５）では、まず，熱硬化型のエポキシ樹脂などの樹脂粉末にガラス粉末を混合して成形用粉末を得た後に、成形用粉末を金型に投入して圧縮成形することにより、アイレット１２における第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃと第４リード１６ｄがスポット接合される部分とに対応する領域に挿通孔がそれぞれ設けられた樹脂成形物を得る。樹脂成形物の外形はアイレット１２に設けられた凹部１２ａに対応するように成形される。ここで、ガラス粉末は、樹脂成形物内に重量比で３〜３０％含まれるように樹脂粉末に混合される。

次いで、図７に示すように、仮焼結工程Ｄ２（図５）で、樹脂成形物を８５℃の雰囲気で３分間焼結することにより、４つの挿通孔２０ａが設けられたＢステージ状態の樹脂タブレット２０を得る。

次いで、図８に示すように、図５のスポット溶接工程Ａ３で、放熱部１４の下のアイレット１２の下面部に第４リード１６ｄの一端をスポット溶接（抵抗溶接）によって固着する。

次に、同じく図８に示すように、図５の組立て工程Ａ４で、樹脂タブレット２０の１つの挿通孔２０ａに第４リード１６ｄを挿通させた状態で、樹脂タブレット２０をアイレット１２の下側の凹部１２ａに配置し、さらに樹脂タブレット２０の挿通孔２０ａとそれに対応するアイレット１２の第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃに第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃをそれぞれ挿通して配置する。

次いで、図５の封着工程Ａ５で、１８０〜２００℃の雰囲気で樹脂タブレット２０を溶融させることにより、第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃをアイレット１２の第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃにそれぞれ封着させて固定する。このとき、アイレット１２の貫通孔１１ａ〜１１ｃとリード１６ａ〜１６ｃとの隙間が樹脂材１８でそれぞれ充填される同時に、アイレット１２の下側の凹部１２ａが樹脂材１８によって充填されて封止される。

またこのとき、アイレット１２及び放熱部１４とリード１６の表面にそれぞれ形成されたＮｉ／Ａｕめっき層は樹脂封着の熱処理（２００℃程度）に耐えることができるので、金が拡散することなく成膜後の膜特性が維持される。また、アイレット１２の凹部１２ａの内面は粗面化されているので、アンカー効果によって樹脂材１８は密着性よくアイレット１２の凹部１２ａに充填される。さらには、アイレット１２に凹部１２ａを形成することで、樹脂材１８とアイレット１２との接触面積を大きくできるという観点からも樹脂材１８の密着性を向上させることができる。

以上により、上述した図２及び図３に示した本実施形態の光半導体素子用パッケージ１が完成する。

以上説明したように、本実施形態の光半導体素子用パッケージ１では、アイレット１２及び放熱部１４は金属立体が鍛造技術（プレス加工）によって成形されて形成されることから、十分な表面積・体積を有する放熱部１４を得ることができるので、放熱部１４の実装側面Ｓに発光素子が実装される際に十分な放熱性が得られる。

また、アイレット１２の貫通孔１１にリード１６を封着する材料として、金属めっき層に悪影響を与えない溶融温度（２００℃程度）で封着できる樹脂材１８を使用するので、リード１６を封着する前に、アイレット１２及び放熱部１４とリード１６とに予め最適膜厚の金属めっき層を個別に形成しておくことができる。これによって、アイレット１２及び放熱部１４に不必要な膜厚の金（Ａｕ）層が形成されることもないので、金（Ａｕ）材料が無駄に消費されることがなくなり、低コスト化を図ることができる。

また、基体部１０（アイレット１２及び放熱部１４）とリード１６とは、別の工程で個別に金属めっきが施されるので、バレルめっき装置を使用する場合であっても、リードが変形したりする不具合も発生しなくなるので、そのような観点からも低コスト化を図ることができる。

次に、本発明の実施形態の変形例の光半導体素子用パッケージについて説明する。図９は本発明の実施形態の変形例の光半導体素子用パッケージを示す断面斜視図、図１０は同じく変形例の光半導体素子用パッケージをリード側からみた斜視図である。

図９及び図１０に示すように変形例の光半導体素子用パッケージ１ａは、前述した図２〜図４の光半導体素子用パッケージ１においてアイレット１２に凹部１２ａを設けない形態であり、アイレット１２が円柱状に形成されている。そして、アイレット１２の第１〜第３貫通孔１１ａ〜１１ｃと第１〜第３リード１６ａ〜１６ｄとの隙間からアイレット１２の下面側の周縁部を除く中央主要部にかけて樹脂材１８が形成されて、第１〜第３リード１６ａ〜１６ｃがアイレット１２に封着されている。また、第４リード１６ｄが樹脂材１８を貫通した状態でアイレット１２の下面に溶接されて設けられている。

変形例では、アイレット１２に凹部が設けられていないので、樹脂材１８はアイレット１２の下面から突出して形成されている。また、アイレット１２の下面は粗面化されており、これによって樹脂材１８がアイレット１２の下面に密着性よく形成されている。

その他の要素は図２〜図４の光半導体素子用パッケージ１と同様であるので、同一要素には同一符号を付してその説明を省略する。変形例の光半導体素子用パッケージ１ａは、前述した光半導体素子用パッケージ１の製造方法と同様な方法によって製造され、同様な効果を奏する。

なお、変形例の光半導体素子用パッケージ１ａにおいて、樹脂材１８がアイレット１２の貫通孔１１とリード１６との間のみに形成され、アイレット１２の下面に形成されていない形態としてもよい。この場合は、アイレット１２の各貫通孔１１に対応する円筒状の樹脂タブレットを形成する。詳しくは、円筒状の樹脂タブレットは、その外径がアイレット１２の貫通孔１１に装着可能な径に設定され、その内径はリード１６が挿通可能な径に設定される。そして、円筒状の樹脂タブレットとリード１６をアイレット１２の貫通孔１１に挿通した後に、樹脂タブレットを溶融させて樹脂材によってリード１６をアイレット１２に封着すればよい。

図１は従来技術の光半導体素子用パッケージを示す斜視図である。 図２は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージを示す斜視図である。 図３は図２の半導体素子用パッケージのＩ−Ｉに沿った断面図である。 図４は図２半導体素子用パッケージをリード側からみた斜視図である。 図５は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージの製造方法を説明するための工程図である。 図６（ａ）は鍛造技術で成形されて得られる基体部（アイレット及び放熱部）を示す斜視図，図６（ｂ）は図６（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った断面斜視図である。 図７は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージの製造方法で使用する樹脂タブレットを示す斜視図である。 図８は本発明の実施形態の光半導体素子用パッケージの組立て方法を示す斜視図である。 図９は本発明の実施形態の変形例の光半導体素子用パッケージを示す断面斜視図である。 図１０は本発明の実施形態の変形例の光半導体素子用パッケージをリード側からみた斜視図である。

符号の説明

１，１ａ…光半導体素子用パッケージ、１０…基体部、１０ａ…凹部、１０ｘ，１０ｙ…切り欠け部、１１…貫通孔、１１ａ〜１１ｃ…第１〜第３貫通孔、１２…アイレット、１２ａ…凹部、１４…放熱部、１６…リード、１６ａ〜１６ｄ…第１〜第４リード、１６ｘ〜１６ｚ…接続部、１８…樹脂材、２０…樹脂タブレット、２０ａ…挿通孔、Ｓ…実装側面。

Claims (10)

1. 金属立体が鍛造技術によって成形されて得られる基体部であって、貫通孔が設けられたアイレットと、該アイレットの上に設けられた立体状の放熱部とにより構成される前記基体部と、
   前記アイレットの前記貫通孔に挿通されて設けられたリードと、
   前記リードと前記アイレットとを電気的に絶縁した状態で、前記リードを前記アイレットの貫通孔に封着する、ガラス粉末が分散された樹脂材とを有することを特徴とする光半導体素子用パッケージ。
2. 前記樹脂材は、前記アイレットの前記貫通孔と前記リードとの間から前記アイレットの下面にかけて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子用パッケージ。
3. 前記アイレットの下面側に前記貫通孔に連通する凹部が設けられており、前記樹脂材は、前記アイレットの前記貫通孔と前記リードとの間から前記凹部に充填されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用パッケージ。
4. 前記基体部及び前記リードの表面には金属めっき層がそれぞれ形成されており、前記基体部の前記金属めっき層の膜厚は、前記リードの前記金属めっき層の膜厚よりも薄く設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光半導体素子用パッケージ。
5. 前記樹脂材が接触する前記アイレットの下面は、粗面化されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の光半導体素子用パッケージ。
6. 前記樹脂材を貫通して前記アイレットの下面に接合されて設けられたリードをさらに有することを特徴とする請求項２又は３に記載の光半導体素子用パッケージ。
7. 金属立体を鍛造技術によって成形することにより、貫通孔が設けられたアイレットと、該アイレットの上に設けられた立体状の放熱部とにより構成される基体部を形成し、前記基体部の表面に金属めっきを施した後に、表面に金属めっきが施されたリードを、ガラス粉末が分散された樹脂材によって前記リードと前記アイレットとを電気的に絶縁した状態で、前記アイレットの貫通孔に封着することを特徴とする光半導体素子用パッケージの製造方法。
8. 前記リードを前記アイレットに封着する際に、
   前記アイレットの下面側に、前記アイレットの貫通孔に対応する部分に挿通孔が設けられた樹脂タブレットと前記リードとを配置し、前記樹脂タブレットの前記挿通孔と前記アイレットの前記貫通孔に前記リードを挿通させ、前記樹脂タブレットを溶融させることにより、前記樹脂材によって前記リードを前記アイレットの貫通孔に封着することを特徴とする請求項７に記載の光半導体素子用パッケージの製造方法。
9. 前記基体部に形成される金属めっき層の膜厚は、前記リードに形成される金属めっき層の膜厚よりも薄く設定されることを特徴とする請求項７に記載の光半導体素子用パッケージの製造方法。
10. 前記アイレットの下面側に前記貫通孔に連通する凹部が形成されており、前記樹脂材は、前記アイレットの前記貫通部と前記リードとの間から前記アイレットの凹部に充填されることを特徴とする請求項７に記載の光半導体素子用パッケージの製造方法。

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