JP2008235469A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で放熱性も良好な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】離間した少なくとも２つの金属棒と、前記少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面にマウントされた光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、前記光半導体素子と、を接続するワイヤと、前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を覆う封止体と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置及びその製造方法に関し、具体的には実装基板などに対して表面実装が可能な光半導体装置及びその製造方法に関する。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、フォトダイオード、トランジスタ、ダイオードなどの各種の光半導体素子を、金属や樹脂などを用いたパッケージに搭載した光半導体装置は、種々の用途に幅広く用いられている。
例えば、ガラスエポキシ基板の表面に形成した電極パターンの上にＬＥＤをマウントし、透光性樹脂体により封止した表面実装型発光ダイオードが開示されている（特許文献１）。

一方、貫通ホールを有するリードフレームのダイバッド・カップ面に発光ダイオードをマウントし、貫通ホールを介してリードフレームの上下をエポキシ樹脂でモールディングした表面実装型発光ダイオードが開示されている（特許文献２）。
特開平１１−４６０１８号公報 特表２００６−５１４４２６号公報

しかし、特許文献１に開示されている表面実装型発光ダイオードの場合、ガラスエポキシ基板の熱伝導率が低く、またその表面に形成された電極パターンを介した実装基板までの放熱距離も長いために、放熱特性が低い。

また、特許文献２に開示されている表面実装型発光ダイオードの場合、発光ダイオードがマウントされているリードフレームの下はエポキシ樹脂によりモールドされているため、発光ダイオードから下方への放熱が制限されるという問題がある。また、特許文献２に開示されているリードフレームは形状が複雑であり、パッケージの小型化や薄型化の点でも改善の余地があった。

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、小型で放熱性も良好な光半導体装置及びその製造方法を提供する。

本発明の一態様によれば、離間した少なくとも２つの金属棒と、前記少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面にマウントされた光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、前記光半導体素子と、を接続するワイヤと、前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を覆う封止体と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、 離間した少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面に光半導体素子をマウントする工程と、前記光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、封止体により覆う工程と、前記金属棒を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を分離する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。

また、本発明の他の一態様によれば、離間した少なくとも２つの金属板のいずれかの主面に複数の光半導体素子をマウントする工程と、前記複数の光半導体素子のそれぞれと、前記少なくとも２つの金属板の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、前記複数の光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属板のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、封止体により覆う工程と、前記封止体及び前記金属板を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を前記光半導体素子毎に分離する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、小型で放熱性も良好な光半導体装置及びその製造方法が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
また、図２は、本実施形態の光半導体装置の側面図である。

本実施形態の光半導体装置は、離間し対向して配置された一対の金属棒１０、２０を備える。金属棒２０の第１の主面２０Ａには、光半導体素子４０がマウントされている。光半導体素子４０は、金属棒２０とのマウント面にハンダや導電性接着剤などでマウントすることにより、金属棒２０と電気的に接続される。一方、光半導体素子４０の上面に設けられた電極（図示せず）と、金属棒１０の第１の主面１０Ａと、はワイヤ４２により接続されている。このようにして、金属棒１０、２０は、光半導体素子４０のリードとして用いることができる。

金属棒１０、２０の材料としては、例えば銅を主成分として少量の鉄、亜鉛、リン、錫、ジルコニアなどを含む材料を挙げることができる。また、その表面をメッキなどにより適宜被覆してもよい。そのメッキは、金属棒２０の上面の光半導体素子４０をマウントする面のみに部分的に形成してもよい。また、図１（ｄ）に表したように、光半導体素子４０は、金属棒２０のマウント面に形成されたキャビティ２４の中に設置してもよい。
光半導体素子４０としては、発光素子や受光素子を用いることができる。また、これら光半導体素子とともに、あるいはその代わりに、トランジスタやダイオードなどの電子素子を搭載することも可能である。以下、光半導体素子４０としてＬＥＤを用いた場合を例に挙げて説明する。

光半導体素子４０とワイヤ４２は、封止体５０により覆われている。封止体５０としては、例えば樹脂を用いることができる。封止体５０は、金属棒１０の第１の主面１０Ａと、金属棒２０の第１の主面２０Ａと、を覆っている。また、図２（ａ）に表したように、封止体５０は、金属棒１０、２０が対向する隙間には殆ど介在していなくてもよく、または、図２（ｂ）に表したように、金属棒１０、２０が対向する隙間の中ほどまで介在していてもよく、または図２（ｃ）に表したように、金属棒１０、２０が対向する隙間のほぼ全てを充填していてもよい。

また、本具体例の場合、封止体５０は、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに延在している。ただし封止体５０が側面１０Ｂ、２０Ｂの全体を覆うことはなく、図１（ａ）及び（ｃ）に表したように、金属棒１０、２０の側面における封止体５０の先端５２は、金属棒１０、２０の底面１２、２２よりも上にある。つまり、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂは、封止体５０に覆われていない露出部を有する。

本実施形態によれば、金属棒２０の上にＬＥＤなどの光半導体素子４０がマウントされ、金属棒２０の底面２２は、封止体５０などに覆われることなく露出している。従って、光半導体素子４０から放出された熱を、金属棒２０の底面から外部に効率よく放出させることができる。その結果として、例えば光半導体素子４０としてＬＥＤを用いた場合などに、光半導体素子４０の温度の上昇を抑制し、高出力の発光が安定して得られる。また、光半導体素子４０としてトランジスタなどの電子素子を用いた場合にも、大電流を流すことができる。また、図１（ｅ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに段差Ｓが設けられ、側面１０Ｂ、２０Ｂにおいては、封止体５０はこの段差Ｓにより区画されている。一方、これら側面１０Ｂ、２０Ｂとは反対側の側面は、封止体５０によって比較的、底面の近くまで覆われている。このようにすると、側面１０Ｂ、２０Ｂの側を実装基板にハンダなどでマウントして、いわゆるサイドビュー型の配置が容易となる。

図３は、本実施形態の光半導体装置の製造方法を例示する工程図である。すなわち、図３（ａ）〜（ｃ）には、それぞれ平面図及びそのＡ−Ａ線断面図を表し、図３（ｄ）は完成した光半導体装置を表した。

まず、図３（ａ）に表したように、複数の金属棒状部１０、２０が対向して併設されたリードフレーム４８を準備する。そして、金属棒状部２０に光半導体素子４０をハンダや導電性接着剤などでマウントする。さらに、光半導体素子４０の上面に設けられた電極（図示せず）と金属棒状部１０とをワイヤ４２により接続する。

次に、封止体５０を形成するためのキャビ枠８０に設けられた成形型８２に流体状の樹脂などの封止体５０を充填する。封止体５０としては、例えば、エポキシ系やシリコン系の樹脂を用いることができる。そして、リードフレーム４８を上下反転させ、光半導体素子４０とワイヤ４２を流体状の封止体５０の中に沈漬する。この際に、金属棒状部１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａ（図１参照）も封止体５０の液面に接触させる。

この状態で例えば恒温槽内で加熱することにより、封止体５０を硬化させる。

なお、この工程において、硬化前の流体状の封止体５０の液面と金属棒状部１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａとをほぼ一致させた場合でも、毛細管現象などによって、金属棒状部１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに流体状の封止体５０が這い上がることがある。その結果として、図１に関して前述したように、側面１０Ｂ、２０Ｂの一部が封止体５０により被覆された状態となる。ただし、側面１０Ｂ、２０Ｂへの封止体５０の這い上がりは、側面１０Ｂ、２０Ｂの表面状態や形状、材質、封止体５０の材質や粘度、表面張力、温度、沈漬時間などにより適宜制御できる。その結果として、側面１０Ｂ、２０Ｂの全体に亘り封止体５０が這い上がることを防止できる。このように、側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりを抑制することで、金属棒状部２０の底面を露出させ、光半導体素子４０から放出された熱を外部に放散させることができる。
封止体５０が硬化したら、図３（ｃ）に表したように、キャビ枠８０からリードフレーム４８及び封止体５０を取り外し、切断線９０に沿って打ち抜きプレスやブレード・ダイサーなどで切断することにより、図３（ｄ）に表したように、光半導体装置が完成する。なお、リードフレーム４８内の金属棒状部１０、２０の配置は、図３（ｅ）に表したようにそれらの片側の長辺において支持してもよい。

本実施形態によれば、極めてコンパクトな光半導体装置を提供できる。
図４は、本実施形態の光半導体装置のサイズを説明するための模式図である。なお、図４以降の図については、既出の図に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

光半導体素子４０のサイズがおよそ３００マイクロメータあるいはそれ以下である場合、光半導体装置の全体の長さＬは、例えば、３〜１０ミリメータ程度とすることができる。また、高さＨ２は、１ミリメータとすることが可能である。また、金属棒の幅Ｗ１は０．５ミリメータ程度とし、厚みＨ１は０．５ミリメータ程度とすることができる。

またさらに、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりによる突出量Ｗ２は、およそ０．１ミリメータ以下に抑えることができる。つまり、封止体５０の幅Ｗ３は、およそ０．７ミリメータ以下とすることができる。このように、側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりを抑制することで、光半導体素子の全体の幅Ｗ３を極めて小さくすることが可能となる。

このように幅Ｗ３を小さくすることにより、例えば、液晶表示装置などに用いる薄型バックライトの光源として用いることができる。すなわち、バックライトを薄型にするためには、導光板を薄くするとともに、その側面に配置され導光板に光を導入する発光装置も薄く形成する必要がある。これに対して、本実施形態によれば、バックライトの側面に対して金属棒２０の主面２０Ａが対向するように配置した時に、その幅Ｗ３を例えば０．７ミリメータ以下にまで小さくすることができる。その結果として、極めて薄型で高出力のバックライトを実現することが可能となる。

以下、本実施形態の光半導体装置の他の具体例について説明する。
図５は、本発明実施形態の光半導体装置の第２の具体例を表す模式図である。すなわち、図５（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図５（ｂ）は光半導体装置を側面から見た図であり、図５（ｃ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図５（ｄ）は（ｃ）のＡ−Ａ線断面図である。
本変型例においては、封止体５０は、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに這い上がっておらず、封止体５０の幅Ｗ３と金属棒の幅Ｗ１とが略同一である。一方、長手方向にみて、光半導体装置の両端において、封止体５０は金属棒１０、２０の端面１０Ｃ、２０Ｃに這い上がっている。ただし、この場合も、封止体５０は、金属棒１０、２０の底面１２、２２までは至らず、端面１０Ｃ、２０Ｃの全体を覆うことはない。光半導体装置の長手方向にみた封止体５０の突出量Ｗ４は、概ね０．１ミリメータ以下とすることができる。

図６は、本具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。
すなわち、金属棒１０、２０の母材となる金属板状部１１０、１２０を対向して配置し、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０を所定の間隔でマウントする。そして、これら光半導体素子４０と金属板状部１１０とをワイヤ４２により接続する。しかる後に、図３（ｂ）に関して前述した工程と同様にして、光半導体素子４０とワイヤ４２を流体状の封止体５０に沈漬する。この際に、金属板状部１１０、１２０の端面１１０Ｃ、１２０Ｃに封止体５０が這い上がることがあるが、その這い上がり量は、図３（ｂ）に関して前述したように制御することができる。そして、封止体５０を硬化させた後、キャビ枠から取り出して、ダイシング・ブレード１００などにより切断線９０に沿って切断する。
以上説明した工程により、図５に表した光半導体装置が完成する。

本具体例によれば、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂと、封止体５０の側面５０Ｃと、は、ダイシング・ブレード１００などによる同一の切断面とすることができる。つまり、封止体５０は金属棒１０、２０よりも幅方向に突出することがなく、光半導体装置の幅Ｗ１、Ｗ３をより小さくすることができる。その結果として、例えば、この光半導体装置を液晶表示装置のバックライトに用いた場合に、バックライトの厚みをさらに薄くすることが可能となる。なお、金属棒１０、２０の底面１２、２２を実装基板にハンダ付けした時はトップビューとして用いることができ、また、側面１０Ｂ、２０Ｂをハンダ付けした時はサイドビューとして用いることができる。

図７は、本実施形態の光半導体装置の第３の具体例を表す模式図である。すなわち、図７（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図７（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図７（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
本変型例においては、金属棒１０、２０、３０がこの順に併設され、光半導体素子４０は金属棒２０の主面２０Ａの上にマウントされている。光半導体素子４０の上面には、２つの電極（図示せず）が設けられ、これら２つの電極と、金属棒１０、３０と、がワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続されている。

そして、光半導体素子４０、ワイヤ４２、４４を覆うように封止体５０が設けられている。封止体５０は、金属棒１０、２０、３０の主面１０Ａ、２０Ａ、３０Ａの主面を覆うが、金属棒２０の側面２０Ｂと底面２２は覆っていない。また、金属棒１０、２０、３０の間隙は、図２（ａ）〜（ｃ）に関して前述したように、封止体５０が殆ど介在していなくてもよく、部分的に介在してていもよく、または間隙のほぼ全てに封止体５０が介在していてもよい。ただし、いずれの場合でも、封止体５０は、金属棒２０の底面２２には回り込むことはない。

本具体例においても、光半導体素子４０がマウントされている金属棒２０の底面２２が封止体５０に覆われることなく露出しているので、光半導体素子４０から放出される熱を効率よく外部に放散させることができる。

図８は、本具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。
すなわち、図８（ａ）に表したように、複数の金属棒状部１０、３０が対向して併設され、これらの間に金属板状部１２０が介在したリードフレーム４９を準備する。そして、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０を所定の間隔でマウントする。さらに、光半導体素子４０の上面に設けられた２つの電極（図示せず）と金属棒状部１０、３０とをワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続する。

次に、図３（ｂ）に関して前述したように、封止体５０を形成するためのキャビ枠に設けられた成形型に流体状の樹脂などの封止体５０を充填する。そして、リードフレーム４９を上下反転させ、光半導体素子４０とワイヤ４２、４４を流体状の封止体５０の中に沈漬する。この際に、金属棒状部１０、２０、３０の主面１０Ａ、２０Ａ、３０Ａ（図７参照）も封止体５０の液面に接触させる。この状態で例えば恒温槽内で加熱することにより、封止体５０を硬化させる。このようにして、ひとつの封止体５０により、隣接する複数の光半導体素子４０、ワイヤ４２、４４を封止する。

しかる後に、図８（ｂ）に表したように、切断面９４に沿って封止体５０及び金属板状部１２０を切断する。そしてさらに、切断面９２に沿って金属棒状部１０、３０をそれぞれ切断することにより、光半導体装置をリードフレーム４９から分離することができる。

以上説明したように、本具体例によれば、封止体５０の側面と金属棒２０の側面とを同一の切断面とすることができる。つまり、図７（ｃ）に表したように、金属棒２０の幅Ｗ１と、封止体５０の幅Ｗ３と、を同一とすることができ、幅をコンパクトにした光半導体装置を提供できる。リードフレーム枠内の金属棒状部１０、３０の配置は、図８（ｅ）に例示したように、それらの片側の長辺において支持してもよい。

一方、図８（ｃ）は、本具体例の光半導体装置の製造方法のもうひとつの具体例を表す模式図である。
本具体例の製造方法においては、図６に関して前述したものと同様に、金属板状部１１０、１２０、１３０が併設され、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０が所定の間隔でマウントされる。そして、これら光半導体素子４０と、金属板状部１１０、１３０との間をワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続した後に、ひとつの封止体５０により封止する。
その後、図８（ｃ）に表したように、ダイシング・ブレード１００などを用いて切断することにより、図７に表した光半導体装置が完成する。

この製造方法を用いた場合も、封止体５０の側面と金属棒２０の側面とを同一の切断面とすることができる。つまり、図７（ｃ）に表したように、金属棒２０の幅Ｗ１と、封止体５０の幅Ｗ３と、を同一とすることができ、幅をコンパクトにした光半導体装置を提供できる。

図９は、本実施形態の光半導体装置の第４の具体例を表す模式図である。
本発明においては、封止体５０が金属棒１０、２０、３０の底面を覆うことはないので、これら金属棒１０、２０、３０から封止体５０が剥離しにくいように、金属棒１０、２０、３０の形状に工夫を加えるとよい。

例えば、図９（ａ）表した具体例の場合、金属棒１０と金属棒２０との対向部において、金属棒１０の対向面は底面１２に向かって間隔が広がるようなテーパ面１０Ｔとされている。同様に、金属棒２０と金属棒３０との対向部において、金属棒３０の対向面は底面３２に向かって間隔が広がるようなテーパ面３０Ｔとされている。金属棒２０にも、同様にテーパ面２０Ｔが設けられている。このように、金属棒の対向部において、底面に向かって間隔が広がるようにすれば、この間隙に封止体５０が介在した時に、上方に向けて封止体５０が剥離することを防止するアンカー効果が得られる。

また、図９（ａ）に表した具体例において、金属棒２０の側面に、凸部２０Ｐが設けられている。封止体５０がこの凸部の周囲を取り囲むように形成すれば、封止体５０の剥離を凸部２０Ｐにより防止できる。さらに、図９（ａ）に表したように、同様の作用を有する凸部１０Ｐ、３０Ｐをそれぞれ金属棒１０、３０の端面に設けてもよい。

図９（ｂ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０、３０の側面に穴１０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈが設けられている。封止体５０がこれらの穴１０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈの中に入り込んだ状態で硬化すれば、封止体５０の剥離を防止するアンカー効果が得られる。

図９（ｃ）に表した具体例においては、図９（ａ）に関して前述したものと同様の凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐが、金属棒１０、２０、３０の側面に設けられている。またさらに、金属棒１０、２０の対向部と、金属棒２０、３０の対向部においても、凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐが設けられている。これら凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐの周囲を取り囲むように封止体５０を形成すれば、やはり封止体５０剥離を防止するアンカー効果が得られる。

図９（ｄ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａから底面１２、２２に貫通する穴１０Ｈ、２０Ｈが設けられている。これらの穴１０Ｈ、２０Ｈの径は、主面１０Ａ、２０Ａの側で小さく、底面１２、２２の側で大きい。封止体５０がこれらの穴１０Ｈ、２０Ｈに入り込んで硬化すれば、主面１０Ａ、２０Ａの側に向けて抜けにくくなるので、剥離を防止するアンカー効果が得られる。なおこの場合、封止体５０は、必ずしもこれら穴１０Ｈ、２０Ｈの中で底面１２、２２にまで至る必要はなく、穴の径が大きくなったところまで充填されていればアンカー効果が得られる。

図１０は、本実施形態の光半導体装置の第５の具体例を表す模式図である。すなわち、図１０（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１０（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１０（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

本発明においては、封止体５０の側面に、光反射層６０が設けられている。光半導体素子４０がＬＥＤなどの発光素子である場合、光半導体素子４０から放出された光を所定の範囲に照射させたい場合がある。このような場合に、光反射層６０を封止体５０の側面に設けると、光もれを防ぎ、輝度を上げることができる。本具体例は、例えば、液晶表示装置のバックライト用の光源などに用いて好適である。なお、この場合、光反射層６０は、必ずしも封止体５０の対向する両側面に設ける必要はなく、いずれか片方の側面のみに形成してもよい。また、封止体５０の両側面を被覆する光反射層６０の大きさが異なっていもよい。つまり、封止体５０のいずれか一方の側面は光反射層６０により大きく覆われ、他方の側面は光反射層６０により小さく覆われているようにしてもよい。

光反射層６０としては、銀、金、アルミニウム、パラジウム、白金などの金属からなる反射層や、光を散乱する粒子を分散させた樹脂などを用いることができる。光を散乱する粒子としては、例えば、金属や酸化チタンや酸化マグネシウムなどの粉末を用いることができる。

また、光反射層６０が電気的に絶縁性である場合には、金属棒１０、２０の側面にまで延在させて設けても、電気的なショートは発生しない。これに対して、光反射層６０が導電性である場合には、ショートを防止す観点から、図１０に例示したように、封止体５０の側面のみに形成し、金属棒１０、２０の側面にまでは延在しないようにすることが望ましい。

図１１は、本実施形態の光半導体装置の第６の具体例を表す模式図である。すなわち、図１１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。

本具体例においても、封止体５０の側面に光反射層６０Ａ、６０Ｂが設けられている。ただし、これら光反射層６０Ａ、６０Ｂは、互いに分離して設けられ、且つ、金属棒１０、２０の側面にまでそれぞれ延在している。これら光反射層６０Ａ、６０Ｂは、導電性であり、電極として用いることができる。例えば、この光半導体装置をバックライトの光源として用いる場合に、これら光反射層６０Ａ、６０Ｂをマウント面として、図示しない基板の上にマウントすることができる。この際に、基板の表面に設けられた電極パターンと、光反射層６０Ａ、６０Ｂとをそれぞれ接続することにより、マウントと同時に電気的な接続も完了する。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の光半導体装置を構成する光半導体素子、金属棒、ワイヤ、封止体、光反射層などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。例えば、封止体５０は、略直方体状などに形成してもよい。

また、各具体例及び各変型例のふたつ以上を技術的に可能な範囲で組み合わせたものについても、本発明の範囲に包含される。

図１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。 本実施形態の光半導体装置の側面図である。 本実施形態の光半導体装置の製造方法を例示する工程図である。 本実施形態の光半導体装置のサイズを説明するための模式図である。 本発明実施形態の光半導体装置の第２の具体例を表す模式図である。 第２の具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。 本実施形態の光半導体装置の第３の具体例を表す模式図である。 第３具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。 本実施形態の光半導体装置の第４の具体例を表す模式図である。 本実施形態の光半導体装置の第５の具体例を表す模式図である。 本実施形態の光半導体装置の第６の具体例を表す模式図である。

符号の説明

１０、２０、３０ 金属棒（金属棒状部）、 １０Ａ、２０Ａ、３０Ａ 主面、 １０Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂ 側面、 １０Ｃ、２０Ｃ 端面、 １０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈ 穴、 １０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐ 凸部、 １０Ｔ、２０Ｔ、３０Ｔ テーパ面、 １２、２２、３２ 底面、 ４０ 光半導体素子、 ４２ ワイヤ、 ４８、４９ リードフレーム、 ５０ 封止体、 ５０Ｃ 側面、 ５２ 先端、 ６０ 光反射層、 ６０Ａ、６０Ｂ 光反射層、 ８０ キャビ枠、 ８２ 成形型、 ９０ 切断線、 ９２、９４ 切断面、１００ ダイシング・ブレード、１１０ 金属板状部、１１０Ｃ 端面、１２０ 金属板

Claims (6)

1. 離間した少なくとも２つの金属棒と、
   前記少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面にマウントされた光半導体素子と、
   前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、前記光半導体素子と、を接続するワイヤと、
   前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を覆う封止体と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置。
2. 前記少なくとも２つの金属棒の前記主面に直交する側面の少なくとも一部は、前記封止体に覆われていないことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記少なくとも２つの金属棒の少なくともいずれかは、前記主面に直交する側面の少なくともいずれかに穴が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。
4. 前記封止体の少なくとも一部は、光反射層により覆われたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光半導体装置。
5. 離間した少なくとも２つの金属棒状部のいずれかの主面に光半導体素子をマウントする工程と、
   前記光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒状部の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、
   前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒状部のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、封止体により覆う工程と、
   前記金属棒状部を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を分離する工程と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
6. 離間した少なくとも２つの金属板状部のいずれかの主面に複数の光半導体素子をマウントする工程と、
   前記複数の光半導体素子のそれぞれと、前記少なくとも２つの金属板状部の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、
   前記複数の光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属板状部のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、封止体により覆う工程と、
   前記封止体及び前記金属板状部を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を前記光半導体素子毎に分離する工程と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。

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