JP2003060240A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003060240A JP2003060240A JP2001241460A JP2001241460A JP2003060240A JP 2003060240 A JP2003060240 A JP 2003060240A JP 2001241460 A JP2001241460 A JP 2001241460A JP 2001241460 A JP2001241460 A JP 2001241460A JP 2003060240 A JP2003060240 A JP 2003060240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- metal plate
- led
- emitting diode
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大電流を流した場合でも放熱することにより
ＬＥＤの発熱を防いで高輝度発光を実現する。 【解決手段】 略直方体形状の外形をしたＳＭＤ型ＬＥ
Ｄ１０であり、高熱伝導金属材料である銅又は銅合金等
の金属板より成る第一の金属板１には平行二段曲げ加工
が施されており、同材料より成る第二の金属板２は平坦
である。耐熱性絶縁部材３が第一の金属板１と第二の金
属板２とを耐熱性固着部材で固着している。発光素子で
あるＬＥＤ素子４は第一の金属板１上にダイボンディン
グされて第二の金属板２とワイヤボンディングにより接
続されている。両金属板１、２の底面側は外部に露出し
て外部接続電極を成している。５は透光性エポキシ樹脂
等より成る封止樹脂であり、ＬＥＤ素子４を封止してい
る。
ＬＥＤの発熱を防いで高輝度発光を実現する。 【解決手段】 略直方体形状の外形をしたＳＭＤ型ＬＥ
Ｄ１０であり、高熱伝導金属材料である銅又は銅合金等
の金属板より成る第一の金属板１には平行二段曲げ加工
が施されており、同材料より成る第二の金属板２は平坦
である。耐熱性絶縁部材３が第一の金属板１と第二の金
属板２とを耐熱性固着部材で固着している。発光素子で
あるＬＥＤ素子４は第一の金属板１上にダイボンディン
グされて第二の金属板２とワイヤボンディングにより接
続されている。両金属板１、２の底面側は外部に露出し
て外部接続電極を成している。５は透光性エポキシ樹脂
等より成る封止樹脂であり、ＬＥＤ素子４を封止してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（以下ＬＥＤと略記する）及びその製造方法に関する。
（以下ＬＥＤと略記する）及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤはＧａＰやＧａＡｓ等のIII−V族
の化合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順
方向電流を通じて可視部又は近赤外部の発光を得るもの
であり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用され
ている。一方近年の電子機器は高性能化、多機能化と共
に小型化、軽量化を追求している。そのために電子部品
をプリント基板上に実装してＳＭＤ部品としたものが多
い。そしてこのようなＳＭＤ部品の多くは略直方体形状
をしており、プリント基板上の配線パターンに半田付け
等の固着手段で接続される。ＬＥＤもこうした要求に応
えるものが開発されている。
の化合物半導体ウエハ上にＰＮ接合を形成し、これに順
方向電流を通じて可視部又は近赤外部の発光を得るもの
であり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用され
ている。一方近年の電子機器は高性能化、多機能化と共
に小型化、軽量化を追求している。そのために電子部品
をプリント基板上に実装してＳＭＤ部品としたものが多
い。そしてこのようなＳＭＤ部品の多くは略直方体形状
をしており、プリント基板上の配線パターンに半田付け
等の固着手段で接続される。ＬＥＤもこうした要求に応
えるものが開発されている。
【０００３】このような従来の一般的なＳＭＤ型ＬＥＤ
の構造について図面に基づいてその概要を説明する。図
７は従来の一般的なＳＭＤ型ＬＥＤの斜視図である。図
７において、絶縁基板８１は両面銅箔張りのガラスエポ
キシ樹脂等より成る樹脂基板であり、絶縁基板８１の両
面銅箔部にメッキレジストをラミネートし、露光現像し
てパターン形成し、その上に電解メッキによりニッケル
メッキ層を形成し、更に、その上に電解メッキにより金
メッキ層を積層し、メッキ層の厚さは、例えば２５μｍ
程度に形成される。
の構造について図面に基づいてその概要を説明する。図
７は従来の一般的なＳＭＤ型ＬＥＤの斜視図である。図
７において、絶縁基板８１は両面銅箔張りのガラスエポ
キシ樹脂等より成る樹脂基板であり、絶縁基板８１の両
面銅箔部にメッキレジストをラミネートし、露光現像し
てパターン形成し、その上に電解メッキによりニッケル
メッキ層を形成し、更に、その上に電解メッキにより金
メッキ層を積層し、メッキ層の厚さは、例えば２５μｍ
程度に形成される。
【０００４】絶縁基板８１の上面端部に対向する一対の
上面電極８２及び下面端部に対向する一対の下面電極８
３並びに上面電極８２と下面電極８３とが連なるように
側面電極８４が形成されている。上面電極８２の一方の
上面電極８２ａにＬＥＤ素子８５がダイボンディングさ
れ、ＬＥＤ素子８５の上面と他方の上面電極８２ｂにＡ
ｕワイヤ等より成るボンディングワイヤ８６で電気的に
接続されている。８７はＬＥＤ素子８５、その接続部及
びワイヤ等の保護と、ＬＥＤ素子８５の発光を効果的に
することのために封止する透光性のエポキシ樹脂等の封
止樹脂である。こうしてＳＭＤ型ＬＥＤ８０が構成され
ている。
上面電極８２及び下面端部に対向する一対の下面電極８
３並びに上面電極８２と下面電極８３とが連なるように
側面電極８４が形成されている。上面電極８２の一方の
上面電極８２ａにＬＥＤ素子８５がダイボンディングさ
れ、ＬＥＤ素子８５の上面と他方の上面電極８２ｂにＡ
ｕワイヤ等より成るボンディングワイヤ８６で電気的に
接続されている。８７はＬＥＤ素子８５、その接続部及
びワイヤ等の保護と、ＬＥＤ素子８５の発光を効果的に
することのために封止する透光性のエポキシ樹脂等の封
止樹脂である。こうしてＳＭＤ型ＬＥＤ８０が構成され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＬＥＤには、次のような問題点がある。即
ち、ＬＥＤには高い輝度を得るために大電流を流す必要
があるが、電流値が３００ｍＡ以上になると、ＬＥＤの
発熱の方が大きくなり、発熱により光変換効率が低下す
るので輝度がサチレイトしてこれを上げることができな
い。更に大電流を流すことにより輝度を上げようとして
も熱量が増大して、輝度がダウンしてしまうという致命
的な問題があった。
このようなＬＥＤには、次のような問題点がある。即
ち、ＬＥＤには高い輝度を得るために大電流を流す必要
があるが、電流値が３００ｍＡ以上になると、ＬＥＤの
発熱の方が大きくなり、発熱により光変換効率が低下す
るので輝度がサチレイトしてこれを上げることができな
い。更に大電流を流すことにより輝度を上げようとして
も熱量が増大して、輝度がダウンしてしまうという致命
的な問題があった。
【０００６】上記発明は、このような従来の問題を解決
するためになされたものであり、その目的は、大電流を
ＬＥＤに流した場合でも、放熱を有効にさせることによ
りＬＥＤの発熱を防ぎ、高輝度発光が実現できる高輝度
のＬＥＤ及びその製造方法を安価に提供することであ
る。
するためになされたものであり、その目的は、大電流を
ＬＥＤに流した場合でも、放熱を有効にさせることによ
りＬＥＤの発熱を防ぎ、高輝度発光が実現できる高輝度
のＬＥＤ及びその製造方法を安価に提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ための本発明の手段は、外部接続電極を有する基板上に
発光素子を接合して樹脂封止した発光ダイオードにおい
て、前記基板を一方は平行二段に曲げた第一の金属板、
他方は平担である第二の金属板である一対の金属板で構
成すると共に、該一対の金属板を互いの一部が厚み方向
で隙間を有して重なるように配設し、前記第一の金属板
には発光素子を接合して該発光素子から前記第二の金属
板へ配線接続し、前記一対の金属板の上面全体を覆うよ
うに樹脂封止すると共に、前記一対の金属板の底面は外
部接続電極として樹脂外部へ露出させてあることを特徴
とする。
ための本発明の手段は、外部接続電極を有する基板上に
発光素子を接合して樹脂封止した発光ダイオードにおい
て、前記基板を一方は平行二段に曲げた第一の金属板、
他方は平担である第二の金属板である一対の金属板で構
成すると共に、該一対の金属板を互いの一部が厚み方向
で隙間を有して重なるように配設し、前記第一の金属板
には発光素子を接合して該発光素子から前記第二の金属
板へ配線接続し、前記一対の金属板の上面全体を覆うよ
うに樹脂封止すると共に、前記一対の金属板の底面は外
部接続電極として樹脂外部へ露出させてあることを特徴
とする。
【０００８】また、前記発光素子を接合する第一の金属
板は高熱伝導金属材料から成ることを特徴とする
板は高熱伝導金属材料から成ることを特徴とする
【０００９】また、前記一対の金属板の前記隙間に絶縁
部材を介在させたことを特徴とする。
部材を介在させたことを特徴とする。
【００１０】また、前記ＬＥＤの外形が略直方体である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１１】また、前記ＬＥＤの外形が略倒立台形形状
であり、前記第一の金属板と前記第二の金属板は各々の
外面が上方に拡がって斜面部を形成したことを特徴とす
る。
であり、前記第一の金属板と前記第二の金属板は各々の
外面が上方に拡がって斜面部を形成したことを特徴とす
る。
【００１２】また、前述した目的を達成するための本発
明の他の手段は、外部接続電極を有する基板上に発光素
子を接合して樹脂封止した発光ダイオードの製造方法に
おいて、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基
板は一方が平行二段曲げをした第一の金属板、他方は平
担である第二の金属板である一対の金属板から成り、該
一対の金属板を互いの一部が厚み方向に隙間を有して重
なるように配設して集合基板を構成する工程と、前記第
一の金属板上に前記発光素子をダイボンディングして該
発光素子と前記第二の金属板とを配線する工程と、前記
集合基板の上面全面を封止樹脂で覆うようにモールドす
る工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、樹脂硬化後
の前記集合基板をＸ、Ｙ方向に切断して個々の発光ダイ
オードに分割する工程とを有することを特徴とする。
明の他の手段は、外部接続電極を有する基板上に発光素
子を接合して樹脂封止した発光ダイオードの製造方法に
おいて、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基
板は一方が平行二段曲げをした第一の金属板、他方は平
担である第二の金属板である一対の金属板から成り、該
一対の金属板を互いの一部が厚み方向に隙間を有して重
なるように配設して集合基板を構成する工程と、前記第
一の金属板上に前記発光素子をダイボンディングして該
発光素子と前記第二の金属板とを配線する工程と、前記
集合基板の上面全面を封止樹脂で覆うようにモールドす
る工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、樹脂硬化後
の前記集合基板をＸ、Ｙ方向に切断して個々の発光ダイ
オードに分割する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】また、前記一対の金属板を互いの一部が厚
み方向で隙間を有して重なるように配設する工程には、
前記隙間に絶縁部材を介在させる工程を含むことを特徴
とする。
み方向で隙間を有して重なるように配設する工程には、
前記隙間に絶縁部材を介在させる工程を含むことを特徴
とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＬＥＤについて図
面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第一の実
施の形態であるＬＥＤの断面図、図２は図１のＬＥＤの
製造方法を示す部分断面斜視図である。
面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の第一の実
施の形態であるＬＥＤの断面図、図２は図１のＬＥＤの
製造方法を示す部分断面斜視図である。
【００１５】まず、第一の実施の形態の構成について説
明する。図１において、１０は略直方体形状の外形をし
たＳＭＤ型ＬＥＤである。１と２とは共に高熱伝導金属
材料である銅又は銅合金等の金属板より成る一方は第一
の金属板と他方は第二の金属板である一対の金属板であ
り、第一の金属板１は平行二段に曲げてあり、第二の金
属板２は平坦である。両金属板１、２の互いの一部であ
る第一の金属板１の曲げ部と、第二の金属板２の一部と
が厚み方向で互いに隙間を有して重なるように配設され
ている。
明する。図１において、１０は略直方体形状の外形をし
たＳＭＤ型ＬＥＤである。１と２とは共に高熱伝導金属
材料である銅又は銅合金等の金属板より成る一方は第一
の金属板と他方は第二の金属板である一対の金属板であ
り、第一の金属板１は平行二段に曲げてあり、第二の金
属板２は平坦である。両金属板１、２の互いの一部であ
る第一の金属板１の曲げ部と、第二の金属板２の一部と
が厚み方向で互いに隙間を有して重なるように配設され
ている。
【００１６】３は第一の金属板１と第二の金属板２との
間に介在し例えばエポキシ系樹脂から成る接着剤等の耐
熱性固着部材で固着された例えばエポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂等から成る耐熱性絶縁部材である。４は発
光素子であるＬＥＤ素子であり、第一の金属板１上にダ
イボンディングされて第二の金属板２と金、アルミニウ
ム等のワイヤでワイヤボンディングにより接続されてい
る。５はＬＥＤ素子４を封止している透光性エポキシ樹
脂等より成る封止樹脂であり、両金属板１、２の上面全
体を覆っている。両金属板１、２の底面側（ＬＥＤ素子
と反対側）は外部接続電極として樹脂外部へ露出させて
ある。
間に介在し例えばエポキシ系樹脂から成る接着剤等の耐
熱性固着部材で固着された例えばエポキシ系樹脂、シリ
コーン系樹脂等から成る耐熱性絶縁部材である。４は発
光素子であるＬＥＤ素子であり、第一の金属板１上にダ
イボンディングされて第二の金属板２と金、アルミニウ
ム等のワイヤでワイヤボンディングにより接続されてい
る。５はＬＥＤ素子４を封止している透光性エポキシ樹
脂等より成る封止樹脂であり、両金属板１、２の上面全
体を覆っている。両金属板１、２の底面側（ＬＥＤ素子
と反対側）は外部接続電極として樹脂外部へ露出させて
ある。
【００１７】次に、第一の実施の形態であるＬＥＤの製
造方法について説明する。この方法はＳＭＤ型ＬＥＤ１
０を多数個同時に加工する集合基板を用いた製造方法で
ある。まず、図２（ａ）に示すように、予め平行二段の
曲げ加工を施し少なくともＬＥＤ素子４の搭載エリア及
び外部接続電極エリアに酸化防止のために金メッキ等の
表面処理を施した第一の金属板１１と、第二の金属板１
２との一対の金属板を互いに一部が隙間を有して平面的
に重なるように平面上に配設して、適宜任意の複数列の
組み合わせを作り、この重なる部分には長尺のシート状
絶縁部材１３を介在させて耐熱性固着剤を用いて接合す
ることにより集合基板を形成する。なお、金属板の内面
には光反射効果を高めるために全面に反射率の高い金属
のメッキを施すことが望ましい。
造方法について説明する。この方法はＳＭＤ型ＬＥＤ１
０を多数個同時に加工する集合基板を用いた製造方法で
ある。まず、図２（ａ）に示すように、予め平行二段の
曲げ加工を施し少なくともＬＥＤ素子４の搭載エリア及
び外部接続電極エリアに酸化防止のために金メッキ等の
表面処理を施した第一の金属板１１と、第二の金属板１
２との一対の金属板を互いに一部が隙間を有して平面的
に重なるように平面上に配設して、適宜任意の複数列の
組み合わせを作り、この重なる部分には長尺のシート状
絶縁部材１３を介在させて耐熱性固着剤を用いて接合す
ることにより集合基板を形成する。なお、金属板の内面
には光反射効果を高めるために全面に反射率の高い金属
のメッキを施すことが望ましい。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、第一の金
属板１１にＬＥＤ素子４を多数個整列させて各々の一方
の電極面をダイボンディングにより接合し、図２（ｃ）
に示すように、他方の電極面と第二の金属板１２とをワ
イヤーボンディングにより配線して実装する。次に、図
２（ｄ）に示すように、図示しない封止枠で周囲を囲っ
た集合基板の上面全面を封止樹脂５が所定の厚みで覆う
ように樹脂を充填して、更に硬化させることにより各Ｌ
ＥＤ素子４を封止する。最後に、封止樹脂５が硬化後の
両金属板１１、１２を封止樹脂５共々フルダイシングに
よりＸ、Ｙ方向に切断して個々に分割し、図１のＬＥＤ
１０を得る。
属板１１にＬＥＤ素子４を多数個整列させて各々の一方
の電極面をダイボンディングにより接合し、図２（ｃ）
に示すように、他方の電極面と第二の金属板１２とをワ
イヤーボンディングにより配線して実装する。次に、図
２（ｄ）に示すように、図示しない封止枠で周囲を囲っ
た集合基板の上面全面を封止樹脂５が所定の厚みで覆う
ように樹脂を充填して、更に硬化させることにより各Ｌ
ＥＤ素子４を封止する。最後に、封止樹脂５が硬化後の
両金属板１１、１２を封止樹脂５共々フルダイシングに
よりＸ、Ｙ方向に切断して個々に分割し、図１のＬＥＤ
１０を得る。
【００１９】次に、第一の実施の形態であるＬＥＤ１０
の効果について説明する。ＬＥＤ素子４を搭載した第一
の金属板１の体積が従来より十分大きいので放熱が効率
よく行える。また、大電流を流しても光変換効率が低下
せずに高輝度の発光が実現できる。そして、構造が簡単
で多数個取りできるので、製造コストを削減できる。
の効果について説明する。ＬＥＤ素子４を搭載した第一
の金属板１の体積が従来より十分大きいので放熱が効率
よく行える。また、大電流を流しても光変換効率が低下
せずに高輝度の発光が実現できる。そして、構造が簡単
で多数個取りできるので、製造コストを削減できる。
【００２０】次に、第二の実施の形態であるＬＥＤの構
成について図面により説明する。図３は本発明の第三の
実施の形態であるＬＥＤの側断面図である。図３におい
て、２０は略直方体形状の外形をしたＳＭＤ型ＬＥＤで
ある。第一の実施の形態であるＬＥＤ１０と異なるとこ
ろは、第一の金属板１と第二の金属板２との間に絶縁部
材３が介在せず、そこが封止樹脂５で充填されていると
ころである。その他の構成は第一の実施の形態であるＬ
ＥＤ１０と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名
称を用いて説明を省略する。
成について図面により説明する。図３は本発明の第三の
実施の形態であるＬＥＤの側断面図である。図３におい
て、２０は略直方体形状の外形をしたＳＭＤ型ＬＥＤで
ある。第一の実施の形態であるＬＥＤ１０と異なるとこ
ろは、第一の金属板１と第二の金属板２との間に絶縁部
材３が介在せず、そこが封止樹脂５で充填されていると
ころである。その他の構成は第一の実施の形態であるＬ
ＥＤ１０と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名
称を用いて説明を省略する。
【００２１】次に、第二の実施の形態のＬＥＤ２０の製
造方法を図面を用いて説明する。この方法も第一の実施
の形態ＬＥＤ１０の製造法とほぼ同様である集合基板方
式の製造方法である。従って、第一の実施の形態で説明
した詳細部分は省略して、主として異なる部分を説明す
る。図４（ａ）に示すように、第一の金属板１となる金
属板１１と、第二の金属板２となる金属板１２とを互い
の一部が厚み方向で重なるように配設して、７のドライ
フィルムに貼着する。
造方法を図面を用いて説明する。この方法も第一の実施
の形態ＬＥＤ１０の製造法とほぼ同様である集合基板方
式の製造方法である。従って、第一の実施の形態で説明
した詳細部分は省略して、主として異なる部分を説明す
る。図４（ａ）に示すように、第一の金属板１となる金
属板１１と、第二の金属板２となる金属板１２とを互い
の一部が厚み方向で重なるように配設して、７のドライ
フィルムに貼着する。
【００２２】次に、図４（ｂ）に示すように、金属板１
１にＬＥＤ素子４をダイボンディングにより接合し、図
４（ｃ）に示すように、金属板１２とワイヤーボンディ
ングにより配線接続する。次に、図４（ｄ）に示すよう
に、封止樹脂５でＬＥＤ素子４側全体をモールドする。
この時に、封止樹脂５は金属板１１と１２との隙間にも
充填される。つぎに、封止樹脂を硬化させドライフィル
ム７を剥離してから、最後に封止樹脂５を金属板１１、
１２共々フルダイシングにより切断して個々に分割し、
図３のＬＥＤ２０を得る。
１にＬＥＤ素子４をダイボンディングにより接合し、図
４（ｃ）に示すように、金属板１２とワイヤーボンディ
ングにより配線接続する。次に、図４（ｄ）に示すよう
に、封止樹脂５でＬＥＤ素子４側全体をモールドする。
この時に、封止樹脂５は金属板１１と１２との隙間にも
充填される。つぎに、封止樹脂を硬化させドライフィル
ム７を剥離してから、最後に封止樹脂５を金属板１１、
１２共々フルダイシングにより切断して個々に分割し、
図３のＬＥＤ２０を得る。
【００２３】次に、第二の実施の形態の効果について説
明する。後で剥離するシートであるドライフィルム７を
用いたので、ＬＥＤ２０を製造過程において封止樹脂５
が第一の金属板１１及び第二の金属板１２の隙間から外
へ漏れるのを防いでいる。また、第一の金属板１１及び
第二の金属板１２を固定して相互の位置ズレを防ぐこと
ができる。また、絶縁部材３を省くことができたので、
一層簡略化された構造で安価にＬＥＤ２０が得られた。
第一の金属板１１と第二の金属板１２とが互いに一部で
厚み方向で重なっているので、絶縁部材３を用いないこ
とによる強度の低下を防いでいる。ＬＥＤ素子４を固着
した第一の金属板１の金属量が従来より多いので、放熱
効果が十分に得られ、高輝度の発光が実現できた。
明する。後で剥離するシートであるドライフィルム７を
用いたので、ＬＥＤ２０を製造過程において封止樹脂５
が第一の金属板１１及び第二の金属板１２の隙間から外
へ漏れるのを防いでいる。また、第一の金属板１１及び
第二の金属板１２を固定して相互の位置ズレを防ぐこと
ができる。また、絶縁部材３を省くことができたので、
一層簡略化された構造で安価にＬＥＤ２０が得られた。
第一の金属板１１と第二の金属板１２とが互いに一部で
厚み方向で重なっているので、絶縁部材３を用いないこ
とによる強度の低下を防いでいる。ＬＥＤ素子４を固着
した第一の金属板１の金属量が従来より多いので、放熱
効果が十分に得られ、高輝度の発光が実現できた。
【００２４】次に、第三の実施の形態であるＬＥＤの構
成について図面により説明する。図５は本発明の第三の
実施の形態であるＬＥＤの側断面図である。図５におい
て、３０はＳＭＤ型ＬＥＤである。２１は高熱伝導金属
材料である銅又は銅合金等の金属板より成る第一の金属
板であり、２２は同材料より成る第二の金属板である。
第一の金属板２１の一端にはＬＥＤ１０の第一の金属板
１と同様に平行二段曲げ部を有し、他端には光の出射面
側に鈍角を成すように折り曲げられ、外面が上方に拡が
った斜面部２１ａを有する。第二の金属板２２は平坦で
あり、斜面部２１ａに対称な同様な斜面部２２ａを有す
る。ＬＥＤ３０の外形は略倒立台形形状をしており、両
斜面部２１ａ、２２ａと交差する両側面は共に直立面を
成している。その他の構成は第一の実施の形態のＬＥＤ
１０と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名称を
用いて詳細な説明を省略する。
成について図面により説明する。図５は本発明の第三の
実施の形態であるＬＥＤの側断面図である。図５におい
て、３０はＳＭＤ型ＬＥＤである。２１は高熱伝導金属
材料である銅又は銅合金等の金属板より成る第一の金属
板であり、２２は同材料より成る第二の金属板である。
第一の金属板２１の一端にはＬＥＤ１０の第一の金属板
１と同様に平行二段曲げ部を有し、他端には光の出射面
側に鈍角を成すように折り曲げられ、外面が上方に拡が
った斜面部２１ａを有する。第二の金属板２２は平坦で
あり、斜面部２１ａに対称な同様な斜面部２２ａを有す
る。ＬＥＤ３０の外形は略倒立台形形状をしており、両
斜面部２１ａ、２２ａと交差する両側面は共に直立面を
成している。その他の構成は第一の実施の形態のＬＥＤ
１０と同様なので、同じ構成要素には同じ符号と名称を
用いて詳細な説明を省略する。
【００２５】次に、第三の実施の形態であるＬＥＤ３０
の製造方法について説明する。本方法も基本的には第一
の実施の形態の場合と同様な集合基板を用いた製造方法
である。但し斜面部を有する一対の金属板を用いるので
単列構成の集合基板となる。図６はこのような集合基板
の斜視図である。図６において、３１は第一の金属板２
１を形成する材料となる第一の金属板であり、３２は第
二の金属板２２を形成する材料となる第二の金属板であ
る。予め曲げ加工を施した両金属板３１、３２を耐熱性
固着剤を用いて長尺のシート状絶縁部材１３を介して接
合する。これ以後は基本的には図２により説明した第一
実施の形態の製造方法と同じであるから説明を省略す
る。
の製造方法について説明する。本方法も基本的には第一
の実施の形態の場合と同様な集合基板を用いた製造方法
である。但し斜面部を有する一対の金属板を用いるので
単列構成の集合基板となる。図６はこのような集合基板
の斜視図である。図６において、３１は第一の金属板２
１を形成する材料となる第一の金属板であり、３２は第
二の金属板２２を形成する材料となる第二の金属板であ
る。予め曲げ加工を施した両金属板３１、３２を耐熱性
固着剤を用いて長尺のシート状絶縁部材１３を介して接
合する。これ以後は基本的には図２により説明した第一
実施の形態の製造方法と同じであるから説明を省略す
る。
【００２６】次に、第三の実施の形態であるＬＥＤ３０
の効果について説明する。ＬＥＤ３０では二方の側面に
斜面部２１ａ、２２ａを有するために、ＬＥＤ素子４を
発して側面方向に向かった光が出射面側へ反射し易くな
り、出射面側の発光色の輝度が増加する。また、両斜面
部を有するために、ＬＥＤ３０の封止工程において、封
止枠を斜面部と直交する２側面のみに設けるのみで済む
ので枠材料や作業の軽減が図れる。
の効果について説明する。ＬＥＤ３０では二方の側面に
斜面部２１ａ、２２ａを有するために、ＬＥＤ素子４を
発して側面方向に向かった光が出射面側へ反射し易くな
り、出射面側の発光色の輝度が増加する。また、両斜面
部を有するために、ＬＥＤ３０の封止工程において、封
止枠を斜面部と直交する２側面のみに設けるのみで済む
ので枠材料や作業の軽減が図れる。
【００２７】次に、第四の実施の形態であるＬＥＤにつ
いて説明する。このＬＥＤの構成は第三の実施の形態で
あるＬＥＤ３０から絶縁部材３を取り除き、第二の実施
の形態のＬＥＤ２０と同様にその部分へも封止樹脂５を
充填したところである。従って製造方法はＬＥＤ２０の
製造方法に準じて行えばよい。従って図面と詳細な説明
を省略する。第四の実施の形態の効果もＬＥＤ２０やＬ
ＥＤ３０の効果と同様である。
いて説明する。このＬＥＤの構成は第三の実施の形態で
あるＬＥＤ３０から絶縁部材３を取り除き、第二の実施
の形態のＬＥＤ２０と同様にその部分へも封止樹脂５を
充填したところである。従って製造方法はＬＥＤ２０の
製造方法に準じて行えばよい。従って図面と詳細な説明
を省略する。第四の実施の形態の効果もＬＥＤ２０やＬ
ＥＤ３０の効果と同様である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高熱伝導金属材料から成る平行二段に曲げた第一の金属
板及び平担である第二の金属板を互いの一部が厚み方向
で重なるように同一面上に配設して、前記第一の金属板
に発光素子をダイボンディングして樹脂封止すると共
に、前記両金属板の底面を外部接続電極として外部に露
出させるように構成したので、大電流を流しても拡散放
熱が効率よく行われて、光変換効率の低下を招くことな
く、高輝度発光を実現させることができた。
高熱伝導金属材料から成る平行二段に曲げた第一の金属
板及び平担である第二の金属板を互いの一部が厚み方向
で重なるように同一面上に配設して、前記第一の金属板
に発光素子をダイボンディングして樹脂封止すると共
に、前記両金属板の底面を外部接続電極として外部に露
出させるように構成したので、大電流を流しても拡散放
熱が効率よく行われて、光変換効率の低下を招くことな
く、高輝度発光を実現させることができた。
【００２９】簡単な製法で大量生産ができるので、安価
でしかも信頼性が高く、薄型化小型化にも対応できるＬ
ＥＤの製造方法が得られた。
でしかも信頼性が高く、薄型化小型化にも対応できるＬ
ＥＤの製造方法が得られた。
【図１】本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの側断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す部分断面斜視図である。
方法を示す部分断面斜視図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤの側断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態であるＬＥＤの製造
方法を示す部分断面斜視図である。
方法を示す部分断面斜視図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤ示す側
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態であるＬＥＤの集合
基板の斜視図である。
基板の斜視図である。
【図７】従来の一般的なＬＥＤを示す斜視図である。
１、１１、２１、３１ 第一の金属板
２、１２、２２、３２ 第二の金属板
３ 絶縁部材
４ 発光素子
５ 封止樹脂
１０、２０、３０ ＬＥＤ
２１ａ、２２ａ 斜面部
Claims (7)
- 【請求項１】 外部接続電極を有する基板上に発光素子
を接合して樹脂封止した発光ダイオードにおいて、前記
基板を一方は平行二段に曲げた第一の金属板、他方は平
担である第二の金属板である一対の金属板で構成すると
共に、該一対の金属板を互いの一部が厚み方向で隙間を
有して重なるように配設し、前記第一の金属板には発光
素子を接合して該発光素子から前記第二の金属板へ配線
接続し、前記一対の金属板の上面全体を覆うように樹脂
封止すると共に、前記一対の金属板の底面は外部接続電
極として樹脂外部へ露出させてあることを特徴とする発
光ダイオード。 - 【請求項２】 前記発光素子を接合する第一の金属板は
高熱伝導金属材料から成ることを特徴とする請求項１記
載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記一対の金属板の前記隙間に絶縁部材
を介在させたことを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記発光ダイオードの外形が略直方体形
状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
れかに記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記発光ダイオードの外形が略倒立台形
形状であり、前記第一の金属板と前記第二の金属板は各
々の外面が上方に拡がって斜面部を形成したことを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光ダ
イオード。 - 【請求項６】 外部接続電極を有する基板上に発光素子
を接合して樹脂封止した発光ダイオードの製造方法にお
いて、前記発光ダイオードを多数個取りできる集合基板
は一方が平行二段曲げをした第一の金属板、他方は平担
である第二の金属板である一対の金属板から成り、該一
対の金属板を互いの一部が厚み方向に隙間を有して重な
るように配設して集合基板を構成する工程と、前記第一
の金属板上に前記発光素子をダイボンディングして該発
光素子と前記第二の金属板とを配線する工程と、前記集
合基板の上面全面を封止樹脂で覆うようにモールドする
工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、樹脂硬化後の
前記集合基板をＸ、Ｙ方向に切断して個々の発光ダイオ
ードに分割する工程とを有することを特徴とする発光ダ
イオードの製造方法。 - 【請求項７】 前記一対の金属板を互いの一部が厚み方
向に隙間を有して重なるように配設する工程には、前記
隙間に絶縁部材を介在させる工程を含むことを特徴とす
る請求項５記載の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241460A JP2003060240A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001241460A JP2003060240A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003060240A true JP2003060240A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19071899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001241460A Pending JP2003060240A (ja) | 2001-08-08 | 2001-08-08 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003060240A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1717871A2 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| JP2008235469A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Harison Toshiba Lighting Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| CN102751271A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件阵列 |
| US8956922B2 (en) | 2010-09-06 | 2015-02-17 | Heraeus Noblelight Gmbh | Coating method for an optoelectronic chip-on-board module |
-
2001
- 2001-08-08 JP JP2001241460A patent/JP2003060240A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1717871A2 (de) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| EP1717871A3 (de) * | 2005-04-15 | 2008-11-19 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement |
| JP2008235469A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Harison Toshiba Lighting Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US8956922B2 (en) | 2010-09-06 | 2015-02-17 | Heraeus Noblelight Gmbh | Coating method for an optoelectronic chip-on-board module |
| US9269836B2 (en) | 2010-09-06 | 2016-02-23 | Heraeus Noblelight Gmbh | Optoelectronic chip-on-board module |
| CN102751271A (zh) * | 2011-04-19 | 2012-10-24 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件阵列 |
| JP2012227529A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子アレイ |
| EP2515622A3 (en) * | 2011-04-19 | 2014-08-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device array |
| US9356004B2 (en) | 2011-04-19 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device array |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
| JP4122784B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5038623B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4305896B2 (ja) | 高輝度発光装置及びその製造方法 | |
| US10431567B2 (en) | White ceramic LED package | |
| JP3217322B2 (ja) | チップ部品型発光素子 | |
| US8421088B2 (en) | Surface mounting type light emitting diode | |
| JP4910220B1 (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP5528900B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
| US20060049423A1 (en) | Light-emitting device | |
| JP2006005290A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20050092300A (ko) | 고출력 발광 다이오드 패키지 | |
| JP2008244165A (ja) | 照明装置 | |
| JP2010130008A (ja) | サイドビューｌｅｄパッケージ構造並びにその製造方法及びその応用 | |
| JP4904604B1 (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2008235867A (ja) | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2003008074A (ja) | 表面実装型発光装置及びその製造方法 | |
| TWI472067B (zh) | 光學封裝及其製造方法 | |
| JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005116937A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JP2003060240A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2010283063A (ja) | 発光装置および発光モジュール | |
| JP2015038902A (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2007173271A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
| JP2012104542A (ja) | Ｌｅｄ発光素子用リードフレーム及びそれを用いたｌｅｄパッケージ、およびその製造方法 |