CN102751271A - 发光器件阵列 - Google Patents

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Abstract

本发明所公开的是一种发光器件阵列。该发光器件阵列包括发光器件和主体，该主体包括电连接到发光器件的第一引线框架和第二引线框架和发光器件封装设置在其上的基板，该基板包括基底层和设置在基底层上并且电连接到发光器件封装的金属层，其中金属层包括：第一电极图案和第二电极图案，该第一电极图案和第二电极图案电连接到第一引线框架和第二引线框架；以及散热图案，该散热图案与第一电极图案或(和)第二电极图案中的至少一个绝缘，吸收从基底层或(和)发光器件封装中的至少一个生成的热并且然后散热。

Description

发光器件阵列
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2011年4月19日提交的韩国专利申请No.10-2011-0036206的优先权权益，其内容通过引用合并于此。
技术领域
实施例涉及一种发光器件阵列。
背景技术
作为发光器件的一个代表性的示例，发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外光或者可见光的光的器件，并且在家用电器、远程控制器、电子布告牌、显示器、各种汽车等中使用，并且LED的应用范围继续扩展。
通常，小的LED被制造成表面安装器件型以便直接地安装在印刷电路板(PCB)上，并且因此被用作显示装置的LED灯被开发为表面安装器件型。这样的表面安装器件可以代替常规的简单灯，并且可以在产生各种颜色的灯打开/关闭(light-on/off)显示器、字母指示器、图像显示器等中使用。
随着LED的应用范围继续扩展，由在日常生活中使用的灯和用于紧急信号的灯所要求的亮度被增加，并且因此从LED发射的光的亮度的增加成为非常重要的问题。
发明内容
实施例提供了一种发光器件阵列。
在一个实施例中，发光器件阵列包括：发光器件封装，发光器件封装中的每一个包括至少一个发光器件和包括电连接到至少一个发光器件的第一引线框架和第二引线框架的主体；和基板，发光器件封装布置在基板上，该基板包括基底层和布置在基底层上并且电连接到发光器件封装的金属层，其中金属层包括第一电极图案和第二电极图案，该第一电极图案和第二电极图案电连接到第一引线框架和第二引线框架；和散热图案，该散热图案与第一电极图案或(和)第二电极图案中的至少一个绝缘，吸收从基底层和发光器件封装生成的热并且然后散发热。
在另一实施例中，发光器件阵列包括：发光器件封装，发光器件封装中的每一个包括至少一个发光器件和包括电连接到至少一个发光器件的第一引线框架和第二引线框架的主体；和基板，发光器件封装布置在基板上，该基板包括基底层、布置在基底层上并且电连接到发光器件封装的金属层、以及布置在金属层上的绝缘层，其中金属层包括第一电极图案和第二电极图案，该第一电极图案和第二电极图案电连接到第一引线框架和第二引线框架；和散热图案，该散热图案与第一电极图案和第二电极图案中的至少一个绝缘，吸收从基底层或(和)发光器件封装中的至少一个生成的热并且然后散发热，其中绝缘层的长度或(和)宽度中的至少一个小于基底层的长度或(和)宽度中的至少一个。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述将会更加清楚地理解实施例的详情，在附图中：
图1是示意性地图示包括根据一个实施例的发光器件阵列的发光器件模块的分解透视图；
图2是根据第一实施例的图1中所示的发光器件封装的透视图；
图3是图2中所示的发光器件封装的截面图；
图4是图1中所示的发光器件阵列的分解透视图；
图5是图4中所示的基板的分解透视图；
图6是图4中所示的发光器件阵列的一部分的放大图；
图7是根据第二实施例的图1中所示的发光器件封装的透视图；
图8是图示图7中所示的第一引线框架和第二引线框架的放大图；
图9是包括根据一个实施例的发光器件阵列的照明设备的透视图；
图10是沿着图9的照明设备的线B-B截取的截面图；
图11是包括根据第一实施例的发光器件阵列的液晶显示设备的分解透视图；以及
图12是包括根据第二实施例的发光器件阵列的液晶显示设备的分解透视图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，在附图中图示了其示例。然而，本公开可以以多种不同的形式具体化并且不应被解释为限制在此阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得本公开将会是全面的和完全的，并且将会对本领域的技术人员传达本公开的范围。仅通过权利要求的种类来定义本公开。在某些的实施例中，在本领域中众所周知的装置结构或者工艺的详细描述将会被省略以避免晦涩由本领域的普通技术人员对本公开的理解。只要有可能，在整个附图中将会使用相同的附图标记来表示相同或者相似的部件。
在此可以使用诸如“在下方”、“在下面”、“较低的”、“在上方”、或者“上面的”的空间相对术语来描述如附图中所图示的一个元件到另一元件的关系。将会理解的是，空间相对术语旨在包含除了附图中描述的取向之外的装置的不同取向。例如，如果附图之一中的装置被颠倒，则被描述为在其它元件的“下方”或者“下面”的元件可以被定位在其它元件的“上方”。因此，示例性术语“在下方”或者“在下面”能够包含在上面和在下方两者的取向。因为在另一方向上可以对装置进行取向，所以根据装置的取向可以解释空间相对术语。
在附图中，为了便于描述和清楚，每个层的厚度或者尺寸被夸大、省略、或者示意性地图示。而且，每个构成元件的尺寸或者面积没有完全地反映其真实尺寸。
用于描述根据实施例的发光器件阵列的结构的角度或者方向是基于附图中所示角度或方向。除非在说明书中不存在要描述发光器件阵列的结构中的角度位置关系的参考点的定义，否则可以参考相关联的附图。
图1是示意性地图示包括根据一个实施例的发光器件阵列的发光器件模块的分解透视图。
参考图1，发光器件模块200可以包括：功率控制模块210、发光器件阵列100、以及连接器130。
在此，功率控制模块210可以包括电源212，该电源212用于生成通过安装在发光器件阵列100上的发光器件封装110消耗的电力；控制器214，该控制器214用于控制电源212的操作；以及连接器接口216，连接器130的一侧连接到连接器接口216。
在此，电源212在控制器214的控制下进行操作，并且生成通过发光器件阵列100消耗的电力。
控制器214可以根据从外部输入的命令来控制电源212的操作。
在此，从外部输入的命令可以是从直接连接到远程控制器和发光器件模块200的输入装置(未示出)输出的命令，所述远程控制器用于命令对包括发光器件模块200的装置进行操作，但是本公开不限于此。
此外，连接器接口216连接到连接器130的一侧，并且可以将从电源212输出的电力通过连接器130提供给发光器件阵列100。
发光器件阵列100可以包括：发光器件封装110；基板120，发光器件封装110安装在基板120上；以及连接器端子(未示出)，该连接器端子在基板120上连接到连接器130的另一侧。
在此，连接器端子可以通过连接器130电连接到连接器接口216。
基板120可以是印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路板(FPCB)、或者金属芯PCB(MCPCB)。
基板120可以是单侧的PCB、双侧的PCB或者包括多个层的PCB。尽管该实施例将基板120图示为单侧PCB，但是本公开不限于此。
尽管该实施例将多个发光器件封装110图示为被划分成第一至第四组P1～P4并且将第一至第四组P1～P4中的每一组图示为包括六个发光器件封装110，但是本公开没有限制发光器件封装110的数目和发光器件封装110的组的数目。
也就是说，第一至第四组P1～P4中的每一组中的六个发光器件封装110可以串联地连接，并且第一至第四组P1～P4可以并联地连接。
尽管该实施例图示了六个发光器件封装110串联地连接以形成一个组，但是本公开不限于发光器件封装110的该连接方法。
作为第一至第四组P1～P4内的发光器件封装110，发射不同颜色的光的至少两个发光器件封装110可以交替地安装或者可以成组，并且根据发光器件封装110的尺寸来安装，或者可以安装发射单一颜色的光的发光器件封装110。此外，本公开不限于此。
例如，如果发光器件阵列100发射白光，则发射红光的发光器件封装和发射蓝光的发光器件封装可以被用作多个发光器件封装110。因此，发射红光的发光器件封装和发射蓝光的发光器件封装可以被交替地安装，并且可以产生红光、蓝光以及绿光。
图1中所示的功率控制模块210表示供应电力，即，外部电力的电源装置。此外，功率控制模块210可以是用于描述根据实施例的发光器件阵列100的装置，但是本公开不限于此。
图2是根据第一实施例的图1中所示的发光器件封装的透视图。
也就是，图2是其中通过其看到发光器件封装的一部分的发光器件封装的透视图。尽管该实施例图示了顶视图型的发光器件封装，但是发光器件封装可能是侧视图型，而本公开不限于此。
参考图2，发光器件封装110可以包括发光器件10和主体20，发光器件10布置在主体20上。
主体20可以包括布置在第一方向(未示出)上的第一隔膜(diaphragm)22和布置在与第一方向相交的第二方向(未示出)上的第二隔膜24。第一隔膜和第二隔膜22和24可以被一体化地形成并且通过注射成型、蚀刻等形成，但是本公开不限于此。
也就是，第一隔膜和第二隔膜22和24可以是由从由以下组成的组中选择的至少一个形成：诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、AlOx、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al2O3)、氧化铍(BeO)、陶瓷以及印刷电路板(PCB)。
根据发光器件的用途和设计，第一隔膜和第二隔膜22和24的上表面可以具有诸如三角形、矩形、多边形以及圆形的各种形状，但是本公开不限于此。
第一隔膜和第二隔膜22和24形成其中布置有发光器件10的腔体s，腔体s的截面可以具有诸如杯状、凹形容器等的各种形状，并且可以在向下方向上倾斜形成腔体s的第一隔膜和第二隔膜22和24。
此外，腔体s的平面可以具有诸如圆形、矩形、多边形以及椭圆形的各种形状，但是本公开不限于此。
第一引线框架和第二引线框架13和14可以布置在主体20的下表面上，并且第一引线框架和第二引线框架13和14可以是由金属，例如，从由钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)以及铁(Fe)、或者其合金组成的组中选择的至少一个形成。
此外，第一引线框架和第二引线框架13和14可以被形成为具有单层结构或者多层结构，但是本公开不限于此。
可以从第一引线框架和第二引线框架13和14中的一个以指定倾斜角倾斜第一隔膜和第二隔膜22和24的内表面，从发光器件10发射的光的反射的角度可以根据倾斜角变化，并且由此，可以调节发射到外部的光的取向角。随着光的取向角减少，从发光器件10发射到外部的光的会聚增加，并且另一方面，随着光的取向角增加，从发光器件10发射到外部的光的会聚减少。
主体20的内表面可以具有多个倾斜角，但是本公开不限于此。
在该实施例中，电连接到发光器件10的第一电极(未示出)的第一结合区(未示出)可以形成在第一引线框架13上，并且电连接到发光器件10的第二电极(未示出)的第二结合区(未示出)可以形成在第二引线框架13上。
第一引线框架和第二引线框架13和14的第一结合区和第二结合区通过布线(未示出)电连接到发光器件10的第一电极和第二电极，并且分别连接到外部电源(未示出)的阳极(+)和阴极(-)，由此能够向发光器件10供电。
该实施例图示了第二引线框架14与第一引线框架13分离，并且发光器件10通过布线(未示出)结合到第一引线框架和第二引线框架13和14并且因此可以接收来自第一引线框架和第二引线框架13和14的电力。
在此，将布线结合到第一引线框架和第二引线框架13和14的结合区(未示出)，并且通过涂覆构件(未示出)可以包围结合到结合区的布线中的每一根的一侧，但是本公开不限于此。
尽管该实施例将发光器件10图示为水平型发光器件，但是发光器件10可以是垂直型发光器件。如果发光器件10是垂直型发光器件，则布线可以结合到第二引线框架14的第二结合区，但是本公开不限于此。
在此，发光器件10可以结合到具有不同的极性的第一引线框架13和第二引线框架14。
尽管该实施例将发光器件10图示为布置在第一引线框架13上，但是本公开不限于此。
此外，发光器件10可以通过附着构件(未示出)被附着到第一引线框架13的上表面。
在此，要防止第一引线框架和第二引线框架13和14之间的电短路的绝缘屏障(insulating dam)16可以被形成在第一引线框架和第二引线框架13和14之间。
尽管该实施例将绝缘屏障16图示为具有平坦的上表面，但是绝缘屏障16的上表面可以具有半圆形形状，而本公开不限于此。
阴极标注17可以被形成在主体20上。当第一引线框架和第二引线框架13和14电连接时，阴极标注17可以用于识别发光器件10的极性，即，第一引线框架和第二引线框架13和14的极性，以防止混淆。
发光器件10可以是发光二极管。例如，这样的发光二极管可以是发射红、绿、蓝或者白光的发光二极管，或者发射紫外光的紫外发光二极管，但是本公开不限于此。此外，多个发光器件10可以被安装在第一引线框架13上，或者至少一个发光器件10可以被安装在第一引线框架和第二引线框架13和14中的每一个上，但是本公开不限制发光器件10的数目和发光器件10的安装位置。
主体20可以包括填充腔体s的树脂材料18。也就是，树脂材料18可以以双重成型结构或者三重成型结构形成，并且可以包括荧光体、光扩散剂以及光分散剂中的至少一个或者是由排除荧光体、光扩散剂以及光分散剂的透光材料形成，但是本公开不限于此。
图3是图2中所示的发光器件封装的截面图。
参考图3，发光器件封装110可以包括发光器件10和主体20，发光器件10布置在主体20上。
尽管该实施例将发光器件10示例性地图示为属于水平型并且被布置在第一引线框架13上，但是本公开不限于此。
发光器件10可以包括支撑构件2和支撑构件2上的发光结构6。
支撑构件2被固定并且通过附着构件1被附着到第一引线框架13，并且附着构件1可以是由具有高的导热率的材料形成，但是本公开不限于此。
支撑构件2可以是由导电衬底或者绝缘衬底形成，例如，从由蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge以及Ga2O3.组成的组中选择的一个形成。
尽管该实施例将支撑构件2图示为由蓝宝石(Al2O3)形成，但是本公开不限于此。
通过湿洗可以从支撑构件2的表面去除杂质并且光提取图案可以形成在支撑构件2的表面上以便提高光提取效果，但是本公开不限于此。
此外，支撑构件2可以是由促进散热以提高热的稳定性的材料形成。
要提高光提取效果的抗反射层(未示出)可以被布置在支撑构件2上。抗反射层(未示出)可以被称为抗反射(AR)涂层，并且基本上使用由多个界面反射的光之间的干涉。也就是，抗反射层(未示出)将由彼此不同的界面反射的光的相位偏离180度的角以抵消(offset)光，由此减少被反射的光的强度。然而，本公开不限于此。
此外，缓冲层(未示出)可以被布置在支撑构件2上以便减少支撑构件2和发光结构6之间的晶格失配并且使得多个半导体层能够容易地生长。
可以生长缓冲层以在支撑构件2上产生单晶体，并且具有单晶的缓冲层可以提高在缓冲层上生长的发光结构6的结晶性。
此外，缓冲层可以形成以具有诸如AlInN/GaN堆叠结构、InGaN/GaN堆叠结构或者AlInGaN/InGaN/GaN堆叠结构的包括AlN和GaN的结构。
第一半导体层3可以被布置在支撑构件2或者缓冲层上，并且，如果第一半导体层3是N型半导体层，则第一半导体层3可以是由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的公式的半导体材料形成，例如，从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN组成的组中选择的一个形成，并且可以被掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或者Te的N型掺杂物。
第一半导体层3包括第一区和第二区(未示出)，并且有源层4可以被布置在第二区中的第一半导体层3上并且使用III-V族化合物半导体材料以单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构形成。
如果有源层4是以量子阱结构形成，则有源层4可以以单量子阱结构或者包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的公式的阱层和具有InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的公式的势垒层的多量子阱结构形成。阱层可以是由具有比势垒层的带隙低的带隙的材料形成。
导电包覆层(未示出)可以被形成在有源层的上表面和/或下表面上。导电包覆层(未示出)可以是由AlGaN基半导体形成并且具有比有源层4的带隙高的带隙。
第二半导体层5可以被布置在有源层4上并且是P型半导体层，并且如果第二半导体层5是P型半导体层，则第二半导体层5可以是由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1 0≤x+y≤1)的公式的半导体材料形成，例如，从由GaN、AlN、A1GaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN组成的组中选择的一个形成，并且可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型掺杂物。
例如，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)或者氢化物气相外延(HVPE)可以形成上述第一半导体层3、有源层4以及第二半导体层5，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层3和第二半导体层5内的N型掺杂物和P型掺杂物的掺杂浓度可以是均匀的或者不均匀的。也就是说，多个半导体层可以以各种结构形成，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层3可以是P型半导体层，第二半导体层5可以是N型半导体层，并且由此，发光结构6可以包括N-P结、P-N结、N-P-N结以及P-N-P结的结构中的至少一个。
在该实施例中，在生长发光结构6之后，通过MESA蚀刻可以形成第一半导体层3的第一区和第二区，并且第一区可以是在MESA蚀刻之后被暴露的第一半导体层3。
在此，电连接到第一半导体层3的第一电极7可以被布置在第一区中的第一半导体层3上，并且电连接到第二半导体层5的第二电极8可以被布置在第二半导体层5上。
第一电极和第二电极7和8中的至少一个可以是由从铟(In)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、钌(Ru)、铼(Re)、镁(Mg)、锌(Zn)、铪(Hf)、钽(Ta)、铑(Rh)、铱(Ir)、钨(W)、钛(Ti)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铌(Nb)、铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)以及钨-钛(WTi)、或者其合金组成的组中选择的至少一个形成，但是本公开不限于此。
在此，第一电极和第二电极7和8可以被形成在至少一个层中，但是本公开不限于此。
此外，透光电极层(未示出)和反射层(未示出)中的至少一个可以被形成在发光结构6与第二电极8之间和在第一半导体层3和第一电极7之间，但是本公开不限于此。
第一电极7可以通过布线结合到第二引线框架14，并且第二电极8可以通过布线结合到第一引线框架13。
在此，树脂材料18可以填充形成在主体20上的腔体s以覆盖发光器件10并且保护发光器件10。
图4是图1中所示的发光器件阵列的分解透视图，并且图5是图4中所示的基板的分解透视图。
参考图4，发光器件阵列100可以包括发光器件封装110和基板120，发光器件封装110被安装在基板120上。
该实施例将发光器件封装110图示为图2和图3中所示的发光器件封装110。
在该实施例中，为了便于描述，多个发光器件封装110被划分为第一至第四组P1～P4，如图1中所示，并且图4图示了第一至第四组P1～P4中的每一组包括两个发光器件封装110。
也就是，至少一个发光器件封装110形成阵列，但是本公开不限于此。
基板120可以是印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路板、或者金属芯PCB(MCPCB)。如果基板120是PCB，则可以使用单侧PCB、双侧PCB或者包括多个层的PCB。尽管该实施例将基板120图示为单侧PCB，但是本公开不限于此。
参考图5，基板120可以包括基底层122、金属层124、以及绝缘层126。
尽管该实施例图示了基板120使用由FR4形成的基底层122，但是基板120可以是包括铝(Al)和铜(Cu)中的至少一个的MCPCB，并且如果基板120是MCPCB，则绝缘构件(未示出)可以被布置在基底层122和金属层124之间，但是本公开不限于此。
向发光器件封装110供电的金属层124可以被布置在基底层122上。
在此，金属层124可以包括第一电极图案和第二电极图案124a和124b，该第一电极图案和第二电极图案124a和124b电连接到图2中所示的发光器件封装110的第一引线框架和第二引线框架13和14；连接器端子(未示出)的连接器图案124c，图1中所示的连接器(未示出)被布置在其上；以及散热图案124d，该散热图案124d被布置为与第一电极图案和第二电极图案124a和124b以及连接器图案124c绝缘。稍后将会给出散热图案124d的描述。
金属层124可以进一步包括连接图案(未示出)，该连接图案连接第一电极图案和第二电极图案124a和124b和连接器图案124c。
包括PSR墨和绝缘膜中的至少一个以防止腐蚀和金属层124短路并且增加从发光器件封装110发射的光的效率和反射率的绝缘层126可以被布置在基底层122和金属层124上。
绝缘层126可以包括第一电极开口区和第二电极开口区126a和126b、连接器开口区126c以及散热开口区126d，由此第一电极开口区和第二电极开口区126a和126b、连接器开口区126c以及散热开口区126d被暴露到外部。
尽管该实施例将绝缘层126的长度或(和)宽度中的至少一个图示为等于基底层122的长度或(和)宽度中的至少一个，但是绝缘层126的长度或(和)宽度中的至少一个可以小于基底层122的长度或(和)宽度中的至少一个以防止碰撞或者损坏绝缘层126的边缘部分，而本公开不限于此。
也就是，绝缘层126可以具有片形，并且通过蚀刻工艺第一电极开口区和第二电极开口区126a和126b、连接器开口区126c以及散热开口区126d可以被形成在绝缘层125上。
在此，发光器件封装110的第一引线框架和第二引线框架13和14以及连接器可以被布置在通过第一电极开口区和第二电极开口区126a和126b以及连接器开口区126c暴露的第一电极图案和第二电极图案124a和124b以及连接器图案124c上。
用于电连接的焊膏(cream solder)(未示出)可以被布置在通过第一电极开口区和第二电极开口区126a和126b以及连接器开口区126c暴露的第一电极图案和第二电极图案124a和124b与连接器图案124c之间，和在第一引线框架和第二引线框架13和14与连接器之间。
此外，导热构件(未示出)可以被布置在通过散热开口区126d暴露的散热图案124d上。导热构件可以是由具有比基底层122高的导热率的材料，例如，铅(Pd)或者包括铅(Pd)的焊膏形成，但是本公开不限于此。导热构件的一个表面可以接触绝缘层126。
图6是图4中所示的发光器件阵列的一部分的放大图。
参考图6，发光器件阵列100可以被配置为使得发光器件封装110可以被布置在基板120上。
在此，图6是图4的一部分的放大图，将发光器件封装110图示为布置在基板120上。
尽管该实施例将散热图案124d图示为与发光器件封装110分离，但是散热图案124d的至少一部分可以与发光器件封装110的下部重叠，而本公开不限于此。
也就是，尽管该实施例图示了顶视图型的发光器件封装110，但是如果发光器件封装110是侧视图型，则在第一引线框架和第二引线框架与发光表面之间存在分离距离并且因此散热图案124d可以与发光器件封装110的下部重叠。
在此，散热图案124d的宽度w1可以是发光器件封装110的宽度w2的0.7至1.2倍。尽管散热图案124d的宽度w1可以根据基底层122的宽度(未示出)而变化，但是散热图案124d的宽度w1可以等于或者大于发光器件封装110的宽度w2，以便直接地或者间接地吸收从发光器件封装110生成的热。
此外，散热图案124d的长度d1可以是发光器件封装110的长度d2的0.7至1.1倍，但是本公开不限于此。
尽管该实施例将一个散热图案124d图示为按一个发光器件封装110形成，但是可以按至少两个发光器件封装110来形成一个散热图案124d，而本公开不限于此。
此外，尽管该实施例将散热图案124d图示为与电连接到发光器件封装110的第一引线框架和第二引线框架13和14的第一电极图案和第二电极图案124a和124b绝缘，但是散热图案124d可以电连接到从第一电极图案和第二电极图案124a和124b当中向其提供电力的负电压(-)的电极图案(未示出)，而本公开不限于此。
此外，尽管该实施例将发光器件封装110图示为包括两个引线框架，即，第一引线框架和第二引线框架13和14，但是如果发光器件封装110进一步包括除了第一引线框架和第二引线框架13和14之外的其上布置有发光器件10的第三引线框架(未示出)，则散热图案124d可以电连接到第三引线框架，但是本公开不限于此。
在此，导热构件(未示出)可以被布置在散热图案124d上，并且导热构件的厚度可以是发光器件封装110的厚度0.1至0.3倍。
导热构件可以防止散热图案124d被暴露到外部，由此防止散热图案124d被氧化。
图7是根据第二实施例的图1中所示的发光器件封装的透视图，并且图8是图示图7中所示的第一引线框架和第二引线框架的放大图。
也就是，图7是发光器件封装300的透视图，其中由此看到发光器件封装300的一部分。尽管本实施例图示了顶视图型的发光器件封装300，但是发光器件封装300可以是侧视图型，而本公开不限于此。
参考图7，发光器件封装300可以包括第一发光器件和第二发光器件310和311以及主体320，第一发光器件和第二发光器件310和311被布置在主体320上。
主体320可以包括被布置在第一方向(未示出)上的第一隔膜322和被布置在与第一方向相交的第二方向(未示出)上的第二隔膜324。第一隔膜和第二隔膜322和324可以一体化地形成并且通过注射成型、蚀刻等形成，但是本公开不限于此。
根据第一发光器件和第二发光器件310和311的用途和设计，第一隔膜和第二隔膜322和324的上表面可以具有诸如三角形、矩形、多边形以及圆形的各种形状，但是本公开不限于此。
第一隔膜和第二隔膜322和324形成其中布置有第一发光器件和第二发光器件310和311的腔体s，腔体s的截面可以具有诸如杯状、凹形容器等的各种形状，并且可以在向下方向中倾斜形成腔体s的第一隔膜和第二隔膜322和324。
此外，腔体s10的平面可以具有诸如圆形、矩形、多边形以及椭圆形的各种形状，但是本公开不限于此。
第一引线框架和第二引线框架313和314可以被布置在主体320的下表面上，并且第一引线框架和第二引线框架313和314可以是由金属，例如，从由钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)以及铁(Fe)、或者其合金组成的组中选择的至少一个形成。
此外，第一引线框架和第二引线框架313和314可以被形成为具有单层结构或者多层结构，但是本公开不限于此。
第一发光器件310被布置在第一引线框架313上，并且第一引线框架313可以包括与第二引线框架314的至少一部分重叠的第一重叠突出315。
第二发光器件311被布置在第二引线框架314上，并且第二引线框架314可以包括与第一引线框架313的至少一部分重叠的第二重叠突出319。
尽管该实施例将第一引线框架313图示为包括在凹槽(未示出)被形成靠近邻近的第二引线框架314的侧表面的位置处的第一重叠突出315并且将第二引线框架314图示为包括在凹槽的方向上突出的突出(未示出)，但是本公开不限于此。
此外，尽管该实施例将第二引线框架314图示为包括在凹槽(未示出)被形成靠近邻近的第一引线框架313的侧表面的位置处的第二重叠突出319并且将第一引线框架313图示为包括在凹槽的方向上突出的突出(未示出)，但是本公开不限于此。
第一重叠突出和第二重叠突出315和319可以并行地形成，但是本公开不限于此。
凹槽和突出可以被省略并且可以具有其它的形状，彼此邻近的第一引线框架和第二引线框架313和314的侧表面可以具有弯曲的或者不平坦的形状，如从顶部所看到的，但是本公开不限于此。
在此，第一重叠突出和第二重叠突出315和319被形成在第一引线框架和第二引线框架313和314中的每一个的一侧表面处，但是第一重叠突出和第二重叠突出315和319中的一个可以被形成在第一或者第二引线框架313或314的中心处并且本公开没有限制第一重叠突出和第二重叠突出315和319的尺寸和数目。
稍后将会给出第一引线框架和第二引线框架313和314以及第一重叠突出和第二重叠突出315和319的详细描述。
可以从第一引线框架和第二引线框架313和314中的一个开始以指定的倾斜角来倾斜第一隔膜和第二隔膜322和324的内表面，从第一发光器件和第二发光器件310和311发射的光的反射角可以根据倾斜角而变化，并且由此，可以调整被发射到外部的光的取向角。随着光的取向角减少，从第一发光器件和第二发光器件310和311发射到外部的光的会聚增加，并且另一方面，随着光的取向角增加，从第一发光器件和第二发光器件310和311发射到外部的光的会聚减少。
第一引线框架和第二引线框架313和314电连接到第一发光器件和第二发光器件310和311的第一电极和第二电极，并且分别连接到外部电源(未示出)的阳极(+)和阴极(-)，由此能够向第一发光器件和第二发光器件310和311供电。
在此，尽管该实施例将第一发光器件和第二发光器件310和311图示为并联地连接，但是本公开不限于此。此外，尽管该实施例将第一发光器件和第二发光器件310和311图示为布置在第一引线框架和第二引线框架313和314的平坦表面上，但是第一发光器件和第二发光器件310和311可以分别被布置在第一重叠突出和第二重叠突出315和319上，而本公开不限于此。
此外，第一发光器件和第二发光器件310和311可以通过附着构件(未示出)被附着到第一引线框架和第二引线框架313和314的上表面，并且稍后将会给出附着构件的详情。
阴极标注317可以被形成在主体320上。当第一引线框架和第二引线框架313和314电连接时，阴极标注317可以用于识别第一发光器件和第二发光器件310和311的极性，即，第一引线框架和第二引线框架313和314的极性，以防止混淆。
第一发光器件和第二发光器件310和311可以是发光二极管。例如，这样的发光二极管可以是发射红、绿、蓝或者白光的发光二极管，或者发射紫外光的紫外发光二极管，但是本公开不限于此。此外，多个第一发光器件和第二发光器件310和311可以被安装在第一引线框架和第二引线框架313和314上，或者至少一个发光器件310和311可以被安装在第一引线框架和第二引线框架313和314中的每一个上，但是本公开没有限制第一发光器件和第二发光器件310和314的数目以及第一发光器件和第二发光器件310和311的安装位置。
在此，用于防止第一引线框架和第二引线框架313和314之间的电短路的绝缘屏障316可以被形成在第一引线框架和第二引线框架313和314之间。
在该实施例中，第一重叠突出和第二重叠突出315和319可以至少形成绝缘屏障316的一部分并且绝缘屏障316可以具有与第一重叠突出和第二重叠突出315和319相同的截面形状，但是本公开不限于此。
也就是，绝缘屏障316具有与第一重叠突出和第二重叠突出315和319的形状对称地对应的梯形的截面形状，如图7中所示，但是本公开不限于此。
主体320可以包括填充腔体s10的树脂材料318。也就是，树脂材料318可以以双重成型结构或者三重成型结构形成，但是本公开不限于此。
此外，树脂材料318可以以膜型形成，可以包括荧光体、光扩散剂以及光分散剂中的至少一个或者是由排除荧光体、光扩散剂以及光分散剂的例如硅的透光材料形成，但是本公开不限于此。
图8将图7中所示的第一发光器件和第二发光器件310和311图示为具有与图3中所示的发光器件10相同的配置并且将第一发光器件和第二发光器件310和311图示为发射不同颜色的光，但是本公开不限于此。
第一引线框架313可以与第二引线框架314分离了分离距离d10。
尽管该实施例将第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10示例性地图示为规则的，但是第一引线框架和第二引线框架313和314的至少一部分可以具有不同的分离距离，而本公开不限于此。
凹槽(未示出)和突出(未示出)可以被形成在第一引线框架和第二引线框架313和314处，但是本公开不限于此。
在此，第一引线框架313可以包括与第二引线框架314的至少一部分重叠的第一重叠突出315。
此外，第二引线框架314可以包括与第一引线框架313的至少一部分重叠的第二重叠突出319。
尽管该实施例将第一重叠突出和第二重叠突出315和319示例性地图示为具有相同尺寸，但是第一重叠突出和第二重叠突出315和319可以具有不同的尺寸，而本公开不限于此。
也就是，第一重叠突出315可以包括相对于第二引线框架314的表面在第一方向上形成的第一突出部分315a，和在与第一方向相交的第二方向上从第一突出部分315a延伸的第一延伸部分315b。
第一突出部分315a可以具有从第一引线框架313的表面开始的90°至150°的倾斜角θ11，并且可以具有从第二引线框架314的表面开始的30°至90°的倾斜角。
在此，倾斜角θ11用于沿着第一突出部分315a的侧表面通过第一引线框架313的表面维持从第一发光器件310发射的光的反射角，并且可以等于主体320的腔体s10的内表面的倾斜角，但是本公开不限于此。
第一突出部分315a的长度d11可以是第一发光器件和第二发光器件310和311中的至少一个的厚度(未示出)的1至4倍。
也就是说，如果第一突出部分315a的长度d11低于第一发光器件和第二发光器件310和311中的至少一个的厚度的1倍，则第一突出315a可以接触第二引线框架314的表面并且因此引起短路，并且如果第一突出部分315a的长度d11超过第一发光器件和第二发光器件310和311中的至少一个的厚度4倍，则第一突出部分315a远离第二引线框架314的表面并且因此可以增加主体320的尺寸。
第一延伸部分315b可以在与第二引线框架314的表面重叠的第二方向上从第一突出部分315a延伸。
在此，第一延伸部分315b的宽度w12可以等于第一突出部分315a的宽度或者大于第一突出部分315a的宽度，并且可以是第一引线框架和第二引线框架313和314的宽度w10的0.1至0.4倍。
也就是说，如果第一延伸部分315b的宽度w12低于第一引线框架和第二引线框架313和314的宽度w10的0.1倍，则可能出现第一重叠突出315的变形，并且如果第一延伸部分315b的宽度w12超过第一引线框架和第二引线框架313和314的宽度w10的0.4倍，则在第一重叠突出315和第二重叠突出319之间可能出现短路。
第一延伸部分315b的长度d12可能是第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10的1.1至3倍。
也就是说，如果第一延伸部分315b的长度d12低于第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10的1.1倍，则第一延伸部分315b可能在与第二引线框架314的至少一部分重叠的方面具有困难，可能难以在第二引线框架314上形成绝缘屏障316并且因此可能降低主体320的硬度，并且如果第一延伸部分315b的长度d12超过第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10 3倍，则第二引线框架314的至少一部分与第一延伸部分315b的重叠面积被增加但是腔体s10的容积被减少，并且因此由于从第一发光器件和第二发光器件310和311发射的光的不均匀而可能出现黑暗区域。
第一延伸部分315b的厚度bd12可能是第一引线框架313的厚度的1至2倍。
也就是说，如果第一延伸部分315b的厚度bd12低于第一引线框架313的厚度的1倍，则第一延伸部分315b可以容易变形，并且如果第一延伸部分315b的厚度bd12超过第一引线框架313的厚度的2倍，则第一延伸部分315b难以变形，但是存在第一延伸部分315b的下表面接触第二引线框架314的至少一部分的高的可能性。
第一延伸部分315b和第二引线框架314之间的分离距离b11可能是第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10的0.5至4倍。
也就是说，如果分离距离b11低于分离距离d10的0.5倍，则第一延伸部分315b的下表面可以接触第二引线框架314的表面，并且如果分离距离b11超过分离距离d10的4倍，则主体320的尺寸可能被增加。
第二重叠突出319可以包括相对于第一引线框架313的表面在第一方向上形成的第二突出部分319a，和在与第一方向相交的第二方向上从第二突出部分319a延伸的第二延伸部分319b。
第二突出部分319a可以具有从第二引线框架314的表面开始的90°至150°的倾斜角θ21，并且可以具有从第一引线框架313的表面开始的30°至90°的倾斜角。
在此，倾斜角θ21用于沿着第二突出部分319a的侧表面通过第二引线框架314的表面维持从第二发光器件311发射的光的反射角，并且可以等于主体320的腔体s10的内表面的倾斜角，但是本公开不限于此。
第二突出部分319a的长度d21可以等于第一突出部分315a的长度d11，并且因此将省略其详细情况。
第二延伸部分319b可以在与第一引线框架313的表面重叠的第二方向上从第二突出部分319a延伸。
在此，第二延伸部分319b的宽度w22、长度d22以及厚度bd22可以等于第一延伸部分315b的宽度w12、长度d12以及厚度bd12。
尽管该实施例将第一突出部分和第二突出部分315a和319a与第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b图示为彼此相等，但是第一突出部分和第二突出部分315a和319a与第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b可以相互不同，而本公开不限于此。
此外，第一延伸部分和第二延伸部分315b和319b的侧表面之间的分离距离d20可能等于第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10或者大于第一引线框架和第二引线框架313和314之间的分离距离d10，但是本公开不限于此。
尽管该实施例将第一发光器件和第二发光器件310和311示例性地图示为布置在第一引线框架和第二引线框架313和314的平坦的表面上，但是第一发光器件和第二发光器件310和311可以分别被布置在第一重叠突出和第二重叠突出315和319上。
此外，如果一个垂直型或者水平型发光器件被布置在发光器件封装300中，则这样的发光器件可以被布置在第一重叠突出和第二重叠突出315和319中的一个上，如图1中所示，并且如果一个倒装芯片型发光器件被布置在发光器件封装300中，则这样的发光器件的第一电极和第二电极可以结合到第一重叠突出和第二重叠突出315和319，但是本公开不限于此。
此外，本公开没有限制第一重叠突出和第二重叠突出315和319的数目和布置形状，并且第一重叠突出和第二重叠突出315和319可以与第二和第一引线框架314和313重叠以增加绝缘屏障的硬度。
此外，齐纳二极管(未示出)可以被布置在第一重叠突出和第二重叠突出315和319中的一个上，但是本公开不限于此。
图9是包括根据一个实施例的发光器件封装的照明设备的透视图，并且图10是沿着图9的照明设备的线B-B截取的截面图。
在下文中，为了更加详细地图示根据本实施例的照明设备400的形状，将详细描述照明设备400的长度方向Z、与长度方向Z垂直的水平方向Y、以及与长度方向Z和水平方向Y垂直的高度方向X。
也就是说，图10是沿着长度方向Z和高度方向X中的平面通过切割图9的照明设备400获得的截面图，如在水平方向X中看到的。
参考图9和图10，照明设备400包括主体410；盖430，该盖430被耦接到主体410；以及端帽(end cap)450，该端帽450位于主体410的两端处。
发光器件模块440耦接到主体410的下表面，并且主体410可以由具有优异的导电性和散热效果的材料形成，以便通过主体540的上表面将由发光器件封装444生成的热散发到外部。
粗糙部(未示出)可以被形成在发光器件封装444的各自的引线框架(未示出)上，以便提高结合的可靠性和发光效率并且能够实现薄和小的显示设备。
发光器件模块440可以包括包含发光器件封装444的发光器件阵列(未示出)；和PCB 442，以多行的形式将发射多种颜色的光的发光器件封装444安装在其上。根据需要通过相同的间隔或者不同的分离距离可以将发光器件封装444安装在PCB 442上，由此能够调整亮度。金属芯(PCB)(MCPCB)或者由FR4形成的PCB可以被用作PCB 442。
盖430可以形成为圆柱形状以包围主体410的下表面，但是本公开不限于此。
盖430针对外部异物保护被安装在其中的发光器件模块440。此外，盖430可以包括扩散颗粒以防止从发光器件封装444发射的眩光并且将光均匀地散发到外部，并且棱镜图案可以形成在盖430的内表面和外表面中的至少一个上。此外，荧光体可以被施加到盖430的内表面和外表面中的至少一个。
盖430具有优异的光透射率，以便通过盖430将从发光器件封装444发射的光散发到外部，并且具有充分的耐热性，以便耐受由发光器件封装444生成的热。因此，盖430可以由包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的材料制成。
端帽450可以位于在主体410的两端处并且用于密封电源装置(未示出)。此外，电源插头452形成在端帽450上，并且因此根据本实施例的照明设备400可以被直接地附接到已经从其去除常规的荧光灯的端子，而不需要任何单独的装置。
图11是包括根据第一实施例的发光器件阵列的液晶显示设备的分解透视图。
图11图示了边缘光型液晶显示设备500，并且该液晶显示设备500可以包括液晶显示面板510和背光单元570以将光提供到液晶显示面板510。
液晶显示面板510可以使用从背光单元570提供的光来显示图像。液晶显示面板510可以包括滤色基板512和薄膜晶体管基板514，在液晶被插入其间的情况下该滤色基板512和薄膜晶体管基板514被布置为彼此相对。
滤色基板512可以产生通过液晶显示面板510显示的图像的颜色。
薄膜晶体管基板514通过驱动膜517电连接到其上安装了多个电路部件的PCB 518。薄膜晶体管基板514可以响应于从印刷电路板518提供的驱动信号而将从印刷电路板518提供的驱动电压施加给液晶。
薄膜晶体管基板514可以包括在由诸如玻璃或者塑料的透明材料形成的基板上形成的像素电极和薄膜晶体管。
背光单元570包括发光器件模块520，该发光器件模块520输出光；导光板530，该导光板530用于将从发光器件模块520提供的光转换为表面光并且然后将该表面光提供到液晶显示面板510；多个膜550、564以及566，所述多个膜550、564以及566用于使从导光板530提供的光的亮度分布均匀化并且改进垂直入射；以及反射片540，该反射片540将从导光板530的后表面发射的光反射回导光板530。
发光器件模块520可以包括多个发光器件封装524；以及PCB 522，在PCB 522上安装了多个发光器件封装524以形成阵列。
背光单元570的多个膜552、566以及564包括：扩散膜566，该扩散膜566用于朝着液晶显示面板510扩散从导光板530入射的光；棱镜膜550，该棱镜膜550用于集中扩散的光以提高光的垂直入射；以及保护膜564，该保护膜564用于保护棱镜膜550。
图12是包括根据第二实施例的发光器件阵列的液晶显示设备的分解透视图。
在此，将省略与图11的大体上相同的图12的组件的描述。
图12图示了直接型液晶显示装置600，并且该液晶显示装置600可以包括液晶显示面板610和将光提供到液晶显示面板610的背光单元670。
液晶显示面板610与图11中的液晶显示面板510相同，并且因此将省略其详细描述。
背光单元670可以包括多个发光器件模块623；反射片624；下底座630，该下底座630中容纳发光器件模块623和反射片624；扩散板640，该扩散板640被布置在发光器件模块623上；以及多个光学膜660。
发光器件模块623可以包括多个发光器件封装622和PCB 621，在PCB 621上安装了多个发光器件封装622以形成阵列。
反射片624朝着液晶显示面板610反射从发光器件封装622发射的光，因此提高了光效率。
从发光器件模块623发射的光被入射到扩散板640上，并且多个光学膜660被布置在扩散板640上。光学膜660包括扩散膜666、棱镜膜650以及保护膜664。
在此，照明系统可以包括照明设备400和液晶显示设备500和600，并且可以包括包含发光器件封装并且为了照明进行操作的其它设备。
根据上面的描述显然的是，根据一个实施例的发光器件阵列被提供有散热图案，该散热图案被布置在在发射光期间吸收从发光器件封装生成的热的基板上，以间接地吸收由基板吸收的热和从发光器件封装生成的热并且然后将被吸收的热散发在空气中，由此提高发光器件封装的可靠性。
此外，根据该实施例的发光器件阵列被提供有被布置在散热图案上的导热构件，由此促进通过基板和和发光器件封装来吸收热。
结合实施例描述的特征、结构以及特性被包括在本公开的至少一个实施例中并且不一定被包括在所有的实施例中。此外，本公开的任何具体的实施例的特征、结构、或者特性可以以任何适当的方式与一个或者多个其它的实施例组合或者实施例所属领域的技术人员可以进行更改。因此，要理解的是，与这样的组合或者更改相关联的内容落入本公开的精神和范围内。
虽然已经参考其多个示例性实施例描述了实施例，但是应当理解，本领域的技术人员可以想到将落入实施例的本质方面内的多个其它修改和应用。更加具体地，在实施例的具体构成要素中各种变化和修改都是可能的。另外，要理解的是，与变化和修改有关的不同落入在随附的权利要求中定义的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种发光器件阵列，包括：
发光器件封装，所述发光器件封装包括发光器件和主体，所述主体包括第一引线框架和第二引线框架，所述第一引线框架和第二引线框架电连接到所述发光器件；以及
基板，所述发光器件封装设置在所述基板上，所述基板包括基底层和金属层，所述金属层设置在所述基底层上并且电连接到所述发光器件封装，
其中所述金属层包括：
第一电极图案和第二电极图案，所述第一电极图案和第二电极图案电连接到所述第一引线框架和第二引线框架；以及
散热图案，所述散热图案与所述第一电极图案或(和)第二电极图案中的至少一个绝缘，吸收从所述基底层或(和)所述发光器件封装中的至少一个生成的热并且然后散发所述热。
2.一种发光器件阵列，包括：
发光器件封装，所述发光器件封装包括发光器件和主体，所述主体包括第一引线框架和第二引线框架，所述第一引线框架和第二引线框架电连接到所述发光器件；以及
基板，所述发光器件封装设置在所述基板上，所述基板包括：基底层；金属层，所述金属层设置在所述基底层上并且电连接到所述发光器件封装；以及绝缘层，所述绝缘层设置在所述金属层上，
其中所述金属层包括：
第一电极图案和第二电极图案，所述第一电极图案和第二电极图案电连接到所述第一引线框架和第二引线框架；以及
散热图案，所述散热图案与所述第一电极图案和第二电极图案中的至少一个绝缘，吸收从所述基底层或(和)所述发光器件封装中的至少一个生成的热并且然后散发所述热，
其中所述绝缘层的长度或(和)宽度中的至少一个小于所述基底层的长度或(和)宽度中的至少一个。
3.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述散热图案的宽度是所述发光器件封装的宽度的0.7至1.2倍。
4.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述散热图案的长度是所述发光器件封装的长度的0.7至1.1倍。
5.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述散热图案的一部分与所述发光器件封装重叠。
6.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述散热图案电连接到所述第一引线框架和第二引线框架中的一个。
7.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，进一步包括：
导热构件，所述导热构件设置在所述散热图案上。
8.根据权利要求7所述的发光器件阵列，其中所述导热构件由具有比基底层高的导热率的材料形成。
9.根据权利要求7所述的发光器件阵列，其中所述导热构件包括铅(Pb)。
10.根据权利要求7所述的发光器件阵列，其中所述导热构件的厚度是所述发光器件封装的厚度的0.1至0.3倍。
11.根据权利要求2所述的发光器件阵列，其中所述绝缘层包括PSR墨和绝缘膜中的至少一个。
12.根据权利要求2所述的发光器件阵列，其中所述绝缘层与所述散热图案的一部分重叠。
13.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述基板包括印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路板(FPCB)以及金属芯PCB(MCPCB)中的至少一个。
14.根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列，其中所述第一引线框架包括第一重叠突出，所述第一重叠突出与所述第二引线框架的至少一部分重叠。
15.根据权利要求14所述的发光器件阵列，其中所述第一重叠突出包括：
突出部分，所述突出部分相对于所述第二引线框架的表面在第一方向上形成；以及
延伸部分，所述延伸部分在与所述第一方向相交的第二方向上从所述突出部分延伸。
16.根据权利要求15所述的发光器件阵列，其中所述突出部分的长度是所述发光器件的厚度的1至4倍。
17.根据权利要求15所述的发光器件阵列，其中所述延伸部分的长度是所述第一引线框架和第二引线框架之间的分离距离的1.1至3倍。
18.根据权利要求15所述的发光器件阵列，其中所述第二引线框架包括第二重叠突出，所述第二重叠突出与所述第一引线框架的至少一部分重叠并且与所述第一重叠突出分离。
19.根据权利要求18所述的发光器件阵列，其中所述第二重叠突出的尺寸等于所述第一重叠突出的尺寸，或者小于所述第一重叠突出的尺寸。
20.一种照明系统，所述照明系统包括根据权利要求1或者2所述的发光器件阵列。
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