JPH0448675A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0448675A JPH0448675A JP2156207A JP15620790A JPH0448675A JP H0448675 A JPH0448675 A JP H0448675A JP 2156207 A JP2156207 A JP 2156207A JP 15620790 A JP15620790 A JP 15620790A JP H0448675 A JPH0448675 A JP H0448675A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 101100008049 Caenorhabditis elegans cut-5 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として半導体レーザチップ
を使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レーザ
チップの部分を、透明窓を備えたキャップ体にて密封し
て成るいわゆるカニ／シール型の半導体レーザ装置の改
良に関するものである。
を使用した半導体レーザ装置のうち、前記半導体レーザ
チップの部分を、透明窓を備えたキャップ体にて密封し
て成るいわゆるカニ／シール型の半導体レーザ装置の改
良に関するものである。
一般に、この種のカンシール型の半導体レーザ装置にお
いて、その半導体レーザチップの部分を、透明窓を備え
たキャップ体によって密封するのは、前記半導体レーザ
チップが、大気中の湿度や塵埃等によって劣化すること
を防止すると共に、前記半導体レーザチップを、外部か
らの接触及び衝撃等に対して保護することにある。
いて、その半導体レーザチップの部分を、透明窓を備え
たキャップ体によって密封するのは、前記半導体レーザ
チップが、大気中の湿度や塵埃等によって劣化すること
を防止すると共に、前記半導体レーザチップを、外部か
らの接触及び衝撃等に対して保護することにある。
そこで、従来、この種のカンシール型の半導体レーザ装
置においては、良く知られているように、半導体レーザ
チップをダイボンディングしたステムと、その半導体レ
ーザチップに対するキャップ体とを炭素鋼製にし、キャ
ップ体の下端における全周をステムに対して抵抗溶接に
て気密状態に固着する一方、前記キャップ体における透
明窓をガラス板にして、このガラス板をガラス半田にて
、キャップ体に対して気密状態に固着し、更に、前記半
導体レーザチップに対する少なくとも一つのリード端子
を、前記ステムに穿設した貫通孔から挿入し、このリー
ド端子を前記貫通孔内においてガラスシール材にて絶縁
シール状態で固着すると言う構成にしている。
置においては、良く知られているように、半導体レーザ
チップをダイボンディングしたステムと、その半導体レ
ーザチップに対するキャップ体とを炭素鋼製にし、キャ
ップ体の下端における全周をステムに対して抵抗溶接に
て気密状態に固着する一方、前記キャップ体における透
明窓をガラス板にして、このガラス板をガラス半田にて
、キャップ体に対して気密状態に固着し、更に、前記半
導体レーザチップに対する少なくとも一つのリード端子
を、前記ステムに穿設した貫通孔から挿入し、このリー
ド端子を前記貫通孔内においてガラスシール材にて絶縁
シール状態で固着すると言う構成にしている。
しかし、ガラス板をキャップ体に対してガラス半田を使
用して固着するには、リング状のガラス半田を製作する
工程、及び高温で焼成する工程を必要とするばかりか、
この高温での焼成によって変色したキャップ体に対して
、酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工
程を必要とするものであり、また、ステムに穿設した貫
通孔内に挿入したリード端子を貫通孔内にガラスシール
材によって固着するに際しても、パイプ状ガラスシール
材の製作工程、及び高温で焼成する工程を必要とするば
かりか、この高温での焼成によって変色したステムに対
して、酸洗いしたのち二・ソケルメッキを施すと言う後
処理工程を必要とするものであって、キャップ体に対し
てガラス板を固着すること、及びステムに対してリード
端子を絶縁シール状態で固着することに、多大のコスト
が嵩むのである。
用して固着するには、リング状のガラス半田を製作する
工程、及び高温で焼成する工程を必要とするばかりか、
この高温での焼成によって変色したキャップ体に対して
、酸洗いしたのちニッケルメッキを施すと言う後処理工
程を必要とするものであり、また、ステムに穿設した貫
通孔内に挿入したリード端子を貫通孔内にガラスシール
材によって固着するに際しても、パイプ状ガラスシール
材の製作工程、及び高温で焼成する工程を必要とするば
かりか、この高温での焼成によって変色したステムに対
して、酸洗いしたのち二・ソケルメッキを施すと言う後
処理工程を必要とするものであって、キャップ体に対し
てガラス板を固着すること、及びステムに対してリード
端子を絶縁シール状態で固着することに、多大のコスト
が嵩むのである。
しかも、従来の半導体レーザ装置においては、半導体レ
ーザチップを固着するためのブロック体を、炭素鋼製の
ステムを冷間鍛造するときにおいて、同時に造形するよ
うにしているから、その冷間鍛造に際しての金型の寿命
が著しく低いと共に、高い精度が必要で、ステムの冷間
鍛造にコストが大幅に嵩むことになるから、前記キャッ
プ体に対してガラス板を固着すること、及びステムに対
してリード端子を絶縁シール状態で固着することにコス
トが嵩むことと相俟って、半導体レーザ装置の価格が著
しく高くなると言う問題かあ、フた。
ーザチップを固着するためのブロック体を、炭素鋼製の
ステムを冷間鍛造するときにおいて、同時に造形するよ
うにしているから、その冷間鍛造に際しての金型の寿命
が著しく低いと共に、高い精度が必要で、ステムの冷間
鍛造にコストが大幅に嵩むことになるから、前記キャッ
プ体に対してガラス板を固着すること、及びステムに対
してリード端子を絶縁シール状態で固着することにコス
トが嵩むことと相俟って、半導体レーザ装置の価格が著
しく高くなると言う問題かあ、フた。
本発明は、これらの問題、つまり、半導体レーザチップ
に対する密封性を確保すること、及びブロック体付きス
テムの製作のために、半導体レーザ装置の価格が大幅に
アップすると言う問題を解消すると共に、半導体レーザ
装置の軽量化を図ることを技術的課題とする。
に対する密封性を確保すること、及びブロック体付きス
テムの製作のために、半導体レーザ装置の価格が大幅に
アップすると言う問題を解消すると共に、半導体レーザ
装置の軽量化を図ることを技術的課題とする。
この技術的課題を達成するため本発明は、上面に設けた
ブロック体に半導体レーザチップを固着した金属製のス
テムと、該ステムに対して前記ブロック体及び半導体レ
ーザチップに被嵌するように取付けた透明窓付きキャッ
プ体と、前記ステムに穿設の貫通孔から前記キャップ体
内に突出するように挿入した少なくとも一つのリード端
子とから成り、前記ステムに、略コ字状の切線を刻設し
、この切線よりも内側の部分をステムの上面に突出する
ように折曲げて、前記半導体レーザチップ固着用のブロ
ック体を形成する一方、前記ステムの下面に下向きに突
出する筒体を一体的に設け、前記半導体レーザチップと
、前記透明窓との間に、透明合成樹脂を充填し、更に、
前記キャップ体内及び前記筒体内に、熱硬化性合成樹脂
を充填する構成にした。
ブロック体に半導体レーザチップを固着した金属製のス
テムと、該ステムに対して前記ブロック体及び半導体レ
ーザチップに被嵌するように取付けた透明窓付きキャッ
プ体と、前記ステムに穿設の貫通孔から前記キャップ体
内に突出するように挿入した少なくとも一つのリード端
子とから成り、前記ステムに、略コ字状の切線を刻設し
、この切線よりも内側の部分をステムの上面に突出する
ように折曲げて、前記半導体レーザチップ固着用のブロ
ック体を形成する一方、前記ステムの下面に下向きに突
出する筒体を一体的に設け、前記半導体レーザチップと
、前記透明窓との間に、透明合成樹脂を充填し、更に、
前記キャップ体内及び前記筒体内に、熱硬化性合成樹脂
を充填する構成にした。
このように構成すると、半導体レーザチップの先端にお
ける前方臂開面から発射するレーザ光は、当該半導体レ
ーザチップと透明窓との間に充填した透明合成樹脂内を
通って、前記透明窓から大気中に出射される。
ける前方臂開面から発射するレーザ光は、当該半導体レ
ーザチップと透明窓との間に充填した透明合成樹脂内を
通って、前記透明窓から大気中に出射される。
そして、ステムの下面に筒体を一体的に造形する一方、
このステムにコ字状の切線を刻設して、該切線の内側の
部分を折曲げてブロック体を形成したことにより、この
ブロック体と筒体とを備えたステムを、金属板からの打
ち抜きプレス加工によって製造することができるから、
ブロック体付きステムを、前記従来のように、冷間鍛造
に形成するものに比べて、至極容易に、低コストで製作
することができる。
このステムにコ字状の切線を刻設して、該切線の内側の
部分を折曲げてブロック体を形成したことにより、この
ブロック体と筒体とを備えたステムを、金属板からの打
ち抜きプレス加工によって製造することができるから、
ブロック体付きステムを、前記従来のように、冷間鍛造
に形成するものに比べて、至極容易に、低コストで製作
することができる。
一方、前記半導体レーザチップの全体は、前記キャップ
体内に充填した熱硬化性合成樹脂によって覆われている
ことにより、当該半導体レーザチップに対する湿度及び
塵埃の接触を、前記熱硬化性合成樹脂によって阻止する
ことができるから、前記キャップ体に対して、前記従来
のように、透明窓用のガラス板をキャップ体に対してガ
ラス半田を使用して高い気密性を保って固着すること、
及びキャップ体をステムに対して高い気密性を保って固
着することを省略できる。
体内に充填した熱硬化性合成樹脂によって覆われている
ことにより、当該半導体レーザチップに対する湿度及び
塵埃の接触を、前記熱硬化性合成樹脂によって阻止する
ことができるから、前記キャップ体に対して、前記従来
のように、透明窓用のガラス板をキャップ体に対してガ
ラス半田を使用して高い気密性を保って固着すること、
及びキャップ体をステムに対して高い気密性を保って固
着することを省略できる。
また、前記ステムの下面に一体的に造形した筒体内に、
熱硬化性合成樹脂を充填したことにより、この熱硬化性
合成樹脂によって、前記ブロック体を形成するために穿
設される抜き孔を確実に塞ぐことができると共に、前記
熱硬化性合成樹脂は、前記リード端子用貫通孔内に入る
ことにより、この熱硬化性合成樹脂にてリード端子を絶
縁シール状態で固着することができるから、リード端子
をステムに対して絶縁シール状態で固着することに、前
記従来のように、ガラスシール材を使用することを省略
できる。
熱硬化性合成樹脂を充填したことにより、この熱硬化性
合成樹脂によって、前記ブロック体を形成するために穿
設される抜き孔を確実に塞ぐことができると共に、前記
熱硬化性合成樹脂は、前記リード端子用貫通孔内に入る
ことにより、この熱硬化性合成樹脂にてリード端子を絶
縁シール状態で固着することができるから、リード端子
をステムに対して絶縁シール状態で固着することに、前
記従来のように、ガラスシール材を使用することを省略
できる。
なお、この場合において、前記熱硬化性合成樹脂に炭酸
カルシウムやアルミナ等の充填剤を混入することにより
、当該熱硬化性合成樹脂における硬化時の収縮及び熱膨
張率を低減できると共に、機械的強度を向上することが
できるから、前記ブロック体を形成するために穿設され
る抜き孔を塞ぐこと、及びリード端子を絶縁シール状態
で固着することの確実性を更に向上できるのである。
カルシウムやアルミナ等の充填剤を混入することにより
、当該熱硬化性合成樹脂における硬化時の収縮及び熱膨
張率を低減できると共に、機械的強度を向上することが
できるから、前記ブロック体を形成するために穿設され
る抜き孔を塞ぐこと、及びリード端子を絶縁シール状態
で固着することの確実性を更に向上できるのである。
従って、本発明によると、キャップ体に対して透明窓用
のガラス板を高い気密性を保って固着すること、キャッ
プ体をステムに対して高い気密性を保って固着すること
、及びリード端子をステムに対してガラスシール材を使
用して固着することを必要としないと共に、ブロック体
付きステムを低コストで製作できることにより、半導体
レーザ装置の製造コストを大幅に低減できるから、耐久
性の高い半導体レーザ装置を、著しく安価に提供できる
のである。
のガラス板を高い気密性を保って固着すること、キャッ
プ体をステムに対して高い気密性を保って固着すること
、及びリード端子をステムに対してガラスシール材を使
用して固着することを必要としないと共に、ブロック体
付きステムを低コストで製作できることにより、半導体
レーザ装置の製造コストを大幅に低減できるから、耐久
性の高い半導体レーザ装置を、著しく安価に提供できる
のである。
しかも、前記キャップ体における透明窓の表面が、レー
ザ光の出射面になるから、前記半導体レーザチップにお
ける前方の樹脂面の平坦面は容易に確保でき、レーザ光
のビーム特性を損なうことがないと言う効果を有する。
ザ光の出射面になるから、前記半導体レーザチップにお
ける前方の樹脂面の平坦面は容易に確保でき、レーザ光
のビーム特性を損なうことがないと言う効果を有する。
その上、ステムを、従来のように、炭素鋼製にする必要
がなく、アルミ又は銅等の熱伝達率の良い金属製にする
ことができるから、半導体レーザ装置における放熱性を
向上することが可能である効果をも有する。
がなく、アルミ又は銅等の熱伝達率の良い金属製にする
ことができるから、半導体レーザ装置における放熱性を
向上することが可能である効果をも有する。
以下、本発明の実施例を図面（第１図〜第５図）につい
て説明するに、図において符号ｌは、炭素鋼、アルミ又
は銅等の金属にて円盤型に形成したステム２と、透明窓
３を備えたキャップ体４とによって構成された半導体レ
ーザ装置を示す。
て説明するに、図において符号ｌは、炭素鋼、アルミ又
は銅等の金属にて円盤型に形成したステム２と、透明窓
３を備えたキャップ体４とによって構成された半導体レ
ーザ装置を示す。
前記ステム２には、第５図の平面視においてコ字状の切
線５を刻設して、この切線５よりも内側の部分を、前記
キャップ体４内に向かって折曲げることによって、ブロ
ック体６を一体的に造形する、従って、ステム２には、
前記ブロック体６の形成により、抜き孔７が明くことに
なる。
線５を刻設して、この切線５よりも内側の部分を、前記
キャップ体４内に向かって折曲げることによって、ブロ
ック体６を一体的に造形する、従って、ステム２には、
前記ブロック体６の形成により、抜き孔７が明くことに
なる。
前記ステム２の下面には、下向きに突出する筒体８を一
体的に造形する一方、前記ブロック体６の側面には、モ
ニター用ホオトダイオード９を備えたサブマウントｌＯ
が固着され、このサブマウントｌＯの表面に、半導体レ
ーザチップ１１が、当該半導体レーザチップ１１におけ
る前方臂開面１１ａが前記透明窓３の方向に向かい、後
方臂開面１１ｂが前記ホオトダイオード９の方向に向か
うようにダイボンディングされている。また、前記半導
体レーサチップ１１の後方臂開面１１ｂと、前記ホオト
ダイオード９との間には、後方臂開面１１ｂから発射さ
れるレーザ光を、ホオトダイオード９に導くための透明
又は半透明の合成樹脂１２が塗着されている。
体的に造形する一方、前記ブロック体６の側面には、モ
ニター用ホオトダイオード９を備えたサブマウントｌＯ
が固着され、このサブマウントｌＯの表面に、半導体レ
ーザチップ１１が、当該半導体レーザチップ１１におけ
る前方臂開面１１ａが前記透明窓３の方向に向かい、後
方臂開面１１ｂが前記ホオトダイオード９の方向に向か
うようにダイボンディングされている。また、前記半導
体レーサチップ１１の後方臂開面１１ｂと、前記ホオト
ダイオード９との間には、後方臂開面１１ｂから発射さ
れるレーザ光を、ホオトダイオード９に導くための透明
又は半透明の合成樹脂１２が塗着されている。
符号１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、前記半導体レーザチッ
プ１１及び前記ホオトダイオード９に対するリード端子
を示し、この各リード端子１３ａ。
プ１１及び前記ホオトダイオード９に対するリード端子
を示し、この各リード端子１３ａ。
１３ｂ、１３ｃのうち一本のリード端子１３ａは、前記
ステム２の下面に固着され（この−本のリード端子１３
ａは、ステム２が炭素鋼製であるときには、ステム２に
対して抵抗溶接にて固着し、ステム２がアルミ又は銅製
であるときには、図示のように、当該−本のリード端子
１３ａの先端をステム２に穿設した孔１４内に挿入した
のちかしめ変形することによってステム２に対して固着
する）、他の二本のリード端子１３ｂ、１．３ｃは、前
記ステム２に穿設した貫通孔１５．１６内に挿入されて
いる。
ステム２の下面に固着され（この−本のリード端子１３
ａは、ステム２が炭素鋼製であるときには、ステム２に
対して抵抗溶接にて固着し、ステム２がアルミ又は銅製
であるときには、図示のように、当該−本のリード端子
１３ａの先端をステム２に穿設した孔１４内に挿入した
のちかしめ変形することによってステム２に対して固着
する）、他の二本のリード端子１３ｂ、１．３ｃは、前
記ステム２に穿設した貫通孔１５．１６内に挿入されて
いる。
そして、前記キャップ体４内における半導体レーザチッ
プ１１と、前記透明窓３との間に、シリコン樹脂等の比
較的軟質の透明合成樹脂１７を充填する一方、前記キャ
ップ体４内及び前記筒体８内に、エポキシ樹脂等の熱硬
化性合成樹脂１８を充填する。
プ１１と、前記透明窓３との間に、シリコン樹脂等の比
較的軟質の透明合成樹脂１７を充填する一方、前記キャ
ップ体４内及び前記筒体８内に、エポキシ樹脂等の熱硬
化性合成樹脂１８を充填する。
このように構成すると、半導体レーザチップ１１の先端
における荊方臂開面１１ａから発射するレーザ光は、透
明合成樹脂１７内を通って、透明窓３の表面から大気中
に出射される。
における荊方臂開面１１ａから発射するレーザ光は、透
明合成樹脂１７内を通って、透明窓３の表面から大気中
に出射される。
前記半導体レーザチップ１１の全体は、前記キャップ体
４内に充填した熱硬化性合成樹脂１８によって覆われて
いることにより、当該半導体レーザチップ１１に対する
湿度及び廖埃の接触を、前記熱硬化性合成樹脂１８によ
って阻止することができる。
４内に充填した熱硬化性合成樹脂１８によって覆われて
いることにより、当該半導体レーザチップ１１に対する
湿度及び廖埃の接触を、前記熱硬化性合成樹脂１８によ
って阻止することができる。
また、前記ステム２の下面に一体的に造形した筒体８内
に、熱硬化性合成樹脂１８を充填１．たことにより、こ
の熱硬化性合成樹脂１８によって、前記ブロック体６を
形成するために穿設される抜き孔７を確実に塞ぐことが
できると共に、前記熱硬化性合成樹脂１８は、前記両リ
ード端子１３ｂ。
に、熱硬化性合成樹脂１８を充填１．たことにより、こ
の熱硬化性合成樹脂１８によって、前記ブロック体６を
形成するために穿設される抜き孔７を確実に塞ぐことが
できると共に、前記熱硬化性合成樹脂１８は、前記両リ
ード端子１３ｂ。
１３ｃを挿入した貫通孔１５．１６内に入って硬化する
ことにより、この熱硬化性合成樹脂１８にて両リード端
子１３ｂ、１３ｃを、ステム２に対して絶縁シール状態
で固着することができるのであり、この場合において、
前記熱硬化性合成樹脂に炭酸カルシウムやアルミナ等の
充填剤を混入するようにしても良い。
ことにより、この熱硬化性合成樹脂１８にて両リード端
子１３ｂ、１３ｃを、ステム２に対して絶縁シール状態
で固着することができるのであり、この場合において、
前記熱硬化性合成樹脂に炭酸カルシウムやアルミナ等の
充填剤を混入するようにしても良い。
なお、前記キャップ体４を、ステム２に対して取付ける
に際しては、従来と同様に、ステム２及びキャップ体４
の両方を炭素鋼製にして抵抗溶接することに限らず、金
属製又は合成樹脂製のキャップ体４をステム２に接着剤
にて接着するとか、或いは、第６図及び第７図に示すよ
うに、金属製のキャップ体４に複数個の係止片１９を設
け、この各係止片１９を、ステム２に穿設した孔２ｏに
挿入したのち、当該係止片１９の先端を折り曲げること
によって、キャップ体４をステム２に取付けるように構
成したり、若しくは、第８図及び第９図に示すように、
透明合成樹脂にて、透明窓３ａ付きキャップ体４ａを形
成し、このキャップ体４ａに、複数個の突起片２１を設
け、この各突起片２１を、ステム２に穿設した孔２２に
挿入したのち、当該突起片２１の先端を熱によってかし
め変形することによって、キャップ体４ａをステム２に
取付けるように構成したりすることもできるのである。
に際しては、従来と同様に、ステム２及びキャップ体４
の両方を炭素鋼製にして抵抗溶接することに限らず、金
属製又は合成樹脂製のキャップ体４をステム２に接着剤
にて接着するとか、或いは、第６図及び第７図に示すよ
うに、金属製のキャップ体４に複数個の係止片１９を設
け、この各係止片１９を、ステム２に穿設した孔２ｏに
挿入したのち、当該係止片１９の先端を折り曲げること
によって、キャップ体４をステム２に取付けるように構
成したり、若しくは、第８図及び第９図に示すように、
透明合成樹脂にて、透明窓３ａ付きキャップ体４ａを形
成し、このキャップ体４ａに、複数個の突起片２１を設
け、この各突起片２１を、ステム２に穿設した孔２２に
挿入したのち、当該突起片２１の先端を熱によってかし
め変形することによって、キャップ体４ａをステム２に
取付けるように構成したりすることもできるのである。
そして、前記した半導体レーザ装置１の製造は、以下に
述べるような方法を採用することができる。
述べるような方法を採用することができる。
すなわち、第１Ｏ図に示すように、一つの半導体レーザ
装置ｌにおける三本のリード端子１３ａ。
装置ｌにおける三本のリード端子１３ａ。
１３ｂ、１３ｃを長手方向に適宜ピッチＰで造形して成
るリードフレーム２３を用意し、このリードフレーム２
３における各リード端子１３ａ、１３ｂ、１３ｃの箇所
に、前記ステム２を、各り−ド端子１３ａ、１３ｂ、１
３ｃのうち一本のリード端子１３ａをステム２の下面に
対して前記適宜手段にて固着し、他の二本のリード端子
１３ｂ。
るリードフレーム２３を用意し、このリードフレーム２
３における各リード端子１３ａ、１３ｂ、１３ｃの箇所
に、前記ステム２を、各り−ド端子１３ａ、１３ｂ、１
３ｃのうち一本のリード端子１３ａをステム２の下面に
対して前記適宜手段にて固着し、他の二本のリード端子
１３ｂ。
１３ｃをステム２における貫通孔１５．１６内に挿入す
るようにして装着する。
るようにして装着する。
次いで、各ステム２におけるブロック体６の側面に、半
導体レーザチップ１１を、サブマウント１０を介してダ
イボンデインクしたのち、前記半導体レーザチップＩＩ
とサブマウント１０との間、及び前記サブマウント１０
と前記両リード端子１３ｂ、１３ｃとの間を、各々金線
にてワイヤーボンディングする。
導体レーザチップ１１を、サブマウント１０を介してダ
イボンデインクしたのち、前記半導体レーザチップＩＩ
とサブマウント１０との間、及び前記サブマウント１０
と前記両リード端子１３ｂ、１３ｃとの間を、各々金線
にてワイヤーボンディングする。
なお、前記半導体レーザチップ１１及びサブマウント１
０のステム２に対するグイボンディングは、ステム２を
リードフレーム２３に対して固着する前において行うよ
うにしても良い。
０のステム２に対するグイボンディングは、ステム２を
リードフレーム２３に対して固着する前において行うよ
うにしても良い。
そして、第１１図に示すように、各ステム２における半
導体レーザチップ１１に透明合成樹脂液１７ａを塗着す
る一方、キャップ体４，４ａ内に適宜量の透明合成樹脂
液１７ｂを注入し、次いで、各ステム２の上面に、第１
２図に示すように、前記キャップ体４，４ａを前記適宜
手段によって取付けしたのち、エポシキ樹脂等の熱硬化
性合成樹脂１８を、ステム２における抜き孔７からキャ
ップ体４，４ａ内に注入すると共に、筒体８内にも注入
して硬化する。
導体レーザチップ１１に透明合成樹脂液１７ａを塗着す
る一方、キャップ体４，４ａ内に適宜量の透明合成樹脂
液１７ｂを注入し、次いで、各ステム２の上面に、第１
２図に示すように、前記キャップ体４，４ａを前記適宜
手段によって取付けしたのち、エポシキ樹脂等の熱硬化
性合成樹脂１８を、ステム２における抜き孔７からキャ
ップ体４，４ａ内に注入すると共に、筒体８内にも注入
して硬化する。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は縦断正面図、第
２図は第１図の■−■視断面断面図３図は第１図の要部
拡大図、第４図はステムを分解した状態の断面図、第５
図は第４図の平面図、第６図及び第７図は別の実施例を
示す断面図、第８図及び第９図は更に別の実施例を示す
断面図、第１０図、第１１図及び第１２図は製造方法を
示す図である。 １・・・・半導体レーザ装置、２・・・・ステム、３・
・・・透明窓、４，４ａ・・・・キャップ体、５・・・
・切線、６・・・・ブロック体、７・・・・抜き孔、８
・・・・筒体、１０・・・・サブマウント、１１・・・
・半導体レーザチップ、１３ａ、１３ｂ、ｌ３ｃｍリー
ド端子、１５．１６・・・・貫通孔、１７・・・・透明
合成樹脂、１日・・・・熱硬化性合成樹脂。
２図は第１図の■−■視断面断面図３図は第１図の要部
拡大図、第４図はステムを分解した状態の断面図、第５
図は第４図の平面図、第６図及び第７図は別の実施例を
示す断面図、第８図及び第９図は更に別の実施例を示す
断面図、第１０図、第１１図及び第１２図は製造方法を
示す図である。 １・・・・半導体レーザ装置、２・・・・ステム、３・
・・・透明窓、４，４ａ・・・・キャップ体、５・・・
・切線、６・・・・ブロック体、７・・・・抜き孔、８
・・・・筒体、１０・・・・サブマウント、１１・・・
・半導体レーザチップ、１３ａ、１３ｂ、ｌ３ｃｍリー
ド端子、１５．１６・・・・貫通孔、１７・・・・透明
合成樹脂、１日・・・・熱硬化性合成樹脂。
Claims (1)
- （１）、上面に設けたブロック体に半導体レーザチップ
を固着した金属製のステムと、該ステムに対して前記ブ
ロック体及び半導体レーザチップに被嵌するように取付
けた透明窓付きキャップ体と、前記ステムに穿設の貫通
孔から前記キャップ体内に突出するように挿入した少な
くとも一つのリード端子とから成り、前記ステムに、略
コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の部分をス
テムの上面に突出するように折曲げて、前記半導体レー
ザチップ固着用のブロック体を形成する一方、前記ステ
ムの下面に下向きに突出する筒体を一体的に設け、前記
半導体レーザチップと、前記透明窓との間に、透明合成
樹脂を充填し、更に、前記キャップ体内及び前記筒体内
に、熱硬化性合成樹脂を充填したことを特徴とする半導
体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156207A JP2560137B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
| US07/686,146 US5140384A (en) | 1990-06-14 | 1991-04-16 | Semiconductor laser device mounted on a stem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2156207A JP2560137B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448675A true JPH0448675A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2560137B2 JP2560137B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=15622711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2156207A Expired - Lifetime JP2560137B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560137B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100681655B1 (ko) * | 1999-03-02 | 2007-02-09 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 |
| JP2007053252A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2156207A patent/JP2560137B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183067U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-02 | ||
| JPS61149365U (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-16 | ||
| JPS63118258U (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-30 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100681655B1 (ko) * | 1999-03-02 | 2007-02-09 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 레이저 |
| JP2007053252A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用パッケージ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560137B2 (ja) | 1996-12-04 |
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