JPH0423383A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0423383A JPH0423383A JP2123842A JP12384290A JPH0423383A JP H0423383 A JPH0423383 A JP H0423383A JP 2123842 A JP2123842 A JP 2123842A JP 12384290 A JP12384290 A JP 12384290A JP H0423383 A JPH0423383 A JP H0423383A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチッ
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
プを使用した半導体レーザ装置の改良に関するものであ
る。
こ従来の技術し
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第１０図、第１
１図及び第１２図に示すように、炭素鋼等の金属にて円
盤型に形成したステム１の上面に、金属製のブロック体
２を突出して、このブロック体２の側面に、半導体レー
ザチップ３を半導体基板４を介してダイホンデインクす
る一方、前記ステム１の上面に、ガラス窓６を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体５を、前記半導体レーザチ
ップ３及びブロック体２に被嵌するように配設して、こ
のキャップ体５の全周を前記ステム１の上面に対して抵
抗溶接にて固着することによって密封し、前記半導体レ
ーザチップ３に対する三本のリード端子７ａ、７ｂ、７
ｃのうち一本のリード端子７ａを、前記ステムｌに対し
て溶接にて固着し、他の二本のリート端子７ｂ、７ｃを
、前記ステムｌに穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したの
ち、ガラスシール材８にて絶縁シール状態で固着すると
言う構成にしている。
１図及び第１２図に示すように、炭素鋼等の金属にて円
盤型に形成したステム１の上面に、金属製のブロック体
２を突出して、このブロック体２の側面に、半導体レー
ザチップ３を半導体基板４を介してダイホンデインクす
る一方、前記ステム１の上面に、ガラス窓６を備えた炭
素鋼等の金属製のキャップ体５を、前記半導体レーザチ
ップ３及びブロック体２に被嵌するように配設して、こ
のキャップ体５の全周を前記ステム１の上面に対して抵
抗溶接にて固着することによって密封し、前記半導体レ
ーザチップ３に対する三本のリード端子７ａ、７ｂ、７
ｃのうち一本のリード端子７ａを、前記ステムｌに対し
て溶接にて固着し、他の二本のリート端子７ｂ、７ｃを
、前記ステムｌに穿設した孔１ａ、ｌｂから挿入したの
ち、ガラスシール材８にて絶縁シール状態で固着すると
言う構成にしている。
しかし、この従来の半導体レーザ装置は、ステムｌの上
面における半導体レーサチップ固着用のブロック体２を
、炭素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形す
るようにしているので、冷間鍛造するときに使用する金
型の寿命か著しく低いと共に、その冷間鍛造に際しては
、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であって
、ブロック体２付きステム１の冷間鍛造にコストが大幅
に嵩むのである。
面における半導体レーサチップ固着用のブロック体２を
、炭素鋼製のステム１を冷間鍛造に際して同時に造形す
るようにしているので、冷間鍛造するときに使用する金
型の寿命か著しく低いと共に、その冷間鍛造に際しては
、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であって
、ブロック体２付きステム１の冷間鍛造にコストが大幅
に嵩むのである。
しかも、従来の半導体レーザ装置は、その半導体レーザ
チップ３に対する三本のリード端子７ａ。
チップ３に対する三本のリード端子７ａ。
７ｂ、７ｃのうち二本のリード端子７ｂ、７ｃを、金属
製のステム１における孔１ａ、ｌｂに挿入し、ガラスシ
ール材８にて絶縁シール状態で固着する構成にしている
が、この二本のリード端子７ｂ。
製のステム１における孔１ａ、ｌｂに挿入し、ガラスシ
ール材８にて絶縁シール状態で固着する構成にしている
が、この二本のリード端子７ｂ。
７ｃのガラスシール材８による固着に際しては、両リー
ド端子７ｂ、７ｃにガラス管を被嵌したのちステムにお
ける孔に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに
加えて、高温に加熱することが必要であり、この高温の
加熱によってステム１の全体か変色することにより、そ
の後処理として酸洗いしたのちメツキを施すようにしな
けれはならないから、両リート端子７ｂ、７ｃをステム
１に対して絶縁シール状態で固着することに要するコス
トが大幅に嵩むことになるから、前記ブロック体２付き
ステム１の製作にコストか大幅に嵩むことと相俟って、
半導体レーザ装置の価格か著しく高くなると言う問題が
あった。
ド端子７ｂ、７ｃにガラス管を被嵌したのちステムにお
ける孔に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに
加えて、高温に加熱することが必要であり、この高温の
加熱によってステム１の全体か変色することにより、そ
の後処理として酸洗いしたのちメツキを施すようにしな
けれはならないから、両リート端子７ｂ、７ｃをステム
１に対して絶縁シール状態で固着することに要するコス
トが大幅に嵩むことになるから、前記ブロック体２付き
ステム１の製作にコストか大幅に嵩むことと相俟って、
半導体レーザ装置の価格か著しく高くなると言う問題が
あった。
本発明は、ブロック体付きステムの製作、各リート端子
をステムに対して絶縁シール状態で同着することに要す
るコストを確実に低減できると共に、軽量化できるよう
にした半導体レーザ装置を提供することを目的とするも
のである。
をステムに対して絶縁シール状態で同着することに要す
るコストを確実に低減できると共に、軽量化できるよう
にした半導体レーザ装置を提供することを目的とするも
のである。
この目的を達成するため本発明は、炭素鋼等の金属にて
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に半導体レーサチップを固着して成る半導体
レーザ装置において、前記ステムに、略コ字状の切線を
刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの表
面に突出するように折曲げて、前記半導体レーサチップ
固着用のブロック体を形成する一方、前記ステムの裏面
に、前記半導体レーサチップに対する複数本のリード端
子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を、接着剤に
て接着する構成にした。
円盤型に形成したステムの表面にブロック体を設け、該
ブロック体に半導体レーサチップを固着して成る半導体
レーザ装置において、前記ステムに、略コ字状の切線を
刻設し、この切線よりも内側の部分を、前記ステムの表
面に突出するように折曲げて、前記半導体レーサチップ
固着用のブロック体を形成する一方、前記ステムの裏面
に、前記半導体レーサチップに対する複数本のリード端
子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を、接着剤に
て接着する構成にした。
このように、ステムに、コ字状の切線を刻設しその内側
の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロッ
ク体に形成したことにより、このブロック体付きステム
を、金属板からの打ち抜きプレス加工によって製造する
ことかできるから、ブロック体付きステムを、前記従来
のように、冷間鍛造にて製作するものに比べて、至極容
易に、低コストで製造することができるのである。
の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロッ
ク体に形成したことにより、このブロック体付きステム
を、金属板からの打ち抜きプレス加工によって製造する
ことかできるから、ブロック体付きステムを、前記従来
のように、冷間鍛造にて製作するものに比べて、至極容
易に、低コストで製造することができるのである。
一方、ステムにおけるブロック体を、前記のようにして
形成したことにより、ステムには、貫通孔が明くことに
なるか、この貫通孔は、前記ステムの裏面に、合成樹脂
製の裏板を、接着剤にて接着したことにより、完全に塞
ぐことができるのであり、しかも、半導体レーサチップ
に対する複数本のリート端子を、前記合成樹脂製の裏板
にインサートしたことにより、当該合成樹脂製の裏板を
成形するとき、当該裏板に対して前記各リート端子を絶
縁シール状態で確実に固着することかできるから、前記
従来のように、金属製のステムに対して複数本のリード
端子をガラスシール材によって固着する場合のような複
雑な工程、高温加熱、及び高温加熱後の後処理としての
メツキ処理を必要としないのである。
形成したことにより、ステムには、貫通孔が明くことに
なるか、この貫通孔は、前記ステムの裏面に、合成樹脂
製の裏板を、接着剤にて接着したことにより、完全に塞
ぐことができるのであり、しかも、半導体レーサチップ
に対する複数本のリート端子を、前記合成樹脂製の裏板
にインサートしたことにより、当該合成樹脂製の裏板を
成形するとき、当該裏板に対して前記各リート端子を絶
縁シール状態で確実に固着することかできるから、前記
従来のように、金属製のステムに対して複数本のリード
端子をガラスシール材によって固着する場合のような複
雑な工程、高温加熱、及び高温加熱後の後処理としての
メツキ処理を必要としないのである。
従って本発明によると、半導体レーザ装置におけるブロ
ック付きステムの製作に要するコスト、及びステムに対
して複数本のリード端子を絶縁シール状態で固着するこ
とに要するコストを大幅に低減することができるから、
半導体レーザ装置を、著しく安価に提供できるのである
。
ック付きステムの製作に要するコスト、及びステムに対
して複数本のリード端子を絶縁シール状態で固着するこ
とに要するコストを大幅に低減することができるから、
半導体レーザ装置を、著しく安価に提供できるのである
。
しかも、本発明は、半導体レーサチップ同着用のブロッ
ク体を、ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よりも
内側の部分を折曲げることによって形成したもので、換
言すると、ステムにおける一部を利用してブロック体を
造形するものであるから、前記従来のものに比べて、半
導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分だけ軽量
化できる効果をも有する。
ク体を、ステムにコ字状切線を刻設し、この切線よりも
内側の部分を折曲げることによって形成したもので、換
言すると、ステムにおける一部を利用してブロック体を
造形するものであるから、前記従来のものに比べて、半
導体レーザ装置の重量を、前記ブロック体の分だけ軽量
化できる効果をも有する。
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第１図〜第５図は、第１の実施例を示し、この図におい
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム１１と、ガラス窓１６を備えた炭素鋼等の金属製の
キャップ体１５とによって構成された半導体レーザ装置
を示す。
て符号１０は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム１１と、ガラス窓１６を備えた炭素鋼等の金属製の
キャップ体１５とによって構成された半導体レーザ装置
を示す。
前記ステム１１には、第４図の平面視においてコ字状の
切線１９を刻設して、この切線１９よりも内側の部分を
、前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによっ
て、ブロック体１２を一体的に造形する。従って、ステ
ム１１には、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔
２０が明くことになる。
切線１９を刻設して、この切線１９よりも内側の部分を
、前記キャップ体１５内に向かって折曲げることによっ
て、ブロック体１２を一体的に造形する。従って、ステ
ム１１には、前記ブロック体１２の造形により、貫通孔
２０が明くことになる。
一方、符号１８は、エポキシ等の熱硬化性合成樹脂の裏
板を示し、該裏板１８の成形に際しては、これに三本の
リート端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃをインサートする。
板を示し、該裏板１８の成形に際しては、これに三本の
リート端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃをインサートする。
この場合において、各リート端子１７ａ、１７ｂ、１７
ｃのうち、−本のリード端子１７ａの上端を、裏板１８
の上面に露出するように構成する一方、他の二本のリー
ト端子１７ｂ、１７ｃを、その先端か裏板１８の上面よ
りも突出するように構成する。
ｃのうち、−本のリード端子１７ａの上端を、裏板１８
の上面に露出するように構成する一方、他の二本のリー
ト端子１７ｂ、１７ｃを、その先端か裏板１８の上面よ
りも突出するように構成する。
そして、前記裏板１８を、前記ステム１１の下面に対し
て、導電性の接着剤２１を使用して、ステム１１におけ
る貫通孔２０を塞ぐように接着するのであり、この接着
により、前記−本のリート端子１７ａは、ステム１１に
対して導電性の接着剤２１を介して電気的に接続される
。
て、導電性の接着剤２１を使用して、ステム１１におけ
る貫通孔２０を塞ぐように接着するのであり、この接着
により、前記−本のリート端子１７ａは、ステム１１に
対して導電性の接着剤２１を介して電気的に接続される
。
このステム１１に対する裏板１８の接着後において、ス
テム１１におけるブロック体１２の側面に、半導体レー
ザチップ１３を、表面の一部にモニター用フォトダイオ
ードを備えた半導体基板１４を介してダイボンデインク
したのち、前記半導体レーサチップ１３と、半導体基板
１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両リート端
子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイヤーホン
インクし、そして、前記キャップ体１５を被嵌したのち
、このキャップ体１５の周囲を、前記ステム１１に対し
て抵抗溶接することによって密閉する。
テム１１におけるブロック体１２の側面に、半導体レー
ザチップ１３を、表面の一部にモニター用フォトダイオ
ードを備えた半導体基板１４を介してダイボンデインク
したのち、前記半導体レーサチップ１３と、半導体基板
１４との間、及び前記半導体基板１４と前記両リート端
子１７ｂ、１７ｃとの間を、各々金線にてワイヤーホン
インクし、そして、前記キャップ体１５を被嵌したのち
、このキャップ体１５の周囲を、前記ステム１１に対し
て抵抗溶接することによって密閉する。
このように、ステム１１に、コ字状の切線１９を刻設し
その内側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げて
ブロック体１２に形成したことにより、このブロック体
１２付きステム１１を、金属板からの打ち抜きプレス加
工によって製造することかできる。
その内側の部分をキャップ体１５内に向かって折曲げて
ブロック体１２に形成したことにより、このブロック体
１２付きステム１１を、金属板からの打ち抜きプレス加
工によって製造することかできる。
一方、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うにして形成したことにより、ステム１１には、貫通孔
２０か明くことになるか、この貫通孔２０は、前記ステ
ム１１の下面に、合成樹脂製の裏板１８を、接着剤２１
にて接着したことによって、完全に塞ぐことかできるの
であり、また、半導体レーサチップ１３に対する各リー
ト端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃを、前記合成樹脂製の裏
板１８にインサートしたことにより、当該合成樹脂製の
裏板１８を成形するとき、この裏板１８に対して前記各
リート端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃを絶縁シール状態で
確実に固着することかできるのである。
うにして形成したことにより、ステム１１には、貫通孔
２０か明くことになるか、この貫通孔２０は、前記ステ
ム１１の下面に、合成樹脂製の裏板１８を、接着剤２１
にて接着したことによって、完全に塞ぐことかできるの
であり、また、半導体レーサチップ１３に対する各リー
ト端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃを、前記合成樹脂製の裏
板１８にインサートしたことにより、当該合成樹脂製の
裏板１８を成形するとき、この裏板１８に対して前記各
リート端子１７ａ、１７ｂ、１７ｃを絶縁シール状態で
確実に固着することかできるのである。
第６図は、第２の実施例を示し、この第２の実施例は、
前記第１の実施例のように、半導体レサチップ１３に対
するモニター用フォトタイオートを半導体基板１４に設
けることに代えて、前記モニター用フォトダイオードを
別の箇所に設けた場合を示すものである。
前記第１の実施例のように、半導体レサチップ１３に対
するモニター用フォトタイオートを半導体基板１４に設
けることに代えて、前記モニター用フォトダイオードを
別の箇所に設けた場合を示すものである。
すなわち、前記ステム１１の下面における裏板１８にイ
ンサートする一本のリート端子１７ａに延長部１７ａ’
を設けて、この延長部１７ａ′に、前記半導体レーサチ
ソプ１３に対するモニター用フォトダイオード２２を、
ダイボンデインクしたものであり、その他の構成は、前
記第１の実施例と同様であるか、この実施例においては
、接着剤２１としては、前記第１の実施例のように、導
電性の接着剤を使用することに代えて、普通の接着剤を
使用することかできる。
ンサートする一本のリート端子１７ａに延長部１７ａ’
を設けて、この延長部１７ａ′に、前記半導体レーサチ
ソプ１３に対するモニター用フォトダイオード２２を、
ダイボンデインクしたものであり、その他の構成は、前
記第１の実施例と同様であるか、この実施例においては
、接着剤２１としては、前記第１の実施例のように、導
電性の接着剤を使用することに代えて、普通の接着剤を
使用することかできる。
そして、前記ステム１１におけるブロック体１２に対し
て半導体基板１４を介してダイホンデインクした半導体
レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体１２か
らステム１１に熱伝達したのち放熱されるのであるか、
この場合において、半導体レーザチップ１３からステム
１１への熱伝達を更に促進するには、ステム１１に、コ
字状切線１９を刻設しその内側の部分を折曲げることに
よって形成されるブロック体１２を、第７図、第８図及
び第９図に示すように、ステム１１に対する付は根部に
おける幅寸法Ｗ１を先端部における幅寸法Ｗ２よりも大
きくして成る台形状に形成すれば良いのであり、その他
の構成は、前記第１の実施例と同様である。
て半導体基板１４を介してダイホンデインクした半導体
レーザチップ１３から発生する熱は、ブロック体１２か
らステム１１に熱伝達したのち放熱されるのであるか、
この場合において、半導体レーザチップ１３からステム
１１への熱伝達を更に促進するには、ステム１１に、コ
字状切線１９を刻設しその内側の部分を折曲げることに
よって形成されるブロック体１２を、第７図、第８図及
び第９図に示すように、ステム１１に対する付は根部に
おける幅寸法Ｗ１を先端部における幅寸法Ｗ２よりも大
きくして成る台形状に形成すれば良いのであり、その他
の構成は、前記第１の実施例と同様である。
また、ステム１１におけるブロック体１２を、前記のよ
うに台形状に形成する場合には、この台形状のブロック
体１２における左右両側１２ａ。
うに台形状に形成する場合には、この台形状のブロック
体１２における左右両側１２ａ。
１２ｂを、裏板１８に対して固着される両リート端子１
７ｂ、１７ｃよりも遠ざかる方向に屈曲することにより
、当該台形状のブロック体１２が、前記両リード端子１
７ｂ、１７ｃに対して接近・干渉することを回避できる
のである。
７ｂ、１７ｃよりも遠ざかる方向に屈曲することにより
、当該台形状のブロック体１２が、前記両リード端子１
７ｂ、１７ｃに対して接近・干渉することを回避できる
のである。
第１図〜第９図は本発明の実施例を示し、第１図は第１
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■視
断面断面図３図は第１図の底面図、第４図は分解した状
態の断面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ祝事面図、第６図
は第２の実施例を示す断面図、第７図は第３の実施例を
示す平面図、第８図は第７図の■−■視断面断面図９図
は第７図のＩＸ−ＩＸ視断面図、第１０図は従来の例を
示す縦断正面図、第１１図は第１０図のＸ Ｉ−Ｘ Ｉ
視断面図、第１２図は第１０図のｘｎ−ｘｎ視断面図で
ある。 ｌＯ・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザチ
ップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャップ
体、１６・・・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ・
＝リード端子、１８・・・・裏板、１９・・・・切線、
２０・・・・貫通孔、２１・・・・接着剤。 第７図 ■」 第９図 第６図 第８図 第１１図 第１０図 又
の実施例を示す縦断正面図、第２図は第１図の■−■視
断面断面図３図は第１図の底面図、第４図は分解した状
態の断面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ祝事面図、第６図
は第２の実施例を示す断面図、第７図は第３の実施例を
示す平面図、第８図は第７図の■−■視断面断面図９図
は第７図のＩＸ−ＩＸ視断面図、第１０図は従来の例を
示す縦断正面図、第１１図は第１０図のＸ Ｉ−Ｘ Ｉ
視断面図、第１２図は第１０図のｘｎ−ｘｎ視断面図で
ある。 ｌＯ・・・・半導体レーザ装置、１１・・・・ステム、
１２・・・・ブロック体、１３・・・・半導体レーザチ
ップ、１４・・・・半導体基板、１５・・・・キャップ
体、１６・・・・ガラス窓、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ・
＝リード端子、１８・・・・裏板、１９・・・・切線、
２０・・・・貫通孔、２１・・・・接着剤。 第７図 ■」 第９図 第６図 第８図 第１１図 第１０図 又
Claims (1)
- （１）、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したステムの
表面にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザ
チップを固着して成る半導体レーザ装置において、前記
ステムに、略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内
側の部分を、前記ステムの表面に突出するように折曲げ
て、前記半導体レーザチップ固着用のブロック体を形成
する一方、前記ステムの裏面に、前記半導体レーザチッ
プに対する複数本のリード端子をインサートして成る合
成樹脂製の裏板を、接着剤にて接着したことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123842A JP2546910B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123842A JP2546910B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423383A true JPH0423383A (ja) | 1992-01-27 |
| JP2546910B2 JP2546910B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=14870741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123842A Expired - Lifetime JP2546910B2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546910B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008026764A1 (de) | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp. | Deckelloses Gehäuse und Herstellungsverfahren desselben |
| JP2019021759A (ja) * | 2017-07-17 | 2019-02-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージおよびその製造方法 |
| JP2021174852A (ja) * | 2020-04-23 | 2021-11-01 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN117458256A (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-26 | 无锡市博精电子有限公司 | To管座以及to管座的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149365A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Canon Inc | デ−タ制御装置 |
| JPS63185247U (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP2123842A patent/JP2546910B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN117458256A (zh) * | 2023-10-25 | 2024-01-26 | 无锡市博精电子有限公司 | To管座以及to管座的制备方法 |
| CN117458256B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-05-07 | 无锡市博精电子有限公司 | To管座以及to管座的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2546910B2 (ja) | 1996-10-23 |
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