JP2560127B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

Info

Publication number
JP2560127B2
JP2560127B2 JP2124590A JP12459090A JP2560127B2 JP 2560127 B2 JP2560127 B2 JP 2560127B2 JP 2124590 A JP2124590 A JP 2124590A JP 12459090 A JP12459090 A JP 12459090A JP 2560127 B2 JP2560127 B2 JP 2560127B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
semiconductor laser
block body
laser chip
laser device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2124590A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0424976A (ja
Inventor
良典 植本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2124590A priority Critical patent/JP2560127B2/ja
Publication of JPH0424976A publication Critical patent/JPH0424976A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2560127B2 publication Critical patent/JP2560127B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231Stems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザの発光素子として、半導体レーザチ
ップを使用した半導体レーザ装置の改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
一般に、この種の半導体レーザ装置は、第13図、第14
図及び第15図に示すように、炭素鋼等の金属にて円盤型
に形成したステム1の上面に、金属製のブロック体2を
突出して、このブロック体2の側面に、半導体レーザチ
ップ3を半導体基板4を介してダイボンディングする一
方、前記ステム1の上面に、ガラス窓6を備えた炭素鋼
等の金属製のキャップ体5を、前記半導体レーザチップ
3及びブロック体2に被嵌するように配設して、このキ
ャップ体5の全周を前記ステム1の上面に対して抵抗溶
接にて固着することによって密封し、前記半導体レーザ
チップ3に対する三本のリード端子7a,7b,7cのうち一本
のリード端子7aを、前記ステム1に対して溶接にて固着
し、他の二本のリード端子7b,7cを、前記ステム1に穿
設した孔1a,1bから挿入したのち、ガラスシール材8に
て絶縁シール状態で固着すると言う構成にしている(但
し、他の二本のリード端子7b,7cを絶縁シール状態で固
着する工程は、前記キャップ体5を固着する工程よりも
前に行う)。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、この従来の半導体レーザ装置は、ステム1の
上面における半導体レーザチップ固着用のブロック体2
を、炭素鋼製のステム1を冷間鍛造に際して同時に造形
するようにしているので、冷間鍛造するときに使用する
金型の寿命が著しく低いと共に、その冷間鍛造に際して
は、頑丈で、且つ、高い精度の冷間鍛造機が必要であっ
て、ブロック体2付きステム1の冷間鍛造に要するコス
トが大幅に嵩むのである。
しかも、従来の半導体レーザ装置は、その半導体レー
ザチップ3に対する三本のリード端子7a,7b,7cのうち二
本のリード端子7b,7cを、金属製のステム1における孔1
a,1bに挿入し、ガラスシール材8にて絶縁シール状態で
固着する構成にしているが、この二本のリード端子7b,7
cのガラスシール材8による固着に際しては、両リード
端子7b,7cにガラス管を被嵌したのちステムにおける孔
に挿入すると言う複雑な工程が必要であることに加え
て、高温に加熱することが必要であり、この高温の加熱
によってステム1の全体が変色することにより、その後
処理として酸洗いしたのちメッキを施すようにしなけれ
ばならないから、両リード端子7b,7cをステム1に対し
て絶縁シール状態で固着することに要するコストが大幅
に嵩むことになるから、前記ブロック体2付きステム1
の製作にコストが大幅に嵩むことと相俟って、半導体レ
ーザ装置の価格が著しく高くなると言う問題があった。
また、別の先行技術としての実開昭61−149365号公報
には、ステムを、金属板からの打ち抜きプレス加工によ
りリング状にすると共に、このリング部の内側にL字状
に曲げたブロック体を一体的に設け、このブロック体の
先端面に、半導体レーザチップを固着する一方、前記ス
テムの裏面に、各種のリード線を固着した金属製のリー
ド保持板を固着することが記載されている。
しかし、この先行技術のものは、ステムにおけるリン
グ部の内側にL字状に曲げたブロック体を一体的に設
け、このブロック体の先端面に、半導体レーザチップを
固着するものであって、前記ブロック体の先端面は、金
属板の表面ではなく、当該ブロック体を金属板から打ち
抜いたときの切断面であって、表面粗さが粗くて可成り
凹凸が存在するから、この先端面に半導体レーザチップ
を固着することは、当該半導体レーザチップからのレー
ザ光線におけるステムの表面に対する発射角度が大きく
バラ付くことになり、しかも、各種のリード線を、前記
金属板製のリード保持板に対して絶縁シール状態で固着
しなければならならず、これに要するコストが大幅に嵩
むので、これまた、半導体レーザ装置の価格がアップす
るのであり、その上、各種のリード線を固着したリード
保持板を金属板製にしていることにより、重量が可成り
アップすると言う問題があった。
本発明は、ブロック体付きステムの製作、各リード端
子をステムに対して絶縁シール状態で固着することに要
するコストを低減でき、レーザ光線の発射角度のバラ付
きを小さくできると共に、軽量化できるようにした半導
体レーザ装置を提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この目的を達成するため本発明は、 「金属板にて円盤型に形成したステムの表面にブロック
体を設け、該ブロック体に半導体レーザチップを固着し
て成る半導体レーザ装置において、前記ステムに、略コ
字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の部分を、前
記ステムの表面から突出するようにステムの表面と直角
に折曲げて前記ブロック体を形成し、このブロック体の
表面のうち前記ステムの表面と直角な部分に、前記半導
体レーザチップを固着する一方、前記ステムの裏面に、
前記半導体レーザチップに対する複数本のリード端子を
インサートして成る合成樹脂製の裏板を、前記ステムに
ブロック体を形成するために穿設される貫通孔を塞ぐよ
うに一体的に成形する。」 と言う構成にした。
〔発明の作用・効果〕
このように、ステムに、コ字状の切線を刻設しその内
側の部分をステムの表面に突出するように折曲げてブロ
ック体に形成したことにより、このブロック体付きステ
ムを、金属板からの打ち抜きプレス加工によって製造す
ることができるから、ブロック体付きステムを、前記従
来のように、冷間鍛造にて製作するものに比べて、至極
容易に、低コストで製造することができるのである。
一方、ステムにおけるブロック体を、前記のようにし
て形成したことにより、ステムには、貫通孔が明くこと
になるが、この貫通孔は、前記ステムの裏面に、一体的
に成形した合成樹脂製の裏板によって、完全に塞ぐこと
ができるのであり、しかも、半導体レーザチップに対す
る複数本のリード端子を、前記ステムの裏面に対して一
体的に形成した合成樹脂製の裏板にインサートしたこと
により、当該合成樹脂製の裏板をステムに対して一体成
形するとき、当該裏板に対して前記各リード端子を絶縁
シール状態で確実に固着することができから、前記従来
のように、金属製のステムに対して複数本のリード端子
をガラスシール材によって固着する場合のような複雑な
工程、高温加熱、及びこの高温加熱後における後処理と
してのメッキ処理を必要としないのである。
従って、本発明によると、 .半導体レーザ装置におけるブロック付きステムの製
作に要するコスト、及びステムに対して複数本のリード
端子を絶縁シール状態で固着することに要するコストを
大幅に低減することができるのであり、しかも、ステム
にブロック体を形成するために穿設される貫通孔を塞ぐ
合成樹脂製の裏板をステムに対して、当該裏板に各リー
ド端子をインサートした状態で一体成形したことによ
り、裏板の成形、当該裏板に対する各リード端子の固着
及び当該裏板のステムに対する固着が一挙にできて、こ
れらに要する手数を大幅に低減できるから、半導体レー
ザ装置を著しく安価に提供できる。
.半導体レーザチップ固着用のブロック体を、ステム
にコ字状切線を刻設し、この切線よりも内側の部分を折
曲げることによって形成したもので、換言すると、ステ
ムにおける一部を利用してブロック体を造形する一方、
このステムに固着する裏板を合成樹脂製にしたことによ
り、前記従来のものに比べて、半導体レーザ装置の重量
を、前記ブロック体の分、及び、裏板を合成樹脂にした
分だけ軽量化できる。
.前記ステムの表面に対して直角に直角に折り曲げる
ことによって形成したブロック体の表面のうち、前記ス
テムの表面と直角な部分は、元々、前記ステムの材料で
ある金属板の表面であることにより、平坦で、且つ、滑
らかな平面になっているから、この部分に、半導体レー
ザチップを固着すると言う構成にすることにより、半導
体レーザチップからのレーザ光線におけるステムの表面
に対する発射角度のバラ付きを小さくすることができ
る。
.一般に、半導体レーザ装置は、そのステムにとける
上面の外周の部分を、被取付け部材に接触するようにし
て取付けられるのであるが、本発明では、の部分が金属
板製であることにより、半導体レーザチップで発生する
熱う、ステムを介して被取付け部材に迅速に熱伝達する
ことができるから、各リード線の固着に合成樹脂を使用
したものでありながら放熱性を確保できる。
と言う効果を有する。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
第1図〜第5図は、第1の実施例を示し、この図にお
いて符号10は、炭素鋼等の金属にて円盤型に形成したス
テム11と、ガラス窓16を備えた炭素鋼等の金属製のキャ
ップ体15とによって構成された半導体レーザ装置を示
す。
前記ステム11には、第4図の平面視においてコ字状の
切線19を刻設して、この切線19よりも内側の部分を、前
記キャップ体15内に向かって突出するようにステム11の
表面と直角に折曲げることによって、ブロック体12を一
体的に造形する。従って、ステム11には、前記ブロック
体12の造形により、貫通孔20が明くことになる。
一方、第5図において符号21は、一つの半導体レーザ
装置10における三本のリード端子17a,17b,17cを長手方
向に適宜ピッチPで造形して成るリードフレームを示
し、このリードフレーム21における各リード端子17a,17
b,17cの箇所に、前記ステム11を、第5図、第6図及び
第7図に示すように、各リード端子17a,17b,17cのうち
一本のリード端子17aがステム11の下面に接当し、他の
二本のリード端子17b,17cがステム11における貫通孔20
内に挿入するようにして装着したのち、前記一本のリー
ド端子17aを、ステム11の下面に対して抵抗溶接にて固
着する。
次いで、第8図に示すように、前記ステム11の裏面
に、当該ステム11における貫通孔20を塞ぐためのエポキ
シ樹脂等の熱硬化性合成樹脂製の裏板18を、一体的に成
形する。このとき、前記他の二本のリード端子17b,17c
を、前記裏板18にインサートすることによって、同時に
絶縁シール状態で固着する。
このステム11の下面に対する裏板18の一体成形後にお
いて、ステム11におけるブロック体12の側面、つまり、
当該ブロック体12の表面のうち前記ステム11の表面と直
角な部分に、半導体レーザチップ13を、表面の一部にモ
ニター用フォトダイオードを備えた半導体基板14を介し
てダイボンディングしたのち、前記半導体レーザチップ
13と半導体基板14との間、及び前記半導体基板14と前記
両リード端子17b,17cとの間を、各々金線にてワイヤー
ボンディングし、そして、前記キャップ体15を被嵌した
のち、このキャップ体15の周囲を、前記ステム11に対し
て抵抗溶接することによって密閉する。
このように、ステム11に、コ字状の切線19を刻設しそ
の内側の部分をキャップ体15内に向かって折曲げてブロ
ック体12に形成したことにより、このブロック体12付き
ステム11を、金属板からの打ち抜きプレス加工によって
製造することができる。
一方、ステム11におけるブロック体12を、前記のよう
にして形成したことにより、ステム11には、貫通孔20が
明くことになるが、この貫通孔20は、前記ステム11の裏
面に、一体的に成形した合成樹脂製の裏板18によって、
完全に塞ぐことができるのであり、また、半導体レーザ
チップ13に対する二本のリード端子17b,17cを、前記ス
テム11の裏面に対して一体的に形成した合成樹脂製の裏
板18にインサートしたことにより、この合成樹脂製の裏
板18をステム11に対して一体成形するとき、当該裏板18
に対して前記両リード端子17b,17cを絶縁シール状態で
確実に固着することができるのである。
また、前記ステム11の表面に対して直角に直角に折り
曲げることによって形成したブロック体12の表面のう
ち、前記ステム11の表面と直角な部分は、元々、前記ス
テム11の材料である金属板の表面であることにより、平
坦で、且つ、滑らかな平面になっているから、この部分
に、半導体レーザチップ13を固着することにより、半導
体レーザチップ13からのレーザ光線におけるステム11の
表面に対する発射角度のバラ付きを小さくすることがで
きるのである。
第9図は、第2の実施例を示し、この第2の実施例
は、前記第1の実施例のように、半導体レーザチップ13
に対するモニター用フォトダイオードを半導体基板14に
設けることに代えて、前記モニター用フォトダイオード
を別の箇所に設けた場合を示すものである。
すなわち、前記各リード端子17a,17b,17cのうち一本
のリード端子17aに延長部17a′を設けて、この延長部17
a′に、前記半導体レーザチップ13に対するモニター用
フォトダイオード22を、ダイボンディングしたものであ
り、その他の構成は、前記第1の実施例と同様である。
そして、前記ステム11におけるブロック体12に対して
半導体基板14を介してダイボンディングした半導体レー
ザチップ13から発生する熱は、ブロック体12からステム
11に熱伝達したのち放熱されるのであるが、この場合に
おいて、半導体レーザチップ13からステム11への熱伝達
を更に促進するには、ステム11に、コ字状切線19を刻設
しその内側の部分を折曲げることによって形成されるブ
ロック体12を、第10図、第11図及び第12図に示すよう
に、ステム11に対する付け根部における幅寸法W1を先端
部における幅寸法W2よりも大きくして成る台形状に形成
すれば良いのであり、その他の構成は、前記第1の実施
例と同様である。
また、ステム11におけるブロック体12を、前記のよう
に台形状に形成する場合には、この台形状のブロック体
12における左右両側12a,12bを、他の二本のリード端子1
7b,17cよりも遠ざかる方向に屈曲することにより、当該
台形状ブロック体12が、前記両リード端子17b,17cに対
して接近・干渉することを回避できるのである。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第12図は本発明の実施例を示し、第1図は第1
の実施例を示す縦断正面図、第2図は第1図のII−II視
断面図、第3図はステムを分解したときの断面図、第4
図は第3図の平面図、第5図はステムをリードフレーム
に対して装着したときの図、第6図は第5図のVI−VI視
断面図、第7図は第5図のVII−VII視平面図、第8図は
ステムに対して裏板を一体成形したときの断面図、第9
図は第2の実施例を示す縦断正面図、第10図は第3の実
施例を示す平面図、第11図は第10図のXI−XI視断面図、
第12図は第10図のXII−XII視断面図、第13図は従来の例
を示す縦断正面図、第14図は第13図のXIV−XIV視断面
図、第15図は第13図のXV−XV視断面図である。 10……半導体レーザ装置、11……ステム、12……ブロッ
ク体、13……半導体レーザチップ、14……半導体基板、
15……キャップ体、16……ガラス窓、17a,17b,17c……
リード端子、18……裏板、19……切線、20……貫通孔

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属板にて円盤型に形成したステムの表面
    にブロック体を設け、該ブロック体に半導体レーザチッ
    プを固着して成る半導体レーザ装置において、前記ステ
    ムに、略コ字状の切線を刻設し、この切線よりも内側の
    部分を、前記ステムの表面から突出するようにステムの
    表面と直角に折曲げて前記ブロック体を形成し、このブ
    ロック体の表面のうち前記ステムの表面と直角な部分
    に、前記半導体レーザチップを固着する一方、前記ステ
    ムの裏面に、前記半導体レーザチップに対する複数本の
    リード端子をインサートして成る合成樹脂製の裏板を、
    前記ステムにブロック体を形成するために穿設される貫
    通孔を塞ぐように一体的に成形したことを特徴とする半
    導体レーザ装置。
JP2124590A 1990-05-15 1990-05-15 半導体レーザ装置 Expired - Lifetime JP2560127B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2124590A JP2560127B2 (ja) 1990-05-15 1990-05-15 半導体レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2124590A JP2560127B2 (ja) 1990-05-15 1990-05-15 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0424976A JPH0424976A (ja) 1992-01-28
JP2560127B2 true JP2560127B2 (ja) 1996-12-04

Family

ID=14889226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2124590A Expired - Lifetime JP2560127B2 (ja) 1990-05-15 1990-05-15 半導体レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2560127B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6964037B2 (ja) 2018-04-09 2021-11-10 株式会社神戸製鋼所 混練ロータ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61149365U (ja) * 1985-03-07 1986-09-16
JPS63118258U (ja) * 1987-01-24 1988-07-30
JPS63185247U (ja) * 1987-05-22 1988-11-29

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0424976A (ja) 1992-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1684345B1 (en) Surface mount semiconductor device
US5089861A (en) Semiconductor laser device with mounting block
JP2002280616A (ja) パッケージ成形体及びそれを用いた発光装置
JP2560131B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2560127B2 (ja) 半導体レーザ装置
US5828000A (en) Semiconductor device with heat radiating plate and positioning dummy lead and lead frame therefor
CN209747894U (zh) 一种用于to封装ld激光器的封装结构
JP2546910B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP5180690B2 (ja) Ledチップ実装用基板の製造方法、ledチップ実装用基板のモールド金型、ledチップ実装用基板、及び、led
JP2560130B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2546907B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH05136463A (ja) Led用リードフレーム
JPH0254665B2 (ja)
JP2546908B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP3747991B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6350863B2 (ja)
JPH0563937B2 (ja)
JPH0448675A (ja) 半導体レーザ装置
JP2572841Y2 (ja) 半導体装置の製造に用いる樹脂封止用金型
JP2002359335A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS6244875B2 (ja)
JPH06295963A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2812514B2 (ja) 気密端子用ステムおよびその製造方法
JPS5812452Y2 (ja) 半導体装置
JPS6032768Y2 (ja) 気密端子

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919

Year of fee payment: 14