JP2007116622A - 圧電振動子とその製造方法、表面実装型圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 気密端子10は、ステム11と、鉛フリーメッキ15が施されたリード12と、充填材13とで形成されている。この気密端子10のインナーリード12aと圧電振動片20とを接続し、更に、ケース30をステム11に圧入して、圧電振動子1が構成される。充填材13が充填されたステム11の他方側の端面と、アウターリード12bのうち前記他方側の端面に近い所定の領域には、プラズマ溶射により酸化アルミニウムを堆積した絶縁被膜60を形成している。この絶縁被膜60があるため、リフロー時の熱や、樹脂射出成形時の熱により、鉛フリーメッキ15が溶けても、溶けたメッキ材の流動を抑えられ、2つのアウターリード12bの間の短絡を防止することができる。
【選択図】 図1
Description
更に、シリンダ型パッケージを採用した圧電振動子を樹脂でモールドすると共に、リードフレームによる電極端子を設けた表面実装型圧電振動子も製造されている。
表面実装型圧電振動子では、自動実装機により、プリント配線基板上に機械実装される。即ち、プリント配線基板上にクリームハンダを印刷・塗布し、表面実装型圧電振動子をプリント配線基板上のクリームハンダの上に配置し、リフロー炉にてクリームハンダを加熱・溶融して、表面実装型圧電振動子をプリント配線基板にハンダ付けしている。
図10(a),(b)は、シリンダパッケージ型の圧電振動子01の従来例を示すものであり、図10(a)は全体構成を示す斜視図、図10(b)はステム部分を抽出してリードの長手方向に沿って切断した状態を示す部分断面図である。(例えば、特許文献1参照。)。なお、図10(a)では、圧電振動子の内部構造の説明を容易にするため、ケースを想像線で示している。
換言すると、2本のリード012は、充填材013が内部に充填されているステム011を間にして、ステム011の一方の端面(図10では上側の端面)から突出すると共に、ステム011の他方の端面(図10では下側の端面)から突出している。一般に、ステム011の一方の端面(図10では上側の端面)から突出する部分を「インナーリード012a」と称し、ステム011の他方の端面(図10では下側の端面)から突出している部分を「アウターリード012b」と称している。
この圧電振動片020のマウントパッド021と、気密端子010のインナーリード012aは電気的に接続されている。この接続は、大気中にてインナーリード012aの表面に施したメッキ015を局部的に溶融させ、この溶融したメッキにより、マウントパッド021とインナーリード012aとを接続することにより行っている。
このケース030は、インナーリード012a及び圧電振動片020を覆って内部空間に収納するように、真空中にて、ケース030の開口端面側がステム011の外周面に緊密に締まり嵌めにより圧入されている。このとき、軟質金属であるメッキ014が冷間圧接され気密接合を実現している。
図11(a),(b),(c),(d)は、表面実装型圧電振動子040の従来例を示すものであり、図11(a)は平面図、図11(b)は(a)におけるBB切断線での断面図、図11(c)は底面図、図11(d)は側面図である(例えば、特許文献2参照。)。尚、図11(b)では、圧電振動子は断面図とせず、その周囲の樹脂と電極端子を断面で表している。
所定の時間冷却された後、上型052と下型053が離れ、成形された振動子は搬送機構で次工程に移載される。続いて、リードフレームの一部で形成した電極端子042,043が、表面実装型圧電振動子040側に残るように、リードフレームを切断して、図11に示す表面実装型圧電振動子040が製造される。
この場合、この樹脂を射出成形するときの、成形シリンダ(加熱筒)051内の温度は290°Cであり、金型052,053の温度は130°Cであった。
この場合、この高温耐久性のある樹脂を射出成形するときの、成形シリンダ(加熱筒)051内の温度は従来(SnPb共晶ハンダを使用する場合)よりも20°C高い310°Cであり、金型052,053の温度は従来(SnPb共晶ハンダを使用する場合)よりも10°C高い140°Cであり、射出圧力は従来(SnPb共晶ハンダを使用する場合)の1.5倍になっている。
この高温耐久性の樹脂を射出成形するには、従来(SnPb共晶ハンダを使用する場合)よりも、高温・高圧にして射出成形をしなければならない。
したがって、シリンダパッケージ型の圧電振動子や表面実装型圧電振動子においても、完全鉛フリー化、つまり、ハンダ材だけでなく、振動子の内部部品に施したメッキにも鉛を使用しないようにする必要がある。
そして、リードやステムをSnCuによりメッキしたシリンダ型パッケージの圧電振動子を、高温耐久性の樹脂により射出成形によりモールドして、表面実装型圧電振動子を試作してみた。なお、鉛フリーメッキ材であるSnCuにおけるCuの濃度は、実用的に使用可能な、10%程度とした。この鉛フリーメッキ材であるSnCuは227°Cにて溶融する。なお、鉛を含有するSnPbメッキは、この温度(227°C)よりも高い、280°C以上の温度にならないと溶融は起きない。
このように2本のアウターリード間で短絡が発生する原因を究明したところ、射出成形において、高温耐久性の樹脂を高温(310°C)にして高圧(従来よりも1.5倍の圧力)で射出するため、樹脂が注入されるジャンクション044の近傍において、溶融した流動樹脂の擦過作用と加熱作用により、アウターリードの表面にメッキしたSnCuの一部がわずかに溶融し、アウターリード間がこのわずかに溶けたメッキにより繋がって短絡することが原因であることが分かった。
ちなみに、各種タイプA〜Cの圧電振動子の寸法を、次表1に示す。なお表1に示す、ケース直径D、リード間隙間d1、リード線径d2は、図13に示す通りのものである。
即ち、実装用のハンダとして鉛を含有しないハンダ材を用いてハンダ付けできると共に、内部部品のメッキにも鉛を含有しないメッキ材によりメッキを施し、しかも、リード間の短絡という不具合が発生しない信頼性の高い、圧電振動子及び表面実装型圧電振動子を実現するものである。
筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子と、
前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに接続された圧電振動片と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面に圧入された有底筒型のケースと、
を有する圧電振動子において、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、
前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうち、このアウターリードの長手方向に沿って、前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、
前記リードに施したメッキを溶かすことがない薄膜成形技術により、絶縁被膜が連続的に形成されていることを特徴とする。
前記リードに施された前記メッキは、
SnCu、またはSnBi、またはSnCuAg、またはSnAuのいずれか一つにより施されたメッキであることや、
前記絶縁被膜は、
酸化アルミニウムをプラズマ溶射により堆積したもの、または、
ポリイミドを塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
絶縁性接着剤を塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
溶融ガラスを塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
ポリシラザンを水蒸気により加湿・加熱して絶縁被膜として形成したもの、または、
酸化膜または窒化膜をプラズマCVDにより絶縁被膜として形成したもの、または、
ヘキサメチルジシロキサンをプラズマ重合により絶縁被膜として形成したもの、
のいずれかであることや、
前記絶縁被膜の膜厚が150μm以下であることを特徴とする。
前記構成となっている圧電振動子を、射出成形により樹脂でモールドしてなることを特徴とする。
このとき、
前記樹脂は、鉛を用いないハンダ材を用いてリフローハンダする際の温度に耐えることができる、高温耐久性の樹脂であることを特徴とする。
筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子の前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに、圧電振動片を接続するマウント工程と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面を有底筒型のケースに圧入する圧入工程と、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうちこのアウターリードの長手方向に沿って前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、前記リードに施したメッキを溶かすことがない薄膜成形技術により絶縁被膜を連続的に形成する絶縁被膜形成工程と、
を有することを特徴とする。
前記リードに施す前記メッキは、
SnCu、またはSnBi、またはSnCuAg、またはSnAuのいずれか一つにより施したり、
前記絶縁被膜の形成は、
酸化アルミニウムをプラズマ溶射により堆積すること、または、
ポリイミドを塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
絶縁性接着剤を塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
溶融ガラスを塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
ポリシラザンを水蒸気により加湿・加熱して絶縁被膜として形成すること、または、
酸化膜または窒化膜をプラズマCVDにより絶縁被膜として形成すること、または、
ヘキサメチルジシロキサンをプラズマ重合により絶縁被膜として形成すること、
のいずれかであったり、
前記絶縁被膜の膜厚を150μm以下に形成することを特徴とする。
筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子の前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに、圧電振動片を接続するマウント工程と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面を有底筒型のケースに圧入して圧電振動子を形成する圧入工程と、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうちこのアウターリードの長手方向に沿って前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、前記リードに施したメッキを溶かすことがない薄膜成形技術により絶縁被膜を連続的に形成する絶縁被膜形成工程と、
前記絶縁被膜が形成された前記圧電振動子を、射出成形により樹脂でモールドする射出成形工程と、
を有することを特徴とする。
射出成形によりモールドする前記樹脂は、鉛を用いないハンダ材を用いてリフローハンダする際の温度に耐えることができる、高温耐久性の樹脂であることを特徴とする。
前記圧電振動子、または前記表面実装型圧電振動子を発振子として集積回路に接続して用いることを特徴とする。
前記圧電振動子、または前記表面実装型圧電振動子を計時部に接続して用いることを特徴とする。
前記圧電振動子、または前記表面実装型圧電振動子をフィルター部に接続して用いることを特徴とする。
図1(a),(b),(c)は本発明の実施例1に係る、シリンダパッケージ型の圧電振動子1を示すものであり、図1(a)は全体構造を示す正面図、図1(b)はステムの部分を抽出して2本のリードの長手方向に沿って切断した状態を示す部分断面図、図1(c)は底面図である。なお、図1(a)では、圧電振動子の内部構造の説明を容易にするため、ケースを想像線で示している。
換言すると、2本のリード12は、充填材13が内部に充填されているステム11を間にして、ステム11の一方の端面(図1(a)では上側の端面)から突出すると共に、ステム11の他方の端面(図1(a)では下側の端面)から突出している。一般に、ステム11の一方の端面(図1(a)では上側の端面)から突出する部分を「インナーリード12a」と称し、ステム11の他方の端面(図1(a)では下側の端面)から突出している部分を「アウターリード12b」と称している。
この圧電振動片20のマウントパッド21と、気密端子10のインナーリード12aは電気的に接続されている。この接続は、大気中にてインナーリード12aの表面に施したメッキ15を局部的に溶融させ、この溶融したメッキにより、マウントパッド21とインナーリード12aとを接続することにより行っている。
このケース30は、インナーリード12a及び圧電振動片20を覆って内部空間に収納するように、真空中にて、ケース30の開口端面側がステム11の外周面に緊密に締まり嵌めにより圧入されている。このとき、軟質金属であるメッキ14が冷間圧接され気密接合を実現している。
(1)充填材13が内部に充填されたステム11の他方の端面(図1(a)では下側の端面、即ち、アウターリード12が突出している側の端面)と、
(2)アウターリード12の表面のうち、アウターリード12の長手方向に沿って、ステム11の他方の端面を起点として予め決めた所定長さの領域に、
耐熱性の絶縁被膜60が連続的に形成されている。
このとき、酸化アルミニウムをプラズマ溶射して絶縁被膜60を形成しても、プラズマ溶射による熱により、アウターリード12bに施した鉛フリーメッキ15(更には、ステム11に施した鉛フリーメッキ14)を溶かすことはない。
逆に言えば、鉛フリーメッキ14,15を溶かすことがない程度の低温で絶縁被膜60を形成することができる、薄膜成形技術であるプラズマ溶射を採用して、絶縁被膜を形成したのである。
なお図2では、板72を想像線で示しており、また板71,73はこの図2では見えない状態になっている。
(a)ポリイミドを塗布して絶縁被膜として形成したもの、
(b)絶縁性接着剤を塗布して絶縁被膜として形成したもの、
(c)溶融ガラスを塗布して絶縁被膜として形成したもの、
(d)ポリシラザンを水蒸気により加湿・加熱して絶縁被膜として形成したもの、
(e)酸化膜または窒化膜をプラズマCVDにより絶縁被膜として形成したもの、
(f)ヘキサメチルジシロキサンをプラズマ重合により絶縁被膜として形成したもの、
などを採用することもできる。
もちろん上記(a)〜(f)の手法は、鉛フリーメッキ14,15を溶かすことがない程度の低温で絶縁被膜を形成することができる薄膜成形技術である。つまり、意図して、このような低温で絶縁被膜を形成することができる薄膜成形技術を採用したものである。
図4は、本発明の実施例2に係る表面実装型圧電振動子40を示す断面図であり、図11(a)で示した切断線BBにおける断面図である。尚、図4では、圧電振動子は断面図とせず、その周囲の樹脂と電極端子を断面で表している。
この表面実装型圧電振動子40は、図1に示すのと同じ、絶縁被膜60が形成されたシリンダパッケージ型の圧電振動子1を、射出成形により樹脂41でモールドしたものである。そしてリードフレームによる電極端子42が、アウターリード12bに電気的・機械的に接続され、この電極端子42の先端が、表面実装型圧電振動子40の底面に露出している。また、表面実装型圧電振動子40には、その長手方向の電極端子42に対向する位置に、リードフレームによるダミー電極端子43も備えられている。このダミー電極端子43も表面実装型圧電振動子40の底面に露出している。また、アウターリード12bの下部近傍で、かつ絶縁被膜60の近傍の底面には、樹脂41が流入される円錐台状の窪みのジャンクション44が開口形成されている。
この高温耐久性のポリエステル樹脂を用いて射出成形するときには、成形シリンダ(加熱筒)内の樹脂温度は310°Cであり、金型の温度は140°Cであり、射出圧力は従来(SnPb共晶ハンダを使用する場合)の1.5倍になっている。
次に、シリンダパッケージ型の圧電振動子及び表面実装型圧電振動子の製造手順を、フローチャートである図5を参照しつつ説明する。
なお図5(a)は、絶縁被膜が形成されていない圧電振動子を製造する手順を示しており、図5(b)は、図5(a)の手順で製造された圧電振動子に、絶縁被膜を形成し、更に樹脂モールドして表面実装型圧電振動子を製造する手順を示している。
またこの手順説明においては、各部品の符号として、図1,図4,図12に示したのと同じ符号を用いる。
ステップ2(S2)では、複数の気密端子10を、パレットに一定間隔に装着して整列させる。
ステップ4(S4)では、真空中でベーキングを行って、マウントの歪を緩和する。
ステップ7(S7)では、気密封止後、周波数の安定化のために、大気中で所定の温度でスクリーニングを行う。
ステップ9(S9)では、圧電振動子1をパレットから取り外す。
ステップ15(S15)では、アウターリード12bと、リードフレームのうち曲げ加工した部分(電極端子42となる部分)とを溶接する。
この状態で、リードフレーム70に搭載した複数の各圧電振動子1に対して絶縁被膜60を形成する。
その後に、射出形成(S16)、外形切断(S17)、電気特性検査(S18)、マーキング(S19)を行う。
本発明の実施例4として、前記の圧電振動子1(図1参照)や表面実装型圧電振動子40(図4参照)を発振子として発振回路に接続した発振器について図7に基づいて説明する。
本発明の第5の実施例として、前記の圧電振動子1(図1参照)や表面実装型圧電振動子40(図4参照)を計時部に接続して用いる電子機器について図8に基づいて説明する。電子機器の例として、携帯電話に代表される携帯情報機器での好適な実施の形態を詳細に説明する。
図9は、本発明の第6の実施例に係る電子機器としての電波時計の回路ブロックを示す概略図である。前記の圧電振動子1(図1参照)や表面実装型圧電振動子40(図4参照)で構成した音叉型水晶振動子を電波時計のフィルター部に接続して用いた例である。
もしくは60KHzの搬送波にAM変調をかけたものである。
にとれば、音叉型振動片の寸法例として全長が約2.8mm、基部の幅寸法が約0.5mmの寸法で構成することが可能である。
10 気密端子
11 ステム
12 リード
12a インナーリード
12b アウターリード
13 充填材
14 メッキ
15 メッキ
20 圧電振動片
21 マウントパッド
30 ケース
40 表面実装型圧電振動子
41 樹脂
42 電極端子
43 ダミー電極端子
44 ジャンクション
60 絶縁被膜
70 リードフレーム
91 音叉型水晶振動子
92 基板
93 集積回路
94 電子部品
101 電源部
102 制御部
103 計時部
104 通信部
105 電圧検出部
106 電源遮断部
107 表示部
201 アンテナ
202 アンプ
203,204 水晶振動子(圧電振動子)
205 フィルター部
206 検波、整流回路
207 波形成形回路
208 CPU
209 RTC
Claims (15)
- 筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子と、
前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに接続された圧電振動片と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面に圧入された有底筒型のケースと、
を有する圧電振動子において、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、
前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうち、このアウターリードの長手方向に沿って、前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、
絶縁被膜が連続的に形成されていることを特徴とする圧電振動子。 - 前記リードに施された前記メッキは、
SnCu、またはSnBi、またはSnCuAg、またはSnAuのいずれか一つにより施されたメッキであることを特徴とする請求項1に記載の圧電振動子。 - 前記絶縁被膜は、
酸化アルミニウムをプラズマ溶射により堆積したもの、または、
ポリイミドを塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
絶縁性接着剤を塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
溶融ガラスを塗布して絶縁被膜として形成したもの、または、
ポリシラザンを水蒸気により加湿・加熱して絶縁被膜として形成したもの、または、
酸化膜または窒化膜をプラズマCVDにより絶縁被膜として形成したもの、または、
ヘキサメチルジシロキサンをプラズマ重合により絶縁被膜として形成したもの、
のいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電振動子。 - 前記絶縁被膜の膜厚が150μm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の圧電振動子。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の圧電振動子を、射出成形により樹脂でモールドしてなることを特徴とする表面実装型圧電振動子。
- 前記樹脂は、鉛を用いないハンダ材を用いてリフローハンダする際の温度に耐えることができる、高温耐久性の樹脂であることを特徴とする請求項5に記載の表面実装型圧電振動子。
- 筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子の前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに、圧電振動片を接続するマウント工程と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面を有底筒型のケースに圧入する圧入工程と、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうちこのアウターリードの長手方向に沿って前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、絶縁被膜を連続的に形成する絶縁被膜形成工程と、
を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。 - 前記リードに施す前記メッキは、
SnCu、またはSnBi、またはSnCuAg、またはSnAuのいずれか一つにより施すことを特徴とする請求項7に記載の圧電振動子の製造方法。 - 前記絶縁被膜の形成は、
酸化アルミニウムをプラズマ溶射により堆積すること、または、
ポリイミドを塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
絶縁性接着剤を塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
溶融ガラスを塗布して絶縁被膜として形成すること、または、
ポリシラザンを水蒸気により加湿・加熱して絶縁被膜として形成すること、または、
酸化膜または窒化膜をプラズマCVDにより絶縁被膜として形成すること、または、
ヘキサメチルジシロキサンをプラズマ重合により絶縁被膜として形成すること、
のいずれかであることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の圧電振動子の製造方法。 - 前記絶縁被膜の膜厚を150μm以下に形成することを特徴とする請求項7乃至請求項9の何れか一項に記載の圧電振動子の製造方法。
- 筒状のステムと、前記ステム内を貫通するように配置されると共に鉛を含まないメッキ材によりメッキが施されている2本のリードと、前記ステム内に充填されて前記リードを前記ステム内に固定・支持する充填材とでなる気密端子の前記リードのうち、前記ステムの一方の端面側から突出している部分であるインナーリードに、圧電振動片を接続するマウント工程と、
前記インナーリード及び前記圧電振動片を覆うように、前記ステムの外周面を有底筒型のケースに圧入して圧電振動子を形成する圧入工程と、
前記充填材が充填された前記ステムの他方の端面と、前記リードのうち前記ステムの他方の端面側から突出している部分であるアウターリードのうちこのアウターリードの長手方向に沿って前記ステムの他方の端面を起点として予め決めた所定の長さの領域とに、絶縁被膜を連続的に形成する絶縁被膜形成工程と、
前記絶縁被膜が形成された前記圧電振動子を、射出成形により樹脂でモールドする射出成形工程と、
を有することを特徴とする表面実装型圧電振動子の製造方法。 - 射出成形によりモールドする前記樹脂は、鉛を用いないハンダ材を用いてリフローハンダする際の温度に耐えることができる、高温耐久性の樹脂であることを特徴とする請求項11に記載の表面実装型圧電振動子の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の圧電振動子、または請求項5乃至請求項6の何れか一項に記載の表面実装型圧電振動子を発振子として集積回路に接続して用いることを特徴とする発振器。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の圧電振動子、または請求項5乃至請求項6の何れか一項に記載の表面実装型圧電振動子を計時部に接続して用いることを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の圧電振動子、または請求項5乃至請求項6の何れか一項に記載の表面実装型圧電振動子をフィルター部に接続して用いることを特徴とする電波時計。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010271240A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Morioka Seiko Instruments Inc | 回路ブロック、回路ブロックの製造方法および時計 |
JP2011009574A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及び半導体モジュール |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4676285B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-04-27 | セイコーインスツル株式会社 | 表面実装型圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP2010531550A (ja) * | 2007-06-28 | 2010-09-24 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 鉛フリーはんだの銅溶解の抑制 |
JP4990717B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-08-01 | セイコーインスツル株式会社 | ケースの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計 |
JP4856025B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2012-01-18 | セイコーインスツル株式会社 | 気密端子の製造方法及び気密端子、圧電振動子の製造方法及び圧電振動子、発振器、電子機器、電波時計 |
JP5111018B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2012-12-26 | セイコーインスツル株式会社 | 気密端子の製造方法及び圧電振動子の製造方法 |
JP2009141157A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Panasonic Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法および光ピックアップ装置ならびに光ディスクドライブ装置 |
JP5128262B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-01-23 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動片の製造方法 |
JP5026295B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-09-12 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子 |
JP5138407B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2013-02-06 | セイコーインスツル株式会社 | ウエハ及びウエハ研磨方法 |
JP5757793B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2015-07-29 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造装置 |
JP5819151B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-11-18 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 |
JP6349238B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-06-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09306702A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
JP2001009587A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-01-16 | Nec Kansai Ltd | ろう材,ろう付け部材およびろう付け方法 |
JP2001110925A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性キャップ、電子部品及び導電性キャップの絶縁皮膜形成方法 |
JP2003032067A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL137049B (ja) * | 1946-04-01 | |||
US2577576A (en) * | 1950-11-30 | 1951-12-04 | Mannes N Glickman | Hermetic crystal holder |
JPS5132273A (ja) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | New Nippon Electric Co | Epitakisharuehaa |
JPS5418294A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-10 | Nippon Denpa Kogyo Kk | Piezooelectric vibrator |
JPS5482190A (en) * | 1977-12-14 | 1979-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Oscillator |
JPS6015675B2 (ja) * | 1980-12-19 | 1985-04-20 | 三菱化工機株式会社 | 軽油分等の駆出方法 |
JPS5918378A (ja) * | 1982-07-23 | 1984-01-30 | 新日本製鐵株式会社 | 粒状スラグ熱回収装置 |
US5392006A (en) * | 1987-02-27 | 1995-02-21 | Seiko Epson Corporation | Pressure seal type piezoelectric resonator |
US5184043A (en) * | 1989-12-05 | 1993-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
JPH04276912A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-02 | Seiko Epson Corp | 厚み辷り圧電振動子 |
US6005329A (en) * | 1995-05-11 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for sealing piezoelectric resonator via laser welding |
JPH08316761A (ja) | 1995-05-17 | 1996-11-29 | S I I Kuootsu Techno:Kk | 水晶振動子の製造方法 |
JPH098587A (ja) * | 1995-06-16 | 1997-01-10 | Daishinku Co | 音叉型振動子 |
JPH09326668A (ja) * | 1996-04-02 | 1997-12-16 | Seiko Epson Corp | 圧電素子とその製造方法 |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
JP3564994B2 (ja) * | 1997-08-25 | 2004-09-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
CN1151556C (zh) * | 1998-08-07 | 2004-05-26 | 精工爱普生株式会社 | 压电振子和压电振子的制造方法 |
JP2000285991A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Miyota Kk | 気密端子 |
JP2002043886A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Daishinku Corp | 圧電振動子および表面実装型圧電振動子 |
EP1376413A1 (en) * | 2002-06-25 | 2004-01-02 | STMicroelectronics S.r.l. | Test bench generator for integrated circuits, particularly memories |
JP5111043B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-12-26 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法、並びに、圧電振動子を備える発振器、電子機器、及び電波時計 |
-
2005
- 2005-10-24 JP JP2005308717A patent/JP2007116622A/ja active Pending
- 2005-10-24 JP JP2005308718A patent/JP4845478B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2006
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- 2006-10-24 US US11/586,252 patent/US7493680B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-16 US US12/355,239 patent/US7755259B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09306702A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
JP2001009587A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-01-16 | Nec Kansai Ltd | ろう材,ろう付け部材およびろう付け方法 |
JP2001110925A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性キャップ、電子部品及び導電性キャップの絶縁皮膜形成方法 |
JP2003032067A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010271240A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Morioka Seiko Instruments Inc | 回路ブロック、回路ブロックの製造方法および時計 |
JP2011009574A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及び半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7493680B2 (en) | 2009-02-24 |
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US7755259B2 (en) | 2010-07-13 |
US20070090727A1 (en) | 2007-04-26 |
CN1956323B (zh) | 2010-05-26 |
CN1956323A (zh) | 2007-05-02 |
JP2007116056A (ja) | 2007-05-10 |
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