JP2001009587A - ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法 - Google Patents
ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法Info
- Publication number
- JP2001009587A JP2001009587A JP2000057928A JP2000057928A JP2001009587A JP 2001009587 A JP2001009587 A JP 2001009587A JP 2000057928 A JP2000057928 A JP 2000057928A JP 2000057928 A JP2000057928 A JP 2000057928A JP 2001009587 A JP2001009587 A JP 2001009587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- temperature
- brazing material
- liquidus temperature
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｎＰｂ共晶はんだの代替Ｐｂフリーろう材
のリフロー時の加熱で溶融しない比較的高融点のＰｂフ
リーろう材と，そのようなろう材層を形成したろう付け
部材およびそのろう付け方法を提供する。 【解決手段】 ろう付け部材の一例である気密端子Ａの
金属外環１およびリード３，３にＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，
ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択されたいずれか一の
材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温度が２０
０℃以上のろう材層４，４をめっき形成し、そのリード
３，３に、ろう付け部材の他の例である水晶振動片５の
電極５１，５２を、リード３，３のろう材層４，４を溶
融させて接続固着した。
のリフロー時の加熱で溶融しない比較的高融点のＰｂフ
リーろう材と，そのようなろう材層を形成したろう付け
部材およびそのろう付け方法を提供する。 【解決手段】 ろう付け部材の一例である気密端子Ａの
金属外環１およびリード３，３にＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，
ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択されたいずれか一の
材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温度が２０
０℃以上のろう材層４，４をめっき形成し、そのリード
３，３に、ろう付け部材の他の例である水晶振動片５の
電極５１，５２を、リード３，３のろう材層４，４を溶
融させて接続固着した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ろう材，ろう付け
部材およびろう付け方法に関し、より詳細には、鉛フリ
ー（レス）の比較的高い液相線温度を有するろう材と、
そのろう材層を形成した電子部品や気密端子等のろう付
け部材と、そのろう付け部材のろう付け方法に関する。
部材およびろう付け方法に関し、より詳細には、鉛フリ
ー（レス）の比較的高い液相線温度を有するろう材と、
そのろう材層を形成した電子部品や気密端子等のろう付
け部材と、そのろう付け部材のろう付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ろう付けはいろいろな分野で実施
されており、ろう材としては、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）
の共晶はんだ（以下ＳｎＰｂ共晶はんだ）が最もよく知
られている。このＳｎＰｂ共晶はんだは、Ｓｎ６１．９
ｗｔ％とＰｂ３８．１ｗｔ％の組成を有し、共晶点の溶
融温度が１８３℃のものである。また、このＳｎＰｂ共
晶半田をリフロー半田として用いる電子部品のろう付け
においては、このリフロー温度で電子部品内部の電子素
子のろう付け部分のろう材が溶融して、電子素子が脱落
することがあってはならない。そのために、電子部品内
部の電子素子のろう付け部分のろう材としては、例えば
高温半田と称されるＳｎ１〜１０ｗｔ％−Ｐｂ９０〜９
９ｗｔ％の組成のものが用いられている。この高温はん
だは、液相線温度が３２０℃で、固相線温度が３１０℃
である。
されており、ろう材としては、錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）
の共晶はんだ（以下ＳｎＰｂ共晶はんだ）が最もよく知
られている。このＳｎＰｂ共晶はんだは、Ｓｎ６１．９
ｗｔ％とＰｂ３８．１ｗｔ％の組成を有し、共晶点の溶
融温度が１８３℃のものである。また、このＳｎＰｂ共
晶半田をリフロー半田として用いる電子部品のろう付け
においては、このリフロー温度で電子部品内部の電子素
子のろう付け部分のろう材が溶融して、電子素子が脱落
することがあってはならない。そのために、電子部品内
部の電子素子のろう付け部分のろう材としては、例えば
高温半田と称されるＳｎ１〜１０ｗｔ％−Ｐｂ９０〜９
９ｗｔ％の組成のものが用いられている。この高温はん
だは、液相線温度が３２０℃で、固相線温度が３１０℃
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、最近、Ｐｂ
の有害性がクローズアップされて、環境問題のために、
各国でＰｂの使用を規制する動きがあり、我が国の電子
部品業界でも有害物質であるＰｂの使用を制限する動き
がある。このため、Ｐｂフリー（またはＰｂレス）と称
される代替半田が開発研究されている。このようなＰｂ
フリーの代替半田は、専らＳｎＰｂ共晶はんだの代替と
して開発研究されており、できるだけＳｎＰｂ共晶はん
だの共晶点の溶融温度である１８３℃に近い溶融点のも
のが求められており、ＳｎＡｇ系やＳｎＢｉ系が主流に
なっている。
の有害性がクローズアップされて、環境問題のために、
各国でＰｂの使用を規制する動きがあり、我が国の電子
部品業界でも有害物質であるＰｂの使用を制限する動き
がある。このため、Ｐｂフリー（またはＰｂレス）と称
される代替半田が開発研究されている。このようなＰｂ
フリーの代替半田は、専らＳｎＰｂ共晶はんだの代替と
して開発研究されており、できるだけＳｎＰｂ共晶はん
だの共晶点の溶融温度である１８３℃に近い溶融点のも
のが求められており、ＳｎＡｇ系やＳｎＢｉ系が主流に
なっている。
【０００４】このＳｎＰｂ共晶半田の代替半田をリフロ
ー半田として用いる電子部品のプリント基板等へのろう
付けにおいては、このリフロー温度で電子部品内部の電
子素子のろう付け部分のろう材が溶融して、電子素子が
脱落することがあってはならない。そのために、電子部
品内部の電子素子のろう付け部分のろう材としては、そ
のリフロー温度で溶融しない高融点の代替半田が必要に
なる。
ー半田として用いる電子部品のプリント基板等へのろう
付けにおいては、このリフロー温度で電子部品内部の電
子素子のろう付け部分のろう材が溶融して、電子素子が
脱落することがあってはならない。そのために、電子部
品内部の電子素子のろう付け部分のろう材としては、そ
のリフロー温度で溶融しない高融点の代替半田が必要に
なる。
【０００５】上記のリフロー温度に耐えるＰｂフリーの
高温はんだとしては、次のような諸特性を満足する必要
がある。 溶融によりろう付けが可能であること。（ろう付け
性） これは、ろう材としての基本的な要求特性である。 リフロー温度で溶融しないこと。（高融点性） これは、リフロー温度に耐えるＰｂフリーろう材として
所期の基本的な要求特性である。 後加工が可能であること。（後加工性） これは、例えばろう材をめっきしたリード線の折り曲げ
加工を行っても、ろう材が割れたりしないことの要求特
性である。 基板との接合信頼性があること。（接合信頼性） これは、世の中一般に広く出回っている基板に対する接
合性ばかりでなく、その信頼性に対する要求特性であ
る。 後銀めっきが可能であること。（めっき性） これは、ろう材の表面が露出したままでは、表面の光沢
性や美観性等の点で仕上げ銀めっきをする場合の、銀め
っきの析出性および固着性を確保するための要求特性で
ある。
高温はんだとしては、次のような諸特性を満足する必要
がある。 溶融によりろう付けが可能であること。（ろう付け
性） これは、ろう材としての基本的な要求特性である。 リフロー温度で溶融しないこと。（高融点性） これは、リフロー温度に耐えるＰｂフリーろう材として
所期の基本的な要求特性である。 後加工が可能であること。（後加工性） これは、例えばろう材をめっきしたリード線の折り曲げ
加工を行っても、ろう材が割れたりしないことの要求特
性である。 基板との接合信頼性があること。（接合信頼性） これは、世の中一般に広く出回っている基板に対する接
合性ばかりでなく、その信頼性に対する要求特性であ
る。 後銀めっきが可能であること。（めっき性） これは、ろう材の表面が露出したままでは、表面の光沢
性や美観性等の点で仕上げ銀めっきをする場合の、銀め
っきの析出性および固着性を確保するための要求特性で
ある。
【０００６】そこで、本発明は、上記各種の要求特性を
満足する比較的高融点を有するＰｂフリーのろう材を提
供することを目的とする。本発明はまた、上記のＰｂフ
リーのろう材層を形成した電子部品等のろう付け部材を
提供することを目的とする。本発明はさらに、上記のＰ
ｂフリーのろう材層を形成したろう付け部材を用いたろ
う付け方法を提供することを目的とする。
満足する比較的高融点を有するＰｂフリーのろう材を提
供することを目的とする。本発明はまた、上記のＰｂフ
リーのろう材層を形成した電子部品等のろう付け部材を
提供することを目的とする。本発明はさらに、上記のＰ
ｂフリーのろう材層を形成したろう付け部材を用いたろ
う付け方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のろう材は、Ｓｎ
Ｃｕ，ＳｎＺｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択さ
れた一の材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温
度が２００℃以上であることを特徴とするろう材であ
る。本発明のろう付け部材は、前記記載のいずれか一の
ろう材よりなるろう材層が形成されていることを特徴と
するろう付け部材である。本発明のろう付け方法は、前
記記載のいずれか一のろう材よりなるろう材層が形成さ
れているろう付け部材どうし、またはこのろう付け部材
と他のろう付け部材とを、前記ろう材層を利用してろう
付けすることを特徴とするろう付け方法である。
Ｃｕ，ＳｎＺｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択さ
れた一の材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温
度が２００℃以上であることを特徴とするろう材であ
る。本発明のろう付け部材は、前記記載のいずれか一の
ろう材よりなるろう材層が形成されていることを特徴と
するろう付け部材である。本発明のろう付け方法は、前
記記載のいずれか一のろう材よりなるろう材層が形成さ
れているろう付け部材どうし、またはこのろう付け部材
と他のろう付け部材とを、前記ろう材層を利用してろう
付けすることを特徴とするろう付け方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
ＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選
択されたいずれか一の材料を単独またはそれを主材料と
し、液相線温度が２００℃以上であることを特徴とする
ろう材である。ここで、液相線温度を２００℃以上に限
定する理由は、ＳｎＰｂ共晶はんだの共晶温度である溶
融点１８３℃近傍の温度域におけるＰｂフリー代替ろう
材のリフロー温度で溶融しないからである。
ＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選
択されたいずれか一の材料を単独またはそれを主材料と
し、液相線温度が２００℃以上であることを特徴とする
ろう材である。ここで、液相線温度を２００℃以上に限
定する理由は、ＳｎＰｂ共晶はんだの共晶温度である溶
融点１８３℃近傍の温度域におけるＰｂフリー代替ろう
材のリフロー温度で溶融しないからである。
【０００９】本発明の請求項２記載の発明は、ＳｎＣｕ
合金よりなり、Ｃｕが１〜１０ｗｔ％の二元合金を単独
またはそれを主材料とし、液相線温度が２２７〜４７０
℃、固相線温度が２２７℃あることを特徴とするろう材
である。ここで、Ｃｕを１〜１０ｗｔ％に限定する理由
は、１ｗｔ％未満ではＳｉウィスカーが発生しやすくな
り、１０ｗｔ％を超えると液相線温度が５００℃を超え
てリフローが困難となるからである。
合金よりなり、Ｃｕが１〜１０ｗｔ％の二元合金を単独
またはそれを主材料とし、液相線温度が２２７〜４７０
℃、固相線温度が２２７℃あることを特徴とするろう材
である。ここで、Ｃｕを１〜１０ｗｔ％に限定する理由
は、１ｗｔ％未満ではＳｉウィスカーが発生しやすくな
り、１０ｗｔ％を超えると液相線温度が５００℃を超え
てリフローが困難となるからである。
【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、ＳｎＺｎ
合金よりなり、Ｚｎが３０〜９０ｗｔ％の二元合金を単
独またはそれを主材料とし、液相線温度が２３２〜４０
０℃、固相線温度が２３２℃であることを特徴とするろ
う材である。ここで、Ｚｎを３０〜９０ｗｔ％に限定す
る理由は、３０ｗｔ％未満ではＳｉウィスカーが発生し
やすくなり、９０ｗｔ％を超えると硬くなり加工性が悪
くなるからである。
合金よりなり、Ｚｎが３０〜９０ｗｔ％の二元合金を単
独またはそれを主材料とし、液相線温度が２３２〜４０
０℃、固相線温度が２３２℃であることを特徴とするろ
う材である。ここで、Ｚｎを３０〜９０ｗｔ％に限定す
る理由は、３０ｗｔ％未満ではＳｉウィスカーが発生し
やすくなり、９０ｗｔ％を超えると硬くなり加工性が悪
くなるからである。
【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、ＳｎＡｕ
合金よりなる次のいずれか一の二元合金を単独またはそ
れを主材料とし、Ａｕが１５〜３８ｗｔ％、液相線温度
が２８０〜５００℃、固相線温度が２８０℃ Ａｕが３８〜５５ｗｔ％、液相線温度が３６０〜４１８
℃、固相線温度が３０５℃ Ａｕが５５〜７０ｗｔ％、液相線温度が２８０〜３４０
℃、固相線温度が２６０℃ であることを特徴とするろう材である。ここで、Ａｕを
１５〜７０ｗｔ％に限定する理由は、１５ｗｔ％未満で
は溶融温度が高くなりすぎ、リフローが困難となり、７
０ｗｔ％を超えると溶融温度が低くなりすぎ、耐熱性が
確保できないからである。
合金よりなる次のいずれか一の二元合金を単独またはそ
れを主材料とし、Ａｕが１５〜３８ｗｔ％、液相線温度
が２８０〜５００℃、固相線温度が２８０℃ Ａｕが３８〜５５ｗｔ％、液相線温度が３６０〜４１８
℃、固相線温度が３０５℃ Ａｕが５５〜７０ｗｔ％、液相線温度が２８０〜３４０
℃、固相線温度が２６０℃ であることを特徴とするろう材である。ここで、Ａｕを
１５〜７０ｗｔ％に限定する理由は、１５ｗｔ％未満で
は溶融温度が高くなりすぎ、リフローが困難となり、７
０ｗｔ％を超えると溶融温度が低くなりすぎ、耐熱性が
確保できないからである。
【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、Ｚｎ１０
０ｗｔ％よりなり、液相線温度および固相線温度が４１
９℃であることを特徴とするろう材である。ここで、Ｚ
ｎ１００ｗｔ％にする理由は、１００ｗｔ％未満では、
低い温度の共晶線が現れたり、高い温度の液相線が現れ
たりするなどして、耐熱性やリフロー性が確保できない
からである。
０ｗｔ％よりなり、液相線温度および固相線温度が４１
９℃であることを特徴とするろう材である。ここで、Ｚ
ｎ１００ｗｔ％にする理由は、１００ｗｔ％未満では、
低い温度の共晶線が現れたり、高い温度の液相線が現れ
たりするなどして、耐熱性やリフロー性が確保できない
からである。
【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、Ｂｉ１０
０ｗｔ％よりなり、液相線温度および固相線温度が２７
１℃であることを特徴とするろう材である。ここで、Ｂ
ｉ１００ｗｔ％にする理由は、１００ｗｔ％未満では、
低い温度の共晶線や固相線が現れ耐熱性が確保できなく
なるからである。
０ｗｔ％よりなり、液相線温度および固相線温度が２７
１℃であることを特徴とするろう材である。ここで、Ｂ
ｉ１００ｗｔ％にする理由は、１００ｗｔ％未満では、
低い温度の共晶線や固相線が現れ耐熱性が確保できなく
なるからである。
【００１４】本発明の請求項７記載の発明は、前記請求
項１〜６に記載のいずれかのろう材よりなるろう材層が
形成されていることを特徴とするろう付け部材である。
ろう材よりなるろう材層が形成されているろう付け部材
によれば、そのろう材層を利用して容易にろう付けがで
きる。
項１〜６に記載のいずれかのろう材よりなるろう材層が
形成されていることを特徴とするろう付け部材である。
ろう材よりなるろう材層が形成されているろう付け部材
によれば、そのろう材層を利用して容易にろう付けがで
きる。
【００１５】本発明の請求項８記載の発明は、前記請求
項１〜６に記載のいずれかのろう材よりなるろう材層が
形成され、このろう材層の表面を酸化防止膜で被覆して
いることを特徴とするろう付け部材である。ろう材層の
表面を酸化防止膜で被覆しておくことにより、酸化しや
すいろう材であっても、空気中での放置やろう付けの際
に、ろう材表面が酸化されることが防止できる。
項１〜６に記載のいずれかのろう材よりなるろう材層が
形成され、このろう材層の表面を酸化防止膜で被覆して
いることを特徴とするろう付け部材である。ろう材層の
表面を酸化防止膜で被覆しておくことにより、酸化しや
すいろう材であっても、空気中での放置やろう付けの際
に、ろう材表面が酸化されることが防止できる。
【００１６】本発明の請求項９記載の発明は、前記請求
項７に記載のろう付け部材どうし、またはこのろう付け
部材と他のろう付け部材とをろう付けすることを特徴と
するろう付け方法である。ろう材層を形成したろう付け
部材どうしは、それぞれに形成されたろう材層を溶融す
ることにより容易にろう付けできるし、ろう材層を形成
したろう付け部材はろう材層を溶融することによって他
のろう付け部材と容易にろう付けすることができる。
項７に記載のろう付け部材どうし、またはこのろう付け
部材と他のろう付け部材とをろう付けすることを特徴と
するろう付け方法である。ろう材層を形成したろう付け
部材どうしは、それぞれに形成されたろう材層を溶融す
ることにより容易にろう付けできるし、ろう材層を形成
したろう付け部材はろう材層を溶融することによって他
のろう付け部材と容易にろう付けすることができる。
【００１７】本発明の請求項１０記載の発明は、前記請
求項８に記載のろう付け部材どうし、またはこのろう付
け部材と他のろう付け部材とをろう付けすることを特徴
とするろう付け方法である。ろう材よりなるろう材層が
形成され、このろう材層の表面を酸化防止膜で被覆して
いるろう付け部材は、そのろう材が酸化しやすいもので
あっても、その表面が酸化防止膜で被覆保護されている
ので、空気中におけるろう付けの際にろう材層が酸化さ
れることが防止でき、そのろう付け部材どうし、または
他のろう付け部材と確実にろう付けできる。
求項８に記載のろう付け部材どうし、またはこのろう付
け部材と他のろう付け部材とをろう付けすることを特徴
とするろう付け方法である。ろう材よりなるろう材層が
形成され、このろう材層の表面を酸化防止膜で被覆して
いるろう付け部材は、そのろう材が酸化しやすいもので
あっても、その表面が酸化防止膜で被覆保護されている
ので、空気中におけるろう付けの際にろう材層が酸化さ
れることが防止でき、そのろう付け部材どうし、または
他のろう付け部材と確実にろう付けできる。
【００１８】本発明の請求項１１記載の発明は、前記請
求項７または８に記載のろう付け部材どうし、またはこ
のろう付け部材と他のろう付け部材とを、固相が残って
いる温度で、部分的に溶融した液相のみで最終的にろう
付けすることを特徴とするろう付け方法である。固相が
残っている温度で、部分的に溶融した液相のみで最終的
にろう付けすることにより、ろう材全体を溶融する場合
に比較して、ろう付け温度を低くすることができる。
求項７または８に記載のろう付け部材どうし、またはこ
のろう付け部材と他のろう付け部材とを、固相が残って
いる温度で、部分的に溶融した液相のみで最終的にろう
付けすることを特徴とするろう付け方法である。固相が
残っている温度で、部分的に溶融した液相のみで最終的
にろう付けすることにより、ろう材全体を溶融する場合
に比較して、ろう付け温度を低くすることができる。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例について、以下、図面を参照
して説明する。図１は本発明の実施例のろう付け部材で
ある円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図を示す。図
において、１は円筒形の金属外環で、その内部にガラス
２を介して、２本のリード３，３が気密に封着されてい
る。前記金属外環１は、例えば低炭素鋼やＦｅ−Ｎｉ合
金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸法が１〜
３ｍｍのものである。前記ガラス２は、ソーダライムガ
ラスやソーダバリウムガラスやホウケイ酸ガラス等より
なる。前記リード３，３は、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸法が０．１５〜０．３
ｍｍのものである。
して説明する。図１は本発明の実施例のろう付け部材で
ある円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図を示す。図
において、１は円筒形の金属外環で、その内部にガラス
２を介して、２本のリード３，３が気密に封着されてい
る。前記金属外環１は、例えば低炭素鋼やＦｅ−Ｎｉ合
金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸法が１〜
３ｍｍのものである。前記ガラス２は、ソーダライムガ
ラスやソーダバリウムガラスやホウケイ酸ガラス等より
なる。前記リード３，３は、Ｆｅ−Ｎｉ合金やＦｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ合金等よりなり、外径寸法が０．１５〜０．３
ｍｍのものである。
【００２０】図２は、ろう付け部材である前記気密端子
Ａの金属部，すなわち金属外環１およびリード２，２
に、ろう材層４，４がめっき形成された状態の斜視図で
ある。前記ろう材層４，４は、例えば、めっきにより厚
さ５〜３０μｍ程度に形成されている。前記ろう材層
４，４は、次の群から選択されたいずれか一のものであ
る。 ＳｎＣｕ：Ｓｎ９５〜９９ｗｔ％−Ｃｕ １〜１０ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２２７〜４７０／２２７℃ ＳｎＺｎ：Ｓｎ１０〜７０ｗｔ％−Ｚｎ３０〜９０ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２３２〜４００／２３２℃ ＳｎＡｕ：Ｓｎ６５〜８０ｗｔ％−Ａｕ２０〜３５ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２８０〜４８０／２８０℃ Ｚｎ：１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝４１９／４１９℃ Ｂｉ：１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２７１／２７１℃
Ａの金属部，すなわち金属外環１およびリード２，２
に、ろう材層４，４がめっき形成された状態の斜視図で
ある。前記ろう材層４，４は、例えば、めっきにより厚
さ５〜３０μｍ程度に形成されている。前記ろう材層
４，４は、次の群から選択されたいずれか一のものであ
る。 ＳｎＣｕ：Ｓｎ９５〜９９ｗｔ％−Ｃｕ １〜１０ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２２７〜４７０／２２７℃ ＳｎＺｎ：Ｓｎ１０〜７０ｗｔ％−Ｚｎ３０〜９０ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２３２〜４００／２３２℃ ＳｎＡｕ：Ｓｎ６５〜８０ｗｔ％−Ａｕ２０〜３５ｗ
ｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２８０〜４８０／２８０℃ Ｚｎ：１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝４１９／４１９℃ Ｂｉ：１００ｗｔ％ 液相線温度／固相線温度＝２７１／２７１℃
【００２１】上記各種のろう材の、前述した各種要求特
性に対する評価結果を次に示す。
性に対する評価結果を次に示す。
【表１】
【００２２】図３は、前記気密端子Ａに電子素子の一例
としての矩形状の水晶振動片５を固着した斜視図を示
す。水晶振動片５は、水晶片５０の両面に電極５１，５
２を形成したものである。そして、前記電極５１，５２
を、リード３，３に被着されているろう材層４，４に当
接させて、例えばレーザまたは熱風を局所的に照射する
方法等により、リード３，３に被着されているろう材層
４，４を溶融させることによって、リード３，３に電気
的に接続するとともに機械的に固着されている。
としての矩形状の水晶振動片５を固着した斜視図を示
す。水晶振動片５は、水晶片５０の両面に電極５１，５
２を形成したものである。そして、前記電極５１，５２
を、リード３，３に被着されているろう材層４，４に当
接させて、例えばレーザまたは熱風を局所的に照射する
方法等により、リード３，３に被着されているろう材層
４，４を溶融させることによって、リード３，３に電気
的に接続するとともに機械的に固着されている。
【００２３】図４は、前記リード３，３に水晶振動片５
が固着された気密端子Ａを、有底円筒状の金属キャップ
６に圧入して固着封止する前の状態を示した断面図、図
５は、気密端子Ａを金属キャップ６に圧入して固着封止
する途中の状態を示した断面図、図６は、気密端子Ａを
金属キャップ６に圧入して固着封止し終わった状態の水
晶振動子７の断面図である。
が固着された気密端子Ａを、有底円筒状の金属キャップ
６に圧入して固着封止する前の状態を示した断面図、図
５は、気密端子Ａを金属キャップ６に圧入して固着封止
する途中の状態を示した断面図、図６は、気密端子Ａを
金属キャップ６に圧入して固着封止し終わった状態の水
晶振動子７の断面図である。
【００２４】金属キャップ６は、例えば洋白と称せられ
るＣｕ（４５〜６５ｗｔ％）−Ｎｉ（６〜３５ｗｔ％）
−Ｚｎ（１５〜３５ｗｔ％）合金よりなり、その内径寸
法は、気密端子Ａの金属外環１の外径寸法１．６ｍｍよ
りも若干小径の例えば１．５５ｍｍに形成されている。
そして、金属キャップ６の開口端に気密端子Ａを圧入す
ることにより、封止されている。したがって、図４の状
態から金属キャップ６の開口部への金属外環１の最初の
挿入を容易にするために、金属外環１の上端肩部は、図
示するように、丸みを帯びたなだらかな曲面に形成して
おくことが望ましい。そのような形状は、例えば、金属
外環１を板状材料から絞りプレス成形およびプレス打ち
抜きにより製造することにより得られる。
るＣｕ（４５〜６５ｗｔ％）−Ｎｉ（６〜３５ｗｔ％）
−Ｚｎ（１５〜３５ｗｔ％）合金よりなり、その内径寸
法は、気密端子Ａの金属外環１の外径寸法１．６ｍｍよ
りも若干小径の例えば１．５５ｍｍに形成されている。
そして、金属キャップ６の開口端に気密端子Ａを圧入す
ることにより、封止されている。したがって、図４の状
態から金属キャップ６の開口部への金属外環１の最初の
挿入を容易にするために、金属外環１の上端肩部は、図
示するように、丸みを帯びたなだらかな曲面に形成して
おくことが望ましい。そのような形状は、例えば、金属
外環１を板状材料から絞りプレス成形およびプレス打ち
抜きにより製造することにより得られる。
【００２５】このような圧入封止は、金属キャップ６の
開口端が徐々に拡開されることによる金属外環１との強
い密着と、金属外環１の外周に被着されているろう材層
４が両者間を埋めていることと相俟って、十分な気密性
が得られる。なお、もし必要ならば、金属キャップ６の
内面にも、ろう材層を形成しておいてもよい。この圧入
封止時に、金属外環１の外径寸法と金属キャップ６の内
径寸法との関係から、ガラス２は強い圧縮応力を受ける
が、ガラスは圧縮応力には強いので、圧縮応力によって
破壊されることはない。このように、圧入封止は、溶融
ろう材による封止や低融点ガラスによる封止に比較し
て、封止時に加熱を必要としないので、設備的に有利で
あるのみならず、加熱によって水晶振動片５が劣化して
特性変動を生じるといったことがない。しかも、樹脂封
止に比較して、封止時または封止後に発生ガスによっ
て、水晶振動片５が劣化して特性変動を生じるといった
ことがない。
開口端が徐々に拡開されることによる金属外環１との強
い密着と、金属外環１の外周に被着されているろう材層
４が両者間を埋めていることと相俟って、十分な気密性
が得られる。なお、もし必要ならば、金属キャップ６の
内面にも、ろう材層を形成しておいてもよい。この圧入
封止時に、金属外環１の外径寸法と金属キャップ６の内
径寸法との関係から、ガラス２は強い圧縮応力を受ける
が、ガラスは圧縮応力には強いので、圧縮応力によって
破壊されることはない。このように、圧入封止は、溶融
ろう材による封止や低融点ガラスによる封止に比較し
て、封止時に加熱を必要としないので、設備的に有利で
あるのみならず、加熱によって水晶振動片５が劣化して
特性変動を生じるといったことがない。しかも、樹脂封
止に比較して、封止時または封止後に発生ガスによっ
て、水晶振動片５が劣化して特性変動を生じるといった
ことがない。
【００２６】図７は、前記の水晶振動子７を、プリント
基板等の取付基板８の導電層９にろう材１０によりろう
付けした状態を示す一部断面正面図である。すなわち、
水晶振動子７のリード３，３を、取付基板８の貫通孔８
ａ，８ａに挿入して、取付基板８の下方からＳｎＰｂ共
晶はんだの代替Ｐｂフリーろう材を溶融させた溶融ろう
材１０をリフローして、リード３，３を取付基板８の導
電層９にろう付けしたものである。このリフローに用い
るろう材１０は、ＳｎＰｂ共晶はんだの代替品である、
例えばＳｎＡｇ系やＳｎＢｉ系の比較的低融点，すなわ
ち液相線温度が２００℃未満のろう材が用いられる。こ
のリフロー用のろう材１０の溶融点は、例えば気密端子
Ａのリード３，３に被着されているろう材層４，４の液
相線温度に対して、３０℃以上，より好ましくは５０℃
以上の差があるものを使用する。そのような場合、水晶
振動子７の取付基板８の導電層９へのリフロー固着作業
時の加熱温度で、水晶振動片５を固着しているろう材層
４が溶融して、水晶振動片５がリード３，３から脱落す
ることがない。なお、リフロー時のピーク温度は約２２
０〜２６０℃程度であり、ろう材層４の固相線温度を超
えても、そのピーク温度の実現時間が短時間、例えば１
０秒以内であれば、液相が出現することがなく、リフロ
ー時の耐熱性は確保される。
基板等の取付基板８の導電層９にろう材１０によりろう
付けした状態を示す一部断面正面図である。すなわち、
水晶振動子７のリード３，３を、取付基板８の貫通孔８
ａ，８ａに挿入して、取付基板８の下方からＳｎＰｂ共
晶はんだの代替Ｐｂフリーろう材を溶融させた溶融ろう
材１０をリフローして、リード３，３を取付基板８の導
電層９にろう付けしたものである。このリフローに用い
るろう材１０は、ＳｎＰｂ共晶はんだの代替品である、
例えばＳｎＡｇ系やＳｎＢｉ系の比較的低融点，すなわ
ち液相線温度が２００℃未満のろう材が用いられる。こ
のリフロー用のろう材１０の溶融点は、例えば気密端子
Ａのリード３，３に被着されているろう材層４，４の液
相線温度に対して、３０℃以上，より好ましくは５０℃
以上の差があるものを使用する。そのような場合、水晶
振動子７の取付基板８の導電層９へのリフロー固着作業
時の加熱温度で、水晶振動片５を固着しているろう材層
４が溶融して、水晶振動片５がリード３，３から脱落す
ることがない。なお、リフロー時のピーク温度は約２２
０〜２６０℃程度であり、ろう材層４の固相線温度を超
えても、そのピーク温度の実現時間が短時間、例えば１
０秒以内であれば、液相が出現することがなく、リフロ
ー時の耐熱性は確保される。
【００２７】図８は、本発明の第２実施例のろう付け部
材およびろう付け方法について説明するための、ろう付
け前の状態を示す要部拡大断面図である。本実施例は、
ろう材が酸化しやすい場合の実施例である。すなわち、
例えばＺｎは、簡単にめっき形成できる利点があるが、
酸化しやすく空気中での放置またはろう付けが困難であ
る。そのため、ろう付け部材１１，１２の表面にＺｎよ
りなる厚さ５〜３０μｍ程度のろう材よりなるろう材層
１３，１４を形成し、そのろう材層１３，１４の表面を
酸化防止膜の一例であるフラッシュＳｎめっきにより形
成した厚さが１００〜１０００オングストローム程度の
Ｓｎ膜１５，１６により被覆して、空気中における放置
時またはろう付け時の酸化を防止するものである。この
酸化防止用のＳｎ膜１５，１６は、ろう付け時の加熱に
より比較的低温の１９８℃でろう材層１３，１４を構成
するＺｎと共晶を起こし、ろう材層１３，１４の表面の
みを溶融させて、ろう材層１３，１４どうしを仮固着状
態にした後、Ｚｎの溶融温度である４１９℃よりも高温
の，例えば４５０℃に加熱することによって溶融したろ
う材層１３，１４中に取り込まれてしまうので、何ら問
題になるものではない。
材およびろう付け方法について説明するための、ろう付
け前の状態を示す要部拡大断面図である。本実施例は、
ろう材が酸化しやすい場合の実施例である。すなわち、
例えばＺｎは、簡単にめっき形成できる利点があるが、
酸化しやすく空気中での放置またはろう付けが困難であ
る。そのため、ろう付け部材１１，１２の表面にＺｎよ
りなる厚さ５〜３０μｍ程度のろう材よりなるろう材層
１３，１４を形成し、そのろう材層１３，１４の表面を
酸化防止膜の一例であるフラッシュＳｎめっきにより形
成した厚さが１００〜１０００オングストローム程度の
Ｓｎ膜１５，１６により被覆して、空気中における放置
時またはろう付け時の酸化を防止するものである。この
酸化防止用のＳｎ膜１５，１６は、ろう付け時の加熱に
より比較的低温の１９８℃でろう材層１３，１４を構成
するＺｎと共晶を起こし、ろう材層１３，１４の表面の
みを溶融させて、ろう材層１３，１４どうしを仮固着状
態にした後、Ｚｎの溶融温度である４１９℃よりも高温
の，例えば４５０℃に加熱することによって溶融したろ
う材層１３，１４中に取り込まれてしまうので、何ら問
題になるものではない。
【００２８】本発明のろう付け方法は、上記で説明した
ＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，ＺｎＡｕのいずれかの二元合金単
独またはそれを主材料とするろう材を、液相線温度以上
の温度で加熱することにより、完全に溶融してろう付け
する方法はもちろんのこと、固相がなお残っている温
度，すなわち、固相線温度と液相線温度との間の温度で
加熱し、固相および液相が混在した状態で凝固させるこ
とにより、溶融した液相のみで最終的なろう付けを完了
するようなろう付け方法をも含むものである。そのよう
なろう付け方法は、液相線温度以上の温度で加熱して、
ろう材を完全に溶融させるろう付け方法に比較して、ろ
う付け温度を低く設定できるため、ろう付け炉が安価に
なると共に、維持費が安くなるのみならず、ろう付け温
度を固相線温度と液相線温度との中間の任意の温度に設
定できるという利点がある。
ＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，ＺｎＡｕのいずれかの二元合金単
独またはそれを主材料とするろう材を、液相線温度以上
の温度で加熱することにより、完全に溶融してろう付け
する方法はもちろんのこと、固相がなお残っている温
度，すなわち、固相線温度と液相線温度との間の温度で
加熱し、固相および液相が混在した状態で凝固させるこ
とにより、溶融した液相のみで最終的なろう付けを完了
するようなろう付け方法をも含むものである。そのよう
なろう付け方法は、液相線温度以上の温度で加熱して、
ろう材を完全に溶融させるろう付け方法に比較して、ろ
う付け温度を低く設定できるため、ろう付け炉が安価に
なると共に、維持費が安くなるのみならず、ろう付け温
度を固相線温度と液相線温度との中間の任意の温度に設
定できるという利点がある。
【００２９】なお、上記実施例は、ろう付け部材とし
て、直円筒型水晶振動子用の気密端子Ａについて説明し
たが、図７に示すように、水晶振動子７をプリント基板
等の取付基板８の面に平行に取り付ける場合は、気密端
子および金属キャップを楕円形または長円形等の偏平形
にして、その偏平面を取付基板８の面に平行に取り付け
るようにしてもよい。そのようにすると組み付け高さを
低くすることができる。
て、直円筒型水晶振動子用の気密端子Ａについて説明し
たが、図７に示すように、水晶振動子７をプリント基板
等の取付基板８の面に平行に取り付ける場合は、気密端
子および金属キャップを楕円形または長円形等の偏平形
にして、その偏平面を取付基板８の面に平行に取り付け
るようにしてもよい。そのようにすると組み付け高さを
低くすることができる。
【００３０】また、図７に示したように水晶振動子７を
プリント基板等の取付基板８の透孔８ａに挿通して低融
点ろう材１０により組み付けるのに代えて、表面実装型
にしてもよい。図９は、一実施例の表面実装型水晶振動
子２０の斜視図を示す。図９において、２１は円筒型ま
たは偏平型の水晶振動子をエポキシ樹脂等の絶縁体２１
で封止するとともに、そのリードと電気的に接続された
端子２２，２２を、絶縁体２１の長手方向の一方または
両方から導出したものである。前記端子２２，２２は、
銅またはニッケルめっき銅等の板状導電体よりなり、絶
縁体２１の厚さ方向の中途から水平方向に導出され、絶
縁体２１の端面２１ａに沿って下方に折り曲げられた
後、絶縁体２１の下端２１ｂで再び水平方向に折り曲げ
られて絶縁体２１の下面に沿う形状を有する。したがっ
て、前記表面実装型水晶振動子２０をプリント基板等の
取付基板上面の導電体上に、クリームはんだ等を介して
配置し、クリームはんだ等の融点以上に加熱すれば、水
晶振動子２０を表面実装することができる。
プリント基板等の取付基板８の透孔８ａに挿通して低融
点ろう材１０により組み付けるのに代えて、表面実装型
にしてもよい。図９は、一実施例の表面実装型水晶振動
子２０の斜視図を示す。図９において、２１は円筒型ま
たは偏平型の水晶振動子をエポキシ樹脂等の絶縁体２１
で封止するとともに、そのリードと電気的に接続された
端子２２，２２を、絶縁体２１の長手方向の一方または
両方から導出したものである。前記端子２２，２２は、
銅またはニッケルめっき銅等の板状導電体よりなり、絶
縁体２１の厚さ方向の中途から水平方向に導出され、絶
縁体２１の端面２１ａに沿って下方に折り曲げられた
後、絶縁体２１の下端２１ｂで再び水平方向に折り曲げ
られて絶縁体２１の下面に沿う形状を有する。したがっ
て、前記表面実装型水晶振動子２０をプリント基板等の
取付基板上面の導電体上に、クリームはんだ等を介して
配置し、クリームはんだ等の融点以上に加熱すれば、水
晶振動子２０を表面実装することができる。
【００３１】上記実施例の表面実装型水晶振動子２０で
は、端子２２，２２を絶縁体２１の長手方向の一方また
は両方から導出したものについて説明したが、絶縁体２
１の短手方向の一方または両方から導出するようにして
もよい。
は、端子２２，２２を絶縁体２１の長手方向の一方また
は両方から導出したものについて説明したが、絶縁体２
１の短手方向の一方または両方から導出するようにして
もよい。
【００３２】なお、本発明の上記実施例は、特定のろう
付け部材およびろう付け方法について説明したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の精
神を逸脱しない範囲で、各種の変形が可能であることは
いうまでもない。
付け部材およびろう付け方法について説明したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の精
神を逸脱しない範囲で、各種の変形が可能であることは
いうまでもない。
【００３３】例えば、上記実施例においては、ろう付け
部材として、金属外環の形状が直円筒形状の圧入型水晶
振動子用の気密端子におけるリードと水晶振動片とのろ
う付けについて説明したが、もし、必要ならば、金属外
環１の形状を、高さ寸法の中途部から上方部を上部に行
くほど小径になるような傾斜面に形成するとともに、中
途部から下方を円筒状に形成してもよい。このような形
状によっても、金属外環の金属キャップへの最初の挿入
作業および圧入作業が容易になる。
部材として、金属外環の形状が直円筒形状の圧入型水晶
振動子用の気密端子におけるリードと水晶振動片とのろ
う付けについて説明したが、もし、必要ならば、金属外
環１の形状を、高さ寸法の中途部から上方部を上部に行
くほど小径になるような傾斜面に形成するとともに、中
途部から下方を円筒状に形成してもよい。このような形
状によっても、金属外環の金属キャップへの最初の挿入
作業および圧入作業が容易になる。
【００３４】また、上記実施例では、圧入封止型の水晶
振動子用の気密端子について説明したが、抵抗溶接封止
型や冷間圧接封止型の水晶振動子用の気密端子について
も、同様に実施できるものである。
振動子用の気密端子について説明したが、抵抗溶接封止
型や冷間圧接封止型の水晶振動子用の気密端子について
も、同様に実施できるものである。
【００３５】さらにまた、上記実施例においては、水晶
振動子用の気密端子について説明したが、水晶振動子用
の気密端子以外の他の用途の電子部品用気密端子や半導
体装置等についても同様に実施できるものである。
振動子用の気密端子について説明したが、水晶振動子用
の気密端子以外の他の用途の電子部品用気密端子や半導
体装置等についても同様に実施できるものである。
【００３６】また、電子部品や半導体装置以外のあらゆ
るろう付けの用途においても、同様に実施できる。
るろう付けの用途においても、同様に実施できる。
【００３７】さらに、ろう材層の厚さも、実施例に記載
した範囲に限定されるものではなく、用途に応じて適宜
設定すればよい。
した範囲に限定されるものではなく、用途に応じて適宜
設定すればよい。
【００３８】
【発明の効果】本発明のろう材は、ＳｎＣｕ，ＳｎＺ
ｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択されたいずれか
一の材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温度が
２００℃以上であることを特徴とするろう材であるか
ら、従来のような有害物質のＰｂを含まない，いわゆる
Ｐｂフリーの比較的高融点のろう材が提供でき、環境問
題をクリアできるという作用効果を奏する。また、本発
明のろう付け部材は、前記記載のいずれか一のろう材を
単独またはそれを主材料とするろう材層が形成されてい
ることを特徴とするろう付け部材であるから、このろう
付け部材どうしを、または他のろう付け部材とを、その
ろう材層を利用して、簡単にろう付けできるろう付け部
材を提供できるという特有の作用効果を奏する。さらに
また、本発明のろう付け方法は、前記記載のろう材層を
形成したろう付け部材どうし、またはこのろう付け部材
と他のろう付け部材とを、そのろう材層を利用してろう
付けすることを特徴とするろう付け方法であるから、ろ
う付け部に別のろう材を供給することなく、簡単にろう
付けできるろう付け方法が提供できるという特有の作用
効果を奏する。
ｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂｉの群から選択されたいずれか
一の材料を単独またはそれを主材料とし、液相線温度が
２００℃以上であることを特徴とするろう材であるか
ら、従来のような有害物質のＰｂを含まない，いわゆる
Ｐｂフリーの比較的高融点のろう材が提供でき、環境問
題をクリアできるという作用効果を奏する。また、本発
明のろう付け部材は、前記記載のいずれか一のろう材を
単独またはそれを主材料とするろう材層が形成されてい
ることを特徴とするろう付け部材であるから、このろう
付け部材どうしを、または他のろう付け部材とを、その
ろう材層を利用して、簡単にろう付けできるろう付け部
材を提供できるという特有の作用効果を奏する。さらに
また、本発明のろう付け方法は、前記記載のろう材層を
形成したろう付け部材どうし、またはこのろう付け部材
と他のろう付け部材とを、そのろう材層を利用してろう
付けすることを特徴とするろう付け方法であるから、ろ
う付け部に別のろう材を供給することなく、簡単にろう
付けできるろう付け方法が提供できるという特有の作用
効果を奏する。
【図１】 本発明を適用するろう付け部材の第１実施例
である円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図
である円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視図
【図２】 本発明の第１実施例のろう材層を形成したろ
う付け部材である円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視
図
う付け部材である円筒型水晶振動子用気密端子Ａの斜視
図
【図３】 本発明の第１実施例のろう付け部材である円
筒型水晶振動子用気密端子Ａのリードに他のろう付け部
材の一例である水晶振動片を接続固着した斜視図
筒型水晶振動子用気密端子Ａのリードに他のろう付け部
材の一例である水晶振動片を接続固着した斜視図
【図４】 本発明の第１実施例の水晶振動子用気密端子
Ａを金属キャップの開口部に圧入する前の状態を示す断
面図
Ａを金属キャップの開口部に圧入する前の状態を示す断
面図
【図５】 本発明の第１実施例の水晶振動子用気密端子
Ａを金属キャップの開口部に圧入しつつある状態を示す
断面図
Ａを金属キャップの開口部に圧入しつつある状態を示す
断面図
【図６】 本発明の第１実施例の水晶振動子用気密端子
Ａを金属キャップの開口部に圧入し終わった状態の水晶
振動子を示す断面図
Ａを金属キャップの開口部に圧入し終わった状態の水晶
振動子を示す断面図
【図７】 本発明の水晶振動子をプリント基板等の取付
基板にろう付けした状態を示す一部を断面で示す側面図
基板にろう付けした状態を示す一部を断面で示す側面図
【図８】 本発明の第２実施例のろう付け部材およびろ
う付け方法について説明するための要部拡大断面図
う付け方法について説明するための要部拡大断面図
【図９】 本発明のろう付け部材の他の例である表面実
装型水晶振動子の斜視図
装型水晶振動子の斜視図
Ａ 気密端子 １ 金属外環 ２ ガラス ３ リード（ろう付け部材） ４ ろう材層 ５ 水晶振動片（他のろう付け部材） ６ 金属キャップ ７ 水晶振動子 ８ 取付基板（プリント基板） ９ 導電層 １０ 低融点ろう材 １１、１２ ろう付け部材 １３、１４ ろう材層 １５、１６ 酸化防止膜（Ｓｎ膜） ２０ 表面実装型水晶振動子 ２１ 絶縁体 ２１ａ 端面 ２１ｂ 下端 ２２ 端子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ２２Ｃ 5/02 Ｃ２２Ｃ 5/02 12/00 12/00 13/00 13/00 13/02 13/02 18/00 18/00 Ｈ０３Ｈ 9/02 Ｈ０３Ｈ 9/02 Ｂ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５１２Ｃ Ｂ２３Ｋ 101:42
Claims (11)
- 【請求項１】ＳｎＣｕ，ＳｎＺｎ，ＳｎＡｕ，Ｚｎ，Ｂ
ｉの群から選択されたいずれか一の材料を単独またはそ
れを主材料とし、液相線温度が２００℃以上であること
を特徴とするろう材。 - 【請求項２】ＳｎＣｕ合金よりなり、Ｃｕが１〜１０ｗ
ｔ％の二元合金単独またはそれを主材料とし、液相線温
度が２２７〜４７０℃、固相線温度が２２７℃であるこ
とを特徴とするろう材。 - 【請求項３】ＳｎＺｎ合金よりなり、Ｚｎが３０〜９０
ｗｔ％の二元合金単独またはそれを主材料とし、液相線
温度が２３２〜４００℃、固相線温度が２３２℃である
ことを特徴とするろう材。 - 【請求項４】ＳｎＡｕ合金よりなり、次のいずれかの二
元合金単独またはそれを主材料とし、 Ａｕが１５〜３８ｗｔ％ 液相線温度が２８０〜５００
℃、固相線温度が２８０℃ Ａｕが３８〜５５ｗｔ％ 液相線温度が３６０〜４１８
℃、固相線温度が３０５℃ Ａｕが５５〜７０ｗｔ％ 液相線温度が２８０〜３４０
℃、固相線温度が２６０℃ であることを特徴とするろう材。 - 【請求項５】Ｚｎ１００ｗｔ％よりなり、液相線温度お
よび固相線温度が４１９℃であることを特徴とするろう
材。 - 【請求項６】Ｂｉ１００ｗｔ％よりなり、液相線温度お
よび固相線温度が２７１℃であることを特徴とするろう
材。 - 【請求項７】前記請求項１〜６に記載のいずれかのろう
材よりなるろう材層が形成されていることを特徴とする
ろう付け部材。 - 【請求項８】前記請求項１〜６に記載のいずれかのろう
材よりなるろう材層が形成され、このろう材層の表面を
酸化防止膜で被覆していることを特徴とするろう付け部
材。 - 【請求項９】前記請求項７に記載のろう付け部材どう
し、またはこのろう付け部材と他のろう付け部材とをろ
う付けすることを特徴とするろう付け方法。 - 【請求項１０】前記請求項８に記載のろう付け部材どう
し、またはこのろう付け部材と他のろう付け部材とをろ
う付けすることを特徴とするろう付け方法。 - 【請求項１１】前記請求項７または８に記載のろう付け
部材どうし、またはこのろう付け部材と他のろう付け部
材とを、固相が残っている温度で、部分的に溶融した液
相のみで最終的にろう付けすることを特徴とするろう付
け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000057928A JP2001009587A (ja) | 1999-04-27 | 2000-02-29 | ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-119641 | 1999-04-27 | ||
| JP11964199 | 1999-04-27 | ||
| JP2000057928A JP2001009587A (ja) | 1999-04-27 | 2000-02-29 | ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001009587A true JP2001009587A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=26457335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000057928A Pending JP2001009587A (ja) | 1999-04-27 | 2000-02-29 | ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001009587A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872465B2 (en) | 2002-03-08 | 2005-03-29 | Hitachi, Ltd. | Solder |
| WO2006049024A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Senju Metal Industry Co., Ltd | 高温鉛フリーはんだおよび半導体素子収納用パッケージ |
| US7075183B2 (en) | 2000-06-12 | 2006-07-11 | Hitachi, Ltd. | Electronic device |
| JP2007116622A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子とその製造方法、表面実装型圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2007258535A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nec Schott Components Corp | 電子部品用パッケージ |
| JP2008080392A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 接合体および接合方法 |
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| US8763884B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing Sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
| US8987975B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-03-24 | Daishinku Corporation | Lead type piezoelectric resonator device |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000057928A patent/JP2001009587A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075183B2 (en) | 2000-06-12 | 2006-07-11 | Hitachi, Ltd. | Electronic device |
| US7259465B2 (en) | 2000-06-12 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with lead-free solder |
| US6872465B2 (en) | 2002-03-08 | 2005-03-29 | Hitachi, Ltd. | Solder |
| WO2006049024A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Senju Metal Industry Co., Ltd | 高温鉛フリーはんだおよび半導体素子収納用パッケージ |
| JP2007116622A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子とその製造方法、表面実装型圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2007258535A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nec Schott Components Corp | 電子部品用パッケージ |
| US8138606B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-03-20 | Hitachi Cable, Ltd. | Wiring conductor, method for fabricating same, terminal connecting assembly, and Pb-free solder alloy |
| JP2008080392A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 接合体および接合方法 |
| US8763884B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Joint with first and second members with a joining layer located therebetween containing Sn metal and another metallic material; methods for forming the same joint |
| US8987975B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-03-24 | Daishinku Corporation | Lead type piezoelectric resonator device |
| JP5799811B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2015-10-28 | 株式会社大真空 | リード型圧電振動デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7248141B2 (en) | Current fuse and method of making the current fuse | |
| JPH11277290A (ja) | Ｐｂフリ―半田および半田付け物品 | |
| JP2001009587A (ja) | ろう材，ろう付け部材およびろう付け方法 | |
| JP4791742B2 (ja) | 電子部品のはんだ接合方法 | |
| JP2000151095A (ja) | プリント配線基板に対する部品のはんだ付け方法、プリント配線基板の作製方法 | |
| JPH11330340A (ja) | 半導体装置およびその実装構造体 | |
| JP2008258353A (ja) | 電子部品用パッケージおよびそのろう付け構造 | |
| JPH1093004A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| WO2006038907A2 (en) | Lead-free solder composition for substrates | |
| JP4251721B2 (ja) | 気密端子およびその製造方法 | |
| JP2001062561A (ja) | ろう付け方法 | |
| JP2004171923A (ja) | 電流ヒューズおよびその製造方法 | |
| JP3444832B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001068194A (ja) | 電子部品 | |
| JP2008079167A (ja) | 水晶振動子用パッケージ | |
| JP5311968B2 (ja) | 気密端子のめっき方法 | |
| JP2001244622A (ja) | 電子回路装置 | |
| JP4071049B2 (ja) | 鉛フリー半田ペースト | |
| JP3832414B2 (ja) | ハーメチックシール用キャップ | |
| JP2010016759A (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JP2004063387A (ja) | 気密端子およびそれを用いる回路部品組立方法 | |
| JP2003094194A (ja) | はんだ材及び電子部品における部材の固定方法 | |
| JP2007329224A (ja) | コイル部品 | |
| JP2001285007A (ja) | 気密端子及び圧入型シリンダータイプ水晶振動子 | |
| JP2002246261A (ja) | 樹脂封止型電子部品装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050906 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051219 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060217 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060522 |