JP2018018966A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ部から照射される光の光軸とレンズの光軸との相対的なずれを抑制可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置１の筐体１０は、基部１４に設けられた第１壁１１と第２壁１２との間に光が通る通路１３を有する。導光部２０は、筐体１０の通路１３に配置され、光を透過するレンズを有する。レーザ部３０は、筐体１０の通路１３に配置され、半導体発光素子が発する光をレンズに向けて照射する。導光部２０の一方の側を支持する第１レンズ支持部１２１と、レーザ部３０の一方の側を支持する第１レーザ支持部１３１とは、いずれも第１壁１１に設けられる。導光部２０の他方の側を支持する第２レンズ支持部１２２と、レーザ部３０の外壁の他方の側を支持する第２レーザ支持部１３２とは、いずれも第２壁１２に設けられる。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関するものである。

従来、ヘッドアップディスプレイ等に使用される半導体レーザ装置が知られている。特許文献１に記載の半導体レーザ装置では、筐体に対し、レーザダイオードが固定されたホルダ（以下「ＬＤホルダ」という）と、レンズが固定されたホルダ（以下「レンズホルダ」という）とが固定されている。

ＬＤホルダは、筐体の外壁に設けられた穴に対し、筐体の外壁の外側から固定されている。レンズホルダは、ＬＤホルダに固定されたレーザダイオードから照射される光の光軸に直交する方向に設けられた筐体の穴に挿入され、その穴の内側に固定されている。ＬＤホルダとレンズホルダとは、レーザダイオードから照射される光の光軸とレンズの光軸とが一致するように位置調整された状態で、筐体に対し接着剤により固定されている。

特開２０１５‐１４３７３２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の半導体レーザ装置は、筐体のうち、ＬＤホルダが固定された箇所の形状と、レンズホルダが固定された箇所の形状とが異なっている。そのため、温度変化により、筐体、ＬＤホルダおよびレンズホルダが熱膨張または熱収縮すると、ＬＤホルダとレンズホルダとは、それぞれ異なる方向に異なる距離変位する。したがって、この半導体レーザ装置は、温度変化に対し、レーザダイオードから照射される光の光軸とレンズの光軸との相対的なずれが大きくなるおそれがある。

本発明は上記点に鑑みて、レーザ部から照射される光の光軸とレンズの光軸との相対的なずれを抑制可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明の半導体レーザ装置は、筐体、導光部、レーザ部、第１レンズ支持部、第２レンズ支持部、第１レーザ支持部および第２レーザ支持部を備える。筐体（１０）は、基部（１４）、その基部に設けられた第１壁（１１）および第２壁（１２）、ならびに第１壁（１１）と第２壁（１２）との間に形成された光が通る通路（１３）を有する。導光部（２０）は、筐体が有する通路に配置され、光を透過するレンズ（２２）を有する。レーザ部（３０）は、筐体が有する通路に配置され、半導体発光素子（３９）を有し、その半導体発光素子が発する光をレンズに向けて照射する。第１レンズ支持部（１２１）は、第１壁に設けられ、導光部の外壁のうちレンズの光軸（２１）に直交する一方の側を支持する。第２レンズ支持部（１２２）は、第２壁に設けられ、導光部の外壁のうちレンズの光軸に直交する他方の側を支持する。第１レーザ支持部（１３１）は、第１壁のうち第１レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、レーザ部の外壁のうちレーザ部から照射される光の光軸（３１）に直交する一方の側を支持する。第２レーザ支持部（１３２）は、第２壁のうち第２レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、レーザ部の外壁のうちレーザ部から照射される光の光軸に直交する他方の側を支持する。

これによれば、第１壁に第１レンズ支持部と第１レーザ支持部とが設けられるので、第１レンズ支持部の形状と第１レーザ支持部の形状とを近似したものにすることが可能である。そのため、第１レンズ支持部の線膨張率と第１レーザ支持部の線膨張率とが近似したものとなる。また、第２壁に第２レンズ支持部と第２レーザ支持部とが設けられるので、第２レンズ支持部の形状と第２レーザ支持部の形状とを近似したものにすることが可能である。そのため、第２レンズ支持部の線膨張率と第２レーザ支持部の線膨張率とが近似したものとなる。したがって、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、導光部とレーザ部とは略同じ方向に略同じ距離変位する。その結果、半導体レーザ装置は、レーザ部から照射される光の光軸とレンズの光軸との相対的なずれを抑制できる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかる半導体レーザ装置の模式図である。 図１のＩＩ部分の平面図である。 （Ａ）は図２のＩＩＩＡ−ＩＩＩＡの断面図であり、（Ｂ）は図２のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢの断面図である。 第１実施形態にかかる半導体レーザ装置において、温度変化に伴うレンズの光軸とレーザ光の光軸の相対的なずれを示す実験結果である。 比較例の半導体レーザ装置の模式図である。 図５のＶＩ部分の部分断面図である。 図６のＶＩＩ−ＶＩＩの断面図である。 比較例の半導体レーザ装置において、温度変化に伴うレンズの位置ずれを説明する図である。 比較例の半導体レーザ装置において、温度変化に伴うレンズの光軸とレーザ光の光軸の相対的なずれを示す実験結果である。 第２実施形態にかかる半導体レーザ装置の部分断面図である。 第３実施形態にかかる半導体レーザ装置の部分断面図である。 （Ａ）は図１１のＸＩＩＡ−ＸＩＩＡの断面図であり、（Ｂ）は図１１のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢの断面図である。 第４実施形態にかかる半導体レーザ装置の部分断面図である。 第５実施形態にかかる半導体レーザ装置の部分断面図である。 （Ａ）は図１４のＸＶＡ−ＸＶＡの断面図であり、（Ｂ）は図１４のＸＶＢ−ＸＶＢの断面図である。 （Ａ）は図１４のＸＶＩＡ−ＸＶＩＡの断面図であり、（Ｂ）は図１４のＸＶＩＢ−ＸＶＩＢの断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態の半導体レーザ装置は、例えば車両の運転に必要な各種情報をフロントガラスなどに表示するヘッドアップディスプレイ等に用いられるものである。

図１から図３に示すように、半導体レーザ装置１は、筐体１０、導光部２０、レーザ部３０、第１レンズ支持部１２１、第２レンズ支持部１２２、第１レーザ支持部１３１および第２レーザ支持部１３２などを備えている。

図１は、筐体１０の模式図である。筐体１０は、例えばアルミニウムなどの金属により形成されている。筐体１０は、基部１４と、その基部１４に設けられた第１壁１１および第２壁１２などを有している。基部１４と第１壁１１と第２壁１２とは、一体に形成されている。

また、筐体１０は、第１壁１１と第２壁１２との間に、レーザ部３０から照射された光が通るための通路１３を有している。第１壁１１と第２壁１２とは、いずれも通路１３が延びる方向に連続して形成されている。筐体１０の通路１３に、導光部２０とレーザ部３０とが設けられる。

導光部２０は、光が透過するレンズにより構成されている。このレンズは、平行光をつくるためのコリメートレンズである。このレンズは、例えばガラスにより形成されている。

レーザ部３０は、図示していない半導体発光素子としてのレーザダイオードを有しており、そのレーザダイオードの発する光をレンズに向けて照射するものである。

なお、図示していないが、筐体１０には、レーザ部３０から照射されて導光部２０のレンズを通過した光をフロントガラスなどに向けて投射する投射部、および、その投射部が投射する光をフロントガラス上で走査する走査部などの構成部品を設置することが可能である。なお、筐体１０は、それらの構成部品が組み込まれた後、図示していないカバーが被せられ、密閉される。

図２および図３に示すように、第１壁１１の一部に、第１レンズ支持部１２１が設けられる。第１レンズ支持部１２１は、導光部２０の外壁のうちレンズの光軸２１に直交する一方の側を支持するものである。

また、第１壁１１のうち第１レンズ支持部１２１が設けられる位置から離れた位置に第１レーザ支持部１３１が設けられる。第１レーザ支持部１３１は、レーザ部３０の外壁のうちレーザ部３０から照射される光の光軸３１に直交する一方の側を支持するものである。

一方、第２壁１２の一部に、第２レンズ支持部１２２が設けられる。第２レンズ支持部１２２は、導光部２０の外壁のうちレンズの光軸２１に直交する他方の側を支持するものである。

また、第２壁１２のうち第２レンズ支持部１２２が設けられる位置から離れた位置に第２レーザ支持部１３２が設けられる。第２レーザ支持部１３２は、レーザ部３０の外壁のうちレーザ部３０から照射される光の光軸３１に直交する他方の側を支持するものである。

図２では、第１壁１１のうち、第１レンズ支持部１２１となる部位の境界を破線αで示し、第１レーザ支持部１３１となる部位の境界を破線βで示している。ただし、その境界α、βは例示であり、第１レンズ支持部１２１と第１レーザ支持部１３１とは、第１壁１１の中で連続して構成されているものである。

また、図２では、第２壁１２のうち、第２レンズ支持部１２２となる部位の境界を破線γで示し、第２レーザ支持部１３２となる部位の境界を破線δで示している。ただし、その境界γ、δは例示であり、第２レンズ支持部１２２と第２レーザ支持部１３２とは、第２壁１２の中で連続して構成されているものである。

なお、図２には、導光部２０のレンズの光軸２１と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とが一致した状態が示されている。

図３（Ａ）は、導光部２０、第１レンズ支持部１２１および第２レンズ支持部１２２などを示している。

導光部２０と第１レンズ支持部１２１との間、および導光部２０と第２レンズ支持部１２２との間には、接着剤４０が設けられている。そのため、導光部２０と第１レンズ支持部１２１とは、それらの間に接着剤４０を挟んで離れた状態で固定されている。また、導光部２０と第２レンズ支持部１２２とは、それらの間に接着剤４０を挟んで離れた状態で固定されている。なお、導光部２０と第１レンズ支持部１２１との間に設けられる接着剤４０の量と、導光部２０と第２レンズ支持部１２２との間に設けられる接着剤４０の量とは、１３％程度異なっていてもよい。

図３（Ｂ）は、レーザ部３０、第１レーザ支持部１３１および第２レーザ支持部１３２などを示している。なお、図３（Ｂ）では、レーザ部３０の外縁のみを示し、レーザ部３０の内部の構成の図示を省略している。

レーザ部３０と第１レーザ支持部１３１との間、およびレーザ部３０と第２レーザ支持部１３２との間には、接着剤４０が設けられている。そのため、レーザ部３０と第１レーザ支持部１３１とは、それらの間に接着剤４０を挟んで離れた状態で固定されている。また、レーザ部３０と第２レーザ支持部１３２とは、それらの間に接着剤４０を挟んで離れた状態で固定されている。

接着剤４０は、塗布量、線膨張率、弾性率が統一されたものであることが好ましい。なお、レーザ部３０と第１レーザ支持部１３１との間に設けられる接着剤４０の量と、レーザ部３０と第２レーザ支持部１３２との間に設けられる接着剤４０の量とは、４０％程度異なっていてもよい。

図３（Ａ）、（Ｂ）に示したように、第１レンズ支持部１２１のうち導光部２０側の内壁と、第２レンズ支持部１２２のうち導光部２０側の内壁との距離を、導光部間距離Ｌ１とする。第１レーザ支持部１３１のうちレーザ部３０側の内壁と、第１レーザ支持部１３１のうちレーザ部３０側の内壁との距離を、レーザ部間距離Ｌ２とする。このとき、導光部間距離Ｌ１とレーザ部間距離Ｌ２とは揃っている。すなわち、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第１レンズ支持部１２１のうち導光部２０側の内壁と、第１レーザ支持部１３１のうちレーザ部３０側の内壁とは、少なくとも一部が重なるものとなる。また、第２レンズ支持部１２２のうち導光部２０側の内壁と、第２レーザ支持部１３２のうちレーザ部３０側の内壁とは、少なくとも一部が重なるものとなる。

なお、本明細書において、「２か所の距離が揃っている」とは、２か所の距離が同一であることに加え、製造公差などを加味した上で、９５％以上揃っていることを含むものである。

図３（Ａ）、（Ｂ）に示したように、第１レンズ支持部１２１が設けられた箇所の第１壁１１の厚みＴ１と、第１レーザ支持部１３１が設けられた箇所の第１壁１１の厚みＴ２とは、揃っている。また、第２レンズ支持部１２２が設けられた箇所の第２壁１２の厚みＴ３と、第２レーザ支持部１３２が設けられた箇所の第２壁１２の厚みＴ４とは、揃っている。すなわち、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第１レンズ支持部１２１のうち導光部２０とは反対側の外壁と、第１レーザ支持部１３１のうちレーザ部３０とは反対側の外壁とは、少なくとも一部が重なるものとなる。また、第２レンズ支持部１２２のうち導光部２０とは反対側の外壁と、第２レーザ支持部１３２のうちレーザ部３０とは反対側の外壁とは、少なくとも一部が重なるものとなる。

なお、本明細書において、「２か所の厚みが揃っている」とは、２か所の厚みが同一であることに加え、製造公差などを加味した上で、９５％以上揃っていることを含むものである。

また、図３（Ａ）、（Ｂ）に示したように、第１レンズ支持部１２１および第２レンズ支持部１２２が設けられた箇所における基部１４の厚みＴＨ１と、第１レーザ支持部１３１および第２レーザ支持部１３２が設けられた箇所における基部１４の厚みＴＨ２とは、揃っている。

詳細には、図３（Ａ）に示したＸＹ平面の断面視において、第１レンズ支持部１２１および第２レンズ支持部１２２が設けられた箇所における基部１４の厚みＴＨ１と、レーザ部間距離Ｌ１との積である基部１４の面積を、導光部２０の基部面積Ｓ１とする。図３（Ｂ）に示したＸＹ平面の断面視において、第１レーザ支持部１３１および第２レーザ支持部１３２が設けられた箇所における基部１４の厚みＴＨ２と、レーザ部間距離Ｌ２との積である基部１４の面積を、レーザ部３０の基部面積Ｓ２とする。このとき、導光部２０の基部面積Ｓ１とレーザ部３０の基部面積Ｓ２とは、揃っている。なお、本明細書において、「２か所の面積が揃っている」とは、２か所の面積が同一であることに加え、製造公差などを加味した上で、９５％以上揃っていることを含むものである。

図３（Ａ）、（Ｂ）に示したように、第１レンズ支持部１２１の断面形状と、第１レーザ支持部１３１の断面形状とは、揃っている。したがって、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第１レンズ支持部１２１の断面形状と、第１レーザ支持部１３１の断面形状とは、少なくとも一部が重なるものとなる。すなわち、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第１レンズ支持部１２１が導光部２０の外壁を支持する箇所と、第１レーザ支持部１３１がレーザ部３０の外壁を支持する箇所とは、少なくとも一部が重なるものとなる。これにより、第１レンズ支持部１２１の線膨張率と第１レーザ支持部１３１の線膨張率とが近似したものとなる。したがって、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、第１レンズ支持部１２１と第１レーザ支持部１３１とは、略同一の形状変化を示す。

また、第２レンズ支持部１２２の断面形状と、第２レーザ支持部１３２の断面形状とは、揃っている。したがって、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第２レンズ支持部１２２の断面形状と、第２レーザ支持部１３２の断面形状とは、少なくとも一部が重なるものとなる。すなわち、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、第２レンズ支持部１２２が導光部２０の外壁を支持する箇所と、第２レーザ支持部１３２がレーザ部３０の外壁を支持する箇所とは、少なくとも一部が重なるものとなる。これにより、第２レンズ支持部１２２の線膨張率と第２レーザ支持部１３２の線膨張率とが近似したものとなる。したがって、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、第２レンズ支持部１２２と第２レーザ支持部１３２とは、略同一の形状変化を示す。

次に、導光部２０のレンズの光軸２１と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とが一致するように、筐体１０に対して導光部２０とレーザ部３０とを固定する方法の一例について説明する。

まず、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２との間に導光部２０を配置する。このとき、導光部２０は、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２から離れた状態で、図示していない治具などにより保持される。その状態で、導光部２０と第１レンズ支持部１２１との間、および導光部２０と第２レンズ支持部１２２との間に接着剤４０を充填する。そして、その接着剤４０に紫外線を照射し、接着剤４０を固化する。

次に、第１レーザ支持部１３１と第２レーザ支持部１３２との間にレーザ部３０を配置する。このとき、レーザ部３０は、第１レーザ支持部１３１と第２レーザ支持部１３２から離れた状態で、図示していない治具などにより保持される。その状態で、レーザ部３０と第１レーザ支持部１３１との間、およびレーザ部３０と第２レーザ支持部１３２との間に接着剤４０を充填する。続いて、導光部２０のレンズの光軸２１と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とが一致するように、レーザ部３０の位置を調整する。２つの光軸が一致するようにレーザ部３０の位置調整がされた状態で、接着剤４０に紫外線を照射し、その接着剤４０を固化する。その後、紫外線照射により固化した接着剤４０をさらに加熱し、その接着剤４０を完全に固化する。

なお、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２に対して導光部２０を固定する工程と、第１レーザ支持部１３１と第２レーザ支持部１３２に対してレーザ部３０を固定する工程は、上記の説明と逆の順序で行ってもよい。

すなわち、まず、第１レーザ支持部１３１と第２レーザ支持部１３２との間にレーザ部３０を配置し、接着剤４０を充填する。そして、その接着剤４０に紫外線を照射し、接着剤４０を固化する。

次に、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２との間に導光部２０を配置し、接着剤４０を充填する。続いて、導光部２０のレンズの光軸２１と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とが一致するように、導光部２０の位置を調整する。２つの光軸が一致するように導光部２０の位置調整がされた状態で、接着剤４０に紫外線を照射し、その接着剤４０を固化する。その後、紫外線照射により固化した接着剤４０をさらに加熱し、その接着剤４０を完全に固化する。

これにより、レンズの光軸２１とレーザ部３０から照射される光の光軸３１とが一致した状態で、導光部２０とレーザ部３０とが筐体１０に固定される。

ここで、半導体レーザ装置１には、レンズの光軸２１とレーザ部３０から照射される光の光軸３１との相対的なずれ（以下「相対的な光軸ずれ」という）が、所定の範囲内にあることが求められる。

そこで、第１実施形態の半導体レーザ装置１の温度を変化させたときの相対的な光軸ずれについて実験を行った結果を、図４に示す。

この実験では、図３（Ｂ）に記載した座標に示すように、第１壁１１と第２壁１２とが並ぶ方向をＸ軸とした。また、第１壁１１と第２壁１２とが並ぶ方向に対して垂直、且つ、レンズ部とレーザ部３０とが並ぶ方向に対して垂直な方向をＹ軸とした。そのＸ軸とＹ軸に関し、半導体レーザ装置１の温度を変化させたときの相対的な光軸ずれを調べた。

図４では、Ｘ軸に関する相対的な光軸ずれを円形にてプロットし、それらを結ぶ線を破線１００にて示した。また、Ｙ軸に関する相対的な光軸ずれを三角形にてプロットし、それらを結ぶ線を実線１０１にて示した。

図４に示したように、第１実施形態の半導体レーザ装置１は、その温度を変化させたとき、Ｘ軸とＹ軸に関し、相対的な光軸ずれが所定の閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２との間に収まっている。

上述した第１実施形態の半導体レーザ装置１に対し、比較例の半導体レーザ装置２について説明する。

図５および図６に示すように、比較例の半導体レーザ装置２は、筐体１０の外壁に設けられた穴１５に対し、筐体１０の外壁の外側からレーザ部３００がホルダ３１０を介して固定されている。

筐体１０には、レーザ部３００から照射された光が通るための通路１３を構成する第１壁１１と第２壁１２が設けられている。その第１壁１１に設けられた第１レンズ支持部１２１と、第２壁１２に設けられた第２レンズ支持部１２２との間に、導光部２００が固定されている。

なお、図６には、導光部２００のレンズの光軸２１と、レーザ部３００から照射される光の光軸３１とが一致した状態が示されている。

図７に示すように、導光部２００は、第１レンズ支持部１２１の斜面１２３と第２レンズ支持部１２２の斜面１２４とに当接した状態で、接着剤４０によって固定されている。

図８では、比較例の半導体レーザ装置２に関し、その温度を変化させたときの導光部２００の挙動を示している。比較例の半導体レーザ装置２の温度が上昇すると、図８の破線２０１に示すように、第１レンズ支持部１２１の斜面１２３と第２レンズ支持部１２２の斜面１２４とは互いに遠ざかる方向に変位する。そのため、導光部２００は、Ｙ軸方向において筐体１０の基部１４側に移動する。したがって、導光部２００のレンズの光軸も、符号２１ａに示すように、Ｙ軸方向において筐体１０の基部１４側に移動する。

一方、比較例の半導体レーザ装置２の温度が低下すると、図８の一点鎖線２０２に示すように、第１レンズ支持部１２１の斜面１２３と第２レンズ支持部１２２の斜面１２４とは互いに近づく方向に変位する。そのため、導光部２００は、Ｙ軸方向において筐体１０のうち基部１４とは反対側に移動する。したがって、導光部２００のレンズの光軸も、符号２１ｂに示すように、Ｙ軸方向において筐体１０のうち基部１４とは反対側に移動する。

ここで、比較例の半導体レーザ装置２の温度を変化させたときの相対的な光軸ずれについて実験を行った結果を、図９に示す。

図９では、Ｘ軸に関する相対的な光軸ずれを円形にてプロットし、Ｙ軸に関する相対的な光軸ずれを三角形にてプロットした。

図９に示した実験結果より、比較例の半導体レーザ装置２は、その温度を変化させたとき、Ｙ軸に関し、相対的な光軸ずれが温度変化に伴って所定の閾値Ｔｈ２から外れている。なお、Ｘ軸に関しては、相対的な光軸ずれが所定の閾値Ｔｈ１と閾値Ｔｈ２との間に収まっている。したがって、比較例の半導体レーザ装置２は、第１実施形態の半導体レーザ装置１よりも、Ｙ軸に関する相対的な光軸ずれが大きいといえる。

これに対し、第１実施形態の半導体レーザ装置１は、次の作用効果を奏する。

（１）第１実施形態では、第１レンズ支持部１２１と第１レーザ支持部１３１とが第１壁１１に設けられ、第２レンズ支持部１２２と第２レーザ支持部１３２とが第２壁１２に設けられている。

これによれば、第１レンズ支持部１２１の形状と第１レーザ支持部１３１の形状とを近似したものに揃えることが可能である。そのため、第１レンズ支持部１２１の線膨張率と第１レーザ支持部１３１の線膨張率とが近似したものとなる。また、第２レンズ支持部１２２の形状と第２レーザ支持部１３２の形状とを近似したものに揃えることが可能である。そのため、第２レンズ支持部１２２の線膨張率と第２レーザ支持部１３２の線膨張率とが近似したものとなる。したがって、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、導光部２０とレーザ部３０とは略同じ方向に略同じ距離変位する。その結果、半導体レーザ装置１は、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とレンズの光軸２１との相対的なずれを抑制できる。

（２）第１実施形態では、導光部２０とレーザ部３０とが並ぶ方向から見たとき、レンズの光軸２１に直交する面における第１レンズ支持部１２１の断面形状と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１に直交する面における第１レーザ支持部１３１の断面形状との少なくとも一部が重なっている。

また、レンズの光軸２１に直交する面における第２レンズ支持部１２２の断面形状と、レーザ部３０から照射される光の光軸３１に直交する面における第２レーザ支持部１３２の断面形状との少なくとも一部が重なっている。

これによれば、第１レンズ支持部１２１の線膨張率と第１レーザ支持部１３１の線膨張率とを近似したものにできる。また、第２レンズ支持部１２２の線膨張率と第２レーザ支持部１３２の線膨張率とを近似したものにできる。

（３）第１実施形態では、１レンズ支持部１２１が設けられた箇所の第１壁１１の厚みＴ１と、第１レーザ支持部１３１が設けられた箇所の第１壁１１の厚みＴ２とが揃っている。また、第２レンズ支持部１２２が設けられた箇所の第２壁１２の厚みＴ３と、第２レーザ支持部１３２が設けられた箇所の第２壁１２の厚みＴ４とが揃っている。

これによれば、第１レンズ支持部１２１の線膨張率と第１レーザ支持部１３１の線膨張率とを近似したものにできる。また、第２レンズ支持部１２２の線膨張率と第２レーザ支持部１３２の線膨張率とを近似したものにできる。

（４）第１実施形態では、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２との間の距離Ｌ１は、第１レーザ支持部１３１と第１レーザ支持部１３１との間の距離Ｌ２と揃っている。

これによれば、導光部２０の幅とレーザ部３０の幅とを揃えることが可能である。したがって、導光部２０の線膨張率とレーザ部３０の線膨張率とを近似したものにできる。

（５）第１実施形態では、第１壁１１は、第１レンズ支持部１２１から第１レーザ支持部１３１に亘り連続して形成されている。また、第２壁１２は、第２レンズ支持部１２２から第２レーザ支持部１３２に亘り連続して形成されている。

これによれば、レーザ部３０の有する半導体発光素子から生じる熱は、レーザ部３０から第１レーザ支持部１３１を経由して第１レンズ支持部１２１に伝熱し、また、レーザ部３０から第２レーザ支持部１３２を経由して第２レンズ支持部１２２に伝熱する。そのため、第１レーザ支持部１３１と第１レンズ支持部１２１との温度変化量が近似し、また、第２レーザ支持部１３２と第２レンズ支持部１２２との温度変化量が近似する。したがって、レーザ部３０の有する半導体発光素子から生じる熱による第１レンズ支持部１２１の形状変化量と第１レーザ支持部１３１の形状変化量とを近づけ、第２レンズ支持部１２２の形状変化量と第２レーザ支持部１３２の形状変化量とを近づけることができる。

（６）第１実施形態では、導光部２０と第１レンズ支持部１２１との間、導光部２０と第２レンズ支持部１２２との間、レーザ部３０と第１レーザ支持部１３１との間、および、レーザ部３０と第２レーザ支持部１３２との間は、いずれも接着剤４０を挟んで離れている。

これによれば、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、接着剤４０が緩衝材として機能する。そのため、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２から導光部２０が直接押圧されることが防がれ、第１レーザ支持部１３１と第２レーザ支持部１３２からレーザ部３０が直接押圧されることが防がれる。したがって、導光部２０とレーザ部３０との相対的な位置ずれを防ぐことが可能である。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態に対してレーザ部３０の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図１０に示すように、第２実施形態では、レーザ部３０は、図示していない半導体発光素子が発する光をレンズに向けて照射する発光モジュール３２と、その発光モジュール３２に接続するヒートシンク３３とを有している。

ヒートシンク３３は、例えばアルミニウムなどの金属から形成されている。ヒートシンク３３は、例えばはんだ等の熱伝導性の高い接合部材３３１により、発光モジュール３２の端面に接合されている。なお、図１０では、ヒートシンク３３と接合部材３３１を断面で示している。

ヒートシンク３３に設けられた孔の内側を発光モジュール３２から延びるＰＩＮ端子３４、＋端子３５、−端子３６が挿通している。ＰＩＮ端子３４と＋端子３５とはいずれも、絶縁被膜によって被覆され、ヒートシンク３３に対して電気的に絶縁されている。一方、−端子３６は、ベース電極であり、発熱源となる半導体発光素子に接続されると共に、ヒートシンク３３にも接続されている。これにより、ヒートシンク３３は、半導体発光素子が発する熱を吸収する。

ここで、第２実施形態では、ヒートシンク３３と第１レーザ支持部１３１との間に隙間が設けられている。また、ヒートシンク３３と第２レーザ支持部１３２との間に隙間が設けられている。そのため、半導体発光素子が発する熱によりヒートシンク３３が熱膨張または熱収縮した場合でも、そのことがレーザ部３０の位置ずれに影響することが防がれる。したがって、第２実施形態でも、第１実施形態と同様に、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とレンズの光軸２１との相対的なずれを抑制できる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。

図１１および図１２に示すように、第３実施形態では、ヒートシンク３３が有底筒状に形成されている。ヒートシンク３３は、底部３７、およびその底部３７の外縁から筒状に延びる筒部３８を有する。ヒートシンク３３は、例えば、はんだ３３１または接着剤等により、発光モジュール３２に接合されている。発光モジュール３２から延びるＰＩＮ端子３４、＋端子３５、−端子３６は、底部３７に設けられた孔を挿通している。なお、図１１では、ヒートシンク３３と接合部材３３１を断面で示している。また、図１２（Ｂ）では、発光モジュール３２の外縁のみを示し、内部の構成の図示を省略している。

ヒートシンク３３の筒部３８は、発光モジュール３２の外側を囲う形状となっている。導光部２０を構成するコリメートレンズの外幅Ｗ１と、ヒートシンク３３の筒部３８の外幅Ｗ２とは、揃っている。なお、第３実施形態では、発光モジュール３２の外幅は、コリメートレンズの外幅Ｗ１より小さい。しかし、この場合でも、ヒートシンク３３の筒部３８が発光モジュール３２の外側を囲う形状となっていることにより、導光部２０の外幅Ｗ１とレーザ部３０の外幅Ｗ２とを揃えることが可能である。そのため、第１レンズ支持部１２１の形状と第１レーザ支持部１３１の形状とを近似したものに揃え、第２レンズ支持部１２２の形状と第２レーザ支持部１３２の形状とを近似したものに揃えることができる。また、第１レンズ支持部１２１と第２レンズ支持部１２２との間の距離Ｌ１と、第１レーザ支持部１３１と第１レーザ支持部１３１との間の距離Ｌ２とを、近似したものに揃えることができる。したがって、第３実施形態でも、第１、第２実施形態と同様に、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とレンズの光軸２１との相対的なずれを抑制できる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。

図１３に示すように、第４実施形態では、レーザ部３０は、発光モジュール３２とヒートシンク３３とが一体に構成されている。

ヒートシンク３３は、鉄、窒化アルミニウムまたはセラミックスなどの高熱伝導部材により構成されている。また、ヒートシンク３３は、発光モジュール３２の基台としても機能する。このヒートシンク３３に対し、ベース電極である−端子３６が設けられている。そのベース電極に半導体発光素子３９が設けられている。なお、そのベース電極である−端子３６は、ヒートシンク３３に接続されている。そのため、ヒートシンク３３は、半導体発光素子３９としてのレーザダイオードが発する熱を吸収する。

ヒートシンク３３には、−端子３６の他に、ＰＩＮ端子３４と＋端子３５とが挿通している。ＰＩＮ端子３４と＋端子３５とはいずれも、絶縁被膜によって被覆され、ヒートシンク３３に対して電気的に絶縁されている。ＰＩＮ端子３４は、フォトダイオード３９１に接続されている。また、＋端子３５は、レーザダイオード３９に接続されている。レーザダイオード３９およびフォトダイオード３９１などは、発光モジュール３２を構成する。

レーザダイオード３９およびフォトダイオード３９１などには、レーザキャップ３２０が被せられている。レーザキャップ３２０は、ヒートシンク３３に固定されている。これにより、発光モジュール３２とヒートシンク３３とが一体に構成される。

第４実施形態も、第２実施形態と同様に、レーザダイオード３９が発する熱をヒートシンク３３によって吸収できると共に、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とレンズの光軸２１との相対的なずれを抑制できる。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。

図１４から図１６に示すように、第５実施形態では、レーザ部３０の有するヒートシンク３３が、有底角筒状に形成されている。ヒートシンク３３は、底部３７および角筒部３８１を有する。ヒートシンク３３は、図示していないはんだまたは接着剤等により、発光モジュール３２に接合されている。ヒートシンク３３の底部３７に設けられた孔を、発光モジュール３２から延びるＰＩＮ端子３４、＋端子３５、−端子３６が挿通している。ヒートシンク３３の角筒部３８１は、底部３７の外縁から角筒状に延び、発光モジュール３２の外側を囲う形状となっている。

また、導光部２０は、光が透過するレンズ２２と、そのレンズ２２の外側を囲うホルダ２３とを有している。レンズ２２は、コリメートレンズであり、円形に形成されている。ホルダ２３は、有底角筒状に形成されている。ホルダ２３は、底部２４および角筒部２５を有する。ホルダ２３は、図示していない接着剤等により、発光モジュール３２に接合されている。ホルダ２３の底部２４には、レーザ部３０から照射された光を通すための孔２６が設けられている。ホルダ２３の角筒部２５は、ホルダ２３の底部２４の外縁から角筒状に延び、レンズ２２の外側を囲う形状となっている。

ここで、ホルダ２３の角筒部２５の外幅Ｗ１と、ヒートシンク３３の角筒部３８１の外幅Ｗ２とは、揃っている。そのため、第５実施形態では、発光モジュール３２の外幅とコリメートレンズ２２の外幅とが異なる場合でも、レーザ部３０の外幅と導光部２０の外幅とを揃えることが可能である。そのため、第１レンズ支持部１２１の形状と第１レーザ支持部１３１の形状とを近似したものに揃え、第２レンズ支持部１２２の形状と第２レーザ支持部１３２の形状とを近似したものに揃えることができる。

第５実施形態では、筐体１０の通路１３の内壁とレーザ部３０との間に放熱グリス４２が設けられている。詳細には、放熱グリス４２は、第１レーザ支持部１３１、第２レーザ支持部１３２および通路１３の底と、ヒートシンク３３との間に設けられる。この放熱グリス４２は、半導体発光素子から生じる熱を筐体１０に伝熱させるものである。

また、筐体１０の通路１３の内壁と導光部２０との間にも放熱グリス４２が設けられている。詳細には、放熱グリス４２は、第１レンズ支持部１２１、第２レンズ支持部１２２および通路１３の底と、ホルダ２３との間に設けられる。

第５実施形態では、温度変化により放熱グリス４２が熱膨張または熱収縮したとき、その放熱グリス４２から導光部２０とレーザ部３０との両方に荷重が印加される。放熱グリス４２から第１レーザ支持部１３１、第２レーザ支持部１３２、第１レンズ支持部１２１および第２レンズ支持部１２２のいずれにも荷重が印加される。そのため、導光部２０とレーザ部３０とは略同じ方向に略同じ距離変位する。したがって、半導体レーザ装置１は、レーザ部３０から照射される光の光軸３１とレンズの光軸２１との相対的なずれを抑制できる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

上述した実施形態では、半導体レーザ装置は、例えばヘッドアップディスプレイに使用するものとして説明したが、他の実施形態では、半導体レーザ装置は、プロジェクタなどに使用するものとしてもよい。

上述した実施形態では、筐体は、例えばアルミニウムなどの金属により形成されるものとして説明したが、他の実施形態では、筐体は、アルミニウム以外の金属または樹脂等から形成されるものとしてもよい。

（まとめ）
上述の実施形態の一部または全部で示された第１の観点によれば、半導体レーザ装置は、筐体、導光部、レーザ部、第１レンズ支持部、第２レンズ支持部、第１レーザ支持部および第２レーザ支持部を備える。筐体は、基部、その基部に設けられた第１壁および第２壁、ならびに第１壁と第２壁との間に形成された光が通る通路を有する。導光部は、筐体が有する通路に配置され、光を透過するレンズを有する。レーザ部は、筐体が有する通路に配置され、半導体発光素子を有し、その半導体発光素子が発する光をレンズに向けて照射する。第１レンズ支持部は、第１壁に設けられ、導光部の外壁のうちレンズの光軸に直交する一方の側を支持する。第２レンズ支持部は、第２壁に設けられ、導光部の外壁のうちレンズの光軸に直交する他方の側を支持する。第１レーザ支持部は、第１壁のうち第１レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、レーザ部の外壁のうちレーザ部から照射される光の光軸に直交する一方の側を支持する。第２レーザ支持部は、第２壁のうち第２レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、レーザ部の外壁のうちレーザ部から照射される光の光軸に直交する他方の側を支持する。

第２の観点によれば、導光部とレーザ部とが並ぶ方向から見たとき、レンズの光軸に直交する面における第１レンズ支持部の断面形状と、レーザ部から照射される光の光軸に直交する面における第１レーザ支持部の断面形状との少なくとも一部が重なっている。

また、レンズの光軸に直交する面における第２レンズ支持部の断面形状と、レーザ部から照射される光の光軸に直交する面における第２レーザ支持部の断面形状との少なくとも一部が重なっている。

これによれば、第１レンズ支持部の線膨張率と第１レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。また、第２レンズ支持部の線膨張率と第２レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。

第３の観点によれば、第１レンズ支持部が設けられた箇所の第１壁の厚みと第１レーザ支持部が設けられた箇所の第１壁の厚みとが揃っており、第２レンズ支持部が設けられた箇所の第２壁の厚みと第２レーザ支持部が設けられた箇所の第２壁の厚みとが揃っている。

これによれば、第１レンズ支持部の線膨張率と第１レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。また、第２レンズ支持部の線膨張率と第２レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。

第４の観点によれば、第１レンズ支持部と第２レンズ支持部との間の距離は、第１レーザ支持部と第１レーザ支持部との間の距離と揃っている。

これによれば、導光部の幅とレーザ部の幅とを揃えることが可能である。したがって、導光部の線膨張率とレーザ部の線膨張率とを近似したものにできる。

第５の観点によれば、第１レンズ支持部および第２レンズ支持部が設けられた箇所における基部の厚みと、第１レーザ支持部および第２レーザ支持部が設けられた箇所における基部の厚みとは揃っている。

第６の観点によれば、第１壁は、第１レンズ支持部から第１レーザ支持部に亘り連続して形成されている。第２壁は、第２レンズ支持部から第２レーザ支持部に亘り連続して形成されている。

これによれば、レーザ部の有する半導体発光素子から生じる熱は、レーザ部から第１レーザ支持部を経由して第１レンズ支持部に伝熱し、また、レーザ部から第２レーザ支持部を経由して第２レンズ支持部に伝熱する。そのため、第１レーザ支持部と第１レンズ支持部との温度変化量が近似し、また、第２レーザ支持部と第２レンズ支持部との温度変化量が近似する。したがって、レーザ部の有する半導体発光素子から生じる熱による第１レンズ支持部の形状変化量と第１レーザ支持部の形状変化量とを近づけ、第２レンズ支持部の形状変化量と第２レーザ支持部の形状変化量とを近づけることができる。

第７の観点によれば、導光部と第１レンズ支持部との間、導光部と第２レンズ支持部との間、レーザ部と第１レーザ支持部との間、および、レーザ部と第２レーザ支持部との間にそれぞれ設けられた接着剤をさらに備える。

導光部と第１レンズ支持部との間、導光部と第２レンズ支持部との間、レーザ部と第１レーザ支持部との間、および、レーザ部と第２レーザ支持部との間は、接着剤を挟んで離れている。

これによれば、温度変化により構成部材が熱膨張または熱収縮したとき、接着剤が緩衝材として機能する。そのため、第１レンズ支持部と第２レンズ支持部から導光部が直接押圧されることが防がれ、第１レーザ支持部と第２レーザ支持部からレーザ部が直接押圧されることが防がれる。したがって、導光部とレーザ部との相対的な位置ずれを防ぐことが可能である。

第８の観点によれば、レーザ部は、半導体発光素子が発する光をレンズに向けて照射する発光モジュールと、発光モジュールに接続するヒートシンクとを有している。ヒートシンクと第１レーザ支持部とが離れており、ヒートシンクと第２レーザ支持部とが離れている。

これによれば、発光モジュールを構成する半導体発光素子が発する熱をヒートシンクに吸収させることが可能である。

また、半導体発光素子が発する熱によりヒートシンクが熱膨張または熱収縮した場合でも、そのことがレーザ部の位置ずれに影響することが防がれる。

第９の観点によれば、ヒートシンクは、発光モジュールの外側を囲う形状である。ヒートシンクの外幅と、導光部の外幅とは揃っている。

これによれば、発光モジュールの外幅が導光部の外幅より小さい場合でも、ヒートシンクによりレーザ部の外幅と導光部の外幅とを揃えることが可能である。そのため、第１レンズ支持部の形状と第１レーザ支持部の形状とを近似したものに揃え、第２レンズ支持部の形状と第２レーザ支持部の形状とを近似したものに揃えることができる。したがって、第１レンズ支持部の線膨張率と第１レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。また、第２レンズ支持部の線膨張率と第２レーザ支持部の線膨張率とを近似したものにできる。

第１０の観点によれば、導光部は、光が透過するレンズと、レンズの外側を囲うホルダを有する。レーザ部が有するヒートシンクの外幅と、導光部が有するホルダの外幅とは揃っている。

これによれば、レーザ部の発光モジュールの外幅と導光部のレンズの外幅とが異なる場合でも、発光モジュールを囲うヒートシンクとレンズを囲うホルダとにより、レーザ部の外幅と導光部の外幅とを揃えることが可能である。そのため、第１レンズ支持部の形状と第１レーザ支持部の形状とを近似したものに揃え、第２レンズ支持部の形状と第２レーザ支持部の形状とを近似したものに揃えることができる。

第１１の観点によれば、放熱グリスは、第１レーザ支持部および第２レーザ支持部とレーザ部との間に設けられると共に、第１レンズ支持部および第２レンズ支持部と導光部との間に設けられる。

これによれば、温度変化により放熱グリスが熱膨張または熱収縮したとき、放熱グリスから導光部とレーザ部の両方に荷重が印加される。また、放熱グリスから第１レーザ支持部、第２レーザ支持部、第１レンズ支持部および第２レンズ支持部のいずれにも荷重が印加される。そのため、導光部とレーザ部とは略同じ方向に略同じ距離変位する。したがって、半導体レーザ装置は、レーザ部から照射される光の光軸とレンズの光軸との相対的なずれを抑制できる。

さらに、半導体発光素子から生じる熱を、ヒートシンクと放熱グリスを通じて第１レーザ支持部および第２レーザ支持部に逃がすことができる。

１ 半導体レーザ装置
１０ 筐体
１１ 第１壁
１２ 第２壁
２０ 導光部
３０ レーザ部
１２１ 第１レンズ支持部
１２２ 第２レンズ支持部
１３１ 第１レーザ支持部
１３２ 第２レーザ支持部

Claims (11)

1. 基部（１４）、前記基部に設けられた第１壁（１１）および第２壁（１２）、ならびに前記第１壁（１１）と前記第２壁（１２）との間に形成された光が通る通路（１３）を有する筐体（１０）と、
   前記筐体が有する前記通路に配置され、光を透過するレンズ（２２）を有する導光部（２０）と、
   前記筐体が有する前記通路に配置され、半導体発光素子（３９）を有し、前記半導体発光素子が発する光を前記レンズに向けて照射するレーザ部（３０）と、
   前記第１壁に設けられ、前記導光部の外壁のうち前記レンズの光軸（２１）に直交する一方の側を支持する第１レンズ支持部（１２１）と、
   前記第２壁に設けられ、前記導光部の外壁のうち前記レンズの光軸に直交する他方の側を支持する第２レンズ支持部（１２２）と、
   前記第１壁のうち前記第１レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、前記レーザ部の外壁のうち前記レーザ部から照射される光の光軸（３１）に直交する一方の側を支持する第１レーザ支持部（１３１）と、
   前記第２壁のうち前記第２レンズ支持部が設けられる位置から離れた位置に設けられ、前記レーザ部の外壁のうち前記レーザ部から照射される光の光軸に直交する他方の側を支持する第２レーザ支持部（１３２）と、を備える半導体レーザ装置。
2. 前記導光部と前記レーザ部とが並ぶ方向から見たとき、
   前記レンズの光軸に直交する面における前記第１レンズ支持部の断面形状と、前記レーザ部から照射される光の光軸に直交する面における前記第１レーザ支持部の断面形状との少なくとも一部が重なっており、
   前記レンズの光軸に直交する面における前記第２レンズ支持部の断面形状と、前記レーザ部から照射される光の光軸に直交する面における前記第２レーザ支持部の断面形状との少なくとも一部が重なっている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第１レンズ支持部が設けられた箇所の前記第１壁の厚み（Ｔ１）と前記第１レーザ支持部が設けられた箇所の前記第１壁の厚み（Ｔ２）とが揃っており、
   前記第２レンズ支持部が設けられた箇所の前記第２壁の厚み（Ｔ３）と前記第２レーザ支持部が設けられた箇所の前記第２壁の厚み（Ｔ４）とが揃っている請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 前記第１レンズ支持部と前記第２レンズ支持部との間の距離（Ｌ１）は、前記第１レーザ支持部と前記第２レーザ支持部との間の距離（Ｌ２）と揃っている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第１レンズ支持部および前記第２レンズ支持部が設けられた箇所における前記基部の厚み（ＴＨ１）と、前記第１レーザ支持部および前記第２レーザ支持部が設けられた箇所における前記基部の厚み（ＴＨ２）とは揃っている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
6. 前記第１壁は、前記第１レンズ支持部から前記第１レーザ支持部に亘り連続して形成されており、
   前記第２壁は、前記第２レンズ支持部から前記第２レーザ支持部に亘り連続して形成されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
7. 前記導光部と前記第１レンズ支持部との間、前記導光部と前記第２レンズ支持部との間、前記レーザ部と前記第１レーザ支持部との間、および、前記レーザ部と前記第２レーザ支持部との間にそれぞれ設けられた接着剤（４０）をさらに備え、
   前記導光部と前記第１レンズ支持部との間、前記導光部と前記第２レンズ支持部との間、前記レーザ部と前記第１レーザ支持部との間、および、前記レーザ部と前記第２レーザ支持部との間は、前記接着剤を挟んで離れている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
8. 前記レーザ部は、前記半導体発光素子が発する光を前記レンズに向けて照射する発光モジュール（３２）と、前記発光モジュールに接続するヒートシンク（３３）とを有しており、
   前記ヒートシンクと前記第１レーザ支持部とが離れており、前記ヒートシンクと前記第２レーザ支持部とが離れている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
9. 前記ヒートシンクは、前記発光モジュールの外側を囲う形状であり、
   前記導光部の外幅（Ｗ１）と、前記ヒートシンクの外幅（Ｗ２）とが揃っている請求項８に記載の半導体レーザ装置。
10. 前記導光部は、前記レンズと、前記レンズの外側を囲うホルダ（２３）を有し、
    前記レーザ部が有する前記ヒートシンクの外幅と、前記導光部が有する前記ホルダの外幅とが揃っている請求項８または９に記載の半導体レーザ装置。
11. 前記第１レーザ支持部および前記第２レーザ支持部と前記レーザ部との間に設けられると共に、前記第１レンズ支持部および前記第２レンズ支持部と前記導光部との間に設けられる放熱グリス（４２）をさらに備える請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
    

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