JP2007324412A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】低コストにて、透過部材の外れや割れを防止することのできる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザモジュール1においては、窓部材3fをキャップ3に取り付け、キャップ3をパッケージ2の側壁12の外面12bに抵抗溶接にて固定する。これにより、窓部材3fとリッド4の縁部4aとの距離が確保されるので、印加電流によりリッド4の縁部4a周辺に瞬間的に熱が発生しても、その熱がキャップ3の円筒状部3aに伝達されるまでに十分に放熱されるようになる。また、キャップ3肉厚を薄く形成しているのでキャップ3自体が放熱し易くなっている。その結果、窓部材3fと封止部3dとの間の熱応力が緩和されるので、安価なホウ珪酸ガラスを用いた場合でも窓部材3fの割れや外れ等が防止される。
【選択図】図2
【解決手段】半導体レーザモジュール1においては、窓部材3fをキャップ3に取り付け、キャップ3をパッケージ2の側壁12の外面12bに抵抗溶接にて固定する。これにより、窓部材3fとリッド4の縁部4aとの距離が確保されるので、印加電流によりリッド4の縁部4a周辺に瞬間的に熱が発生しても、その熱がキャップ3の円筒状部3aに伝達されるまでに十分に放熱されるようになる。また、キャップ3肉厚を薄く形成しているのでキャップ3自体が放熱し易くなっている。その結果、窓部材3fと封止部3dとの間の熱応力が緩和されるので、安価なホウ珪酸ガラスを用いた場合でも窓部材3fの割れや外れ等が防止される。
【選択図】図2
Description
本発明は、レーザ光を照射する半導体レーザモジュールに関するものである。
従来の半導体レーザモジュールとして、発光素子と、発光素子を収容する箱状のパッケージと、パッケージの上面を覆うように設けられた蓋体と、パッケージに設けられた取り出し孔(孔)を封止するように、直接パッケージに取り付けられた窓部材(透過部材)とを備えたものが知られている(例えば、特許文献1参照)。このような半導体レーザモジュールでは一般的に、パッケージ内に発光素子等を配置し、パッケージに窓部材を取り付けた後に、パッケージと蓋体とをシームシールで溶接することにより、パッケージ内の気密性を確保している。
特開2001−60635号公報
しかし、上述した半導体レーザモジュールにおいては、パッケージに蓋体を溶接する際、印加する大電流により溶接部に瞬間的に熱が発生する。この溶接による熱が十分に放熱されずに取り出し孔周辺にこもると、パッケージと窓部材(透過部材)との熱膨脹差により、その境界部に熱応力がかかる場合があった。そのため、窓部材が割れたり、パッケージから外れるなどして、パッケージ内の気密性が損なわれるという問題があった。また、そのような不具合を防止するため、窓部材として熱応力(熱衝撃)に強いサファイアガラスを使用した場合は、コストが高くなるという問題があった。特に、パッケージの小型化の傾向が進む近年においては、そのような不具合が顕著に起きている。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、低コストにて、透過部材の外れや割れを防止することのできる半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
本発明に係る半導体レーザモジュールは、レーザ光を発生する発光素子と、発光素子を搭載し、レーザ光を取り出す孔が形成された側壁を有する箱状のパッケージと、側壁に固定された一端、レーザ光を透過する透過部材を有する他端、一端と他端とを接続する筒状部を有するキャップとを備え、一端は筒状部から外方に張り出し、他端側の第1の面、一端側の第2の面を有するフランジを備え、キャップは、フランジが孔を囲む様に側壁に抵抗溶接により固定されていることを特徴とする。
この半導体レーザモジュールでは、レンズ又は窓部材(平板ガラス)等の透過部材がキャップに取り付けられた状態で、キャップのフランジが側壁の孔を囲む様に抵抗溶接にて固定されることにより、キャップがパッケージに取り付けられる。このため、例えばパッケージの上面を蓋体等で封止し、その蓋体等をシームシールなどで溶接するときは、パッケージの側壁に透過部材を直接取り付ける場合に比べて、透過部材と溶接部との距離が短くなるので、印加電流により溶接部に瞬間的に熱が発生しても、その熱が十分に放熱されるようになる。また、キャップの筒状部及びフランジを薄く形成した場合には、キャップ自体が熱伝導しにくくなる。以上により、透過部材とキャップとの間の熱応力が緩和される。従って、透過部材として高価なサファイアガラスを用いなくても、透過部材が外れたり割れたりすることを防止できる。
また、第2の面と側壁が抵抗溶接され、筒状部はパッケージの外側に突き出していることが好ましい。この半導体レーザモジュールによれば、パッケージの上面を蓋体等で封止し、その蓋体等をシームシールなどで溶接するときに、透過部材と溶接部との距離を最も効果的に稼ぐことができる。従って、溶接時に発生する熱が一層放熱されるため、透過部材とキャップとの間の熱応力を更に緩和することができる。
また、第1の面と側壁とが抵抗溶接され、筒状部がパッケージ内に突き出ていることが好ましい。この半導体レーザモジュールによれば、キャップの筒状部がパッケージ内に突き出ているため、半導体レーザモジュールの小型化を図ることができる。特に、透過部材としてレンズをキャップに取り付け、1レンズ系の半導体レーザモジュールとした場合、発光素子とレンズとの距離を短くすることができるため、小さなレンズを使用することで、キャップの小型化を図ることができる。
また、透過部材の法線が、レーザ光の進行方向に対して傾斜していることが好ましい。この半導体レーザモジュールによれば、レーザ光が透過部材にて反射して発光素子に戻ることが防止されるため、安定した波長のレーザ光を得ることができる。
このように本発明によれば、低コストにて、透過部材の外れや割れを防止することができる。これにより、近年のパッケージの小型化に対応することが可能となる。
以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1の斜視図である。図1に示すように、半導体レーザモジュール1は、発光素子等が収容される箱状のパッケージ2を備えている。図1及び図2に示すように、パッケージ2は、CuW等の高放熱性金属からなる略板状の底板7と、底板7上に設けられたコバール製の側壁8,9,11,12とから構成されている。側壁8,11同士は互いに対向しており、側壁9,12同士は互いに対向している。側壁12には、レーザ光(後述)を取り出すための孔12aが設けられている。パッケージ2の上面2bには、発光素子等を気密封止するようにリッド4が固定されている。また、側壁9,11には、複数本のリードピン6がそれぞれ固定されている。
図1は、第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1の斜視図である。図1に示すように、半導体レーザモジュール1は、発光素子等が収容される箱状のパッケージ2を備えている。図1及び図2に示すように、パッケージ2は、CuW等の高放熱性金属からなる略板状の底板7と、底板7上に設けられたコバール製の側壁8,9,11,12とから構成されている。側壁8,11同士は互いに対向しており、側壁9,12同士は互いに対向している。側壁12には、レーザ光(後述)を取り出すための孔12aが設けられている。パッケージ2の上面2bには、発光素子等を気密封止するようにリッド4が固定されている。また、側壁9,11には、複数本のリードピン6がそれぞれ固定されている。
また、底板7の上面中央部には凸部7aが設けられており、その凸部7a上には電子冷却器13が設けられている。電子冷却器13は、下基盤13aと、複数のP型ペルチェ素子及びN型ペルチェからなるペルチェ素子群13bと、上基盤13cとから構成されている。電子冷却器13の上基盤13c上には、キャリア14がハンダ付けにより取り付けられている。そして、キャリア14上には、レーザ光を発生させる発光素子16と、発光素子16から射出されたレーザ光を通過させるレンズ17とが実装される。このように、発光素子16とレンズ17はいずれもキャリア14に設けられているため、キャリア14が熱膨張した場合であっても、発光素子16とレンズ17がどちらもキャリア14の熱膨張に伴って移動する結果、発光素子16から発生するレーザ光とレンズ17の光軸の位置関係のずれが防止される。なお、発光素子16から発生するレーザ光と、レンズ17の光軸は一致している。
発光素子16は、電子冷却器13により冷却あるいは加熱される。発光素子16の設定温度より発光素子16周辺の気温が高い場合、電子冷却器13は上基盤13cから下基盤13aへ熱を移動させ、下基板13aから底板7を介してパッケージ2の外部へ放熱させることにより、発光素子16をキャリア14ごと冷却する。また、発光素子16の設定温度より発光素子16周辺の気温が低い場合は下基盤13aから上基盤13cへ熱を移動させることにより、発光素子16をキャリア14ごと加熱する。
側壁12の外面12bには、孔12aを封止するようにキャップ3が抵抗溶接により固定されている。キャップ3は、例えばSF20T、Ni−Fe、あるいはコバール等で形成されている。側壁12に取り付けられる前のキャップ3の拡大断面図を図3(a)に示す。
図3(a)に示すように、キャップ3は円筒状部(筒状部)3aを有し、円筒状部3aの一方の端(他端)3b側には、略円形状のキャップ孔3eを有する封止部3dが円筒状部3aの中心軸3cと垂直な面に対して6〜8°程度傾けて設けられている。また、封止部3dにはホウ珪酸ガラスからなる窓部材(透過部材)3fがそのキャップ孔3eを封止するように固定されている。このとき、窓部材3fはレーザ光の光軸と垂直な面に対して傾くことになるため、発光素子16から発生したレーザ光が窓部材3fにて反射して発光素子16に戻ることが防止される。円筒状部3aの他方の端(一端)には、円筒状部3aの外周面3pから外側に張り出すような、環状のフランジ3hが形成されている。なお、円筒状部3a、封止部3d及びフランジ3hはいずれも肉厚が0.3mmとなっている。
フランジ3hの取付面(第2の面)3kには、環状の抵抗溶接用突起部3qが設けられている。キャップ3をパッケージ2に取り付ける際は、図4に示すように、側壁12の外面12bにおける孔12aを取り囲む周辺領域12cとキャップ3の取付面3kとを接合させる。そして、図3(b)に示すように、キャップ3の取付面(第1の面)3nに電極18を接触させ、電極18から電流を流す。この印加された電流により、抵抗溶接用突起部3qが融解し、その後凝固することにより、パッケージ2の周辺領域12cとキャップ3の取付面3kとが抵抗溶接により固定される。なお、キャップ3の中心軸3cと発光素子16から発生するレーザ光の光軸は一致している。
パッケージ2の内部に発光素子16等を取り付け、側壁12にキャップ3を取り付けた後、リッド4をパッケージ2の上面2bに固定することにより、パッケージ2の内部の気密性を確保する。リッド4は、図4に示すように、パッケージ2の上面2bの取付部2eにシームシールで溶接接合されている。
具体的には、リッド4の縁部4aとパッケージ2の取付部2eとの間に必要に応じてシールリングを配置し、ローラ電極をリッド4の縁部4aに接触させ、瞬間的に大電流(90A〜140A)を流しながら、リッド4の縁部4aの全周に沿って転がすことにより、リッド4とパッケージ2とをシームシールで溶接している。
ここで、従来の半導体レーザモジュールにおいて、リッド4とパッケージ2をシームシールにて溶接する際の問題点について、図5を用いて説明する。
従来の半導体レーザモジュールにおいては、側壁12の孔12aに段差が設けられることにより、取付面12cが形成され、この取付面12cに、窓部材3fが直接取り付けられる。そして、リッド4の縁部4aとパッケージ2の上面2bの取付部2eとの間にシールリング19を配置し、ローラ電極21の電極面21aとリッド4の縁部4aとを接触させ、瞬間的に大電流(90A〜140A)を流すことによりシームシールを施す。このとき、印加された大電流により、リッド4の縁部4a周辺に瞬間的に熱が発生する。この溶接による熱が十分に放熱されずに孔12a周辺にまで伝達され蓄積されると、取付面12cと窓部材3fとの間の熱膨脹差により、その境界部分に熱応力がかかる。そのため、窓部材3fが割れたり、取付部12cから外れる等して、パッケージ2内の気密性が損なわれるという場合があった。そのため、窓部材3fの材質として、熱衝撃に強い、高価なサファイアガラスを用いており、半導体レーザモジュールのコストが上がるという問題が生じていた。
これに対し、第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1では、キャップ3に窓部材3fを取り付けた状態で、キャップ3をパッケージ2の側壁12に抵抗溶接により固定している。このため、窓部材3fとリッド4の縁部4aとの距離がある程度確保されることになるので、印加電流によりリッド4の縁部4a周辺に瞬間的に熱が発生しても、その熱がキャップ3の円筒状部3aに伝達されるまでに十分に放熱されるようになる。また、キャップ3の円筒状部3a、封止部3d及びフランジ3hは肉厚が0.3mmと薄く形成されているので、キャップ3自体が放熱し易くなっている。その結果、窓部材3fと封止部3dとの間の熱応力が緩和されるので、安価なホウ珪酸ガラスを用いた場合でも、窓部材3fの割れや外れ等の発生を防止することができる。以上により、半導体レーザモジュールの小型化及び低コスト化を図ることができる。
なお、第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、半導体レーザモジュール1の外部に第2レンズを設置し、2レンズ系の半導体レーザ装置として使用してよい。また、キャリア14上にレンズ17を設けず、外部のみに第1レンズを設置し、1レンズ系の半導体レーザ装置として使用してもよい。
[第2の実施形態]
第2の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
第2の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
すなわち、第2の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、図6に示すように、キャップ3の封止部3dを円筒状部3aの中心軸3cと垂直に設け、パッケージ2の側壁12の周辺領域12cを溝状とすることにより、キャップ3の窓部材3fをレーザ光の光軸と垂直な面に対して傾けている。
[第3の実施形態]
第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
すなわち、第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、キャリア14上にレンズ17を設ける代わりに、図7に示すように封止部3dのキャップ孔3eを封止するように、レンズ23を封止部3dに固定している。
なお、第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、半導体レーザモジュール1の外部に第2レンズを設置し、2レンズ系の半導体レーザ装置として使用してよく、あるいは、キャリア14上にレンズ17を設けることにより、2レンズ系の半導体レーザ装置として使用してもよい。
[第4の実施形態]
第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第3の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
すなわち、第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、図8に示すように、キャップ3のフランジ3hの取付面3nとパッケージ2の側壁12の周辺領域12cとを抵抗溶接で固定することにより、キャップ3の封止部3d及びレンズ23がパッケージ2の外側から取り出し穴12aを貫通してパッケージ2内部に入り込むようにしている。
このように構成することによって、第3の実施形態と比較して、発光素子16とレンズ23との距離が短くなるため、焦点距離の短い小さなレンズを使用することができる。この場合には、キャップ3の小型化を図ることができる。また、キャリア14上にレンズ17を設けることにより、2レンズ系の半導体レーザ装置として使用する場合は、第3の実施形態にかかる半導体レーザモジュール1を2レンズ系の半導体レーザ装置として使用する場合に比べて、光学系全体の長さを短くすることができる。
なお、第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、半導体レーザモジュール1の外部に第2レンズを設け、2レンズ系の半導体レーザ装置として使用してもよい。
[第5の実施形態]
第5の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
第5の実施形態に係る半導体レーザモジュール1は、以下の点で第4の実施形態に係る半導体レーザモジュール1と主に相違している。
すなわち、第5の実施形態に係る半導体レーザモジュール1においては、図9に示すように、キャップ3のフランジ3hの取付面3nとパッケージ2の側壁12の周辺領域12cとを抵抗溶接で固定することにより、キャップ3の封止部3d及び窓部材3fがパッケージ2の外側から取り出し穴12aを貫通してパッケージ2内部に入り込むようにしている。
また、キャップ3に固定された窓部材3fが円筒状部3aの中心軸3cと垂直な面に対して傾けて設けられている。
また、キャップ3に固定された窓部材3fが円筒状部3aの中心軸3cと垂直な面に対して傾けて設けられている。
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではない。
例えば、第1の実施形態に係る半導体レーザモジュール1では、パッケージ2の側壁8,9,11は、セラミックを積層させることにより形成してもよい。このとき、リッド4を溶接する際は、パッケージ2の上面2bにコバール製のリングを設けておくことにより、パッケージ2内の気密性を確保する。
1…半導体レーザモジュール、2…パッケージ、3…キャップ、3a…円筒状部(筒状部)、3b…端(他端)、3f…窓部材(透過部材)、3h…フランジ、3k…取付面(第2の面)、3n…取付面(第1の面)、12…側壁、12a…孔、16…発光素子。
Claims (4)
- レーザ光を発生する発光素子と、
前記発光素子を搭載し、前記レーザ光を取り出す孔が形成された側壁を有する箱状のパッケージと、
前記側壁に固定された一端、前記レーザ光を透過する透過部材を有する他端、前記一端と前記他端とを接続する筒状部を有するキャップと、を備え、
前記一端は前記筒状部から外方に張り出し、前記他端側の第1の面、前記一端側の第2の面を有するフランジを備え、
前記キャップは、前記フランジが前記孔を囲む様に前記側壁に抵抗溶接により固定されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記第2の面と前記側壁が抵抗溶接され、前記筒状部は前記パッケージの外側に突き出していることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザモジュール。
- 前記第1の面と前記側壁とが抵抗溶接され、前記筒状部が前記パッケージ内に突き出ていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザモジュール。
- 前記透過部材の法線が、前記レーザ光の進行方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
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---|---|---|---|
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- 2006-06-01 JP JP2006153735A patent/JP2007324412A/ja active Pending
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110413 |
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A02 | Decision of refusal |
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