JP6417885B2 - 光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光モジュールに関するものである。

パッケージ内にレーザダイオードを配置した光モジュールが知られている。このような光モジュールは、表示装置、光ピックアップ装置、光通信装置など、種々の装置の光源として用いられる。

上述のような光モジュールが用いられる装置の性能の向上や用途の広がりに起因して、光モジュールの高出力化が求められる場合がある。このような場合、光モジュールを複数個準備し、各光モジュールから出射される光を別途準備した光学系により合波するレーザ装置を構築することにより、高出力化を達成する対応が考えられる（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００７−６５６００号公報

しかし、上記特許文献１に開示された構造では、複数の光モジュール（パッケージ）と光学系とを組み合わせてレーザ装置を構築する必要がある。そのため、レーザ装置の小型化が難しいという問題がある。

そこで、レーザ装置の小型化を達成しつつ高出力化を達成可能な光モジュールを提供することを目的の１つとする。

本発明に従った光モジュールは、光を形成する光形成部と、光形成部からの光を透過する出射窓を有し、光形成部を取り囲むように配置される保護部材と、を備える。光形成部は、第１レーザダイオードと、第１レーザダイオードから出射される光とは異なる光路で光を出射する第２レーザダイオードと、第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光とを合波する偏波合成フィルタと、第２レーザダイオードと偏波合成フィルタとの間に位置し、第２レーザダイオードから出射される光の偏波方向を変換する波長板と、を含む。第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光とは同一波長である。そして、第１レーザダイオードから出射される光および第２レーザダイオードから出射される光は、レンズを通過することなく偏波合成フィルタに到達する。

上記光モジュールによれば、レーザ装置の小型化を達成しつつ高出力化を達成可能な光モジュールを提供することができる。

実施の形態１における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態１における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態１における光モジュールの構造を示す概略平面図である。 実施の形態２における光モジュールの構造を示す概略平面図である。 実施の形態３における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態４における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態５における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態５における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 実施の形態５における光モジュールの構造を示す概略平面図である。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の光モジュールは、光を形成する光形成部と、光形成部からの光を透過する出射窓を有し、光形成部を取り囲むように配置される保護部材と、を備える。光形成部は、第１レーザダイオードと、第１レーザダイオードから出射される光とは異なる光路で光を出射する第２レーザダイオードと、第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光とを合波する偏波合成フィルタと、第２レーザダイオードと偏波合成フィルタとの間に位置し、第２レーザダイオードから出射される光の偏波方向を変換する波長板と、を含む。第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光とは同一波長である。そして、第１レーザダイオードから出射される光および第２レーザダイオードから出射される光は、レンズを通過することなく偏波合成フィルタに到達する。

本願の光モジュールでは、同一波長を有する第１レーザダイオードを出射した光と第２レーザダイオードを出射した光とが合波されるため、高出力化を達成することができる。ここで、本願の光モジュールは、第１レーザダイオード、第２レーザダイオード、偏波合成フィルタ、および波長板を含む光形成部が単一の保護部材により取り囲まれた構造、すなわち単一のパッケージ内に第１レーザダイオード、第２レーザダイオード、偏波合成フィルタ、および波長板が搭載された構造を有している。そのため、複数のパッケージからの光を、別途準備された光学系にて合波する場合に比べてレーザ装置の小型化を図ることができる。また、本願の光モジュールでは、この単一のパッケージ内において第１レーザダイオードから出射された光と第２レーザダイオードから出射された光とが、レンズを通過することなく偏波合成フィルタにて合波される。そのため、各レーザダイオードに対応してレンズを配置する場合に比べて、パッケージの小型化を達成することができる。さらに、本願の光モジュールでは、第１レーザダイオードから出射された光と第２レーザダイオードから出射された光とを偏波合成フィルタにて合波するために、第２レーザダイオードを出射した光の偏波方向を波長板によって変換する構造が採用される。そのため、パッケージ内の限られた空間内において第２レーザダイオードの設置面を第１レーザダイオードの設置面に対して傾ける必要がない。その結果、パッケージサイズの小型化に対応することが容易となる。このように、本願の光モジュールによれば、レーザ装置の小型化を達成しつつ高出力化を達成可能な光モジュールを提供することができる。

なお、本願において、第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光とが同一波長である状態とは、第１レーザダイオードから出射される光と第２レーザダイオードから出射される光との波長の差が１０ｎｍ以下である状態をいう。

上記光モジュールにおいて、上記保護部材は、光形成部をハーメチックシールするものであってもよい。このようにすることにより、光モジュールの寿命を長くすることができる。

上記光モジュールにおいて、上記光形成部は、偏波合成フィルタにより合波された光のスポットサイズを変換するレンズをさらに含んでいてもよい。このようにすることにより、各レーザダイオードに対応してレンズを配置する場合に比べて小型化を達成しつつ、所望のスポットサイズを有する光を光モジュールから出射させることができる。また、光モジュールの外部に別途レンズを設置する場合に比べて、レーザ装置の小型化を達成することができる。

上記光モジュールにおいて、光形成部は、第１レーザダイオードおよび第２レーザダイオードを冷却する電子冷却モジュールをさらに含んでいてもよい。このようにすることにより、温度が高くなる環境下においても光モジュールを使用することが可能となる。

［本願発明の実施形態の詳細］
（実施の形態１）
次に、本発明にかかる光モジュールの一実施の形態である実施の形態１を、図１〜図３を参照しつつ説明する。図２は、図１のキャップ４０を取り外した状態に対応する図である。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

図１および図２を参照して、本実施の形態における光モジュール１は、円盤の形状を有するステム１０と、ステム１０の一方の主面１０Ａ上に配置され、光を形成する光形成部２０と、光形成部２０を覆うようにステム１０の一方の主面１０Ａ上に接触して配置されるキャップ４０と、ステム１０の他方の主面１０Ｂ側から一方の主面１０Ａ側まで貫通し、一方の主面１０Ａ側および他方の主面１０Ｂ側の両側に突出する複数のリードピン５１とを備えている。ステム１０とキャップ４０とは、たとえばＹＡＧ（Ｙｉｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザ溶接、抵抗溶接などの手法により溶接され、気密状態とされている。すなわち、光形成部２０は、ステム１０とキャップ４０とによりハーメチックシールされている。ステム１０とキャップ４０とにより取り囲まれる空間には、たとえば乾燥空気、乾燥窒素などの水分が低減（除去）された気体が封入されている。キャップ４０には、光形成部２０からの光を透過する出射窓４１が形成されている。出射窓４１は主面が互いに平行な平板状の形状を有していてもよいし、光形成部２０からの光を集光または拡散させるレンズ形状を有していてもよい。ステム１０およびキャップ４０は、保護部材を構成する。

図２を参照して、光形成部２０は、半円柱状の形状を有するベース部材であるベースブロック６０を含む。ベースブロック６０は、長方形形状を有する搭載面６０Ａを有している。ベースブロック６０は、半円形状を有する底面において、ステム１０の一方の主面１０Ａに固定されている。搭載面６０Ａは、ステム１０の一方の主面１０Ａに対して交差する方向、より具体的には垂直な方向に延在する。ステム１０の一方の主面１０Ａは、Ｘ−Ｙ平面に沿う。搭載面６０Ａは、Ｘ−Ｚ平面に沿う。

図２および図３を参照して、搭載面６０Ａ上には、平板状の第１サブマウント７１が配置されている。そして、第１サブマウント７１上に、第１レーザダイオード８１が配置されている。第１サブマウント７１および第１レーザダイオード８１は、搭載面６０Ａの短辺に隣接して配置される。搭載面６０Ａ上には、平板状の第２サブマウント７２が配置されている。そして、第２サブマウント７２上に、第２レーザダイオード８２が配置されている。第２サブマウント７２および第２レーザダイオード８２は、搭載面６０Ａの長辺に隣接して配置される。第１レーザダイオード８１から出射される光と第２レーザダイオード８２から出射される光とは同一波長である。第１レーザダイオード８１および第２レーザダイオード８２の光軸の高さ（搭載面６０Ａを基準面とした場合の基準面と光軸との距離；Ｙ軸方向における基準面との距離）は、第１サブマウント７１および第２サブマウント７２により調整されて一致している。第１レーザダイオード８１は、搭載面６０Ａの長辺に沿った方向（Ｚ方向）に光を出射する。第２レーザダイオード８２は、搭載面６０Ａの短辺に沿った方向（Ｘ方向）に光を出射する。第１レーザダイオード８１の光の出射方向と第２レーザダイオード８２の光の出射方向とは交差する。より具体的には、第１レーザダイオード８１の光の出射方向と第２レーザダイオード８２の光の出射方向とは直交する。第２レーザダイオード８２の設置面である第２サブマウント７２の主面と第１レーザダイオード８１の設置面である第１サブマウント７１の主面とは、平行である。

第１レーザダイオード８１を出射した光と第２レーザダイオード８２を出射した光とが交差する位置に対応する搭載面６０Ａ上に、偏波合成フィルタ９１が配置される。偏波合成フィルタ９１は、互いに平行な主面を有する平板状の形状を有している。偏波合成フィルタ９１の主面は、第１レーザダイオード８１の出射方向（Ｚ方向）および第２レーザダイオード８２の出射方向（Ｘ方向）に対して傾斜している。より具体的には、偏波合成フィルタ９１の主面は、第１レーザダイオード８１の出射方向（Ｚ方向）および第２レーザダイオード８２の出射方向（Ｘ方向）に対して４５°傾斜している。

偏波合成フィルタ９１と第２レーザダイオード８２との間に位置するように、搭載面６０Ａ上に波長板９２が配置される。波長板９２は、互いに平行な主面を有する平板状の形状を有している。第１レーザダイオード８１から出射される光および第２レーザダイオード８２から出射される光は、レンズを通過することなく偏波合成フィルタ９１に到達する。すなわち、第１レーザダイオード８１と偏波合成フィルタ９１との間には、レンズは配置されない。また、第２レーザダイオード８２と偏波合成フィルタ９１との間にも、レンズは配置されない。

次に、本実施の形態における光モジュール１の動作について説明する。図３を参照して、第１レーザダイオード８１から出射された光は、光路Ｌ_１に沿って進行し、偏波合成フィルタ９１に入射する。第１レーザダイオード８１から出射された光の偏波方向は、たとえば搭載面６０Ａに垂直な方向（Ｙ方向）である。ここで、偏波合成フィルタ９１は、偏波方向が搭載面６０Ａに垂直な方向（Ｙ方向）である光を透過し、偏波方向が搭載面６０Ａに平行な方向（Ｚ方向）である光を反射する。そのため、偏波合成フィルタ９１に入射した第１レーザダイオード８１からの光は偏波合成フィルタ９１を透過し、光路Ｌ_２に沿ってさらに進行する。そして、キャップ４０の出射窓４１を通って光モジュール１の外部へと出射する（図２参照）。

第２レーザダイオード８２から出射された光は、光路Ｌ_３に沿って進行し、波長板９２に入射する。第２レーザダイオード８２から出射された光の偏波方向は、第１レーザダイオード８１から出射された光と同じであり、たとえば搭載面６０Ａに垂直な方向（Ｙ方向）である。ここで、波長板９２は、入射した光の偏波方向を９０°変換する。そのため、第２レーザダイオード８２から出射され、波長板９２に入射した光の偏波方向は搭載面６０Ａに平行な方向（Ｚ方向）に変換され、光路Ｌ４に沿って進行し、偏波合成フィルタ９１に入射する。偏波合成フィルタ９１は、偏波方向が搭載面６０Ａに平行な方向（Ｚ方向）である光を反射するため、第２レーザダイオード８２から出射された光は光路Ｌ_２に合流する。第２レーザダイオード８２を出射した光は第１レーザダイオード８１を出射した光と合波され、光路Ｌ_２に沿って進行し、キャップ４０の出射窓４１を通って光モジュール１の外部へと出射する（図２参照）。このように、２つのレーザダイオードを出射した同一波長の光（レーザ光）が合波されることにより、光モジュール１の高出力化が達成されている。

ここで、本実施の形態の光モジュール１は、第１レーザダイオード８１、第２レーザダイオード８２、偏波合成フィルタ９１、および波長板９２を含む光形成部２０が単一のパッケージ内（ステム１０およびキャップ４０から構成される保護部材内）に搭載された構造を有している。そのため、複数のパッケージからの光を、別途準備された光学系にて合波する場合に比べてレーザ装置の小型化を図ることができる。また、複数の光モジュールから出射された光を別途準備した光学系にて合波する場合のように、複数の光モジュールからの光のスポットサイズの調整、光軸の調整など、煩雑な調整作業が軽減される。

また、本実施の形態の光モジュール１では、この単一のパッケージ内において第１レーザダイオード８１から出射された光と第２レーザダイオード８２から出射された光とが、レンズを通過することなく偏波合成フィルタ９１にて合波される。そのため、各レーザダイオードに対応してレンズを配置する場合に比べて、パッケージの小型化を達成することができる。さらに、本実施の形態の光モジュール１では、第１レーザダイオード８１から出射された光と第２レーザダイオード８２から出射された光とを偏波合成フィルタ９１にて合波するために、第２レーザダイオード８２を出射した光の偏波方向を波長板９２によって変換する構造が採用される。そのため、パッケージ内の限られた空間内において第２レーザダイオード８２の設置面（第２サブマウント７２の主面）を第１レーザダイオード８１の設置面（第１サブマウント７１の主面）に対して傾ける必要がない。その結果、パッケージサイズの小型化に対応することが容易となる。このように、本実施の形態の光モジュール１は、レーザ装置の小型化を達成しつつ高出力化を達成可能な光モジュールとなっている。

（実施の形態２）
次に、本発明にかかる光モジュールの他の実施の形態である実施の形態２を説明する。図４は、実施の形態２における光モジュールの構造を示す概略平面図である。図４および図３を参照して、本実施の形態における光モジュール１は、基本的には実施の形態１の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態２における光モジュール１は、ベースブロック６０の搭載面６０Ａ上にレンズ９３が配置される点において実施の形態１の場合とは異なっている。

具体的には、図４を参照して、実施の形態２の光モジュール１においては、光形成部２０は、偏波合成フィルタ９１により合波された光のスポットサイズを変換するレンズ９３をさらに含んでいる。レンズ９３は、表面がレンズ面となっているレンズ部９３Ａを有している。レンズ９３は、レンズ部９３Ａとレンズ部９３Ａ以外の領域とが一体成型されている。レンズ９３のレンズ部９３Ａの中心軸、すなわちレンズ部９３Ａの光軸は、第１レーザダイオード８１の光軸に一致するように調整されている。

本実施の形態における光モジュール１では、偏波合成フィルタ９１において合波された第１レーザダイオード８１を出射した光および第２レーザダイオード８２を出射した光が光路Ｌ_２に沿って進行し、レンズ９３のレンズ部９３Ａに入射する。これにより、光のスポットサイズが変換される。具体的には、たとえばレンズ部９３Ａに入射した光がコリメート光に変換される。そして、レンズ９３においてスポットサイズが変換された光は、キャップ４０の出射窓４１を通って光モジュール１の外部へと出射する（図２参照）。

本実施の形態における光モジュール１においては、各レーザダイオードに対応してレンズを配置する場合に比べて小型化を達成しつつ、所望のスポットサイズを有する光を光モジュール１から出射させることができる。また、光モジュール１の外部に別途レンズを設置する場合に比べて、レーザ装置の小型化を達成することができる。

（実施の形態３）
次に、本発明にかかる光モジュールのさらに他の実施の形態である実施の形態３を説明する。図５は、実施の形態３における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。図５および図２を参照して、本実施の形態における光モジュール１は、基本的には実施の形態１の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態３における光モジュール１の光形成部２０は、電子冷却モジュール３０をさらに含んでいる点において、実施の形態１の場合とは異なっている。

具体的には、図５を参照して、実施の形態３における光モジュール１のベースブロック６０は、搭載面６０Ａに交差する方向（直交する方向）に突出する突出部６２を有している。突出部６２は、ステム１０の一方の主面１０Ａに面するベースブロック６０の底面が広がるように形成される。そして、突出部６２のステム１０の一方の主面１０Ａに面する側の面である設置面６２Ｂとステム１０の一方の主面１０Ａとの間に、電子冷却モジュール３０が配置される。

電子冷却モジュール３０は、吸熱板３１と、放熱板３２と、電極を挟んで吸熱板３１と放熱板３２との間に並べて配置される半導体柱３３とを含む。吸熱板３１および放熱板３２は、たとえばアルミナからなっている。吸熱板３１がベースブロック６０の設置面６２Ｂに接触して配置される。放熱板３２は、ステム１０の一方の主面１０Ａに接触して配置される。本実施の形態において、電子冷却モジュール３０はペルチェモジュール（ペルチェ素子）である。そして、電子冷却モジュール３０に電流を流すことにより、吸熱板３１に接触するベースブロック６０の熱がステム１０へと移動し、ベースブロック６０が冷却される。その結果、第１レーザダイオード８１および第２レーザダイオード８２が冷却される。これにより、たとえば自動車に搭載される場合など、温度が高くなる環境下においても光モジュール１を使用することが可能となる。また、第１レーザダイオード８１および第２レーザダイオード８２の温度を適正な範囲に維持することで、所望の波長の光を精度よく形成することが可能となる。

（実施の形態４）
次に、本発明にかかる光モジュールのさらに他の実施の形態である実施の形態４を説明する。図６は、実施の形態４における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。図６および図２を参照して、本実施の形態における光モジュール１は、基本的には実施の形態１の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態４における光モジュール１には、ベースブロック６０が採用されず、光形成部２０がステム１０の一方の主面１０Ａに直接搭載される点において、実施の形態１の場合とは異なっている。

図６を参照して、第１サブマウント７１、第２サブマウント７２、第１レーザダイオード８１、第２レーザダイオード８２、偏波合成フィルタ９１および波長板９２が、実施の形態１においてベースブロック６０の搭載面６０Ａ上に搭載される場合と同様の相対的な位置関係を有するように、ステム１０の一方の主面１０Ａ上に直接搭載される。さらに、本実施の形態の光モジュール１においては、光形成部２０は、偏波合成フィルタ９１により合波された光の進行方向を変更するミラー９４をさらに含んでいる。ミラー９４は、光を反射すべき面である反射面９４Ａを有している。反射面９４Ａがステム１０の一方の主面１０Ａに対して４５°の角度をなすように、ミラー９４はステム１０の一方の主面１０Ａ上に搭載される。

本実施の形態における光モジュール１では、偏波合成フィルタ９１において合波された第１レーザダイオード８１を出射した光および第２レーザダイオード８２を出射した光が光路Ｌ_２に沿って進行し、ミラー９４の反射面９４Ａに入射する。本実施の形態において、光路Ｌ_１〜Ｌ_４は、ステム１０の一方の主面１０Ａに平行な面内（Ｘ−Ｙ平面に平行な面内）に含まれる。そして、ミラー９４の反射面９４Ａに入射した上記光は、進行方向がステム１０の一方の主面１０Ａに交差する方向、より具体的には主面１０Ａに直交する方向（Ｚ方向）に変換され、光路Ｌ_５に沿って進行する。そして、当該光はキャップ４０の出射窓４１を通って光モジュール１の外部へと出射する。

本実施の形態の光モジュール１においては、第１サブマウント７１、第２サブマウント７２、第１レーザダイオード８１、第２レーザダイオード８２、偏波合成フィルタ９１および波長板９２をベースブロック６０の搭載面６０Ａに搭載する場合に比べて、光モジュール１からの光の出射方向（Ｚ方向）において、光モジュール１を小型化することが容易となる。

（実施の形態５）
次に、本発明にかかる光モジュールのさらに他の実施の形態である実施の形態５を説明する。図７および図８は、実施の形態５における光モジュールの構造を示す概略斜視図である。図９は、実施の形態５における光モジュールの構造を示す概略平面図である。図７〜図９および図１〜図３を参照して、本実施の形態における光モジュール１は、基本的には実施の形態１の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態５における光モジュール１は、ステム、キャップおよびベース部材の構造において実施の形態１の場合とは異なっている。

図７および図８を参照して、本実施の形態における光モジュール１００は、矩形平板状の形状を有するステム１１０と、ステム１１０の一方の主面１１０Ａ上に配置され、光を形成する光形成部１２０と、光形成部１２０を覆うようにステム１１０の一方の主面１１０Ａ上に接触して配置されるキャップ１４０と、ステム１１０の他方の主面１１０Ｂ側から一方の主面１１０Ａ側まで貫通し、一方の主面１１０Ａ側および他方の主面１１０Ｂ側の両側に突出する複数のリードピン１５１とを備えている。光形成部１２０は、実施の形態１の場合と同様に、ステム１１０とキャップ１４０とによりハーメチックシールされている。キャップ１４０には、光形成部１２０からの光を透過する出射窓１４１が形成されている。

図８を参照して、光形成部１２０は、矩形板状の形状を有するベース部材であるベース板１６０を含む。ベース板１６０は、長方形形状を有する一方の主面である搭載面１６０Ａを有している。ベース板１６０は、搭載面１６０Ａとは反対側の主面においてステム１１０の一方の主面１１０Ａに固定されている。搭載面１６０Ａは、ステム１０の一方の主面１０Ａと平行な面である。搭載面１６０Ａおよびステム１１０の一方の主面１１０Ａは、いずれもＸ−Ｙ平面に沿う。

図８および図９を参照して、搭載面１６０Ａ上には、第１サブマウント７１、第２サブマウント７２、第１レーザダイオード８１、第２レーザダイオード８２、偏波合成フィルタ９１および波長板９２が、実施の形態１においてベースブロック６０の搭載面６０Ａ上に搭載される場合と同様の相対的な位置関係を有するように搭載される。

本実施の形態においては、光路Ｌ_１〜Ｌ_４は、ステム１１０の一方の主面１１０Ａに平行な面内（Ｘ−Ｙ平面に平行な面内）に含まれる。そして、本実施の形態における光モジュール１では、偏波合成フィルタ９１において合波された第１レーザダイオード８１を出射した光および第２レーザダイオード８２を出射した光が光路Ｌ_２に沿って進行し、キャップ１４０の出射窓１４１を通って光モジュール１の外部へと出射する。

なお、上記サブマウントは、サブマウント上に搭載される素子等に熱膨張係数が近い材料からなるものとされ、たとえばＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、ダイヤモンドなどからなるものとすることができる。また、ステムおよびキャップを構成する材料としては、たとえば熱伝導率の高い材料である鉄、銅などを採用してもよいし、ＡｌＮ、ＣｕＷ、ＣｕＭｏなどを採用してもよい。

上記実施の形態１〜５の構造は、本願の光モジュールの構造の一例である。上記実施の形態１〜５の構造を適宜組み合わせて本願の光モジュールの他の構造を構成することができる。また、上記実施の形態においては、２個の同一波長を有するレーザダイオードからの光が合波される場合について説明したが、３個以上の同一波長を有するレーザダイオードからの光が合波されてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本願の光モジュールは、レーザ装置の小型化と高出力化との両立が求められる用途に使用される光モジュールに、特に有利に適用され得る。

１，１００ 光モジュール
１０，１１０ ステム
１０Ａ，１１０Ａ 主面
１０Ｂ，１１０Ｂ 主面
２０，１２０ 光形成部
３０ 電子冷却モジュール
３１ 吸熱板
３２ 放熱板
３３ 半導体柱
４０，１４０ キャップ
４１，１４１ 出射窓
５１，１５１ リードピン
６０ ベースブロック
６０Ａ 搭載面
６２ 突出部
６２Ｂ 設置面
７１ 第１サブマウント
７２ 第２サブマウント
８１ 第１レーザダイオード
８２ 第２レーザダイオード
９１ 偏波合成フィルタ
９２ 波長板
９３ レンズ
９３Ａ レンズ部
９４ ミラー
９４Ａ 反射面
１６０ ベース板
１６０Ａ 搭載面

Claims (4)

1. 光を形成する光形成部と、
   前記光形成部からの光を透過する出射窓を有し、前記光形成部を取り囲むように配置される保護部材と、を備え、
   前記光形成部は、
   第１レーザダイオードと、
   前記第１レーザダイオードから出射される光とは異なる光路で光を出射する第２レーザダイオードと、
   前記第１レーザダイオードから出射される光と前記第２レーザダイオードから出射される光とを合波する偏波合成フィルタと、
   前記第２レーザダイオードと前記偏波合成フィルタとの間に位置し、前記第２レーザダイオードから出射される光の偏波方向を変換する波長板と、を含み、
   前記第１レーザダイオードから出射される光と前記第２レーザダイオードから出射される光とは同一波長であり、
   前記第１レーザダイオードから出射される光および前記第２レーザダイオードから出射される光は、レンズを通過することなく前記偏波合成フィルタに到達する、光モジュール。
2. 前記保護部材は、前記光形成部をハーメチックシールする、請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記光形成部は、前記偏波合成フィルタにより合波された光のスポットサイズを変換するレンズをさらに含む、請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 前記光形成部は、前記第１レーザダイオードおよび前記第２レーザダイオードを冷却する電子冷却モジュールをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュール。
   

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