JPH055817A - 半導体レーザモジユール - Google Patents
半導体レーザモジユールInfo
- Publication number
- JPH055817A JPH055817A JP15886691A JP15886691A JPH055817A JP H055817 A JPH055817 A JP H055817A JP 15886691 A JP15886691 A JP 15886691A JP 15886691 A JP15886691 A JP 15886691A JP H055817 A JPH055817 A JP H055817A
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- Japan
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- semiconductor laser
- light
- laser
- polarization
- laser module
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 各部の調整を簡易にできると共に、冷却効率
に優れ、しかも光通過損失を極少にした上で２つのレー
ザ出射光を効率良く１本のビーム合成し得る半導体レー
ザモジュールを提供するものである。 【構成】 レーザキャビティ１００内に、２つの半導体
レーザ素子１１，１２と、これら２つの半導体レーザ素
子１１，１２からのレーザ出射光を合成するための偏波
合成プリズム５０とを備えている。又、半導体レーザ素
子１２と偏波合成プリズム５０との間に、１／２波長板
６０を配置して半導体レーザモジュールを構成してい
る。これにより、偏波合成プリズム５０で２つのレーザ
出射光を合成して１本のレーザビームに結合できるよう
にしている。
に優れ、しかも光通過損失を極少にした上で２つのレー
ザ出射光を効率良く１本のビーム合成し得る半導体レー
ザモジュールを提供するものである。 【構成】 レーザキャビティ１００内に、２つの半導体
レーザ素子１１，１２と、これら２つの半導体レーザ素
子１１，１２からのレーザ出射光を合成するための偏波
合成プリズム５０とを備えている。又、半導体レーザ素
子１２と偏波合成プリズム５０との間に、１／２波長板
６０を配置して半導体レーザモジュールを構成してい
る。これにより、偏波合成プリズム５０で２つのレーザ
出射光を合成して１本のレーザビームに結合できるよう
にしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光通信や光情報
処理に使用される半導体レーザモジュールに関する。
処理に使用される半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザモジュール
は、例えば図２にその基本構成を平面図で示す如く、１
個の半導体レーザ素子１３と、この半導体レーザ素子１
３からの出射光を導入する光ファイバ７１と、これら半
導体レーザ素子１３及び光ファイバ７１を光学的に効率
良く結合させるためのレンズ４３とを備えている。
は、例えば図２にその基本構成を平面図で示す如く、１
個の半導体レーザ素子１３と、この半導体レーザ素子１
３からの出射光を導入する光ファイバ７１と、これら半
導体レーザ素子１３及び光ファイバ７１を光学的に効率
良く結合させるためのレンズ４３とを備えている。
【０００３】又、最近では、図３にその基本構成を平面
図で示す如く、２つの半導体レーザ素子１４，１５を備
えた半導体レーザモジュールが研究開発されいる。具体
的に云えば、各半導体レーザ素子１４，１５を通常用い
られている円筒形ＣＡＮパッケージにマウントし、各半
導体レーザ素子１４，１５に対してそれぞれレンズ４
４，４５を出射光偏光方向が互いに直交されるように配
置している。更に、偏波合成プリズム５１は、２つの直
交出射光偏光を１本のビームとして合成させるためのも
ので、これにより合成された１本のビームは、レンズ４
６を透過して光ファイバ７１に導入される。
図で示す如く、２つの半導体レーザ素子１４，１５を備
えた半導体レーザモジュールが研究開発されいる。具体
的に云えば、各半導体レーザ素子１４，１５を通常用い
られている円筒形ＣＡＮパッケージにマウントし、各半
導体レーザ素子１４，１５に対してそれぞれレンズ４
４，４５を出射光偏光方向が互いに直交されるように配
置している。更に、偏波合成プリズム５１は、２つの直
交出射光偏光を１本のビームとして合成させるためのも
ので、これにより合成された１本のビームは、レンズ４
６を透過して光ファイバ７１に導入される。
【０００４】一般に、光ファイバ通信システムを使用し
た汎用機器として知られる光海底中継器の如く、長期に
及んで高い信頼性が要求される光通信装置の光源や、希
土類ドープファイバを増幅媒体とする光ファイバ増幅器
の希土類ドープファイバ励起用光源等では、光源の助長
を図ったり、光出力を増加させることが望まれる。この
為、このような光ファイバ通信システムでは、最低２個
の半導体レーザからの出射光を１本の光ファイバに結合
させている。
た汎用機器として知られる光海底中継器の如く、長期に
及んで高い信頼性が要求される光通信装置の光源や、希
土類ドープファイバを増幅媒体とする光ファイバ増幅器
の希土類ドープファイバ励起用光源等では、光源の助長
を図ったり、光出力を増加させることが望まれる。この
為、このような光ファイバ通信システムでは、最低２個
の半導体レーザからの出射光を１本の光ファイバに結合
させている。
【０００５】又、２個の半導体レーザからの出射光を１
本の光ファイバに結合させる手段としては、ハーフミラ
ー等の分岐結合器の使用が挙げられる。しかしながら、
分岐結合器の場合、例えば１：１の分岐比を有するもの
であっても、光通過損失が原理的に３ｄＢ［１／（２）
1/2 に減衰］あって光通過効率が悪いものである為、光
出力の増加を望めない現状にある。それ故、最近の半導
体レーザモジュールは、半導体レーザからの出射光が直
線偏光であることを利用し、偏波合成結合器を用いて光
を合成させる方式が採用されている。
本の光ファイバに結合させる手段としては、ハーフミラ
ー等の分岐結合器の使用が挙げられる。しかしながら、
分岐結合器の場合、例えば１：１の分岐比を有するもの
であっても、光通過損失が原理的に３ｄＢ［１／（２）
1/2 に減衰］あって光通過効率が悪いものである為、光
出力の増加を望めない現状にある。それ故、最近の半導
体レーザモジュールは、半導体レーザからの出射光が直
線偏光であることを利用し、偏波合成結合器を用いて光
を合成させる方式が採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザモ
ジュールの場合、例えば図２に示した半導体レーザモジ
ュールを２個用いて光源の２重化を行うと、半導体レー
ザ素子１３から偏波合成結合器（図示せず）に至るまで
の間、半導体レーザ素子１３から出射される出射光の偏
光方向を維持する必要がある。この為、光ファイバ７１
には定偏波ファイバが使用されることになる。しかしな
がら、偏波方向を維持するためには、定偏波ファイバを
その主軸が半導体レーザ素子１３の偏光方向に一致され
るように設けなければならなず、半導体レーザモジュー
ル毎の作製時における光ファイバ７１の調整が困難にな
るという欠点がある。又、半導体レーザ素子１３から偏
波合成結合器が有する光出力ファイバに至るまでの間
に、半導体レーザモジュール内部及び偏波合成結合器内
部に２つのレンズ結合系が構成されることになり、光の
損失が大きくなるという欠点も有している。
ジュールの場合、例えば図２に示した半導体レーザモジ
ュールを２個用いて光源の２重化を行うと、半導体レー
ザ素子１３から偏波合成結合器（図示せず）に至るまで
の間、半導体レーザ素子１３から出射される出射光の偏
光方向を維持する必要がある。この為、光ファイバ７１
には定偏波ファイバが使用されることになる。しかしな
がら、偏波方向を維持するためには、定偏波ファイバを
その主軸が半導体レーザ素子１３の偏光方向に一致され
るように設けなければならなず、半導体レーザモジュー
ル毎の作製時における光ファイバ７１の調整が困難にな
るという欠点がある。又、半導体レーザ素子１３から偏
波合成結合器が有する光出力ファイバに至るまでの間
に、半導体レーザモジュール内部及び偏波合成結合器内
部に２つのレンズ結合系が構成されることになり、光の
損失が大きくなるという欠点も有している。
【０００７】一方、図３に示した半導体レーザモジュー
ルの場合、半導体レーザ素子１４及び１５と、光ファイ
バ７２との間で偏波合成が行われる為、光通過損失は小
さくなるが、半導体レーザ素子１４及び１５からの出射
光が偏波合成プリズム５１で構成されるように、半導体
レーザ素子１４及び１５のパッケージを回転させて偏波
合成プリズム５１へ入射する入射光の偏光方向が直交す
るように設定する必要がある。この為、半導体レーザ素
子１４及び１５と光ファイバ７２との結合調整が困難に
なるという欠点がある。又、このような半導体レーザモ
ジュールは、使用環境の温度変化が大きいと、例えば電
子冷却器等を導入して半導体レーザ素子１４及び１５の
温度を一定に保ち、レーザ素子の発振動作を安定させる
必要がある。それ故、図３に示す半導体レーザモジュー
ルは、このような電子冷却器等を導入できるようにする
ために円筒形パッケージを使用している。ところが、こ
のような構成によると、半導体レーザ素子１４及び１５
から円筒形パッケージ外周までの熱抵抗を低減させるこ
とが困難になり、結果として冷却効率が悪くなるという
問題がある。
ルの場合、半導体レーザ素子１４及び１５と、光ファイ
バ７２との間で偏波合成が行われる為、光通過損失は小
さくなるが、半導体レーザ素子１４及び１５からの出射
光が偏波合成プリズム５１で構成されるように、半導体
レーザ素子１４及び１５のパッケージを回転させて偏波
合成プリズム５１へ入射する入射光の偏光方向が直交す
るように設定する必要がある。この為、半導体レーザ素
子１４及び１５と光ファイバ７２との結合調整が困難に
なるという欠点がある。又、このような半導体レーザモ
ジュールは、使用環境の温度変化が大きいと、例えば電
子冷却器等を導入して半導体レーザ素子１４及び１５の
温度を一定に保ち、レーザ素子の発振動作を安定させる
必要がある。それ故、図３に示す半導体レーザモジュー
ルは、このような電子冷却器等を導入できるようにする
ために円筒形パッケージを使用している。ところが、こ
のような構成によると、半導体レーザ素子１４及び１５
から円筒形パッケージ外周までの熱抵抗を低減させるこ
とが困難になり、結果として冷却効率が悪くなるという
問題がある。
【０００８】本発明は、かかる事情を鑑みなされたもの
で、その目的は、各部の調整を簡易にできると共に、冷
却効率に優れ、しかも２つのレーザ出射光を効率良く１
本のビーム合成し得る半導体レーザモジュールを提供す
ることにある。
で、その目的は、各部の調整を簡易にできると共に、冷
却効率に優れ、しかも２つのレーザ出射光を効率良く１
本のビーム合成し得る半導体レーザモジュールを提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
光をそれぞれ発生し、互いに直交するように配置された
第１及び第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体
レーザ素子からの前記レーザ光の出射光を入射可能に配
置されると共に、前記出射光を透過して透過光とする１
／２波長板と、前記１／２波長板を透過した前記透過光
及び前記第２の半導体レーザ素子からの前記レーザ光の
出射光を入射可能に配置された偏波合成プリズムとを備
えた半導体レーザモジュールが得られる。
光をそれぞれ発生し、互いに直交するように配置された
第１及び第２の半導体レーザ素子と、前記第１の半導体
レーザ素子からの前記レーザ光の出射光を入射可能に配
置されると共に、前記出射光を透過して透過光とする１
／２波長板と、前記１／２波長板を透過した前記透過光
及び前記第２の半導体レーザ素子からの前記レーザ光の
出射光を入射可能に配置された偏波合成プリズムとを備
えた半導体レーザモジュールが得られる。
【００１０】
【実施例】以下に実施例を挙げ、本発明の半導体レーザ
モジュールについて詳細に説明する。図１（Ａ）は、本
発明の一実施例である半導体レーザモジュールの基本構
成を平面図により示したもので、同図（Ｂ）は、そのＡ
−Ａ´方向における断面側面図を示したものである。
モジュールについて詳細に説明する。図１（Ａ）は、本
発明の一実施例である半導体レーザモジュールの基本構
成を平面図により示したもので、同図（Ｂ）は、そのＡ
−Ａ´方向における断面側面図を示したものである。
【００１１】半導体レーザモジュールは、レーザキャビ
ティ１００内に、レーザ光をそれぞれ発生し、互いに直
交するように配置された２つの半導体レーザ素子１１，
１２を備えている。又、レーザキャビティ１００内に
は、半導体レーザ素子１２からのレーザ光の出射光を直
線状に入射可能に配置されると共に、入射された出射光
を直線状に透過して透過光とする１／２波長板６０を備
えている。更に、レーザキャビティ１００内には、この
１／２波長板６０を透過した透過光と、半導体レーザ素
子１１からのレーザ光の出射光とを直交状に入射するた
めの偏波合成プリズム５０が配置されている。
ティ１００内に、レーザ光をそれぞれ発生し、互いに直
交するように配置された２つの半導体レーザ素子１１，
１２を備えている。又、レーザキャビティ１００内に
は、半導体レーザ素子１２からのレーザ光の出射光を直
線状に入射可能に配置されると共に、入射された出射光
を直線状に透過して透過光とする１／２波長板６０を備
えている。更に、レーザキャビティ１００内には、この
１／２波長板６０を透過した透過光と、半導体レーザ素
子１１からのレーザ光の出射光とを直交状に入射するた
めの偏波合成プリズム５０が配置されている。
【００１２】具体的に云えば、半導体レーザ素子１１，
１２は、それぞれヒートシンク２１，２２に取り付けら
れ、固有のレンズ４１，４２と共に、温度調整を行うた
めの電子冷却器内８１，８２に収容されている。又、こ
れら電子冷却器８１，８２は互いに直交するように金属
平板３０上に配置され、１／２波長板６０は電子冷却器
内８２と偏波合成プリズム５０との間に配置されてい
る。更に、ここでは図１（Ｂ）に示す如く、半導体レー
ザ素子１２，レンズ４２，１／２波長板６０，偏波合成
プリズム５０及びレンズ４３が同一直線上に配置されて
いる。レンズ４３は、偏波合成プリズム５０より出射さ
れる１本のレーザビームを入射し、レーザキャビティ１
００に設けられた光ファイバ７０に集光するためのもの
である。
１２は、それぞれヒートシンク２１，２２に取り付けら
れ、固有のレンズ４１，４２と共に、温度調整を行うた
めの電子冷却器内８１，８２に収容されている。又、こ
れら電子冷却器８１，８２は互いに直交するように金属
平板３０上に配置され、１／２波長板６０は電子冷却器
内８２と偏波合成プリズム５０との間に配置されてい
る。更に、ここでは図１（Ｂ）に示す如く、半導体レー
ザ素子１２，レンズ４２，１／２波長板６０，偏波合成
プリズム５０及びレンズ４３が同一直線上に配置されて
いる。レンズ４３は、偏波合成プリズム５０より出射さ
れる１本のレーザビームを入射し、レーザキャビティ１
００に設けられた光ファイバ７０に集光するためのもの
である。
【００１３】尚、１／２波長板６０に入射するレーザ出
射光を発生する半導体レーザ素子１２は、第１の半導体
レーザ素子と呼ばれても良く、又半導体レーザ素子１１
は、第２の半導体レーザ素子と呼ばれても良い。
射光を発生する半導体レーザ素子１２は、第１の半導体
レーザ素子と呼ばれても良く、又半導体レーザ素子１１
は、第２の半導体レーザ素子と呼ばれても良い。
【００１４】このような構成による半導体レーザモジュ
ールは、半導体レーザ素子１１，１２をそれぞれ備えた
電子冷却器内８１，８２が、レーザキャビティ１００内
で金属平板３０上に直交して配置されているで、半導体
レーザ素子１１，１２に対する出射光光軸方向の回転調
整（方向調整）を行わずとも、互いに平行な偏光方向を
有する２本のレーザ出射光を得ることができる。しか
も、半導体レーザ素子１１，１２は、それぞれ電子冷却
器内８１，８２に収容されているので、半導体レーザ素
子１１，１２を効率良く温度制御することができる。
ールは、半導体レーザ素子１１，１２をそれぞれ備えた
電子冷却器内８１，８２が、レーザキャビティ１００内
で金属平板３０上に直交して配置されているで、半導体
レーザ素子１１，１２に対する出射光光軸方向の回転調
整（方向調整）を行わずとも、互いに平行な偏光方向を
有する２本のレーザ出射光を得ることができる。しか
も、半導体レーザ素子１１，１２は、それぞれ電子冷却
器内８１，８２に収容されているので、半導体レーザ素
子１１，１２を効率良く温度制御することができる。
【００１５】加えて、２つのレーザ出射光を直交出射光
偏光とし、正確に１本のレーザビームに合成することが
できる。このレーザビームの合成を説明すると、半導体
レーザ素子１１からのレーザ出射光は、レンズ４１を通
して集光されて偏波合成プリズム５０に入射される。
又、半導体レーザ素子１２からのレーザ出射光は、レン
ズ４２を通して集光された後、１／２波長板６０に入射
される。１／２波長板６０に入射されたレーザ光は、１
／２波長板６０を透過することにより、偏光方向が９０
度反転されて偏波合成プリズム５０に入射される。偏波
合成プリズム５０では、１／２波長板６０を透過した透
過光と半導体レーザ素子１１からのレーザ出射光との偏
光方向が互いに直交し、これらの入射光を合成して１本
のレーザビームとしてレンズ４３に出射する。これによ
り、最終的にレンズ４３が合成された１本のレーザビー
ムを入射して集光し、光ファイバ７０に出射するので、
光ファイバ７０において２つのレーザ出射光に対する結
合が得られることになる。
偏光とし、正確に１本のレーザビームに合成することが
できる。このレーザビームの合成を説明すると、半導体
レーザ素子１１からのレーザ出射光は、レンズ４１を通
して集光されて偏波合成プリズム５０に入射される。
又、半導体レーザ素子１２からのレーザ出射光は、レン
ズ４２を通して集光された後、１／２波長板６０に入射
される。１／２波長板６０に入射されたレーザ光は、１
／２波長板６０を透過することにより、偏光方向が９０
度反転されて偏波合成プリズム５０に入射される。偏波
合成プリズム５０では、１／２波長板６０を透過した透
過光と半導体レーザ素子１１からのレーザ出射光との偏
光方向が互いに直交し、これらの入射光を合成して１本
のレーザビームとしてレンズ４３に出射する。これによ
り、最終的にレンズ４３が合成された１本のレーザビー
ムを入射して集光し、光ファイバ７０に出射するので、
光ファイバ７０において２つのレーザ出射光に対する結
合が得られることになる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体レ
ーザ素子や光ファイバの偏光方向調整が不要な半導体レ
ーザモジュールが得られる。又、半導体レーザ素子を備
えた電子冷却器を金属平板に取り付けているので、半導
体レーザ素子に対する冷却を効率良く行うことができ
る。更に、偏波合成結合器を不要にしている為、光通過
損失を極少にすることができる。
ーザ素子や光ファイバの偏光方向調整が不要な半導体レ
ーザモジュールが得られる。又、半導体レーザ素子を備
えた電子冷却器を金属平板に取り付けているので、半導
体レーザ素子に対する冷却を効率良く行うことができ
る。更に、偏波合成結合器を不要にしている為、光通過
損失を極少にすることができる。
【図１】図１（Ａ）は、本発明の一実施例である半導体
レーザモジュールの基本構成を平面図により示したもの
で、同図（Ｂ）は、そのＡ−Ａ´方向における断面側面
図を示したものである。
レーザモジュールの基本構成を平面図により示したもの
で、同図（Ｂ）は、そのＡ−Ａ´方向における断面側面
図を示したものである。
【図２】従来の半導体レーザモジュールの基本構成を平
面図で示したものである。
面図で示したものである。
【図３】従来の他の半導体レーザモジュールの基本構成
を平面図で示したものである。
を平面図で示したものである。
１１〜１５ 半導体レーザ素子 ２１，２２ ヒートシンク ４１〜４６ レンズ ５０，５１ 偏波合成プリズム ６０ １／２波長板 ７０〜７２ 光ファイバ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 レーザ光をそれぞれ発生し、互いに直交
するように配置された第１及び第２の半導体レーザ素子
と、前記第１の半導体レーザ素子からの前記レーザ光の
出射光を入射可能に配置されると共に、前記出射光を透
過して透過光とする１／２波長板と、前記１／２波長板
を透過した前記透過光及び前記第２の半導体レーザ素子
からの前記レーザ光の出射光を入射可能に配置された偏
波合成プリズムとを備えたことを特徴とする半導体レー
ザモジュール。 【請求項２】 前記第１及び第２の半導体レーザ素子
は、それぞれレンズと共に、温度調整を行うための第１
並びに第２の電子冷却器内に収容され、前記第１並びに
第２の電子冷却器は、互いに直交するように金属板上に
配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レ
ーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15886691A JPH055817A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザモジユール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15886691A JPH055817A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザモジユール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055817A true JPH055817A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15681115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15886691A Withdrawn JPH055817A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 半導体レーザモジユール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055817A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002189148A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体素子モジュール |
| USRE40173E1 (en) | 1996-09-27 | 2008-03-25 | Mcdonnell Douglas Corporation | High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor |
| JP2016100373A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| US9709743B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-07-18 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical modulator |
| EP3407117A1 (en) * | 2017-05-26 | 2018-11-28 | LG Electronics Inc. | Scanning projector |
| JP2022549941A (ja) * | 2019-09-30 | 2022-11-29 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | レーザーパッケージおよびレーザーパッケージを備えたシステム |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15886691A patent/JPH055817A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |