JP2000012957A - 複数波長の半導体レーザモジュール - Google Patents
複数波長の半導体レーザモジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体レーザチップを１つの基盤上に
発光点位置を同じ位置にするように組み立てた複数波長
半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 異なる複数の波長の半導体レーザチップ
３，４を、出射側から見た場合その発光点が同一になる
ように調整し、一つの基盤２上に組み立て、異なる複数
の波長の半導体レーザチップ３，４から発光した光のう
ち、所定の光を透過して出射し、他の光を反射して出射
する波長フィルタ５を備える。
発光点位置を同じ位置にするように組み立てた複数波長
半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 異なる複数の波長の半導体レーザチップ
３，４を、出射側から見た場合その発光点が同一になる
ように調整し、一つの基盤２上に組み立て、異なる複数
の波長の半導体レーザチップ３，４から発光した光のう
ち、所定の光を透過して出射し、他の光を反射して出射
する波長フィルタ５を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関し、特に、複数波長の半導体モジュールに関
する。
ュールに関し、特に、複数波長の半導体モジュールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスク装置において、容量
増大要求のために半導体レーザの短波長化が行われてい
る。しかし、光ディスク媒体の膜特性の関係で、短波長
の半導体レーザでは長波長の半導体レーザ用に作られた
光ディスクを読むことができないという問題点があっ
た。そこで、従来、光ディスク装置の互換性を考え、長
短波長２個の半導体レーザを用いた装置が考案されてい
る。この際、装置の小型化，組立易さから、これら２波
長を１つの筐体内に納めた半導体レーザが求められてい
る。
増大要求のために半導体レーザの短波長化が行われてい
る。しかし、光ディスク媒体の膜特性の関係で、短波長
の半導体レーザでは長波長の半導体レーザ用に作られた
光ディスクを読むことができないという問題点があっ
た。そこで、従来、光ディスク装置の互換性を考え、長
短波長２個の半導体レーザを用いた装置が考案されてい
る。この際、装置の小型化，組立易さから、これら２波
長を１つの筐体内に納めた半導体レーザが求められてい
る。
【０００３】この従来の半導体レーザの例として、特開
平８−１８１５４号公報記載の２波長半導体レーザがあ
り、この従来例では、半導体レーザチップ中の光導波路
を２波長で共有することが提案されている。
平８−１８１５４号公報記載の２波長半導体レーザがあ
り、この従来例では、半導体レーザチップ中の光導波路
を２波長で共有することが提案されている。
【０００４】また、特開平５−５８１７号公報記載の半
導体レーザモジュールにおいては、モジュール内で２つ
の波長の光を平行光に変換してから結合することが提案
されている。
導体レーザモジュールにおいては、モジュール内で２つ
の波長の光を平行光に変換してから結合することが提案
されている。
【０００５】さらに、特開昭６３−３０４２２２号公報
記載のレーザ光源装置がある。この装置は、複数の半導
体レーザからの光を１個のコリメータレンズの前方に配
設した複数個のダイクロイッププリズムで重ね合わせる
ようにし、１個のコリメータレンズで複数のレーザ光を
コリメートするようにした装置である。
記載のレーザ光源装置がある。この装置は、複数の半導
体レーザからの光を１個のコリメータレンズの前方に配
設した複数個のダイクロイッププリズムで重ね合わせる
ようにし、１個のコリメータレンズで複数のレーザ光を
コリメートするようにした装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した２波長を１つ
の筐体内に納めた半導体レーザの従来例では、以下のよ
うな問題があった。
の筐体内に納めた半導体レーザの従来例では、以下のよ
うな問題があった。
【０００７】まず、特開平８−１８１５４号公報記載の
２波長半導体レーザにおいては、ダブルへテロ構造のク
ラッド層の１つも共有されているため２波長で組成を大
きく変えることができず、短長波長の波長差を１００ｎ
ｍとこれ以上は大きくできないという問題があった。
２波長半導体レーザにおいては、ダブルへテロ構造のク
ラッド層の１つも共有されているため２波長で組成を大
きく変えることができず、短長波長の波長差を１００ｎ
ｍとこれ以上は大きくできないという問題があった。
【０００８】また、特開平５−５８１７号公報記載の半
導体レーザモジュールにおいては、モジュール内にレン
ズ，波長板等が必要となり系が複雑となるという問題が
ある。
導体レーザモジュールにおいては、モジュール内にレン
ズ，波長板等が必要となり系が複雑となるという問題が
ある。
【０００９】さらに、特開昭６３−３０４２２２号公報
記載のレーザ光源装置では、コリメート光の合成のみで
あり、発散光での光軸の一致した合成を行うことはでき
ない。また、微調整機構をユニット内部に持ち、半導体
レーザを空中で保持するために、３軸制御が必要となる
という問題があった。
記載のレーザ光源装置では、コリメート光の合成のみで
あり、発散光での光軸の一致した合成を行うことはでき
ない。また、微調整機構をユニット内部に持ち、半導体
レーザを空中で保持するために、３軸制御が必要となる
という問題があった。
【００１０】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、複数の半導体レーザチップを１つの基盤上
に発光点位置を同じ位置にするように組み立てた複数波
長半導体モジュールを提供することにある。
するために、複数の半導体レーザチップを１つの基盤上
に発光点位置を同じ位置にするように組み立てた複数波
長半導体モジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体レーザモジュールは、異なる複数の
波長の半導体レーザチップを、出射側から見た場合その
発光点が同一になるように調整し、一つの基盤上に組み
立てたことを特徴とする。
に、本発明の半導体レーザモジュールは、異なる複数の
波長の半導体レーザチップを、出射側から見た場合その
発光点が同一になるように調整し、一つの基盤上に組み
立てたことを特徴とする。
【００１２】また、異なる複数の波長の半導体レーザチ
ップから発光した光のうち、所定の光を透過して出射
し、他の光を反射して出射する波長フィルタを備えるの
が好ましい。
ップから発光した光のうち、所定の光を透過して出射
し、他の光を反射して出射する波長フィルタを備えるの
が好ましい。
【００１３】さらに、調整は、異なる複数の波長の半導
体レーザチップの光軸が出射面において同じになるよう
にし、波長フィルタからの距離を等しくするのが好まし
い。
体レーザチップの光軸が出射面において同じになるよう
にし、波長フィルタからの距離を等しくするのが好まし
い。
【００１４】またさらに、波長フィルタの近傍にモニタ
フォトダイオードを設け、戻り光の影響を受けることな
く半導体レーザの出力をモニタできるのが好ましい。
フォトダイオードを設け、戻り光の影響を受けることな
く半導体レーザの出力をモニタできるのが好ましい。
【００１５】また、異なる複数の波長の数がｎ個である
とき、波長フィルタの数を（ｎ−１）個するのが好まし
い。
とき、波長フィルタの数を（ｎ−１）個するのが好まし
い。
【００１６】さらに、異なる複数の波長の半導体レーザ
チップから発光した光を反射または透過するハーフミラ
ーを備えるのが好ましい。
チップから発光した光を反射または透過するハーフミラ
ーを備えるのが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態の構成について詳細に説明する。
実施の形態の構成について詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の２波長半導体モジュール
の実施の形態の構成を示す概略図である。この２波長半
導体モジュール１は、筐体７内に基盤２内に波長フィル
タ５，半導体レーザチップＡ３，半導体レーザチップＢ
４を設置し、上部にカバーガラス６を配置している。半
導体レーザチップＡ３の光と、半導体レーザチップＢ４
の光とは、波長フィルタ５で合成され、モジュールの出
射側からみた場合、同一発光点と見なせるように調整さ
れている。この調整として、出射面においてそれぞれの
半導体チップの光軸が同じになるようにし、半導体チッ
プの発光点からカバーガラス６までの距離を同じにして
いる。また、基盤２に半導体レーザチップＡ３と半導体
レーザチップＢ４とが組み立てられている。このことに
より、本モジュール作製時には、半導体レーザの取り付
けに関して、Ｚ軸の位置とＸ軸，Ｙ軸に関する傾きを規
制できるため調整項目を減らすことができる。もちろ
ん、本モジュールを装置に組み込む場合は、１つの半導
体レーザとして見なせるので、取り付けは２波長である
ことを意識することなく容易である。このようにして、
２つの半導体レーザチップを１つの基盤上に組み立てる
ことにより、小型化、調整の容易さを得ることができ
る。
の実施の形態の構成を示す概略図である。この２波長半
導体モジュール１は、筐体７内に基盤２内に波長フィル
タ５，半導体レーザチップＡ３，半導体レーザチップＢ
４を設置し、上部にカバーガラス６を配置している。半
導体レーザチップＡ３の光と、半導体レーザチップＢ４
の光とは、波長フィルタ５で合成され、モジュールの出
射側からみた場合、同一発光点と見なせるように調整さ
れている。この調整として、出射面においてそれぞれの
半導体チップの光軸が同じになるようにし、半導体チッ
プの発光点からカバーガラス６までの距離を同じにして
いる。また、基盤２に半導体レーザチップＡ３と半導体
レーザチップＢ４とが組み立てられている。このことに
より、本モジュール作製時には、半導体レーザの取り付
けに関して、Ｚ軸の位置とＸ軸，Ｙ軸に関する傾きを規
制できるため調整項目を減らすことができる。もちろ
ん、本モジュールを装置に組み込む場合は、１つの半導
体レーザとして見なせるので、取り付けは２波長である
ことを意識することなく容易である。このようにして、
２つの半導体レーザチップを１つの基盤上に組み立てる
ことにより、小型化、調整の容易さを得ることができ
る。
【００１９】次に、半導体レーザチップＡ３および半導
体レーザチップＢ４の光の調整について説明すると、ま
ず、半導体レーザチップＡ３と半導体レーザチップＢ４
と波長フィルター５とは、基盤２上に組み立てられてい
る。半導体レーザチップＡ３から発光した光は、波長フ
ィルター５を透過して出射される。半導体レーザチップ
Ｂ４から発光した光は、波長フィルタ５で反射され出射
される。半導体レーザチップＡ３，Ｂ４の光軸は同一
に、波長フィルタ５からの距離は同じになるように調整
されており、２波長半導体レーザモジュール１の出射面
からみた場合、２つの半導体チップの発光点は同一点と
見なすことができる。
体レーザチップＢ４の光の調整について説明すると、ま
ず、半導体レーザチップＡ３と半導体レーザチップＢ４
と波長フィルター５とは、基盤２上に組み立てられてい
る。半導体レーザチップＡ３から発光した光は、波長フ
ィルター５を透過して出射される。半導体レーザチップ
Ｂ４から発光した光は、波長フィルタ５で反射され出射
される。半導体レーザチップＡ３，Ｂ４の光軸は同一
に、波長フィルタ５からの距離は同じになるように調整
されており、２波長半導体レーザモジュール１の出射面
からみた場合、２つの半導体チップの発光点は同一点と
見なすことができる。
【００２０】次に、図２は、本発明の２波長半導体レー
ザモジュール１の光ディスク装置への適用例を示す概略
図である。この適用例においては、本発明の特徴である
２つの波長の光が同一発光点にあることより、光学素子
１０から１３および１５を２波長対応にするだけで１波
長に対する光ディスク装置と構成を変更することなく利
用できる。図２を参照すると、２波長半導体レーザモジ
ュール１から発光した光は、偏光ビームスプリッタ１０
を透過する。偏光ビームスプリッタ１０を透過した光
は、コリメートレンズ１１によって平行光にされる。こ
の平行光は、１／４波長板１２によって直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光になった光は、対物レンズ１
３によって、光ディスク媒体１４上に集光され情報を読
みとる。光ディスク媒体１４からの反射光は、対物レン
ズ１３によって平行光にされる。平行にされた光は、１
／４波長板１２によって円偏光から行きの直線偏光に対
して９０度回転した直線偏光に変換される。直線偏光に
変換された光は、コリメートレンズ１１によって集光さ
れる。集光された光は、偏光ビームスプリッタ１０で反
射する。反射した光は、センサ１５上に集光され情報を
検出される。
ザモジュール１の光ディスク装置への適用例を示す概略
図である。この適用例においては、本発明の特徴である
２つの波長の光が同一発光点にあることより、光学素子
１０から１３および１５を２波長対応にするだけで１波
長に対する光ディスク装置と構成を変更することなく利
用できる。図２を参照すると、２波長半導体レーザモジ
ュール１から発光した光は、偏光ビームスプリッタ１０
を透過する。偏光ビームスプリッタ１０を透過した光
は、コリメートレンズ１１によって平行光にされる。こ
の平行光は、１／４波長板１２によって直線偏光から円
偏光に変換される。円偏光になった光は、対物レンズ１
３によって、光ディスク媒体１４上に集光され情報を読
みとる。光ディスク媒体１４からの反射光は、対物レン
ズ１３によって平行光にされる。平行にされた光は、１
／４波長板１２によって円偏光から行きの直線偏光に対
して９０度回転した直線偏光に変換される。直線偏光に
変換された光は、コリメートレンズ１１によって集光さ
れる。集光された光は、偏光ビームスプリッタ１０で反
射する。反射した光は、センサ１５上に集光され情報を
検出される。
【００２１】
【実施例】次に、図１を参照して、本発明の２波長半導
体レーザモジュールの第１の実施例について説明する。
基盤２上に波長６６０ｎｍの半導体レーザチップＡ３
と、波長７８０ｎｍの半導体レーザチップＢ４と、波長
フィルタ５とが組み立てられている。このときの波長フ
ィルタ５は、波長６６０ｎｍに対しては透過し、波長７
８０ｎｍに対しては反射するように設計されている。半
導体レーザチップＡ３から発光した光は、波長フィルタ
ー５を透過して出射される。半導体レーザチップＢ４か
ら発光した光は、波長フィルタ５で反射され出射され
る。このとき、半導体レーザチップＡ３，Ｂ４の光軸は
同一に、波長フィルタ５からの距離は同じになるように
調整されている。このとき、２波長半導体レーザモジュ
ール１の出射面（カバーガラス６の面側）からみた場
合、２つの半導体チップの発光点は同一点と見なすこと
ができる。
体レーザモジュールの第１の実施例について説明する。
基盤２上に波長６６０ｎｍの半導体レーザチップＡ３
と、波長７８０ｎｍの半導体レーザチップＢ４と、波長
フィルタ５とが組み立てられている。このときの波長フ
ィルタ５は、波長６６０ｎｍに対しては透過し、波長７
８０ｎｍに対しては反射するように設計されている。半
導体レーザチップＡ３から発光した光は、波長フィルタ
ー５を透過して出射される。半導体レーザチップＢ４か
ら発光した光は、波長フィルタ５で反射され出射され
る。このとき、半導体レーザチップＡ３，Ｂ４の光軸は
同一に、波長フィルタ５からの距離は同じになるように
調整されている。このとき、２波長半導体レーザモジュ
ール１の出射面（カバーガラス６の面側）からみた場
合、２つの半導体チップの発光点は同一点と見なすこと
ができる。
【００２２】また、調整時においては次のような特徴が
ある。２つの半導体レーザを用いて同様の構成を作る場
合、２つの半導体レーザの発光点を一致するために、調
整としてＸ，Ｙ，Ｚ軸調整と、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸を軸とする
回転調整とが必要となり、調整が困難である。しかし、
半導体レーザチップを基盤２上に組み立てることによ
り、Ｚ軸調整とＸ軸，Ｙ軸を軸とする回転調整とが不要
となり、調整が容易になる。もちろん、本モジュールを
装置に組み込む場合は、１つの半導体レーザとして見な
せるので、取り付けは２波長ということを意識する必要
が無く、取り付けは容易になる。この波長フィルタ５の
取り付け位置は、半導体レーザチップＡ３およびＢ４の
取り付け面に対して一段下がった位置にある。これは、
半導体レーザチップから出射された光を遮らないためで
ある。
ある。２つの半導体レーザを用いて同様の構成を作る場
合、２つの半導体レーザの発光点を一致するために、調
整としてＸ，Ｙ，Ｚ軸調整と、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸を軸とする
回転調整とが必要となり、調整が困難である。しかし、
半導体レーザチップを基盤２上に組み立てることによ
り、Ｚ軸調整とＸ軸，Ｙ軸を軸とする回転調整とが不要
となり、調整が容易になる。もちろん、本モジュールを
装置に組み込む場合は、１つの半導体レーザとして見な
せるので、取り付けは２波長ということを意識する必要
が無く、取り付けは容易になる。この波長フィルタ５の
取り付け位置は、半導体レーザチップＡ３およびＢ４の
取り付け面に対して一段下がった位置にある。これは、
半導体レーザチップから出射された光を遮らないためで
ある。
【００２３】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施例について説明する。本実施例では、図３に示すよう
に、波長フィルタ５の横にモニタフォトダイオード（以
下、モニタＰＤとする）２０をつけることにより戻り光
の影響を受けることなく半導体レーザの出力をモニタで
きる。波長フィルタ５では、それぞれの光は１００％の
透過又は反射を期待しているが、実際には、９５％位の
効果しかない。その５％位の漏れ光を利用して半導体レ
ーザの出力をモニタする。通常、半導体レーザチップに
は、出射側と反対面にモニタＰＤがつけられている。し
かし、本実施例では、２つの半導体レーザチップＡ３，
Ｂ４に対して１個のモニタＰＤ２０で半導体レーザの出
力をモニタできる。ただし、このときには、２つの半導
体レーザを同時に光らせたときのそれぞれのモニタ出力
を確認することはできない。
施例について説明する。本実施例では、図３に示すよう
に、波長フィルタ５の横にモニタフォトダイオード（以
下、モニタＰＤとする）２０をつけることにより戻り光
の影響を受けることなく半導体レーザの出力をモニタで
きる。波長フィルタ５では、それぞれの光は１００％の
透過又は反射を期待しているが、実際には、９５％位の
効果しかない。その５％位の漏れ光を利用して半導体レ
ーザの出力をモニタする。通常、半導体レーザチップに
は、出射側と反対面にモニタＰＤがつけられている。し
かし、本実施例では、２つの半導体レーザチップＡ３，
Ｂ４に対して１個のモニタＰＤ２０で半導体レーザの出
力をモニタできる。ただし、このときには、２つの半導
体レーザを同時に光らせたときのそれぞれのモニタ出力
を確認することはできない。
【００２４】次に、図４を参照して、本発明の第３の実
施例について詳細に説明する。本実施例では、２波長で
なく３波長での半導体レーザモジュールを示している。
この３波長半導体レーザモジュール４２は、まず波長フ
ィルタ５に他の波長フィルタ４１を縦列に並べる。他の
波長フィルタ４１は、半導体レーザチップＣ４０の波長
に対しては反射し、半導体レーザチップＢ４の波長に対
しては透過するように設計されている。また、３波長で
発光点を同一にするために、他の波長フィルタ４１によ
って半導体レーザチップＢ４がＹ軸方向にずれたため、
半導体レーザチップＡ３はＸ軸方向に同距離だけ移動し
ている。このように、他の波長フィルタ４１，半導体レ
ーザチップ４０などの部品を付加することにより、２波
長から３波長へと容易に拡張できる。同様に、大きさの
許す限りｎ波長でも拡張できる。
施例について詳細に説明する。本実施例では、２波長で
なく３波長での半導体レーザモジュールを示している。
この３波長半導体レーザモジュール４２は、まず波長フ
ィルタ５に他の波長フィルタ４１を縦列に並べる。他の
波長フィルタ４１は、半導体レーザチップＣ４０の波長
に対しては反射し、半導体レーザチップＢ４の波長に対
しては透過するように設計されている。また、３波長で
発光点を同一にするために、他の波長フィルタ４１によ
って半導体レーザチップＢ４がＹ軸方向にずれたため、
半導体レーザチップＡ３はＸ軸方向に同距離だけ移動し
ている。このように、他の波長フィルタ４１，半導体レ
ーザチップ４０などの部品を付加することにより、２波
長から３波長へと容易に拡張できる。同様に、大きさの
許す限りｎ波長でも拡張できる。
【００２５】次に、図１を参照して、本発明の第４の実
施例について説明する。図１においては、波長フィルタ
５を用いているが、半導体レーザの出射パワーに余裕が
ある場合は、ハーフミラーでも代用できる。ハーフミラ
ーの場合、半導体レーザチップＡ３では、ハーフミラー
で反射する光があり、また、同様に半導体レーザチップ
Ｂ４では、ハーフミラーで透過する光があり、これらの
光はモジュールの出射光として利用できない。しかし、
ハーフミラーは波長フィルタ５より値段が安く、コスト
の低下が期待できる。
施例について説明する。図１においては、波長フィルタ
５を用いているが、半導体レーザの出射パワーに余裕が
ある場合は、ハーフミラーでも代用できる。ハーフミラ
ーの場合、半導体レーザチップＡ３では、ハーフミラー
で反射する光があり、また、同様に半導体レーザチップ
Ｂ４では、ハーフミラーで透過する光があり、これらの
光はモジュールの出射光として利用できない。しかし、
ハーフミラーは波長フィルタ５より値段が安く、コスト
の低下が期待できる。
【００２６】以上説明したように、本発明の２波長半導
体レーザモジュールにおいては、半導体レーザを内部に
持たず、小型化でき、半導体チップの膜厚制御の精密さ
を利用して高さ方向や２軸の回転方向調整機構が無く、
調整機構を簡素化することができる。
体レーザモジュールにおいては、半導体レーザを内部に
持たず、小型化でき、半導体チップの膜厚制御の精密さ
を利用して高さ方向や２軸の回転方向調整機構が無く、
調整機構を簡素化することができる。
【００２７】また、２波長にとどまらず、複数波長の半
導体レーザモジュールに適用できることは言うまでもな
い。
導体レーザモジュールに適用できることは言うまでもな
い。
【００２８】
【発明の効果】本発明では、１つの基盤上に複数の半導
体レーザチップなどを集積している。従って、複数波長
半導体レーザが１つの筐体内に収まり、小型化できると
いう効果を奏する。
体レーザチップなどを集積している。従って、複数波長
半導体レーザが１つの筐体内に収まり、小型化できると
いう効果を奏する。
【００２９】また、複数の半導体レーザチップの発光点
がモジュールの出射面でみれば同一点となるように調整
されている。従って、複数の波長を使う用途に対して設
計が容易になるという効果を奏する。
がモジュールの出射面でみれば同一点となるように調整
されている。従って、複数の波長を使う用途に対して設
計が容易になるという効果を奏する。
【００３０】さらに、１つの基盤上に複数の半導体レー
ザチップを組み立てるため、調整軸が少なくなる。従っ
て、複数波長半導体レーザの調整が容易になるという効
果を奏する。
ザチップを組み立てるため、調整軸が少なくなる。従っ
て、複数波長半導体レーザの調整が容易になるという効
果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の形態の適用例を示す概略図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施例の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施例の構成を示す概略図であ
る。
る。
１ ２波長半導体レーザモジュール ２ 基盤 ３ 半導体レーザチップＡ ４ 半導体レーザチップＢ ５ 波長フィルタ ６ カバーガラス ７ 筐体 １０ 偏光ビームスプリッタ １１ コリメートレンズ １２ １／４波長板 １３ 対物レンズ １４ 光ディスク媒体 １５ センサ ２０ モニタＰＤ ４０ 半導体レーザチップＣ ４１ 波長フィルタＢ ４２ ３波長半導体レーザモジュール
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年８月２７日（１９９９．８．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体レーザモジュールは、異なる複数の
波長の半導体レーザチップと、半導体レーザチップから
発光した光のうち、所定の光を透過して、他の光を出射
する波長フィルタとを備えた半導体レーザモジュールに
おいて、半導体レーザチップと前記波長フィルタとを配
置する基盤と、半導体レーザチップ，波長フィルタ，基
盤とを収容する筐体と、筐体の一面に設けられ、光を出
射するためのカバーガラスとを備え、基盤に半導体レー
ザチップと波長フィルタとを配置すると同時に、半導体
レーザモジュールと波長フィルタとの位置関係を調整す
る高さ方向の調整および２軸の回転方向調整を同時に行
うことができることを特徴とする。
に、本発明の半導体レーザモジュールは、異なる複数の
波長の半導体レーザチップと、半導体レーザチップから
発光した光のうち、所定の光を透過して、他の光を出射
する波長フィルタとを備えた半導体レーザモジュールに
おいて、半導体レーザチップと前記波長フィルタとを配
置する基盤と、半導体レーザチップ，波長フィルタ，基
盤とを収容する筐体と、筐体の一面に設けられ、光を出
射するためのカバーガラスとを備え、基盤に半導体レー
ザチップと波長フィルタとを配置すると同時に、半導体
レーザモジュールと波長フィルタとの位置関係を調整す
る高さ方向の調整および２軸の回転方向調整を同時に行
うことができることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
Claims (6)
- 【請求項１】異なる複数の波長の半導体レーザチップ
を、出射側から見た場合その発光点が同一になるように
調整し、一つの基盤上に組み立てたことを特徴とする半
導体レーザモジュール。 - 【請求項２】前記異なる複数の波長の半導体レーザチッ
プから発光した光のうち、所定の光を透過して出射し、
他の光を反射して出射する波長フィルタを備えたことを
特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項３】前記調整は、前記異なる複数の波長の半導
体レーザチップの光軸が出射面において同じになるよう
にし、前記波長フィルタからの距離を等しくしたことを
特徴とする、請求項２に記載の半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項４】前記波長フィルタの近傍にモニタフォトダ
イオードを設け、戻り光の影響を受けることなく半導体
レーザの出力をモニタできることを特徴とする、請求項
２または３に記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項５】前記異なる複数の波長の数がｎであると
き、前記波長フィルタの数を（ｎ−１）個とすることを
特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の半導体レ
ーザモジュール。 - 【請求項６】前記異なる複数の波長の半導体レーザチッ
プから発光した光を反射または透過するハーフミラーを
備えたことを特徴とする、請求項１に記載の半導体レー
ザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174318A JP2000012957A (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 複数波長の半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174318A JP2000012957A (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 複数波長の半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012957A true JP2000012957A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=15976560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10174318A Pending JP2000012957A (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 複数波長の半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012957A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-06-22 JP JP10174318A patent/JP2000012957A/ja active Pending
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| US11307019B2 (en) | 2016-06-13 | 2022-04-19 | Vixar, Inc. | Self-mix module utilizing filters |
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