JPS63227091A - 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体レ−ザ装置およびその製造方法

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JPS63227091A
JPS63227091A JP62061535A JP6153587A JPS63227091A JP S63227091 A JPS63227091 A JP S63227091A JP 62061535 A JP62061535 A JP 62061535A JP 6153587 A JP6153587 A JP 6153587A JP S63227091 A JPS63227091 A JP S63227091A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser device
light emitting
emitting end
lens
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JP62061535A
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Kaoru Matsuda
薫 松田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光通信、光記録、光計測等に用いる半導体レー
ザ装置およびその製造方法に関するものである。
従来の技術 従来の半導体レーザ装置を第４図に示す。半導体レーザ
装置１からの出射光２は小さな活性層３がら空気中に向
けて出射されるため広がっておシ、その出射光２をコリ
メート光や集光するのにレンズ４を用いていた。
発明が解決しようとする問題点 従来の技術においては半導体レーザ装置からの出射光を
コリメート光や集束光等にビーム変換して用いることが
多く、その際に個々にレンズを用いて調整してビーム変
換する必要があった。
問題点を解決するための手段 本発明は上記従来技術の問題点を解決すべく、１つ以上
の光出射端面にレンズ効果を有する加工を施こした新規
構造の半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置を得
るための光出射端部を形成する工程と一つ以上の前記光
出射端部にレンズ効果を持たせる加工を施こす工程を有
した半導体レーザ装置の製造方法を提供するものである
。
作用 本発明の半導体レーザ装置の構成及び製造方法を用うろ
ことにより、半導体レーザ素子にレンズを一部プロセス
によシ形成することができ、出射光のビーム形状がコリ
メート光や集束光等の任意の半導体レーザ装置が容易に
得られる。
実施例 第１図に本発明の実施例の構成を、第２図に製造方法を
示す。第２図ａに示す様に通常の分布帰還型レーザ素子
１ｏ製造工程を行い、得られた分布帰還型レーザ素子１
０の活性層３を選択エツチングにより第２図すの様に一
部除却した。その後熱処理を行い、第２図Ｃに示す様に
マストランスファーによりクラッド層１１の組成をエツ
チングした活性層部分にたい積させ、光出射端部１２を
形成した。光出射端部１２の光出射端面１３に電子ビー
ム描画装置を用いてフレネルレンズ１４を形成したこと
によって、本実施例の半導体レーザ装置を得た。本実施
例では第１図に示す様にフレネルレンズ１４を分布帰還
型レーザ素子１ｏからの出射光２がコリメート光になる
様に設計した。
なお、本発明では、光出射端部１２形成にマストランス
ファーを用いたが、活性層の接合面と垂直方向へのエピ
タキシャル成長により形成してもよく、またその組成も
クラッド層と同組成でなくてもよい。またレンズ効果を
有する加工として、本実施例ではフレネルレンズ１４を
形成したが、第３図に示す様に光出射端部１２への不純
物拡散による光出射端部１２と屈折率の異なる拡散層１
５を形成してもよい。本実施例では分布帰還型レーザ素
子１ｏの発振波長を１．３μｍとしたが、０．８μｍ帯
でも１．６５μｍ帯でもいかなる波長でもよい。本実施
例では分布帰還型レーザ素子１０を用いたが、レーザ発
振に光出射端部をもうけることが悪影響を及ぼさない構
造のレーザ素子であれば、いかなるレーザ素子を用いて
もよい。
発明の効果 本発明の構成及び製造方法を用いることによって任意の
出射ビーム形状を有する半導体レーザ装置が一貫工程に
おいて容易に得られた。従って、レンズを用いて個々に
ビーム形状を変換する必要がなくなった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のレーザ装置の概略断面図、
第２図は本実施例のレーザ装置の製造方法を説明するだ
めの工程図、第３図は本発明の他の実施例のレーザ装置
の概略断面図、第４図は従来のレーザ装置を説明するた
めの概略構成図である。 ２・・・・・・出射光、３・・・・・・活性層、１０・
・・・・・レーザ素子、１’４・・・・・・フレネルレ
ンズ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光出射端面にレンズ効果を有する加工を施こして
    なる半導体レーザ装置。
  2. （２）レンズ効果を有する加工としてフレネルレンズを
    形成した特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置
    。
  3. （３）レンズ効果を有する加工として不純物を拡散した
    特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
  4. （４）半導体レーザとして分布帰還型レーザを用いた特
    許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
  5. （５）光出射端面を形成する工程と、前記光出射端面に
    レンズ効果を持たせる加工を施こす工程を有してなる半
    導体レーザ装置の製造方法。
  6. （６）光出射端面を形成する工程として、活性層のエッ
    チングとクラッド層のマストランスファーを用いた特許
    請求の範囲第５項記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  7. （７）光出射端面を形成する工程として、活性層の接合
    面と垂直方向にエピタキシャル成長を行った特許請求の
    範囲第５項記載の半導体レーザ装置の製造方法。
JP62061535A 1987-03-17 1987-03-17 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 Pending JPS63227091A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935939A (en) * 1989-05-24 1990-06-19 Liau Zong Long Surface emitting laser with monolithic integrated lens
US5430751A (en) * 1993-02-22 1995-07-04 U.S. Philips Corporation Semiconductor diode laser and method of manufacturing such a diode
JP2016100373A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 住友電気工業株式会社 光モジュール

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935939A (en) * 1989-05-24 1990-06-19 Liau Zong Long Surface emitting laser with monolithic integrated lens
US5430751A (en) * 1993-02-22 1995-07-04 U.S. Philips Corporation Semiconductor diode laser and method of manufacturing such a diode
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