JPS63192280A - 端面発光型半導体装置の製造方法 - Google Patents
端面発光型半導体装置の製造方法Info
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- JPS63192280A JPS63192280A JP62023940A JP2394087A JPS63192280A JP S63192280 A JPS63192280 A JP S63192280A JP 62023940 A JP62023940 A JP 62023940A JP 2394087 A JP2394087 A JP 2394087A JP S63192280 A JPS63192280 A JP S63192280A
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- Japan
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- lens
- edge
- light emitting
- photosensitive material
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
この発明は、高出力化を図った端面発光型半導体装置の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
第３図は従来の、例えば端面発光型ＬＥＤを示す斜視図
である。この図において、１はｎ形基板、２は下クラッ
ド層であるｎ形りラッド層、３は活性層、４は上クラッ
ド層であるｐ形りラッド層、５は絶縁膜、６はｐ側電極
、７は口側電極である。
である。この図において、１はｎ形基板、２は下クラッ
ド層であるｎ形りラッド層、３は活性層、４は上クラッ
ド層であるｐ形りラッド層、５は絶縁膜、６はｐ側電極
、７は口側電極である。
第３図の端面発光型ＬＥＤにｌ１ｌｉ方向バイアスを印
加した場合、電流は絶縁膜５がストライブ状に除去され
た素子中央部に集中して流れ、活性層３内で光′に変換
される。活性層３内で生じた光はｎ形りラッド層２．ｐ
形りラッド層４によって閉じ込められ、活性層３内を伝
播して端面から光出力面に平行な方向には光を閉じ込め
る機構が存在しないため、特に水平方向の出射光の拡が
りが大きい。横方向に光の閉じ込み構造がある場合でも
、端面発光型ＬＥＤは指向性に乏しく、やはり光の拡が
りは大きい。そのため、コア径の小さい光ファイバに対
しては一部の光しか入射させることができず、小さいフ
ァイバ内光出力しか得られないという問題点があった。
加した場合、電流は絶縁膜５がストライブ状に除去され
た素子中央部に集中して流れ、活性層３内で光′に変換
される。活性層３内で生じた光はｎ形りラッド層２．ｐ
形りラッド層４によって閉じ込められ、活性層３内を伝
播して端面から光出力面に平行な方向には光を閉じ込め
る機構が存在しないため、特に水平方向の出射光の拡が
りが大きい。横方向に光の閉じ込み構造がある場合でも
、端面発光型ＬＥＤは指向性に乏しく、やはり光の拡が
りは大きい。そのため、コア径の小さい光ファイバに対
しては一部の光しか入射させることができず、小さいフ
ァイバ内光出力しか得られないという問題点があった。
また、従来、このような結合効率の低さを改善する目的
で出射端面に球レンズを取り付けた例がある。しかし、
発光領域が小さいために球レンズを精度良く取り付ける
ことは難しく、また、素子１個ずつに対して取り付けな
ければならないため、量産性に欠ける等の問題点があっ
た。
で出射端面に球レンズを取り付けた例がある。しかし、
発光領域が小さいために球レンズを精度良く取り付ける
ことは難しく、また、素子１個ずつに対して取り付けな
ければならないため、量産性に欠ける等の問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ファイバ結合効率が改善され、大きなファ
イバ内光出力が実現できるとともに、量産性に優れた端
面発光型半導体装置の製造方法を提供する乙とを目的と
する。
れたもので、ファイバ結合効率が改善され、大きなファ
イバ内光出力が実現できるとともに、量産性に優れた端
面発光型半導体装置の製造方法を提供する乙とを目的と
する。
この発明に係る端面発光型半導体装置の製造方法は、ウ
ェハの所定位置にストライブ状の溝を掘ることにより出
射端面を形成し、その後、溝内を感光性材料で埋め込み
、写真製版により感光性材料を加工する乙とにより出射
端面に集束レンズを形成するものである。
ェハの所定位置にストライブ状の溝を掘ることにより出
射端面を形成し、その後、溝内を感光性材料で埋め込み
、写真製版により感光性材料を加工する乙とにより出射
端面に集束レンズを形成するものである。
この発明においては、出射端面に形成された感光性材料
を写真製版により加工してレンズを形成するので、任意
の形状、サイズのレンズを精度良く作製できろ。
を写真製版により加工してレンズを形成するので、任意
の形状、サイズのレンズを精度良く作製できろ。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明による製造方法によって得られた端面
発光型ＬＥＤの一例を示す斜視図である。
発光型ＬＥＤの一例を示す斜視図である。
第１図において、１〜７は第３図と同じものであり、８
はエツチングによって形成された端面、９は前記端面８
の中央部の発光領域に形成された感光性材料からなるレ
ンズである。
はエツチングによって形成された端面、９は前記端面８
の中央部の発光領域に形成された感光性材料からなるレ
ンズである。
次に、第１図の端面発光型ＬＥＤの製造方法の一実施例
を第２図（ａ）〜（ｅ）により説明する。
を第２図（ａ）〜（ｅ）により説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、ｎ形基板１上に下ク
ラッド層であるｎ形りラッド層２．活性層３、上クラッ
ド層であるｐ形りラッド層４を順次成長する。次に、第
２図（ｂ）に示すように、写真製版、エツチングによっ
て１形りラッド層２にまで達するストライブ状の溝２１
を堀って端面８を形成する。次に、第２図（ｅ）に示す
ように、溝２１内を感光性材料、例えば感光性高分子材
′１４２２で埋め込んだ後、溝２１以外の部分に第１図
に示すように絶縁膜５ｐｐ側、ｎ＠電極６，７を形成す
る。次に、第２図（ｄ）に示すように、写真製版によｔ
）、ｊｆｆ２１内に埋め込まれた感光性高分子材料２２
を端面８に接したレンズ状の部分を残して他の部分を除
去し、端面８に感光性高分子材料２２からなるレンズ９
を所定のパターンで形成する。
ラッド層であるｎ形りラッド層２．活性層３、上クラッ
ド層であるｐ形りラッド層４を順次成長する。次に、第
２図（ｂ）に示すように、写真製版、エツチングによっ
て１形りラッド層２にまで達するストライブ状の溝２１
を堀って端面８を形成する。次に、第２図（ｅ）に示す
ように、溝２１内を感光性材料、例えば感光性高分子材
′１４２２で埋め込んだ後、溝２１以外の部分に第１図
に示すように絶縁膜５ｐｐ側、ｎ＠電極６，７を形成す
る。次に、第２図（ｄ）に示すように、写真製版によｔ
）、ｊｆｆ２１内に埋め込まれた感光性高分子材料２２
を端面８に接したレンズ状の部分を残して他の部分を除
去し、端面８に感光性高分子材料２２からなるレンズ９
を所定のパターンで形成する。
次に、所要の位置から分割することにより、第２図（ｅ
）に示すような端面発光型ＬＥＤが得られる。
）に示すような端面発光型ＬＥＤが得られる。
この発明による第１図の端面発光型ＬＥＤでは、発光領
域の端面８に感光性高分子材料２２からなるレンズ９が
形成されているので、水平方向の出射光の拡がりを集束
させることができる。また、端面８における屈折率差を
小さくして端面８での屈折２反射による損失を減少させ
ることができる。
域の端面８に感光性高分子材料２２からなるレンズ９が
形成されているので、水平方向の出射光の拡がりを集束
させることができる。また、端面８における屈折率差を
小さくして端面８での屈折２反射による損失を減少させ
ることができる。
その結果、出射光のうち光ファイバ（図示せず）に入力
される光の割合が増加し、大きなファイバ内光出力が得
られる。
される光の割合が増加し、大きなファイバ内光出力が得
られる。
また、端面８にレンズ９を装着する場合、レンズ９の直
径はファイバのコア径以下が望ましいが、この発明によ
る製造方法では、写真製版によってレンズ９を形成する
ので、直径の小さいレンズも精度良く形成することが可
能である。
径はファイバのコア径以下が望ましいが、この発明によ
る製造方法では、写真製版によってレンズ９を形成する
ので、直径の小さいレンズも精度良く形成することが可
能である。
また、レンズ９の位置も写真製版により精度良く形成で
きるので、レンズ９と光軸のずれによる光出力の低下を
小さくすることができる。
きるので、レンズ９と光軸のずれによる光出力の低下を
小さくすることができる。
また、ウェハの状態で写真製版を行ってレンズ９を形成
するので量産性の点で優れている。
するので量産性の点で優れている。
なお、上記実施例では電極ストライプ型の端面発光型Ｌ
ＥＤを例にあげて説明を行ったが、他の構造の端面発光
型ＬＥＤや半導体レーザ等の端面発光型半導体装置にも
適用できる。
ＥＤを例にあげて説明を行ったが、他の構造の端面発光
型ＬＥＤや半導体レーザ等の端面発光型半導体装置にも
適用できる。
以上説明したように、この発明は、ウェハ状態で、スト
ライブ状の溝をエツチングすることによって出射端面を
形成し、この溝内を感光性材料で埋め込み、写真製版に
より感光性材料を加工して所要数のレンズを形成するよ
うにしなので、極めて精度の良いレンズが形成できると
ともに、出射端面からの水平方向の出射光の拡がりを集
束させることができる。したがって、光ファイバとの結
合効率が高く、大きなファイバ内光出力が得られる端面
発光型半導体装置を精度良く、かつ容易に製造できる効
果がある。
ライブ状の溝をエツチングすることによって出射端面を
形成し、この溝内を感光性材料で埋め込み、写真製版に
より感光性材料を加工して所要数のレンズを形成するよ
うにしなので、極めて精度の良いレンズが形成できると
ともに、出射端面からの水平方向の出射光の拡がりを集
束させることができる。したがって、光ファイバとの結
合効率が高く、大きなファイバ内光出力が得られる端面
発光型半導体装置を精度良く、かつ容易に製造できる効
果がある。
第１図はこの発明による端面発光型半導体装置を示す斜
視図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の端面発光型半
導体装置の製造方法の工程を説明する斜視図、第３図は
従来の端面発光型ＬＥＤを示す斜視図である。 図において、１はｎ形基板、２ばｎ形りラッド層、３は
活性層、４はｐ形りラッド層、８は端面、９は感光性材
料からなるレンズ、２１は溝、２２は感光性高分子材料
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第３図 第２図 （ａ）
視図、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の端面発光型半
導体装置の製造方法の工程を説明する斜視図、第３図は
従来の端面発光型ＬＥＤを示す斜視図である。 図において、１はｎ形基板、２ばｎ形りラッド層、３は
活性層、４はｐ形りラッド層、８は端面、９は感光性材
料からなるレンズ、２１は溝、２２は感光性高分子材料
である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第３図 第２図 （ａ）
Claims (1)
- 半導体基板上に下クラッド層、活性層、および上クラッ
ド層が順次形成されたウェハの所定位置に前記下クラッ
ド層に達する所定深さのストライプ状の溝を掘ることに
よって出射端面を形成する工程と、前記溝内を感光性材
料で埋め込む工程と、写真製版により前記感光性材料を
所要数のレンズに加工する工程と、前記レンズを備えた
端面発光型半導体装置に分割する工程とを含むことを特
徴とする端面発光型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023940A JPS63192280A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 端面発光型半導体装置の製造方法 |
| US07/130,547 US4788161A (en) | 1987-02-04 | 1987-12-09 | Method of producing an end surface light emission type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023940A JPS63192280A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 端面発光型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63192280A true JPS63192280A (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=12124528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023940A Pending JPS63192280A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | 端面発光型半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4788161A (ja) |
| JP (1) | JPS63192280A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124486A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| US4910166A (en) * | 1989-01-17 | 1990-03-20 | General Electric Company | Method for partially coating laser diode facets |
| US5081063A (en) * | 1989-07-20 | 1992-01-14 | Harris Corporation | Method of making edge-connected integrated circuit structure |
| US5185292A (en) * | 1989-07-20 | 1993-02-09 | Harris Corporation | Process for forming extremely thin edge-connectable integrated circuit structure |
| US5472886A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Structure of and method for manufacturing an LED |
| JPH09298339A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
| US6329676B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-12-11 | Toru Takayama | Flat panel solid state light source |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3820237A (en) * | 1971-05-17 | 1974-06-28 | Northern Electric Co | Process for packaging light emitting devices |
| US3823431A (en) * | 1973-04-23 | 1974-07-16 | Bangor Punta Operations Inc | Convertible top for boats and the like |
| US3981023A (en) * | 1974-09-16 | 1976-09-14 | Northern Electric Company Limited | Integral lens light emitting diode |
| US3964157A (en) * | 1974-10-31 | 1976-06-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of mounting semiconductor chips |
| JPS55102282A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emitting diode and method of fabricating the same |
| US4501637A (en) * | 1981-06-12 | 1985-02-26 | Motorola, Inc. | LED having self-aligned lens |
| DE3532821A1 (de) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 | Siemens Ag | Leuchtdiode (led) mit sphaerischer linse |
| JPH107874A (ja) * | 1996-04-26 | 1998-01-13 | Nof Corp | 流動性改良剤及びそれを含有する熱可塑性樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP62023940A patent/JPS63192280A/ja active Pending
- 1987-12-09 US US07/130,547 patent/US4788161A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4788161A (en) | 1988-11-29 |
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