CN101453099A - 半导体装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种半导体装置及半导体装置的制造方法，通过将半导体元件(22)装设在具有将作为半导体元件(22)的装设部的平面部设置在圆柱的一部分上的形状的座部(24)上，将座部(24)插入、密封封固在盖帽(25)内，使圆柱部与盖帽(25)接触，并以可装设半导体元件(22)的装设部的宽度尽可能地缩小座部(24)的圆柱形状，可实现半导体装置(100)的高散热性和薄型化，并实现光拾取装置和光盘驱动器的小型化。

Description

半导体装置及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，装设在DVD刻录机(recorder)、个人计算机和蓝光刻录机上的大容量可擦写型光盘急速普及。尤其是在将其装设在笔记本电脑等便携设备上时，十分希望光盘驱动器薄型化。
为使光盘驱动器薄型化，重要的是使光拾取装置薄型化。为实现此薄型化，在光拾取装置的光学设计和机构设计中，人们期望通过在保持主要构成零件的性能和功能不变的情况下重新审视主要构成零件的构造来实现薄型化。
作为光拾取装置的主要构成零件，例如有半导体激光器和信号检测用光接收元件，通过使装设它们的半导体装置薄型化，可实现光拾取装置的薄型化。
下面参照图9A、图9B、图10来说明以往典型的半导体装置的结构例和光拾取装置的结构例。
图9A、图9B是例示以往的半导体装置的结构的示意图，图10是例示以往的光拾取装置的结构例的示意图
在图9A中，半导体装置1包括：半导体元件2、座部4、帽盖5、供半导体元件2输出的激光18穿透的玻璃6、一对引线端子7、将半导体元件2的阳极和阴极这两个电极与引线端子7连接的导线8、以及用于将引线端子7固定到设置在座部4上的贯穿孔内的低熔点玻璃9。
在图9A的半导体装置1的制造方法中，首先用低熔点玻璃9将用于与半导体元件2电连接并朝封装体外部引出的引线端子7固定到座部4上。接着，将半导体元件2接合到该座部4上，并用导线8将半导体元件2的阳极和阴极这两个电极连接到一对引线端子7上。然后，用低熔点玻璃将玻璃6固定到盖帽的端面窗部，最后，通过密封焊接将盖帽5固定到座部4的平面部上封固。由此，可实现将调和的各种气体封入内部的气密封固。
图10是例示装设有上述半导体装置1的以往的光拾取装置的示意图。
在图10中，半导体装置1安装在光拾取装置12的框体13上。半导体装置1和光盘14在此通过准直透镜即光学零件15、立镜16和物镜17以光学方式连结。即，从图10的半导体器件1的半导体激光器(未图示)射出的激光18被光学零件15准直成平行光，并利用立镜16将光路偏转90°，之后，被物镜17聚焦到记录在光盘14上的凹区上。读取了该凹区上的信号的激光18在光盘14处被反射，沿相同路径返回。此时，由于配置在光学零件15与立镜16之间的衍射光学零件19，激光18被分路，并被光学零件聚光而入射至光接收元件(未图示)，对记录在光盘14上的信号进行读取。
为使这种光拾取装置12薄型化，可减小半导体装置1的外形尺寸11。即，可通过减小半导体装置1的外形尺寸11来实现光盘驱动器的薄型化。
然而，采用上述以往的半导体装置1的结构时，为了对座部4和盖帽5进行密封，座部4需要有与盖帽5的端部平面接触的面积，若考虑尺寸公差，则半导体装置的外形11的最小尺寸会被限制，很难实现使用该半导体装置1的光拾取装置12的薄型化。
对此，如图9B所示，通过放弃密封焊接构造，可实现外形尺寸11的小型化。
在图9B的半导体装置1的制造方法中，首先，用低熔点玻璃9等绝缘物将引线端子7固定到预先通过金属薄板的拉深加工而形成的座部4的内部。接着，将半导体元件2和次底座3接合到该座部4上，并用导线8将半导体元件2的阳极和阴极这两个电极连接到一对引线端子7上。然后，使座部4紧贴地插入到用低熔点玻璃将玻璃6固定于端面窗部的盖帽5的内部，基于座部4的外形和盖帽5的内径尺寸的尺寸公差来压入嵌合，由此完成气密封固。采用该结构，半导体装置的外形尺寸11可省去密封所需的平面部分，因此，与图9A所示的结构相比，可进一步小型化。
然而，随着笔记本电脑等便携设备的小型化，不仅要求所装设的光盘驱动器的薄型化，进而要求半导体装置的进一步薄型化，而且，在用于记录时，为了进一步的高速化必须提高输出功率，同时又要确保散热特性，否则就无法确保半导体装置的可靠性。
针对这种要求，在图9B的半导体装置中，由于座部4通过拉深加工形成，因此其小型化也有限，可能会导致半导体元件2的安装面的加工尺寸精度变差，从而可能会给半导体装置的性能带来不良影响。具体而言，很难将图9B所示的半导体装置做成外形尺寸11为2mm以下的尺寸。另外，从散热性的角度来看，由于座部4的半导体元件2和次底座3的安装面位于拉深加工形成的薄板零件的前端，而朝外部散热的散热部即与盖帽5的内表面的接触部仅是其根部部分即圆形部分，因此无法确保座部4与盖帽5之间具有较大的接触面积，且来自半导体激光器2的安装面的散热路径细而薄，热容量小，存在无法获得充分的散热特性的问题。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于实现半导体装置的高散热性和薄型化。
为了实现上述目的，本发明的半导体装置，其特征在于，包括：设置有框体部和半导体元件的装设部的座部；与所述半导体元件电连接、并作为外部端子的配线部件；形成在所述座部上、将所述配线部件嵌合保持的狭缝；将保持了所述配线部件并装设了所述半导体元件的所述座部以与所述框体部接触的状态包围、并具有供所述配线部件的外部端子部分露出的开口部的盖帽；以及为了将所述座部密封封固在所述盖帽内而设置在所述开口部中的封固材料，所述框体部的内部尺寸与作为所述半导体元件的装设面所需的最小宽度大致相同。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，包括：设置有框体部和半导体激光器的装设部的座部；与所述半导体激光器电连接、并作为外部端子的配线部件；形成在所述座部上、将所述配线部件嵌合保持的狭缝；将保持了所述配线部件并装设了所述半导体激光器的所述座部以与所述框体部接触的状态包围、并具有供所述配线部件的外部端子部分露出的开口部的盖帽；设置在所述盖帽的与所述开口部相对的面上的贯穿孔；设置在所述贯穿孔内的透明部件；以及为了将所述座部密封封固在所述盖帽内而设置在所述开口部中的封固材料，所述框体部的内部尺寸与作为所述半导体激光器的装设面所需的最小宽度大致相同。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，所述框体部为圆柱形，所述装设部通过在所述圆柱形的框体部的一部分上形成平面部而形成，所述框体部的圆柱部分与所述盖帽接触，所述圆柱部分的截面圆直径与作为所述半导体激光器的装设面所需的最小宽度大致相同。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的贯穿孔内具有光学零件。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，所述半导体激光器是氮化物半导体激光器。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，混合安装光接收元件。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，在所述座部的侧面上具有切割面。
另外，本发明的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的所述开口部侧的端部形成有凸缘，对其一个面或两个面进行切割，形成直线部分。
另外，本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，在制造所述半导体装置时，包括：将所述半导体激光器粘接到所述座部的装设部上的安装工序、将所述半导体激光器与所述柔性配线彼此连接的工序、以及之后将所述座部与所述盖帽固定的工序，将所述座部与所述盖帽固定的工序是通过压入嵌合和使用封固剂的气密封固来实施的。
附图说明
图1A是表示第1实施形态的半导体装置的结构的图。
图1B是表示第1实施形态的半导体装置的结构的图。
图1C是表示第1实施形态的半导体装置的结构的图。
图2A是表示柔性配线被折弯的半导体装置的结构的图。
图2B是表示柔性配线被折弯的半导体装置的结构的图。
图3A是表示将光接收元件混合安装的半导体装置的结构的图。
图3B是表示将光接收元件混合安装的半导体装置的结构的图。
图4是表示在座部的圆柱部上形成的狭缝的形状的圆柱部的剖视图。
图5是表示第2实施形态的半导体装置的制造方法和制造装置的立体图。
图6是表示第2实施形态的半导体装置的制造方法和制造装置的立体图。
图7是表示第3实施形态的光拾取装置的示意图。
图8是表示使用本发明的光拾取装置的光盘驱动器的概略结构图。
图9A是例示以往的半导体装置的结构的示意图。
图9B是例示以往的半导体装置的结构的示意图。
图10是例示以往的光拾取装置的结构例的示意图。
具体实施方式
下面参照附图对本发明实施形态的半导体装置进行说明。另外，有时也会省略附图中标注相同符号处的说明
(第1实施形态)
图1A、图1B、图1C、图2A、图2B、图3A、图3B、图4表示了本发明的实施形态。
图1A、图1B、图1C是表示第1实施形态的半导体装置的结构的图，图1A是本发明第1实施形态的半导体装置的立体图，图1B是第1实施形态的半导体装置的盖帽进行组装前的半导体装置的结构的立体图，图1C是第1实施形态的半导体装置的剖视图。图2A、图2B是表示柔性配线被折弯的半导体装置的结构的图，图2A是立体图，图2B是剖视图。图3A、图3B是表示将光接收元件混合安装的半导体装置的结构的图，图3A是立体图，图3B是剖视图。图4是表示在座部的圆柱部上形成的狭缝的形状的圆柱部的剖视图。
在图1A、图1B、图1C中，本发明的半导体装置100包括：半导体元件22、半导体元件22的次底座23、座部24、设置有供半导体元件22输出的激光通过的贯穿孔的帽盖25、固定在该贯穿孔内的玻璃26、柔性配线27、将半导体元件22的阳极和阴极这两个电极与柔性配线27连接的导线28、以及用于在将座部24压入嵌合到盖帽25中而装入后进行封固固定的封固材料29。在此使用了玻璃26，但也可使用能穿透激光的透明部件。另外，也可使用布置了配线且配线前端成为端子的配线基板和引线框等配线部件来代替柔性配线27。
座部24由圆柱状的材料形成，包括装设面和圆柱部。装设面是对半导体元件22、次底座23以及用于将半导体元件22和外部电连接的柔性配线27的内部配线部进行固定的面。另外，用于设置上述各部件的装设面通过对圆柱状材料的一部分沿圆柱的长度方向进行切割而形成。在使装设在次底座23上的半导体元件22的激光射出面朝向与座部24的配置有柔性配线的方向相反的方向的状态下，使用焊料将次底座23安装在座部24的基座上。在进行该安装的工序中，由于在半导体元件22的平面方向的四个方向上不存在座部24的框体和引线配线端子，因此吸附半导体元件22的卡盘与座部24不会发生干涉。因此，相对于半导体元件22或次底座23的外形尺寸，可将座部24的半导体元件22或次底座23的装设面即半导体元件的装设面的尺寸设定成所需的最小尺寸，进而还可将盖帽25的外形尺寸设定成最小。具体而言，作为装设面，只需确保在半导体元件22或次底座23的外形尺寸上加上了设置误差的尺寸、确保可防止因半导体元件22或次底座23的厚度而与盖帽25干涉的尺寸、或者确保可在不考虑卡盘的干涉等的情况下装设半导体元件所需的最小区域即可。另外，通过将装设面形成在包含圆柱直径的截面上，可将圆柱的直径做成最小，将座部的尺寸做成最小，实现半导体装置的薄型化。即，通过将圆柱的截面圆直径做成与装设面所需的最小宽度大致相同，将装设面的宽度做成截面圆直径的宽度，可将座部的外形尺寸形成为对次底座的与半导体元件22的激光射出方向成直角的方向上的尺寸加上800μm的外形尺寸。
这是以往的半导体装置的厚度和宽度的一半以下的尺寸，可制作安装时的厚度为2mm以下的半导体装置。
采用本实施形态的结构，可减小半导体装置的厚度，实现半导体装置的薄型化。
另外，由于将座部完全内置在盖帽内部，座部与盖帽以圆柱部接触，因此可确保座部与盖帽之间的接触面积较大，使半导体元件产生的热量从盖帽整体进行散热，提高散热性能。
至于柔性配线27的配置，如图4所示，在座部圆柱部上设置具有一定狭缝宽度38的狭缝，并将柔性配线27夹在其内部固定地配置。该狭缝宽度38可根据所使用的柔性配线27的厚度尺寸设定成最小，至于设置后的间隙，则可通过在后述的封固工序中进行填充来确保气密性。
另外，在本发明的半导体装置100中，在将半导体元件22的阳极和阴极这两个电极与柔性配线27用导线28连接后，将座部24插入盖帽25，并在盖帽开口侧部分涂布、填充封固材料29，从而进行座部24的封固固定。该封固材料可根据所装设的半导体元件22进行选择，但典型的例子是使用低熔点焊锡，这样一来，即使半导体元件22是氮化物半导体激光器，也不会因从氮化物半导体激光器射出的激光与有机化合物起化学反应、其化合物堆积在氮化物半导体激光器的射出端面上而导致氮化物半导体激光器的特性变差和可靠性变差，可实现可靠性好的半导体装置。在其它半导体元件时，还可使用生产性好的树脂类的粘结剂。
另外，如图2A、图2B所示，在本发明的半导体装置中，也可使座部24的内部配线侧的柔性配线27相对于半导体元件22的装设面成直角折弯固定。采用该结构，则不需要配置柔性配线27的内部配线侧的平面空间，半导体装置的全长方向的尺寸可缩短大致1mm。此时，将半导体元件22及次底座23与柔性配线27彼此连接的导线28需要朝直角方向进行接合动作，但这可用现有的设备来实现，不存在问题。
然而，对于可擦写型光盘而言，高输出功率半导体激光器的光输出功率的控制很重要。若光输出功率过大，则会将光盘中记录的信息擦除。另外，还会因对半导体激光器施加大的负载而产生影响可靠性的问题。若光输出功率小于规定的输出功率，则对光盘记录时不能完全擦除之前所记录的内容，会产生记录本身不完备的问题。另外，还会产生不能准确读取所记录的信息的问题。因此，使高输出功率半导体激光器的光输出功率保持恒定并准确地进行控制非常重要。为此，通常对从高输出功率半导体激光器朝光盘射出的一部分激光进行检测，根据该检测值来控制激光器电源的电流值，以使光输出功率保持恒定。
图3A、图3B表示了为检测高输出功率半导体激光器的光输出功率的一部分而装设在柔性配线上的光输出功率监视器用的光接收元件35。由于在半导体元件22后端面的后方形成光输出功率监视器用的光接收元件35，因此可通过接收从半导体元件22的后端面射出的激光(未图示)的一部分，推测激光整体的光输出功率，对驱动激光的电流值进行控制，来准确地维持期望的光输出功率。因此，一定输出功率的激光可更稳定地从半导体装置输出。
另外，如图1A所示，通过在盖帽端部设置凸缘32，对其一部分切割而在一个面或两个面上设置切割部39，可高精度地保持盖帽25，或者也可在将作为成品的半导体装置100朝光拾取装置装入时准确地定位，提高例如半导体装置的安装精度。此外，还可在光拾取装置的制造中提高半导体装置的安装精度，提高半导体装置和光拾取装置在制造中的成品率。
另外，在本实施形态中，关于座部24，说明的是使用金属座部的结构，但也可使用其它的树脂制座部等，至于座部25的材料和形态，只要是光设备使用的材料和形态，则没有限制，也能以圆柱以外的形态设置框体部和装设部。
另外，在本实施形态中，作为半导体元件，以半导体激光元件为例进行了说明，但对于装设其它半导体元件的半导体装置，也可采用同样的结构。
(第2实施形态)
下面参照图1A、图1B、图1C、图5、图6对本发明的半导体装置的制造方法和制造装置进行说明。
图5是表示第2实施形态的半导体装置的制造方法和制造装置的立体图，图6是表示第2实施形态的半导体装置的制造方法和制造装置的立体图。
在图5中，本发明的半导体装置的制造方法及其制造装置是由用于高精度地保持、固定座部24的限制爪36来进行固定的机构。像这样，通过用限制爪36对设置在座部24上的切割面34予以保持，在半导体元件22和次底座23进行安装固定以及导线28进行连接时也可高精度地进行定位。
图6表示了在将座部24插入盖帽25后涂布、填充封固材料的制造方法。使盖帽25的开口部朝上，用例如分配装置等来涂布封固材料，将其填充到狭缝宽度38和座部24的外形周边部，通过固定来完成封固。此时，由于在设置半导体元件22的内部残留有大气或经调整后的各种气体，因此不会有过多的封固材料从狭缝宽度38流入。
采用本实施形态的制造方法及其制造装置，可在第1实施形态所示的半导体装置中容易地实现薄型和气密封固。
(第3实施形态)
图7是表示第3实施形态的光拾取装置的示意图，是装设有第1实施形态所示的半导体装置的光拾取装置101的示意图。
在图7中，将从半导体装置100的半导体激光器芯片(未图示)射出的激光102例如用准直透镜等光学部件103准直成平行光，并利用立镜104将光路偏转90°，之后，利用物镜105将其聚焦到记录在光盘106上的凹区上。读取了该凹区上的信号的激光102在光盘106处被反射，沿相同路径逆向返回到半导体装置100。此时，由于配置在光学部件103与立镜104之间的衍射光学部件108，激光102被分路，并被光学部件103聚光而入射至光接收元件(未图示)，对记录在光盘上的信号进行读取。此外，光盘106随利用主轴电动机进行旋转的转轴109而旋转。
这样构成的光拾取器装置101的厚度取决于半导体装置100的厚度107，在本实施形态中，可实现图10所示的以往的光拾取器装置12的厚度的80％的厚度。
图8是表示本发明的光盘驱动器的概略结构图，表示使用本实施形态的光拾取器装置101的光盘驱动装置(下面称作光盘驱动器)110。
图8中，光盘驱动器110利用使光盘106旋转的驱动机构来驱动转轴109。为了记录、播放光盘106的信号，光拾取装置101利用可在光盘的半径方向上自由移动的横动机构的支承轴111、112沿移动方向113移动。由于在光拾取器装置101上装设了薄型化的本发明的半导体装置100，因此如参照图7所述的那样，可使光拾取器装置101薄型化。
另外，本实施形态中，半导体激光器也可使用双波长激光器和三波长激光器等多波长激光器。

Claims (15)

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
座部，该座部设置有框体部和半导体元件的装设部；
配线部件，该配线部件与所述半导体元件电连接，并作为外部端子；
狭缝，该狭缝形成在所述座部上，将所述配线部件嵌合保持；
盖帽，该盖帽将保持了所述配线部件并装设了所述半导体元件的所述座部以与所述框体部接触的状态包围，并具有供所述配线部件的外部端子部分露出的开口部；以及
封固材料，该封固材料为了将所述座部密封封固在所述盖帽内而设置在所述开口部中，
所述框体部的内部尺寸与作为所述半导体元件的装设面所需的最小宽度大致相同。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述框体部为圆柱形，所述装设部通过在所述圆柱形的框体部的一部分上形成平面部而形成，所述框体部的圆柱部分与所述盖帽接触，所述圆柱部分的截面圆直径与作为所述半导体元件的装设面所需的最小宽度大致相同。
3.一种半导体装置，其特征在于，包括：
座部，该座部设置有框体部和半导体激光器的装设部；
配线部件，该配线部件与所述半导体激光器电连接，并作为外部端子；
狭缝，该狭缝形成在所述座部上，将所述配线部件嵌合保持；
盖帽，该盖帽将保持了所述配线部件并装设了所述半导体激光器的所述座部以与所述框体部接触的状态包围，并具有供所述配线部件的外部端子部分露出的开口部；
贯穿孔，该贯穿孔设置在所述盖帽的与所述开口部相对的面上；
透明部件，该透明部件设置在所述贯穿孔内；以及
封固材料，该封固材料为了将所述座部密封封固在所述盖帽内而设置在所述开口部中，
所述框体部的内部尺寸与作为所述半导体激光器的装设面所需的最小宽度大致相同。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述框体部为圆柱形，所述装设部通过在所述圆柱形的框体部的一部分上形成平面部而形成，所述框体部的圆柱部分与所述盖帽接触，所述圆柱部分的截面圆直径与作为所述半导体激光器的装设面所需的最小宽度大致相同。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的贯穿孔内具有光学零件。
6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的贯穿孔内具有光学零件。
7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体激光器是氮化物半导体激光器。
8.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体激光器是氮化物半导体激光器。
9.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，混合安装有光接收元件。
10.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，混合安装有光接收元件。
11.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述座部的侧面上具有切割面。
12.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述座部的侧面上具有切割面。
13.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的所述开口部侧的端部形成有凸缘，对该凸缘的一个面或两个面进行切割，形成直线部分。
14.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述盖帽的所述开口部侧的端部形成有凸缘，对该凸缘的一个面或两个面进行切割，形成直线部分。
15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在制造权利要求4所述的半导体装置时，包括：
将所述半导体激光器粘接到所述座部的装设部上的安装工序、
将所述半导体激光器与所述柔性配线彼此连接的工序、以及
之后将所述座部与所述盖帽固定的工序，
将所述座部与所述盖帽固定的工序是通过压入嵌合和使用封固剂的气密封固来实施的。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6484588B2 (ja) * 2016-05-19 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置用パッケージ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825054A (en) * 1995-12-29 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser
JP2001111152A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
JP2001168442A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
JP3759064B2 (ja) * 2002-04-03 2006-03-22 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 光半導体装置及びその製造方法
JP3998526B2 (ja) * 2002-07-12 2007-10-31 三菱電機株式会社 光半導体用パッケージ
KR100568275B1 (ko) * 2003-09-19 2006-04-05 삼성전기주식회사 Ｐｃｂ타입 리드프레임을 갖는 반도체 레이저 다이오드장치
JP4033883B2 (ja) * 2003-10-15 2008-01-16 三洋電機株式会社 ２ビーム半導体レーザ装置
JP2006013436A (ja) * 2004-05-26 2006-01-12 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ装置、その製造方法およびその組み立て装置
JP2007116622A (ja) * 2005-10-24 2007-05-10 Seiko Instruments Inc 圧電振動子とその製造方法、表面実装型圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計
KR20080037847A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 삼성전자주식회사 광차단판을 갖는 반도체 레이저 소자 및 반도체 레이저소자 패키지
JP2009088066A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Panasonic Corp 半導体装置
JP2009147032A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Panasonic Corp 半導体装置および光ピックアップ装置

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