CN101471537B - 半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 - Google Patents

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置。本发明通过采用如下结构，即对在激光照射方向以外的3个方向上形成有框体(30)侧面的封装体(24)，安装覆盖激光照射方向及封装体(24)上表面且在激光照射位置形成有玻璃(26)的帽盖(25)，可缩短半导体元件(22)与玻璃(26)之间的距离，通过减小玻璃的直径(32)，既可维持半导体激光器的特性，又可实现薄型的半导体器件。另外，通过搭载该半导体器件还可使光拾取装置薄型化。

Description

半导体器件、半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置
技术领域
本发明涉及将用于可擦写光盘的激光器和光接收元件集成的半导体器件和该半导体器件的制造方法及制造装置。
背景技术
近年来，装在DVD刻录机(recorder)或个人计算机或蓝光刻录机上的大容量的可擦写型光盘急速普及。另外，将其装在笔记本电脑等便携设备上时，强烈要求光盘驱动器的薄型化。
为使光盘驱动器薄型化，重要的是使光拾取装置薄型化。为实现此薄型化，在光拾取装置的光学设计及机构设计中，通过保持主要构成部件的性能及功能不变来重新审视主要构成部件的构造，有可能实现薄型化。
作为光拾取装置的主要构成部件，例如有半导体激光器及信号检测用光接收元件，通过使这些半导体器件薄型化，可实现光拾取装置的薄型化。
作为例子，图11A、图11B、图11C、图11D表示已有半导体器件的构造示意图。此处，图11A是半导体器件的立体图，图11B是安装帽盖前的半导体器件的立体图，图11C、图11D是表示半导体器件的内部构造的剖视图。
图11A、图11B、图11C、图11D中，半导体器件1具有半导体激光器2、半导体激光器的副底座3、封装体4、帽盖5、供半导体激光器2所输出的激光10透过的玻璃6、一对引线端子7、将半导体激光器2的阳极及阴极这两个电极与引线端子7连接的导线8、及用于将引线端子7固定在封装体4上设有的贯通孔中的低熔点玻璃9。
图11A、图11B、图11C、图11D所示的半导体器件1的制造方法中，首先，预先利用低熔点玻璃9将用于与半导体激光器2电连接并引出到封装体外部的引线端子7固定到封装体4上。然后，在该封装体4上接合搭载于副底座3的半导体激光器2。接着，利用导线8将半导体激光器2的阳极及阴极这两个电极与一对引线端子7连接。此后，在封装体侧面所具有的窗口部利用低熔点玻璃固定玻璃6，最后在封装体上表面利用粘接剂或缝焊来固定帽盖5并密封。
图11A、图11B、图11C、图11D的半导体器件1作为从封装体4的侧面出射半导体激光器2的激光10的结构来力图薄型化，封装体4的厚度11可适应2.4mm以上的要求。另外，封装体4和帽盖5采用金属，通过利用低熔点玻璃9密封玻璃6和引线端子7，利用缝焊密封帽盖5，还可实现气密密封。
使用这样的半导体器件1时还可使光拾取装置12薄型化。
图12表示对搭载了已有半导体器件的已有光拾取装置进行例示的示意图。
图12中，在光拾取装置12的框体13上安装有半导体器件1。此处通过作为准直透镜的光学部件15、立镜16及物镜17对半导体器件1和光盘14光学连接。即，将从图12的半导体器件1的半导体激光器芯片(未图示)出射的激光18利用光学部件15准直成平行光，并利用立镜16将光路偏转90°，之后，利用物镜17将其聚焦到刻录在光盘14上的凹区上。读取了该凹区上的信号后的激光18在光盘14处被反射，沿相同路径返回。此时利用配置于光学部件15和立镜16之间的衍射光学部件19，将激光18进行分路并利用光学部件聚光后入射至光接收元件(未图示)，从而读取存储在光盘14上的信号。
为使这样的光拾取装置12薄型化，可减小半导体器件1的厚度11。即通过减小半导体器件1的厚度11可实现光盘驱动器的薄型化。
现在，伴随着笔记本电脑等便携设备的小型化，要求使所安装的光盘驱动器薄型化，进而要求半导体器件更加薄型化。
然而，已有的半导体器件中，由于在封装体的框体的侧面设置有窗口部，因此若考虑用于安装半导体激光器的卡盘形状和安装精度，则安装半导体激光器的位置取成为封装体的中心侧，又由于封装体的框体本身需要有一定厚度，因此从半导体激光器的出射面到封装体的窗口部外侧的距离变长，为出射激光需要加大窗口部的开口直径。这便成为阻碍封装体薄型化的主要原因。具体而言，若是上述已有的半导体器件，则很难实现比2.4mm还要薄的半导体器件、特别是厚度为2mm以下的半导体器件。另外，若因半导体器件的薄型化而不能确保窗口部具有足够的开口直径，则一部分激光会在封装体的侧面处反射，作为杂散光引起光干涉，从而对半导体激光器的特性带来影响。同时，假定从半导体激光器出射的激光的束散角最小为30度，则考虑杂散光的光干涉时要求具有30度以上的束散角的封装体的开口直径。
发明内容
本发明为解决上述已有问题，其目的在于，既维持半导体激光器的特性，又使作为半导体激光器件的半导体器件薄型化，并使采用该半导体器件的光拾取装置及光盘驱动装置薄型化。
为实现上述目的，本发明的半导体器件包括：具有半导体元件的搭载面的封装体；形成前述封装体的、使得与前述搭载面接触的周围4个面内的1个面及与前述搭载面相对的上表面开口的前述封装体的框体；固定于前述框体的多个引线端子；与前述引线端子电连接且搭载于前述搭载面的半导体元件；帽盖，该帽盖接触与前述搭载面相对的前述框体的上表面以及在与前述搭载面接触的周围4个面内的1个面上形成的开口部分的周围、即前述框体的前述激光出射方向的表面并进行连接，将半导体元件密封在前述封装体内；及在前述帽盖的前述激光出射方向的面上设置贯通孔、设置于该贯通孔的具有能供前述激光出射的直径的透明构件，该半导体器件搭载前述半导体元件，使前述半导体元件的激光出射位置靠近前述透明构件。
其中，通过副底座在前述搭载面上搭载前述半导体元件。
其中，前述半导体元件为半导体激光元件。
其中，前述半导体元件为氮化物半导体激光元件。
其中，该半导体器件混装有光接收元件。
其中，在前述贯通孔中具有光学部件。
其中，将前述框体的与前述搭载面相对的上侧和前述半导体元件的激光出射方向侧的交界部分形成为曲面。
其中，使前述框体的前述半导体元件的激光出射方向侧的部分倾斜地形成。
其中，在前述封装体的至少一个侧面具有散热片。
其中，前述散热片具有凹处。
另外，本发明的半导体器件的制造方法是前述半导体器件的制造方法，其中，将前述帽盖与前述封装体连接时，包括：利用缝焊对从前述封装体的上表面到前述激光出射方向的开口面连续使用辊式电极进行固定的工序；以及利用缝焊对前述激光出射方向的开口面的底边和平行于前述底边的前述上表面的边使用辊式电极进行固定的工序。
另外，本发明的半导体器件的制造装置是前述半导体器件的制造方法中使用的半导体器件的制造装置，其中，包括：平行配置的2个辊式电极；对前述辊式电极施加电能的电源；对前述辊式电极增加负重并使该辊式电极在水平方向上移动的机构；使前述半导体器件旋转90度的机构、或使前述辊式电极在上下方向上滑动的机构；以及调整前述辊式电极的移动速度的机构。
附图说明
图1A是表示第1实施方式中的半导体器件的结构图。
图1B是表示第1实施方式中的半导体器件的结构图。
图1C是表示第1实施方式中的半导体器件的结构图。
图2是表示第1实施方式中的用帽盖形成侧面的半导体器件的结构图。
图3A是表示第1实施方式中的用斜的帽盖形成开口面的半导体器件的结构图。
图3B是表示第1实施方式中的用斜的帽盖形成开口面的半导体器件的结构图。
图4A是表示第1实施方式中的将帽盖固定在封装体基材上的构造的半导体器件的结构图。
图4B是表示第1实施方式中的将帽盖固定在封装体基材上的构造的半导体器件的结构图。
图4C是表示第1实施方式中的将帽盖固定在封装体基材上的构造的半导体器件的结构图。
图5是表示第1实施方式中的搭载准直透镜的半导体器件的结构图。
图6是表示第1实施方式中的搭载光接收元件的半导体器件的结构图。
图7是表示第1实施方式中的设置有散热片的半导体器件的结构图。
图8A是说明第2实施方式中的半导体器件的制造方法的图。
图8B是说明第2实施方式中的半导体器件的制造方法的图。
图8C是说明第2实施方式中的半导体器件的制造方法的图。
图8D是说明第2实施方式中的半导体器件的制造方法的图。
图9是表示第3实施方式中的光拾取装置的示意图。
图10是表示使用本发明的光拾取装置的光盘驱动装置的概略结构图。
图11A是已有的半导体器件的构造示意图。
图11B是已有的半导体器件的构造示意图。
图11C是已有的半导体器件的构造示意图。
图11D是已有的半导体器件的构造示意图。
图12是例示搭载已有半导体器件的已有光拾取装置的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式所涉及的半导体器件。此外，有时也会省略附图中标注相同符号处的说明
(第1实施方式)
使用图1A、图1B、图1C、图2、图3A、图3B、图4A、图4B、图4C、图5、图6、图7说明第1实施方式。
图1A、图1B、图1C是表示第1实施方式中的半导体器件的结构图，图1A是立体图，图1B是移除帽盖而容易看清半导体器件的内部结构的立体图，图1C是剖视图。图2是表示第1实施方式中的用帽盖形成侧面的半导体器件的结构图。图3A、图3B是表示第1实施方式中的用斜的帽盖形成开口面的半导体器件的结构图，图3A是立体图，图3B是移除帽盖而容易看清半导体器件的内部结构的立体图。图4A、图4B、图4C是表示第1实施方式中的将帽盖固定在封装体基材上的构造的半导体器件的结构图，图4A是立体图，图4B是移除帽盖而容易看清半导体器件的内部结构的立体图，图4C是剖视图。图5是表示第1实施方式中的搭载准直透镜的半导体器件的结构图。图6是表示第1实施方式中的搭载光接收元件的半导体器件的结构图，图7是表示第1实施方式中的设置有散热片的半导体器件的结构图。
图1A、图1B、图1C中，本发明的半导体器件21具有半导体元件22、半导体元件22的副底座23、封装体24、设置有供半导体元件22输出的激光通过的贯通孔的帽盖25、固定于该贯通孔的玻璃26等透明构件、一对引线端子27、将半导体元件22的阳极及阴极这两个电极与引线端子27进行连接的导线28、用于将引线端子27固定于在封装体24上设有的贯通孔的低熔点玻璃29。
设置金属框体30使其包围半导体元件22的搭载部，并使该框体30的至少一面开口，来形成封装体24。使搭载于副底座23的半导体元件22的激光出射面朝向封装体开口面的方向，并使用焊料将半导体元件22安装在封装体的半导体元件搭载面上。该安装工序中，由于在半导体元件22的激光出射面不存在封装体的框体30，因此吸住半导体元件22的卡盘与封装体24不会发生干涉。因而能够使封装体开口面与半导体元件22的激光出射面靠近，来安装半导体元件22。具体而言，可使得半导体元件22的激光出射面与封装体开口面的距离在0.4mm以内，来安装半导体元件22。
这样，通过使封装体开口面与半导体元件22的激光出射面靠近来安装半导体元件22，能够缩短从半导体元件22的激光出射面到设置于帽盖25的供激光通过的贯通孔的端面的距离31，从而能够减小设置于帽盖25的贯通孔及玻璃26的直径32。具体而言，即使考虑半导体元件22的激光出射面与封装体开口面之间的距离以及帽盖厚度，也能够使得从激光出射面到设置于帽盖25的供激光通过的贯通孔的端面的距离在0.5mm以内。另外，虽然需要使从半导体元件22出射的激光的束散角最小成为30度，但由于从半导体元件22的激光出射位置到玻璃26的距离变短，激光的束散区域变小，因此由距离和束散角算出的设置于帽盖25的贯通孔及玻璃的直径32成为0.29mm。这是已有半导体器件的一半以下的尺寸，从而能够制作厚度为2mm以下的薄型半导体器件。
根据本发明的结构，可既维持半导体激光器的特性，又减小半导体器件的厚度，能够实现半导体器件的薄型化。
另外，对于本发明的半导体器件21，用导线28将半导体元件22的阳极及阴极这两个电极与引线端子27进行连接之后，在封装体24上安装帽盖25，用缝焊进行固定，由此能够使半导体器件21气密。将玻璃固定于封装体时所使用的粘接剂中含有有机化合物，而安装于半导体器件的半导体元件是氮化物半导体激光器时，从氮化物半导体激光器出射的激光和有机化合物起化学反应，该化合物堆积在氮化物半导体激光器的出射端面，由此使氮化物半导体激光器的特性低下且可靠性降低，这一点是公知的。本发明在封装体内不使用包含有机化合物的材料，并且利用低熔点玻璃及缝焊进行气密密封，由此，即使在半导体元件是氮化物半导体激光器时也能够实现高的可靠性。
另外，也可将框体的上部与激光照射面的交界处做成曲面。在封装体侧面所具有的框体的开口端面侧的上侧角部为锐角时，若对该角部进行缝焊，则接触面积变化、电流不集中，会产生焊接不佳的情况，不能实现气密的半导体装置，但通过将框体的上部与激光照射面的交界处做成曲面，则能连续进行焊缝，因此可实现气密。
另外，如图2所示，作为本发明的半导体器件，也可使其构成为在封装体24上只形成固定引线端子27的面的框体30，在帽盖25形成侧面。
另外，如图3A、3B所示，作为本发明的半导体器件21，还可采用如下结构，即，具有：半导体元件22、半导体元件22的副底座23、封装体24、设置有供半导体元件22输出的激光通过的贯通孔的帽盖25、固定于该贯通孔的玻璃26等透明构件、一对引线端子27、将半导体元件22的阳极及阴极这两个电极与引线端子27进行连接的导线28、用于将引线端子27固定于在封装体24上设有的贯通孔的低熔点玻璃29，并从封装体24的上表面到下表面倾斜地形成开口面。此处，利用电阻焊将固定有玻璃26的帽盖25固定到形成于封装体24的斜开口面上。
这样，通过倾斜地形成封装体24的激光照射面即开口面，既能维持薄型化，又可不对封装体24及帽盖25进行曲面加工而容易地制作高气密性的半导体器件。另外，由于固定封装体24和帽盖25的部分在同一表面包围外周而形成，因此将帽盖25固定于封装体24的方法可采用电阻焊。缝焊时，与焊接的长距离成比例地需要数秒的时间，但电阻焊时焊接所需的时间可缩短至0.5秒以下，从而可大幅提高生产效率并力图低成本化。
另外，如图4A、图4B、图4C所示，作为本发明的半导体器件，也可采用如下结构，即，在封装体24的基座上只形成搭载半导体元件22的底座33，引线端子27在封装体背面弯折90度。另外，也可采用如下结构，即，与图2相同地在帽盖25上形成全部侧面，利用电阻焊将帽盖固定在封装体基座上。
这样，将帽盖25固定在封装体24的基座上的部分可形成为在同一表面包围外周，通过与图3A、图3B的说明相同地利用电阻焊进行封装体24与帽盖25的固定，可大幅缩短焊接时间从而力图低成本化。
另外，如图5所示，通过在设置于帽盖25的贯通孔中安装准直透镜34，能够使从半导体元件22出射的激光成为平行光。通过采用该结构，在将其安装到光拾取装置上时不需要准直透镜，可使光拾取装置小型化，进而使光盘驱动器小型化。
对于可擦写型光盘而言，高输出半导体激光器的光输出功率的控制很重要。若光输出功率过大，则会产生将光盘中存储的信息擦除的问题。另外，还会因对半导体激光器施加大的负荷而产生影响可靠性的问题。若光输出功率小于预定的输出功率，则对光盘存储时不能够完全擦除之前所存储的内容，会产生存储本身不完备的问题。另外，还会产生不能准确读取所存储的信息的问题。因而，使高输出半导体激光器的光输出功率保持恒定且准确地进行控制是非常重要的。为此，通常对从高输出半导体激光器向光盘出射的一部分激光进行检测，根据该检测值来控制激光器电源的电流值，使得光输出功率保持恒定。
因此，如图6所示，为检测高输出半导体激光器的一部分光输出功率，在封装体基座上搭载光输出监视器用的光接收元件35是有用的。通过在半导体元件22后端面的后方形成光输出监视器用的光接收元件35，可接收从半导体元件22的后端面出射的一部分激光(未图示)，估计全部激光的光输出功率，对驱动激光的电流值进行控制，使其准确地维持所要的光输出功率。因而，可从半导体器件输出更稳定的恒定输出功率的激光。
另外，如图7所示，通过在封装体侧面设置散热片36，使得半导体器件产生的热量不仅从封装体背面进行散热，还从设置在封装体侧面的散热片36进行散热，从而能够提高散热性。由此，可防止因半导体元件产生的热量而导致半导体元件本身的性能下降，从而有可能提高半导体器件的可靠性。
另外，通过在该散热片36上设置凹处37，在制造本实施方式的半导体器件时，可准确地定位封装体，例如，可提高半导体元件的安装精度。另外，在光拾取装置的制造中也可提高半导体器件的安装精度，从而改善半导体器件及光拾取装置的制造中的成品率。
此外，本实施方式中，使用金属封装体对封装体进行了说明，但也可使用其它的树脂封装体或陶瓷封装体等，只要是用于光器件中的，对封装体的材料及形态没有限制。
另外，上述说明中，主要说明了具备1对引线端子的半导体激光器件，但根据半导体器件的功能可任意设定引线端子的数量。
(第2实施方式)
图8A、图8B、图8C、图8D是说明第2实施方式中的半导体器件的制造方法的图。图8A是表示对封装体框体两侧的边及封装体上表面进行焊接的状态和制造装置的立体图，图8B是表示对封装体框体两侧的边及封装体上表面进行焊接的状态和制造装置的概略图，图8C是表示对封装体框体两侧的边及封装体上表面进行焊接的状态的剖视图，图8D是表示对封装体开口面的底边及上表面进行焊接的状态的立体图。
图8A、图8B、图8C、图8D中，本发明的半导体器件的制造装置具有：传送并固定半导体器件21的机构(未图示)；平行配置的第1、第2两个辊式电极38；对辊式电极施加电能的焊接电源41；对接触半导体器件的辊式电极38加压的加压机构42；以及移动辊式电极38的移动机构43。
本实施方式的制造方法，按如下顺序进行。对于将金属制成的封装体侧面所具有的框体开口端面侧的上侧角部形成圆角状的封装体24，首先，使用焊料将搭载于副底座23的半导体元件22与封装体底座连接，并利用导线28将半导体元件22的阳极及阴极这两个电极与引线端子27连接。接着，对搭载半导体元件22并利用导线28与引线端子27连接的封装体24进行传送，并进行定位。接着，将在贯通孔中固定了玻璃26的帽盖25搭载于封装体24并进行固定。接着，在封装体框体两侧的边的封装体上表面，使平行配置的2个辊式电极38与帽盖25接触(参照图8A)，如图8B所示，在利用焊接电源41对2个辊式电极38施加电能时，电流以箭头所示路径流通，可焊接并固定封装体框体与帽盖25的接触部位。接着，边施加电能边利用辊式电极38的加压机构42向封装体上表面的方向及开口端面方向按压辊式电极38，利用辊式电极38的移动机构43使其向封装体开口面方向移动，对从开口面圆角部、直到开口面的边为止连续进行缝焊，固定封装体24和帽盖25。此时，辊式电极38的移动机构43的控制器44使辊式电极38的加压机构42设有的压力传感器的值反馈到辊式电极38的移动机构43的控制器44，对辊式电极的位置及移动速度进行控制，使得压力值保持恒定。此处说明的是移动辊式电极38的方法，但也可采用使半导体器件侧移动并旋转90度的方法。接着如图8D所示，对于配设在成90度角度的位置上的、封装体开口面的底边和固定引线端子27的上表面的边，将第4辊式电极40的旋转面相对于第3辊式电极39的旋转面成90度角度配置，使封装体开口面的上表面与第3辊式电极39接触，使封装体开口面的底边与第4辊式电极40接触，利用缝焊进行固定。
另外，用于实现该制造方法的制造装置具有：传送封装体24和帽盖25的机构(未图示)；对封装体24进行定位并固定的机构(未图示)；将帽盖25搭载于封装体24的机构(未图示)；第1和第2辊式电极38；对辊式电极38施加电能的焊接电源41；具有压力传感器并对与半导体器件接触的辊式电极38加压的加压机构42；能够使辊式电极38相对于半导体器件沿水平方向及上下方向移动的移动机构43；根据框体角部的圆角形状来调整辊式电极38的位置及移动速度的控制器44；第3辊式电极39；以及相对于第3辊式电极39成90度的角度配置的第4辊式电极40。此处，也可用调整辊式电极39的角度的机构来替代第4辊式电极40。另外，上面说明的是移动辊式电极38的制造装置，但也可以是使半导体器件并旋转90度的装置。
根据本实施方式的制造方法和该制造装置，在第1实施方式所示的半导体器件中，由于能够对框体的上部和激光照射面的两侧的边以及其交界处的曲面的边连续进行缝焊，且可对配设在90度的角度位置上的、封装体开口面的底边和固定引线端子27的上表面的边进行缝焊，因此能够实现薄型且气密密封。
(第3实施方式)
图9是表示第3实施方式中的光拾取装置的示意图，表示搭载了第1实施方式所示的半导体器件的光拾取装置101的示意图。
图9中，将从半导体器件100的半导体激光器芯片(未图示)出射的激光102例如用准直透镜等光学部件103准直成平行光，并利用立镜104将光路偏转90°，之后，利用物镜105将其聚焦到刻录在光盘106上的凹区上。读取了该凹区上的信号后的激光102在光盘106处被反射，沿相同路径逆向返回到半导体器件100。此时利用配置于光学部件103与立镜104之间的衍射光学部件108，将激光18进行分路并利用光学部件103聚光后入射至光接收元件(未图示)，从而读取存储在光盘上的信号。此外，光盘106随利用主轴电动机进行旋转的转轴109而旋转。
这样构成的光拾取装置101的厚度取决于半导体器件100的厚度107，在本实施方式中，能够实现图12所示的已有光拾取装置12的厚度的80％的厚度。
图10是表示使用本发明的光拾取装置的光盘驱动装置的概略结构图，表示使用本实施方式的光拾取装置101的光盘驱动装置(以下称为光盘驱动器)110。
图10中，光盘驱动器110利用使光盘106旋转的驱动机构来驱动转轴109。为了存储·播放光盘106的信号，利用可在光盘106的半径方向上自由移动的横动机构的支承轴111、112，沿移动方向113移动光拾取装置101。由于在光拾取装置101上搭载了薄型化的本发明的半导体器件100，因此如参照图9所述，可使光拾取装置101薄型化。
此外，本实施方式中，半导体激光器也可使用双波长激光器或三波长激光器等多波长激光器，也可将半导体激光器芯片形成为单片式，还可混合安装多个芯片。

Claims (16)

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
具有半导体元件的搭载面的封装体；
所述封装体的框体，形成所述封装体使得与所述搭载面接触的周围4个面中的1个面及与所述搭载面相对的上表面开口；
固定于所述框体的多个引线端子；
与所述引线端子电连接且搭载于所述搭载面的半导体元件；
帽盖，该帽盖接触与所述搭载面相对的所述框体的上表面以及在与所述搭载面接触的周围4个面中的1个面上形成的开口部分的周围、即所述框体的激光出射方向的表面并进行连接，将所述半导体元件密封在所述封装体内；及
透明构件，该透明构件设置于在所述帽盖的所述激光出射方向的面上设置的贯通孔，具有能供所述激光出射的直径，
搭载所述半导体元件，使所述半导体元件的激光出射位置靠近所述透明构件。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体元件通过副底座搭载在所述搭载面上。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体元件为半导体激光元件。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体元件为氮化物半导体激光元件。
5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件混装有光接收元件。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件混装有光接收元件。
7.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述贯通孔中具有光学部件。
8.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在所述贯通孔中具有光学部件。
9.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述框体的与所述搭载面相对的上侧和所述半导体元件的激光出射方向侧的交界部分形成为曲面。
10.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述框体的与所述搭载面相对的上侧和所述半导体元件的激光出射方向侧的交界部分形成为曲面。
11.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述框体的所述半导体元件的激光出射方向侧的部分倾斜地形成。
12.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述框体的所述半导体元件的激光出射方向侧的部分倾斜地形成。
13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述封装体的至少一个侧面具有散热片。
14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述散热片具有凹处。
15.一种半导体器件的制造方法，是权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，将所述帽盖与所述封装体连接时，包括：
利用缝焊对从所述封装体的上表面到所述激光出射方向的开口面连续使用辊式电极进行固定的工序；及
利用缝焊对所述激光出射方向的开口面的底边和平行于所述底边的所述上表面的边使用辊式电极进行固定的工序。
16.一种半导体器件的制造装置，是在权利要求15所述的半导体器件的制造方法中使用的半导体器件的制造装置，其特征在于，包括：
平行配置的2个辊式电极；
对所述辊式电极施加电能的电源；
对所述辊式电极增加负重并使该辊式电极在水平方向上移动的机构；
使所述半导体器件旋转90度的机构、或使所述辊式电极在上下方向上滑动的机构；及
调整所述辊式电极的移动速度的机构。
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