JP6724357B2

JP6724357B2 - 半導体レーザ装置

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Publication number: JP6724357B2
Application number: JP2015243294A
Authority: JP
Inventors: 貴史浪江
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2015-12-14
Filing date: 2015-12-14
Publication date: 2020-07-15
Anticipated expiration: 2035-12-14
Also published as: JP2017112138A

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関する。

特許文献１に記載の半導体レーザ装置（以下「従来の半導体レーザ装置」ともいう。）は、第１パッケージ部材と、半導体レーザ素子と、第２パッケージ部材と、金属バンプと、フェルールと、接着層と、を有する。フェルールは、第１パッケージ部材の側面開口部に介挿され、フェルールの側面及び下面と第１パッケージ部材とが接着層により接合されている。

特開2014-27179号公報

従来の半導体レーザ装置は、より小型にできる余地がある。そこで、本発明は小型化が可能な半導体レーザ装置を提供することを課題とする。

本発明の一形態に係る半導体レーザ装置は、上方から見た外縁形状が矩形である基底部と、前記基底部の上方に位置し前記矩形を構成する４辺のうち３辺に対応する位置に設けられた３つの第１側壁部と、前記基底部の上方に位置し前記３つの第１側壁部のうち対向する２つの第１側壁部から互いに対向するように延伸する２つの第２側壁部と、を有する基体と、前記２つの第２側壁部の間を通って外部にレーザ光が出射されるように、前記基底部の上面に配置された半導体レーザ素子と、前記第１側壁部の上面及び前記第２側壁部の上面に配置された蓋体と、を備える。また、前記基体は、前記基底部の上面と垂直をなし、上方から見て前記基体の外縁より内側において、前記基底部及び前記２つの第２側壁部にわたって設けられた接合面を有し、前記接合面に透光部材が接合されている。

本発明の一形態に係る半導体レーザ装置によれば、小型化が可能な半導体レーザ装置を提供することができる。

図１は、一実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図である。図２は、一実施形態に係る半導体レーザ装置の透光部材及び蓋体を省いた状態を示す斜視図である。図３は、図２に示す半導体レーザ装置の正面図である。図４は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図５は、一実施形態に係る半導体レーザ装置の変形例である。

以下に図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。

＜実施形態＞
図１に、本実施形態に係る半導体レーザ装置１００の斜視図を示す。図２は、半導体レーザ装置１００の蓋体３０及び透光部材４０を外した状態を示すものである。また、図３は、図２の正面図であり、図４は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。

図１から図５に示すように、半導体レーザ装置１００は、上方から見た外縁形状が矩形である基底部１１と、基底部１１の上方に位置し矩形を構成する４辺のうち３辺に対応する位置に設けられた３つの第１側壁部１２と、基底部１１の上方に位置し３つの第１側壁部１２のうち対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃから互いに対向するように延伸する２つの第２側壁部１３と、を有する基体１０と、２つの第２側壁部１３の間を通って外部にレーザ光が出射されるように、基底部の上面１１ａに配置された半導体レーザ素子２０と、第１側壁部１２の上面及び前記第２側壁部１３の上面に配置された蓋体３０と、を備える。基体１０は、基底部の上面１１ａと垂直をなし、上方から見て基体１０の外縁より内側において、基底部１１及び２つの第２側壁部１３にわたって設けられた接合面１５を有し、接合面１５に透光部材４０が接合されている。

従来の半導体レーザ装置では、基底部及び第１側壁部に透光部材が接合されている。言い換えると、従来の半導体レーザ装置では、基体は第２側壁部に相当する構成を備えておらず、透光部材の側面及び透光部材の背面の一部と基体とが接合されている。近年、より小型の半導体レーザ装置が求められており、基体の小型化が検討されている。このとき、基体を小型にすると基体と透光部材との接合面積が小さくなるため、透光部材が脱落するおそれがある。

そこで、本実施形態では、基体１０が、基底部の上面１１ａと垂直をなし、上方から見て基体１０の外縁より内側において、基底部１１及び２つの第２側壁部１３にわたって設けられた接合面１５を有し、接合面１５に透光部材４０を接合している。つまり、２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃから内方に延伸する２つの第２側壁部１３を設け、第２側壁部１３の一部を接合面１５として用いている。これにより、半導体レーザ装置の小型化のために半導体レーザ装置の幅（図３の左右方向の長さ）を狭くしても透光部材４０を接合する領域を確保することができる。これにより、従来の半導体レーザ装置と比較して、半導体レーザ装置の幅を小さくすることができ、小型の半導体レーザ装置とすることができる。

以下、図１から図５に基づいて半導体レーザ装置１００における主な構成要素について説明する。

（基体１０）
基体１０は、半導体レーザ素子２０を収容するためのものである。基体１０は、上方から見た外縁形状が矩形である基底部１１と、基底部１１の上方に位置し矩形を構成する４辺のうち３辺に対応する位置に設けられた３つの第１側壁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃと、基底部１１の上方に位置し３つの第１側壁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃのうちの対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃから互いに対向するように延伸する２つの第２側壁部１３ａ、１３ｂと、を有する。このとき、上方から見て、第１側壁部１２の外縁は基底部１１の外縁と一致している。つまり、基底部１１の側面と第１側壁部の外側面とは同一平面上に位置している。第２側壁部１３を設けることで、半導体レーザ装置１００の小型化のために、半導体レーザ装置１００の幅を狭くしても透光部材４０と基体１０との接合面積をある程度確保することができるため、透光部材４０の脱落を防止しやすくなる。

本実施形態では、２つの第２側壁部１３ａ、１３ｂは、３つの第１側壁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃのうち対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃの一部からそれぞれ内側に延伸している。言い換えると、基底部の上面１１ａ及び接合面１５と垂直な方向において、第２側壁部１３と第１側壁部１２との間に空間が設けられている。このとき、半導体レーザ素子２０はワイヤ６０により基体１０と電気的に接続されており、半導体レーザ素子２０のワイヤ６０を形成する領域は、２つの第２側壁部１３ａ、１３ｂの間に位置していない。一般的に、ワイヤ６０はキャピラリを用いて形成される。このとき、第２側壁部１３と第１側壁部１２ｂとの間に空間が設けられていない場合は、半導体レーザ装置１００の幅を小さくすると対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃ間の距離が短くなるためキャピラリが入りにくくなりワイヤ６０を形成しにくくなる。これに対して、本実施形態では、第２側壁部１３と第１側壁部１２ｂとの間に空間が設けられているため、半導体レーザ装置１００の幅を小さくしても、基体１０の内部に一定以上の空間を確保することができ、ワイヤ６０の形成が容易となる。

本実施形態では、第２側壁部１３は、上方から見て基体１０の外縁近傍に位置している。そして、第２側壁部１３における接合面１５は、第２側壁部１３の外側に設けられている。つまり、第２側壁部１３のうち、基底部１１における基底部の上面と平行な面１１ｂと連続する面を接合面１５の一部としている。ここでいう基体部の上面と平行な面１１ｂは、基底部の上面１２ａよりも下方に位置しており、対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃ及び接合面１５と連続している。基体１０の外縁から接合面１５までの最短距離は、例えば０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の範囲にすることができる。また、第２側壁部１３の厚さは、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲にすることができる。これにより、３つの第１側壁部１２のうち対向する第１側壁部１２ａ、１２ｃを繋ぐ第１側壁部１２ｂと、第２側壁部１３との間の空間を確保しやすくなる。なお、ここでいう第２側壁部１３の厚さとは、半導体レーザ素子からのレーザ光の出射方向と平行な方向における長さをさす。

接合面１５の高さＸ（本実施形態では、基底部の上面と平行な面１１ｂから基底部の上面と平行な面１１ｃまでの最短距離）は、好ましくは０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲とすることができる。前述の下限値以上とすることで、接合面１５の接合面積を確保することができ、前述の上限値以下とすることで半導体レーザ装置１００の下面を実装面とする場合に放熱性の低下を抑制することができる。また、接合面１５の幅Ｙ（第１側壁部１２から延伸する第２側壁部１３の距離のうち最短距離、）は、好ましくは０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下の範囲とすることができる。前述の下限値以上とすることで、透光部材４０との接合面積を確保することができ、前述の上限値以下とすることで半導体レーザ装置１００の大型化を抑制することができる。本実施形態では、接合面１５の高さよりも接合面１５の幅を大きくしている。これにより、半導体レーザ素子２０で発生する熱を排熱しやすくすることができる。一般的に、半導体レーザ素子２０が載置される面（本実施形態では、「基底部の上面１１ａ」がこれに相当する。）は基底部のよりも上方に位置することになる。半導体レーザ素子２０で発生する熱を基体１０の実装面（下面）から排熱するために基底部１１の厚さはできるだけ小さくするのがよい。本実施形態によれば、基底部１１の厚さを小さくしても、基体１０と透光部材４０との接合面積を確保することができるため、排熱性を向上させつつ、小型の半導体レーザ装置とすることができる。

本実施形態では、基体１０の材料として絶縁性セラミックを用いている。一般的に絶縁性セラミックは金属よりも耐食性が高いので、セラミックを用いることにより高信頼性の半導体レーザ装置とすることができる。絶縁性セラミックとしては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、又は炭化珪素などを用いることができる。

接合面１５と、基底部１１における基底部の上面と平行な面１１ｂと、上方から見て基底部１１の外縁及び接合面との間に位置し且つ第１側壁部１２における基底部の上面１１ａ及び接合面１５と垂直をなす面と、には金属膜を設けることができる。これにより、基体１０の材料として非金属材料を用いる場合に、基体１０と透光部材４０との接合に有機物を含まない金属材料を用いることができ、半導体レーザ素子２０の劣化を抑制することができる。本実施形態では、さらに第１側壁部１２の上面及び第２側壁部１３の上面に金属膜が設けられている（図２のハッチング部分に金属膜が設けられている）。金属膜は、単層又は多層のどちらでもよいが、最表面をＡｕとするのが好ましい。

第１側壁部１２の高さは、好ましくは０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下の範囲とすることができる。前述の下限値以上とすることで、半導体レーザ素子２０と基体１０とをワイヤ６０により電気的に接続する場合に、ワイヤ６０が蓋体３０にあたるのを抑制することができ、前述の上限値以下とすることで、半導体レーザ装置１００を小型にすることができる。なお、ここでいう第１側壁部１２の高さとは、基底部の上面１１ａから第１側壁部１２の上面までの最短距離をさす。また、レーザ光が第１側壁部１２を透過して外部に出るのを抑制するために、第１側壁部１２の内面に、金属膜又は黒色フィルタ等の遮光部材を設けてもよい。

基底部１１は、２つの第２側壁部１３ａ、１３ｂの間における接合面１５から離間した位置に、基底部の上面１１ａから下方に延びる離間面１６を有していてもよい。つまり、正面視において離間面１６は接合面１５よりも後方に設けられている。そして、接合面１５と離間面１６とは基底部の上面１１ａと平行な面１１ｃにより接続されている。また、基底部の上面と平行な面１１ｃは、基底部の上面１１ａと基底部の上面と平行な面１１ｂとの間に位置する。離間面１６が設けられる場合は、半導体レーザ素子２０の光出射面は、接合面１５と離間面１６との間に位置するのが好ましい。これにより、レーザ光が基体１０に当たるのを抑制することができ、光取り出し効率の低下を抑制することができる。また、半導体レーザ素子２０の光出射面が透光部材４０に当たることで生じ得る光出射面の損傷を抑制することができる。

接合面１５から離間面１６までの最短距離は、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲とすることができる。前述の下限値以上とすることで半導体レーザ素子２０の実装ずれにより半導体レーザ素子の光出射面が透光部材４０に当たるのを抑制しやすくなり、前述の上限値以下とすることでレーザ光が基底部１１に当たるのを抑制することができる。

図４に示すように、本実施形態では、半導体レーザ装置の電極７０は、基底部１１の下面に設けられている。こうすることで、半導体レーザ装置１００の大型化を抑制することができる。

（半導体レーザ素子２０）
半導体レーザ素子２０は、その光出射面が透光部材４０に向くように基底部の上面１１ａに配置される。つまり、半導体レーザ素子２０の最も広い面が基底部の上面に直接又はサブマウントを介して接着される。これにより、半導体レーザ素子２０で発生する熱を効率よく基底部１１に逃がすことができる。半導体レーザ素子２０には公知のものを用いることができる。例えば窒化物半導体からなるものを用いることができ、好ましくは窒化ガリウム系の半導体レーザ素子２０を用いる。

半導体レーザ素子２０は基底部の上面１１ａにフェイスダウン実装されるのが好ましい。つまり、半導体レーザ素子２０が成長基板及び半導体構造を含む場合は、半導体構造の側が基底部１１を向くように実装されることが好ましい。これにより、主に発熱する半導体構造を基底部１１に近づけることができるため、半導体レーザ素子２０からの熱を放散しやすくなる。また、半導体レーザ素子２０の発光点が基底部１１に近づくためレーザ光が基底部１１に当たりやすくなるところ、本実施形態のように、半導体レーザ素子２０の光出射面が接合面１５と離間面１６との間に位置するように半導体レーザ素子２０を実装することで、レーザ光が基底部１１に当たるのを抑制することができる。

本実施形態では、半導体レーザ素子２０は、基底部の上面１１ａに直接設けられている。つまり、半導体レーザ素子２０は、サブマウントを介することなく基底部の上面１１ａに配置されている。これにより、半導体レーザ装置１００の厚みを薄くすることができる。半導体レーザ素子２０は、接着部材を介して基底部１１に実装することができる。接着部材としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、又はＮｉを含む金属材料を用いることができる。なお、半導体レーザ素子２０は、基底部の上面１１ａにサブマウントを介して配置されていてもよい。

本実施形態では、半導体レーザ素子２０として、半導体レーザ素子の対向する面にそれぞれ正電極及び負電極が設けられている半導体レーザ素子を用いているが、正電極及び負電極が同一面側に設けられている半導体レーザ素子を用いてもよい。このとき、半導体レーザ素子２０は、正電極及び負電極が設けられた面が下方を向くように実装するのが好ましい。つまり、半導体構造のうち成長基板と反対側の面に正電極及び負電極を備え、正電極及び負電極が設けられている側を基底部側に向けて実装するのが好ましい。これにより、ワイヤ６０による接続が不要となるため半導体レーザ装置１００の厚みを小さくすることができ、半導体レーザ装置１００を小型化することができる。

（蓋体３０）
第１側壁部１２の上面及び第２側壁部１３の上面には、蓋体３０が配置されている。本実施形態では、迷光対策のために蓋体３０として遮光性の材料を用いている。この場合は、蓋体３０の側面と接合面１５とが実質的に同じ平面上にあるのが好ましい。つまり、蓋体３０の側面と透光部材４０とが接続されるのが好ましい。小型の半導体レーザ装置とするために半導体レーザ装置の厚みを小さくすると、レーザ光が蓋体３０にあたりやすくなる。これに対して、透光部材４０の上面を高くして蓋体３０の側面と接続するようにすることで、レーザ光が蓋体３０に当たりにくくなり、光取り出し効率の低下を抑制することができる。このとき、図１に示すように透光部材４０の上面と蓋体３０の上面とは実質的に同じ高さに位置するのが好ましい。これにより、蓋体と透光部材の接合面積を増やすことができる。さらに、基体１０に蓋体３０を配置する際に、透光部材４０に押しあてながら位置合わせを行うことができるため、蓋体３０の実装ずれを抑制しやすくすることができる。遮光性の材料としては、セラミック等を用いることができる。

なお、蓋体３０として透光性の材料を用いることもできる。この場合は、蓋体３０の側面と透光部材４０とを接合してもよいし、図５に示すように蓋体３０の下面と透光部材４０の上面とを接合してもよい。

蓋体３０の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲とすることができる。蓋体３０と、透光部材４０及び基体１０と、は、Ｓｎを含むはんだ又は低融点ガラス等により接合することができる。ここでいう蓋体３０の厚みとは、図４の上下方向における蓋体３０の長さをさす。

上方から見て、蓋体３０の外縁は、基体１０と一致する又は基体１０の外縁よりも内側に位置するのが好ましい。つまり、蓋体３０は、基体１０と同じ大きさ又は基体１０よりも小さくするのが好ましい。これにより、第１側壁部１２の上面及び第２側壁部１３の上面に蓋体３０を配置する際に実装ずれが生じても、基底部１１の外縁から蓋体３０が飛び出すのを抑制しやすくすることができ、半導体レーザ装置１００が大きくなるのを抑制することができる。

（透光部材４０）
透光部材４０は、基体１０の接合面１５に接合されている。透光部材４０は、さらに基底部１１における基底部の上面１１ａと平行な面１１ｂと、第１側壁部１２における基底部の上面１１a及び接合面１５と垂直をなす面と、に接合されているのが好ましい。これにより、透光部材４０と基体１０との接合面積を増やすことができるため、透光部材４０と基体１０との接合強度を向上させやすくなる。透光部材４０は接合面１５と接合される面の面積のうち、好ましくは２５％以上７５％以下、より好ましくは４０％以上６０％以下の範囲において基体１０と接合する。前述の下限値以上とすることで半導体レーザ装置１００を気密封止しやすくなり、前述の上限値以下とすることで半導体レーザ素子２０からの光を取出しやすくなる。

透光部材４０は、上方から見て基底部１１の外縁よりも内側に配置されるのが好ましい。つまり、透光部材４０の厚みは、接合面１５から基底部の外縁までの長さよりも小さくするのが好ましい。例えば、蓋体３０の厚みよりも小さくする。本実施形態によれば、透光部材４０と基体１０との接合面積をある程度確保することができるため、透光部材４０の厚みを小さくすることができる。透光部材４０の厚みは、好ましくは０．０５ｍｍ以上０．７ｍｍ以下、より好ましくは０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の範囲とすることができる。前述の下限値以上とすることで、透光部材４０が破損するのを抑制することができ、前述の上限値以下とすることで、接合面１５から基底部１１の外縁までの距離を短くすることができるため、半導体レーザ素子２０からの光の一部が基底部１１に当たるのを抑制しやすくなる。なお、ここでいう透光部材４０の厚みとは、透光部材４０における光入射面から光出射面までの最短距離をさす。

透光部材４０の幅は対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃ間の距離よりも小さくするのが好ましい。透光部材４０の大きさを、透光部材４０と第１側壁部１２との間に隙間ができるような大きさとすることで、透光部材４０の製造ばらつきにより透光部材４０が対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃ間に入らなくなるのを抑制することができる。透光部材４０と第１側壁部１２との隙間は、例えば２０μｍ以上３００μｍ以下の範囲とすることができる。このとき、隙間には接合剤５０が充填されているのが好ましい。これにより、透光部材４０の接合強度を高くすることができる。なお、ここでいう透光部材４０の幅とは、対向する２つの第１側壁部１２ａ、１２ｃを最短で結ぶ方向における長さをさす。

本実施形態では、基底部の上面１１ａと実質的に平行な方向に半導体レーザ装置１００からの光を出射している。つまり、半導体レーザ装置１００の側方を半導体レーザ装置１００の光取り出し面としている。半導体レーザ装置の上面を光取り出し面とする場合は、レーザ光を上方に反射させる反射部材等が必要になるが、本実施形態によれば反射部材等が不要となるため、小型の半導体レーザ装置とすることができる。

透光部材４０は、蛍光体を含んで構成されていてもよい。蛍光体としては、例えば、ＹＡＧをＣｅ等で賦活したＹＡＧ系蛍光体を用いることができる。

（接合剤５０）
接合剤５０は、透光部材４０及び接合面１５を接合するための部材である。接合剤５０としては、例えば、金属接合剤を用いることができる。具体的には、ＡｕＳｎ系のはんだ等が挙げられる。また、本実施形態では、第１側壁部１２ａ、１２ｂ、１２ｃの上面及び第２側壁部１３ａ、１３ｂの上面と、蓋体３０、とが接合剤５０により接合されている。

（その他の構成）
半導体レーザ素子２０の電気的な破壊を抑制するために、ツェナーダイオード等の保護素子を基底部の上面１１ａに配置してもよい。保護素子は、半導体レーザ素子２０の光反射面と第１側壁部１２ｂとの間に配置することができ、半導体レーザ素子２０と保護素子とは直線上に配置されるのが好ましい。これにより、半導体レーザ装置１００の幅を小さくすることができる。

各図に示すように、本実施形態では、半導体レーザ装置１００の外形は四角柱であり、上方から見て、外縁形状が矩形である。これにより、半導体レーザ装置１００の形状を半導体レーザ素子２０の形状に合わせた形状とすることができるため、小型で薄型の半導体レーザ装置とすることができる。具体的には、半導体レーザ装置１００の長手方向を、１．５ｍｍ以上４ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲とすることができる。このとき、半導体レーザ装置１００の短手方向を、１ｍｍ以上２ｍｍ以下、より好ましくは１．２ｍｍ以上１．７ｍｍ以下の範囲とすることができる。また、半導体レーザ装置１００の高さは、０．７ｍｍ以上１．８ｍｍ以下、より好ましくは０．９ｍｍ以上１．４ｍｍ以下の範囲とすることができる。

本実施形態に係る半導体レーザ装置１００は、バックライト、プロジェクタ、ディスプレイ等に利用することができる。

１００…半導体レーザ装置
１０…基体
１１…基底部
１１ａ…基底部の上面
１１ｂ…基底部の上面と平行な面
１１ｃ…基底部の上面と平行な面
１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）…第１側壁部
１３（１３ａ、１３ｂ）…第２側壁部
１５…接合面
１６…離間面
２０…半導体レーザ素子
３０…蓋体
４０…透光部材
５０…接合剤
６０…ワイヤ
７０…電極

Claims

上方から見た外縁形状が矩形である基底部と、前記基底部の上面の上方に位置し前記矩形を構成する４辺のうち３辺に対応する位置に設けられた３つの第１側壁部と、前記基底部の上面の上方に位置し前記３つの第１側壁部のうち対向する２つの第１側壁部から互いに対向するように延伸する２つの第２側壁部と、前記基底部の上面よりも下方に位置し前記基底部の上面と平行な上面である第１平行面と、を有する基体と、
前記２つの第２側壁部の間を通って外部にレーザ光が出射されるように、前記基底部の上面に配置された半導体レーザ素子と、
前記第１側壁部の上面及び前記第２側壁部の上面に配置された蓋体と、
前記基体に接合される透光部材と、を備え、
前記基体は、前記基底部の上面と垂直をなし、上方から見て前記基体の外縁より内側において、前記基底部及び前記２つの第２側壁部にわたって設けられた接合面であり、かつ、前記第１平行面と連続する接合面を有し、
前記透光部材は、前記第１平行面から上方に離れた位置で、前記接合面に接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
前記透光部材は、前記第１平行面と、前記第１側壁部における前記基底部の上面及び前記接合面と垂直をなす面と、に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
前記透光部材は、上方から見て前記基底部の外縁よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
前記基底部は、前記２つの第２側壁部の間における前記接合面から離間した位置に、前記基底部の上面から下方に延びる離間面を有し、
前記半導体レーザ素子の光出射面は、前記接合面と前記離間面との間に位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
前記接合面から前記離間面までの距離は５μｍ以上１００μｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ装置。
前記基底部は、前記離間面及び前記基底部の上面と接続し、前記基底部の上面と平行な上面である第２平行面を有し、
前記第１平行面から前記第２平行面までの高さは、０．１ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体レーザ装置。
前記蓋体は遮光性の材料により構成されており、
前記蓋体の側面と前記接合面とが実質的に同じ平面上にあることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
前記透光部材の厚みは前記蓋体の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
前記透光部材の厚みは、０．０５ｍｍ以上０．７ｍｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
前記透光部材は、さらに、前記蓋体の側面と接合する請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
上方から見て、前記蓋体の外縁は前記基体の外縁と一致する又はそれよりも内側に位置することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。
前記透光部材は、金属接合剤により前記接合面に接合されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置。