JP2014157847A - 半導体レーザー装置 - Google Patents

半導体レーザー装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014157847A
JP2014157847A JP2011130792A JP2011130792A JP2014157847A JP 2014157847 A JP2014157847 A JP 2014157847A JP 2011130792 A JP2011130792 A JP 2011130792A JP 2011130792 A JP2011130792 A JP 2011130792A JP 2014157847 A JP2014157847 A JP 2014157847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser chip
semiconductor laser
light
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011130792A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Noisshiki
慶夫 野一色
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Electronic Device Sales Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Optec Design Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Optec Design Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2011130792A priority Critical patent/JP2014157847A/ja
Priority to PCT/JP2012/003812 priority patent/WO2012172777A1/ja
Publication of JP2014157847A publication Critical patent/JP2014157847A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G11B7/1275—Two or more lasers having different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

【課題】 レーザー光を生成放射する半導体レーザー装置に組み込まれるレーザーチップのサブ基台に対する位置合わせを正確に行うことが出来る技術を提供する。
【解決手段】 ステムに固定されたリード端子と電気的に接続されたパターンが形成されているとともにレーザー光を生成するレーザーチップ７が半田付けされるサブ基台が前記ステムに固定された半導体レーザー装置であり、前記レーザーチップ７のレーザー光が放射される発光点７Ａが設けられている端面に位置決め用の印９Ａ、９Ｂを設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光ディスクに記録されている信号の読み出し動作や光ディスクに信号の記録動作をレーザー光によって行う光ピックアップ装置に組み込まれる半導体レーザー装置に関する。
光ピックアップ装置から照射されるレーザー光を光ディスクの信号記録層に照射することによって信号の読み出し動作や信号の記録動作を行うことが出来る光ディスク装置が普及している。
光ディスク装置としては、ＣＤやＤＶＤと呼ばれる光ディスクを使用するものが一般に普及しているが、最近では記録密度を向上させた光ディスク、即ちＢｌｕ−ｒａｙ規格の光ディスクを使用するものが開発されている。
ＣＤ規格の光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行うレーザー光としては、波長が７８５ｎｍである赤外光が使用され、ＤＶＤ規格の光ディスクに記録されている信号の読み出し動作行うレーザー光としては、波長が６５５ｎｍの赤色光が使用されている。
斯かるＣＤ規格及びＤＶＤ規格の光ディスクに対して、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格の光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行うレーザー光としては、波長が短いレーザー光、例えば波長が４０５ｎｍの青紫色光が使用されている。
光ピックアップ装置において、レーザー光を生成する手段としてレーザーダイオード、即ち半導体レーザー装置が一般に採用されている(特許文献１参照)。
ＣＤ規格の光ディスク、ＤＶＤ規格の光ディスク及びＢｌｕ−ｒａｙ規格の光ディスクの全ての光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行うことが出来る光ピックアップ装置が製品化されているが、斯かる光ピックアップ装置には異なる波長のレーザー光を生成放射するレーザーダイオードが組み込まれることになる。
前述した３つの規格の光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行うことが出来る光ピックアップ装置は、ＣＤ規格の光ディスク及びＤＶＤ規格の光ディスクに対応する２波長のレーザー光を生成する２波長レーザーダイオードとＢｌｕ−ｒａｙ規格の光ディスクに対応する波長のレーザー光を生成するレーザーダイオードの２つのレーザーダイオードが一般に組み込まれている。
斯かる２つのレーザーダイオードが組み込まれた光ピックアップ装置は、光学系の構成が複雑になるため高価になるだけでなく組立作業の工数が多くなるという問題がある。斯かる問題を解決するために最近では、３つの異なる波長のレーザー光を生成するレーザーチップを１つのケース内に設けるように構成された３波長対応のレーザーダイオードが開発されている。
図４は１つのケース内に３つの異なる波長のレーザー光を生成するレーザーチップが組み込まれたレーザーダイオードのチップの配置を示すものである。同図において、１はＣＤ規格に対応する波長が７８５ｎｍである赤外光を生成するＣＤ用レーザー素子及びＤＶＤ規格に対応する波長が６５５ｎｍである赤色光を生成するＤＶＤ用レーザー素子がモノリシック技術にて製造されている２波長レーザーチップであり、１Ｃ及び１ＤはＣＤ用レーザー素子の発光点及びＤＶＤ用レーザー素子の発光点である。
２はＢｌｕ−ｒａｙ規格に対応する波長が４０５ｎｍの青紫色光を生成するＢｌｕ−ｒａｙ用レーザー素子が組み込まれているＢｌｕ−ｒａｙ用レーザーチップであり、２ＢはＢｌｕ−ｒａｙ用レーザー素子の発光点である。そして、前記３波長対応のレーザーダイオードでは、前記２波長レーザーチップ１及びＢｌｕ−ｒａｙ用レーザーチップ２が１つのケース内にハイブリッド技術によって組み込まれている。
前述した３波長のレーザーダイオードが組み込まれた光ピックアップ装置は、光学系の光路を共用することが出来るので、光学構成を簡潔にすることが出来るという利点を有するが、レーザーダイオードに組み込まれている各レーザー光の発光点は図４に示すように３箇所別々に配置されるので、各レーザー光の光軸がずれることになる。
光ピックアップ装置では、前述した光軸のずれを考慮して光学設計を行うようにされているが、光軸のずれは一定ではなく、レーザーチップの固定位置にずれが生じることになる。２波長レーザーチップ１内に形成されるＣＤ用レーザー素子とＤＶＤ用レーザー素子とは、前述したようにモノリシック技術によって製造されるので、ＣＤ用レーザー素子の発光点１ＣとＤＶＤ用レーザー素子の発光点１Ｄとの間の位置関係は精度良く設定されることになる。これに対して、Ｂｌｕ−ｒａｙ用レーザーチップ２は、ハイブリッド技術によって組み込まれるので、ＤＶＤ用レーザー素子の発光点１ＤとＢｌｕ−ｒａｙ用レーザー素子の発光点２Ｂとの間の距離Ｌにバラツキが発生することになる。
特開２００６−３２７６５号公報
図３は従来の半導体レーザー装置の組立動作を説明するための斜視図である。同図において、３は半導体レーザー装置を構成するステムと呼ばれる基台であり、リード端子４が固定されているとともに基台５が固定されている。６は前記基台５に固定されているとともに前記リード端子４と電気的に接続されるパターン６Ａが形成されているサブ基台であり、レーザー光を生成放射するレーザーチップ７が半田付けによって固定されるように構成されている。
図２はレーザーチップ７が前記サブ基台６上に半田付けにて固定された状態を示すものであり、斯かる固定動作時の位置合わせについて説明する。図３において、８は撮像装置であり、組立作業者はこの撮像装置８にてレーザーチップ７の上面から撮影されるモニター画面を見ながらレーザーチップ７のサブ基台６に対する位置合わせを行うようにされている。即ち、レーザーチップ７の基準位置、例えばレーザーチップ７のコーナー部７Ｂがサブ基台６上に設けられているパターンの基準位置に合致するようにモニター画面を見ながらレーザーチップ７の位置を調整し、その位置が合致したとき半田付け装置によってレーザーチップ７の下面に設けられている電極をサブ基台６上のパターンに接着することによって半導体レーザー装置へのレーザーチップ７の固定動作が行われる。
斯かる固定動作を行うことによってレーザーチップ７をサブ基台６上の所定の位置に図２に示すように固定することが出来るが、斯かる従来の固定方法では、レーザーチップ７の外形や電極等を基準にして位置合わせをするので、形状や電極に変形があったりするとレーザーチップ７の端面に設けられている発光点７Ａとの基準位置との間にずれが生じるので、発光点７Ａが最良の位置からずれるという問題がある。
本発明は、斯かる問題を解決することが出来る半導体レーザー装置を提供しようとするものである。
本発明は、ステムに固定されたリード端子と電気的に接続されたパターンが形成されているとともにレーザー光を生成するレーザーチップが半田付けされるサブ基台が前記ステムに固定されている半導体レーザー装置であり、前記レーザーチップのレーザー光が放射される発光点が設けられている端面に位置決め用の印を設けたことを特徴とするものである。
また、本発明は、位置決め用の印を発光点を挟んで一対設けたことを特徴とするものである。
そして、本発明は、位置決め用の印をフォトリソグラフィ技術にて形成するようにしたことを特徴とするものである。
また、本発明は、位置決め用の印を撮像装置にて撮影することによってレーザーチップのサブ基台に対する位置決めを行うようにしたことを特徴とするものである。
本発明の半導体レーザー装置は、レーザーチップのレーザー光が放射される発光点が設けられている端面に位置決め用の印を設けたので、即ち、発光点と位置決め用の印とが同一の面に設けられているので、発光点の位置を位置決め用の印から認識することが出来、その結果レーザーチップをサブ基台上の正確な位置に固定することが出来る。
従って、本発明によれば、３つの波長が異なるレーザー光を生成放射するレーザー素子が同一のケース内に組み込まれる半導体レーザー装置に実施した場合に各レーザー素子から放射されるレーザー光の光軸を所定の位置に設定することが出来る。
本発明に係るレーザーチップを説明するための斜視図である。 半導体レーザー装置を示す斜視図である。 従来の半導体レーザー装置の組立動作を説明するための斜視図である。 半導体レーザー装置に組み込まれるレーザーチップの配置関係を説明するための図である。
レーザー光を生成放射するレーザーチップをステムに形成されているサブ基台に対して固定する場合の位置合わせを正確に行うことが出来る半導体レーザー装置に関する。
図１は本発明に係るレーザーチップを説明するための斜視図であり、図２の斜視図に示した部材と同一のものには同一の符号を付している。
本発明は、レーザーチップ７の発光点７Ａが設けられている面のレーザー光の生成動作に作用しない端面に前記発光点７Ａを挟んで一対の位置決め用の印９Ａ及び９Ｂを集積回路等の製造時に使用されるフォトリソグラフィ技術によって形成したことを特徴とするものである。
フォトリソグラフィ技術は、位置精度が非常に高いので、発光点７Ａと位置決め用の印９Ａ及び９Ｂとの間の距離を正確に設定することが出来る。斯かる構成のレーザーチップ７をサブ基台６に半田付けによる固定を行う場合は、撮像装置８にてレーザーチップ７の発光点７Ａが設けられている端面側から前記位置決め用の印９Ａ及び９Ｂを撮影することによって行われる。
即ち、レーザーチップ７の端面側から前記位置決め用の印９Ａ及び９Ｂを撮影し、そのモニター画面に基づいて該位置決め用の印９Ａ及び９Ｂがサブ基台６上の基準位置と合致するように調整すればレーザーチップ７をサブ基台６上の設定位置に半田付けすることが出来る。前記位置決め用の印９Ａ及び９Ｂとレーザーチップ７の発光点７Ａとの位置関係は正確であるので、レーザーチップ７をサブ基台６上の設定位置に半田付け固定すれば、発光点７Ａの位置も最良の位置に固定されることになるので、光軸が設定位置からずれることはない。
尚、本実施例では、位置決め用の印を一対設けたが、その数は限定されるものではなく、例えば１つであっても良い。
本発明は、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格の光ディスク、ＤＶＤ規格の光ディスク及びＣＤ規格の光ディスクに記録されている信号を読み出すための光ピックアップ装置に使用される半導体レーザー装置だけでなく、その他の光学装置にも応用することが出来る。
３ ステム
４ リード端子
６ サブ基台
６Ａ パターン
７ レーザーチップ
７Ａ 発光点
８ 撮像装置
９Ａ、９Ｂ 印

Claims (4)

  1. ステムに固定されたリード端子と電気的に接続されたパターンが形成されているとともにレーザー光を生成するレーザーチップが半田付けされるサブ基台が前記ステムに固定されている半導体レーザー装置であり、前記レーザーチップのレーザー光が放射される発光点が設けられている端面に位置決め用の印を設けたことを特徴とする半導体レーザー装置。
  2. 位置決め用の印を発光点を挟んで一対設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザー装置。
  3. 位置決め用の印をフォトリソグラフィ技術にて形成するようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザー装置。
  4. 位置決め用の印を撮像装置にて撮影することによってレーザーチップのサブ基台に対する位置決めを行うようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザー装置。
JP2011130792A 2011-06-13 2011-06-13 半導体レーザー装置 Withdrawn JP2014157847A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011130792A JP2014157847A (ja) 2011-06-13 2011-06-13 半導体レーザー装置
PCT/JP2012/003812 WO2012172777A1 (ja) 2011-06-13 2012-06-12 半導体レーザー装置およびその製造方法、光ピックアップ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011130792A JP2014157847A (ja) 2011-06-13 2011-06-13 半導体レーザー装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014157847A true JP2014157847A (ja) 2014-08-28

Family

ID=47356784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011130792A Withdrawn JP2014157847A (ja) 2011-06-13 2011-06-13 半導体レーザー装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2014157847A (ja)
WO (1) WO2012172777A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10061500B2 (en) 2008-03-25 2018-08-28 Qualcomm Incorporated Apparatus and methods for widget-related memory management
US10481927B2 (en) 2008-03-25 2019-11-19 Qualcomm Incorporated Apparatus and methods for managing widgets in a wireless communication environment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803346B2 (ja) * 1990-08-22 1998-09-24 富士通株式会社 小形発光モジュールの製造方法
US5631918A (en) * 1993-11-22 1997-05-20 Xerox Corporation Laser diode arrays with close beam offsets
JP2010267731A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Panasonic Corp 窒化物半導体レーザ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10061500B2 (en) 2008-03-25 2018-08-28 Qualcomm Incorporated Apparatus and methods for widget-related memory management
US10481927B2 (en) 2008-03-25 2019-11-19 Qualcomm Incorporated Apparatus and methods for managing widgets in a wireless communication environment

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012172777A1 (ja) 2012-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5923164B2 (ja) レーザモジュール及びその製造方法
US20020089913A1 (en) Light source device for an optical head apparatus and method relating thereto
JP4709144B2 (ja) 光ピックアップおよび光ディスク装置
JP2011100526A (ja) 集積光モジュール及び集積光モジュールの組立調整方法
JP2014157847A (ja) 半導体レーザー装置
JP2011204336A (ja) レーザー装置、光ピックアップ装置およびその製造方法
US8395983B2 (en) Optical pickup apparatus
US20090168823A1 (en) Semiconductor laser device, optical pickup device and optical information recording/reproducing apparatus
JP2011175690A (ja) 光ピックアップ装置およびその製造方法
JP2002094166A (ja) 光源装置
JP4337036B2 (ja) 情報処理装置
US20120198485A1 (en) Laser holder and optical pickup provided with same
JP2005064430A (ja) 多波長半導体レーザ
JP2005285234A (ja) 半導体レーザ回動調整装置および光ピックアップ装置
JP2011141937A (ja) 発光装置、光ピックアップ装置およびその製造方法
JP5034345B2 (ja) 半導体レーザ装置の製造方法および製造装置
JP4696794B2 (ja) 光ピックアップ
JP2008235509A (ja) 光半導体素子モジュール、光半導体素子の実装構造、及び光エレクトロニクス装置
JP2012113785A (ja) 光ピックアップ
Hou et al. Fabrication and verification for the small-form-factor holographic optical pickup
KR100561871B1 (ko) 광픽업 장치
JP2013120877A (ja) 印刷配線基板
JP2015043245A (ja) 光ピックアップ装置
JP2011034643A (ja) 光ピックアップ装置、及び光ピックアップ装置の製造方法
JP2008146785A (ja) フレームタイプレーザのホルダユニットおよびこのホルダユニットを備えた光ディスク装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140902