CN1885647A - 光半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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山本博昭
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Abstract

提供光半导体器件及其制造方法。该光半导体器件具有：半导体激光元件(8)；形成有全息元件(4)的光学模块(3)，其中全息元件(4)衍射从半导体激光元件(8)射出并通过棱镜(7)反射的激光；受光元件(9)，其接收全息元件(4)衍射的激光并输出电信号；以及封装(2)，其容纳半导体激光元件(8)和受光元件(9)。封装(2)在内部具有各自独立的多个空间(12、13)，半导体激光元件(8)和受光元件(9)容纳在互不相同的空间中。通过这种结构，可以实现小型、薄型化，且能实现具有高可靠性半导体激光元件元件的光半导体器件。

Description

光半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及可以在光盘等信息介质中记录、再现、擦除信息信号的光半导体器件及其制造方法。
背景技术
近年来，由于以DVD(数字化视频光盘)作为代表的光盘可以高密度地记录大量信息，因此在音频设备、录像机、计算机等多种领域中被采用。而且，已经开始开发并生产出像BD(Blu-ray盘)和HD-DVD等这样的通过蓝色激光可记录和再现信息并且具有更大容量、更高密度的光盘装置，并且考虑今后进一步普及。由于在这些光盘装置中装配的拾取装置安装在便携式计算机和汽车音响等机器上，因此对小型、薄型化以及抗振性等提出强烈要求，针对这些要求提出了各种各样的集成单元和拾取装置的技术方案。
例如在专利文献1(日本特开2001-102676号公报)中公开了一种小型、薄型化和提高了耐震性的光拾取装置。专利文献1中公开的结构通过使半导体激光元件和受光元件在扁平型封装中形成一体化的集成单元，减少了部件数，并且实现了拾取装置的小型化。
图16中，作为光源的半导体激光元件101被安装在由硅(Si)形成的受光元件衬底103上的凹部105中，在凹部105侧面，通过蚀刻形成作为45°倾斜镜106的Si(111)面。
从半导体激光元件101射出的激光束被45°倾斜镜106反射，相对于受光元件衬底103垂直向上行进。被反射的激光束202透射形成在光学模块107中的全息元件108，再经过准直透镜和物镜等光学系统(图中未示出)入射到光盘(图中未示出)中。
来自光盘的反射光束201被全息元件108衍射，入射到受光元件衬底103上的受光元件104上，生成电信号。生成的电信号通过形成在受光元件衬底103上的IV放大器(图中未示出)进行电压变换、放大和信号处理，检测出光盘信息信号以及用于进行物镜位置调整的伺服信号。此外，半导体激光元件101一体化的受光元件衬底103搭载在扁平型的封装102上。
上述结构通过使半导体激光元件、受光元件、信号处理用IV放大器一体化，随着减少部件数，实现了拾取装置的小型、薄型化，并且通过集成化也使抗振性有所提高。
但是，在上述结构中存在两个问题。
(1)问题一：由于半导体激光元件101安装在受光元件衬底103上的凹部105中，因此由受光元件衬底103产生的热量直接对半导体激光元件101的特性产生恶劣的影响。
也就是说，在受光元件衬底103上配置受光元件104和IV放大器，在驱动这些元件的时候会产生焦耳热。由于该焦耳热的影响，使半导体激光元件101的芯片温度上升，并且引起光输出降低和工作电流上升之类的特性劣化。虽然在抑制热影响的方法方面具有使安装半导体101的凹部105的容积增大的方法、以及尽可能远离半导体元件105地配置受光元件104和IV放大器等的方法，但是任何一种方法都会大幅地增大受光元件衬底103的面积，由此导致成本增加。
(2)问题二：由于半导体激光元件101并没有被密闭，其还与受光元件衬底103形成一体化，因此大气中的有机气体、由附着在受光元件衬底103上的碳氢化合物和其它有机物等所生成的有机气体附着在半导体激光元件101的表面，引起特性劣化。
对受光元件衬底103污染的物质通过在大气中存留而堆积并产生，并且在加工处理过程中，堆积由碎屑引起的硅尘、以晶片为单位保持切割后的芯片的粘接片的残留物等。
发明内容
本发明的目的是提供一种光半导体器件，小型，薄型化，且没有特性劣化，具有高可靠性。此外，提供一种适用于这种光半导体器件的制造方法。
为了解决上述问题，本发明第一结构的光半导体器件，具有：激光元件；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；受光部，其接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及封装，其容纳所述激光元件和所述受光部。所述封装在内部具有各自独立的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
此外，本发明第二结构的光半导体器件，具有：激光元件；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；受光部，其接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；封装，其与所述光学模块集成，并且具有容纳所述激光元件的第一空间、及容纳所述受光部的第二空间；以及空间分离元件，其使所述第一空间和所述第二空间彼此的空间分离，并且由透光性材料构成。所述第一空间和所述第二空间的空间被所述空间分离元件分离，且所述第二空间和外部的空间被所述光学模块分离。
此外，本发明第三结构的光半导体器件，具有：激光元件；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；受光部，其接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及封装，其与所述光学模块集成，并且具有容纳所述激光元件的第一空间、以及容纳所述受光部的第二空间。所述光学模块配置成使所述第一空间和所述第二空间相分离。
此外，本发明第四结构的光半导体器件，具有：激光元件；第一反射元件，其配置成将从所述激光元件射出的激光反射到信息介质侧；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射被所述信息介质反射的激光；受光部，其接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及封装，其容纳所述激光元件、所述第一反射元件以及所述受光部。在所述封装内部具有通过第一反射元件分离了空间的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
此外，本发明第四结构的光半导体器件，具有：激光元件；光学模块，其具有第二反射元件以及第三反射元件，其中第二反射元件配置成反射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光，第三反射元件配置成反射由所述第二反射元件反射的激光；受光部，其接收被所述第三反射元件反射的激光并输出电信号；以及封装，其容纳所述激光元件和所述受光部。所述封装在内部具有各自独立的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
此外，本发明提供一种光半导体器件的制造方法，所述光半导体器件，具有：激光元件；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；受光部，其接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及封装，其容纳所述激光元件和所述受光部，所述封装与所述光学模块一体化而使封装内部形成密闭，而且通过配置在所述封装内部的所述空间分离元件形成多个空间，该光半导体器件的制造方法具有：将所述激光元件接合在所述封装中的第一工序；配置所述空间分离元件、使容纳有所述激光元件的空间密闭化的第二工序；将所述受光部接合在所述封装中的第三工序；以及将所述光学模块与所述封装一体化的第四工序。
附图说明
图1是实施方式1中搭载有光半导体器件的盘再现装置的立体图。
图2A是光半导体器件的侧面图。
图2B是封装的立体图。
图3A是表示实施方式1的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图3B是封装的立体图。
图4是表示实施方式1的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图5A是实施方式2的光半导体器件的剖面图。
图5B是封装的立体图。
图6是光半导体器件制造方法第一工序的光半导体器件的剖面图。
图7是第二工序的光半导体器件的剖面图。
图8是第三工序的光半导体器件的剖面图。
图9是第四工序的光半导体器件的剖面图。
图10是表示实施方式2的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图11是表示实施方式2的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图12是实施方式3的光半导体器件的剖面图。
图13是表示实施方式3的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图14是表示实施方式3的光半导体器件另一种结构的剖面图。
图15A是实施方式4的光半导体器件的剖面图。
图15B是光半导体器件中光学模块的立体图。
图16是现有技术的光半导体器件的立体图。
具体实施方式
本发明第一结构的光半导体器件也可以构成为具有空间分离元件，其将上述封装的内部空间分成第一空间和第二空间，第一空间容纳上述激光元件，第二空间容纳上述受光部。
此外，上述封装和上述空间分离元件优选一体成型。由于该优选的结构除去了连接封装和空间分离元件的工序，因此具有缩短制造时间以及降低成本的效果。此外，由于可以减少粘接工序中所必须的粘接剂的使用，因此可以抑制由粘接剂引起的逸出气体，并且可以提高光半导体器件的可靠性。
本发明第二结构的半导体装置中，优选由透光性材料构成上述空间分离元件。该优选的结构中可以在半导体激光元件的射出光轴上配置空间分离元件。在该结构中，可以只在封装和空间分离元件中形成使半导体激光元件密闭化的空间，并且如果进一步使封装和光学模块集成化，就可以进一步地提高容纳有半导体激光元件的密闭空间的气密性。由此，可以提高光半导体器件的可靠性。
此外，上述空间分离元件优选具有三光束生成用衍射光栅，其用于将来自半导体激光元件元件的出射光分成主光束和两个副光束。该优选的结构可以对应于作为一般的跟踪伺服方式而广泛使用的“三光束跟踪方式”。此外，由于在空间分离元件中形成衍射光栅，因此不会引起装置的大型化。
本发明第三结构的光半导体器件中，上述光学模块优选具有将从上述激光元件射出的激光分成多束激光的衍射光栅。
本发明第四结构的光半导体器件中，优选上述封装和上述第一反射元件一体成型。该优选的结构中，由于减少了将封装和第一反射元件相粘接的工序，因此可以实现制造时间的缩短以及成本的降低。此外，由于可以抑制粘接工序中所必须的粘接剂等的使用，因此可以抑制由粘接剂引起的逸出气体，并且可以提高光半导体器件的可靠性。
此外，在上述第一反射元件中的反射从上述激光元件射出的激光的部位，优选涂覆金属或者电介质。在该优选的结构中，由于可以提高第一反射元件的反射率，因此可以使来自半导体激光元件的射出光量没有损失地得以利用。由此，可以降低来自半导体激光元件的射出光量，并且可以提高光半导体器件的可靠性。
此外，本发明第一～第五光半导体器件的结构中，容纳上述半导体激光元件元件的密闭空间优选比容纳上述受光元件的密闭空间的体积还要小。该优选的结构中，由于使容纳半导体激光元件的空间的体积变小，因此可以减少气体中的有机气体，并且可以提高光半导体器件的可靠性。
此外，上述半导体激光元件元件的振荡波长优选为380～420nm。该优选的结构可以与Blu-Ray盘和HD-DVD等大容量、高密度的光盘规格相对应。
在以上本发明中，可以防止由于受光部中生成的热和灰尘等原因引起的激光元件的特性劣化。由此，可以大幅度地提高光半导体器件的可靠性。
进一步来说，由于激光元件、受光部、全息元件以及封装集成为一体，因此使小型、薄型化以及高抗振性成为可能。
此外，可以通过同一受光元件衬底检测由全息元件衍射的+1次衍射光和-1次衍射光这两种衍射光，因此可以由受光光量的提高来提高信号对噪音比(以下为SN比)。
此外，本发明的光半导体器件的制造方法可以降低不良发生时的损失。
(实施方式1)
图1是表示搭载了作为一个示例的实施方式1光半导体器件的盘再现装置的立体图。图2A是图1所示的光盘再现装置的侧面图，其只用剖面表示光半导体器件(图1中的A-A剖面)。图2B是封装的立体图。
在图1中，光半导体器件1构成为封装2和光学模块3相集成的结构，其中封装2在内部具有半导体激光元件和受光元件等，光学模块3中形成有全息元件4。从半导体激光元件射出的发散光束从全息元件4射出，通过准直透镜5变成平行光，通过物镜6将光集中到光盘7的信息面上。
通过光盘7的信息面反射的光束，经由物镜6以及准直透镜5入射到光半导体器件1中。入射的光束通过设置在光半导体器件内的受光元件被接受，变换成电信号后被输出。
接下来，对光半导体器件1的工作进行说明。
如图2A所示，从半导体激光元件8射出的发散光束透射光学模块3以及全息元件4射出，通过准直透镜5变成平行光后，通过物镜6将光集中到光盘7的信息面上。
通过光盘7的信息面反射的光束穿过物镜6和准直透镜5之后，入射到形成于光学模块3中的全息元件4中。通过全息元件4使入射的反射光束向受光元件9侧衍射。衍射的光束入射到受光元件9中，变换成电信号。
此外，在由硅等构成的受光元件衬底10上形成受光元件9。此外，受光部由受光元件9和受光元件衬底10构成。
从受光元件9输出的电信号通过在受光元件衬底10上形成的IV放大器(图中未示出)进行电压变化、放大等信号处理。基于已信号处理过的电信号，检测记录在光盘中的信息以及用于进行物镜位置调整的伺服信号等。
此外，如图2A和2B所示，封装2的内部空间通过空间分离元件11分离成第一空间12和第二空间13。也就是说，由于空间分离元件11配置成阻断半导体激光元件8和受光元件9的物理连通，从而形成第一空间12和第二空间13。半导体激光元件8容纳在第一空间12内，装配受光元件9的受光元件衬底10容纳在第二空间13中。此外，空间分离元件11的端面与封装2的表面协动。
如图2所示，通过由粘接剂等使这种封装2与光学模块3形成一体并被封口，使第一空间12和第二空间13密闭化。
在以上的该实施例中，由于半导体激光元件8和受光元件衬底10分别分离地配置在空间分离的第一空间12和第二空间13中，因此由受光元件衬底10和受光元件9等生成的热不会传导到半导体激光元件8中。因此，可以防止由于芯片温度上升所引起的半导体激光元件8的特性劣化。
此外，可以防止粘附在受光元件衬底10上的灰尘以及由碳化氢等有机物质生成的有机气体等粘附在半导体激光元件8上，并且可以防止半导体激光元件8的特性劣化。
进一步来说，由于半导体激光元件8、受光部9、全息元件4以及封装2集成为一体，因此使光拾取装置的小型、薄型化以及高抗振性成为可能。
此外，在图2A和图2B的结构中，虽然封装2和空间分离元件11是不同的部件，但是如图3A和3B所示，也可以设置成使分离封装2的内部空间的空间分离部件2a和封装2一体成型。此时，空间分离部件2a的端面与封装2的端面协动，此外，一体成型的方法例如是树脂一体成型的方法。由此，由于不需要粘接封装2和空间分离元件11的工序，因此可以缩短光半导体器件1的制造时间并且降低成本。此外，由于可以减少粘接剂的使用量，因此可以抑制由粘接剂生成的逸出气体，并且可以进一步提高光半导体器件的可靠性。
此外，如图4所示，也可以构成为使容纳半导体激光元件8的第一空间12的容积，比容纳受光元件衬底10的第二空间13的容积更小的结构。由此，在封装2和光学模块3一体化时，可以使第一空间12内的有机气体的绝对量(絶体量)变少，从而可以进一步地提高光半导体器件1的可靠性。
(实施方式2)
图5A是表示实施方式2的光半导体器件的结构的剖面图。图5B是该装置中封装的立体图。此外，由于光半导体器件1以外的光学系统的构成与图1是相同的，因此省略图示。
首先，对搭载实施方式2的光半导体器件的盘再现装置的工作进行说明。
在图5A中，从半导体激光元件8中射出的发散光束，透射配置在半导体激光元件出射光轴上的由透光性材料构成的空间分离元件20以及全息元件4，在通过准直透镜5(参考图1)变成平行光之后，通过物镜6(参考图1)将光集中在光盘7(参考图1)上。
此外，在来自光盘7的反射光束通过物镜6以及准直透镜5之后，如图5所示，入射到形成于光学模块3上的全息元件4中。入射到全息元件4中的反射光束衍射到受光元件9侧。衍射的光束入射到设置于受光元件衬底10上的受光元件9中，变换成电信号，进行信号检测。
接下来，对光半导体器件1的结构进行详细说明。
如图5B所示，封装22形成在内部具有空间、只在上表面开口的形状。封装22的内部空间通过如图5所示的空间分离元件20将空间分离成配置有半导体激光元件8的第三空间21、以及配置有受光元件衬底10的第四空间23。也就是说，由于空间分离元件20配置成阻断半导体激光元件8和受光元件9的物理连通，从而形成第三空间21和第四空间23。
如图5A所示，通过由粘接剂等使这种封装22与光学模块3形成一体并被封口，使第三空间21和第四空间23密闭化。
在以上的该实施例中，由于容纳有半导体激光元件8的第三空间21通过封装22和光学模块3被一体化的第四空间23而与大气相隔离，因此提高了气密性。也就是说，由于第四空间23位于第三空间21和外部之间，因此可以提高第三空间21的气密性。由此，可以进一步地提高半导体激光元件8的可靠性。
接下来，对光半导体器件的制造方法进行说明。
首先，如图6所示，使半导体激光元件8接合(bonding)于封装22而形成一体化(第一工序)。
接下来，如图7所示，空间分离元件20粘接于封装22而形成一体化。此时，空间分离元件20配置成将第三空间21封口。由此，形成容纳有半导体激光元件8的第三空间21(第二工序)。
接下来，如图8所示，设置有受光元件9的受光元件衬底10接合于封装22，形成一体化(第三工序)。
接下来，如图9所示，形成有全息元件4的光学模块3与封装22相粘接，形成一体化。此时，光学模块3配置在将封装22封口的位置上。由此，形成容纳有受光元件衬底10的第四空间23(第四工序)。
由此，该实施方式的制造方法不是同时形成第三空间21和第四空间23，而是分阶段地形成。
以上实施方式的光半导体器件的制造方法中，可以抑制废弃在生产时生成的特性差的光半导体器件时产生的损失。
也就是说，在如图7所示的第三空间21的形成结束的时刻(第二工序结束时刻)，通过驱动半导体激光元件，可以进行电流—光输出特性、电流—电压特性、以及光束远场特性等各种特性检查。由此，在大批量生产中进行检查时，在发现了激光出射光等特性差的半导体激光元件装置的情况下，可以只废弃在第二工序结束时刻被一体化的半导体激光元件8、封装22以及空间分离元件20，与由于受光元件衬底10和光学模块3集成化所引起的废弃的情况相比，可以大幅地降低损失。
此外，如图10所示，在空间分离元件20中也可以设置三光束生成用衍射光栅14，其用于将来自半导体激光元件8的出射光束分成主光束和2个副光束。该结构可以对应于作为一般的跟踪伺服方式而广泛使用的“三光束跟踪方式”。此外，由于可以在空间分离元件20上通过表面加工和成型等形成衍射光栅14，因此不会引起部件数量增加和装置大型化等问题。
此外，光学模块24也可以如图11所示那样构成。在图11中，在光学模块24上形成向下方突出有突出部分24a。突出部分24a用其前端将第三空间21封口，使第三空间21和第四空间23在空间上分离。此外，图11所示的光学模块24中，形成有全息元件4和衍射光栅14。此外，突起部分24a与光学模块24表面协动。通过使这种光学模块与封装22一体化，形成第三空间21和第四空间23。这种结构中，由于在光学模块24中形成全息元件4和衍射光栅14，而且通过光学模块24和封装22一体化而可以形成第三空间21和第四空间23，因此不需要空间分离元件，就可以使光半导体器件1的成本得以降低。
(实施方式3)
图12是表示实施方式3的光半导体器件的结构的剖面图。此外，由于光半导体器件1以外的光学系统的结构与图1的相同，因此省略了图示。
首先，对搭载有光半导体器件的盘再现装置的工作进行说明。
在图12中，从半导体激光元件8水平地射出的发散光束，被相对于出射光轴具有45°倾斜的第一反射元件15的反射面15a反射，使光路变化90°。之后，通过准直透镜5(参考图1)变成平行光，通过物镜6(参考图1)将光集中在光盘7(参考图1)上。
来自光盘7的反射光束经由物镜6和准直透镜5，入射到如图12所示在光学模块3上形成的全息元件4中，衍射到受光元件9侧。被衍射后的光束入射到受光元件9中，进行信号检测。
接下来，对光半导体器件1的结构进行说明。
如图12所示，在封装32的内部配置有第一反射元件15。第一反射元件15中具有反射面15a，反射面15a反射从半导体激光元件8射出的光束。此外，第一反射元件15通过粘接剂等固定在封装32内部，通过分离封装32的内部空间，形成第五空间31和第六空间33。此外，将半导体激光元件8容纳在第五空间31中，将具有受光元件9的受光元件衬底10容纳在第六空间33中。也就是说，通过将第一反射元件15配置成阻断半导体激光元件8和受光元件9的物理连通，形成第五空间31和第六空间33。
以上该实施方式中，由于半导体激光元件8和受光元件衬底10容纳在各不相同的密闭空间、即第五空间31和第六空间33中，因此半导体激光元件8不会受到由受光元件衬底10产生的热以及有机物质等的影响，并且可以降低特性劣化。
进一步来说，在该实施方式中，通过配置第一反射元件15，可以将半导体激光元件8安装成其出射光轴相对于封装32的底面平行。由此，通过一般的芯片接合(chip bonding)方法(例如，通过真空镊子真空吸附半导体激光元件8以及受光元件衬底10并将它们接合在封装32上的方法)进行接合时，由于接合半导体激光元件8时的真空镊子的可动方向、以及接合受光元件衬底10时的真空镊子的可动方向在同一方向(图12的箭头Z方向)上，因此可以提高作业性。
此外，在图12所示的结构中，虽然封装32和第一反射元件15通过不同的部件形成，但是，也可通过一体成型形成。也就是说，如图13所示，由于使反射部32a通过一体成型而形成在封装32中，可以消除使封装32和第一反射元件15相粘接的工序，因此可以缩短制造时间，并且可以降低成本。此外，由于可以减少粘接工序中所必须的粘接剂等的使用，因此可以抑制由粘接剂引起的逸出气体，并且可以提高光半导体器件的可靠性。此外，在图13中，通过镜面加工等形成反射面32b。
此外，如图14所示，可以将反射膜16涂覆在反射部32a上。该反射膜16最好由Al、Ag、Au等金属蒸镀膜形成，也可以由MgF2、TiO2等电介质蒸镀膜形成。此外，也可以采用金属和电介质组合而形成的多层膜。在这种结构中，由于可以提高反射部32a的光束的反射率，因此可以降低来自半导体激光元件8的出射光量的损失。由此，可以降低来自半导体激光元件8的出射光量进行驱动，并且可以降低电力消耗，可以进一步地提高光半导体器件的可靠性。此外，即使在反射膜16配置在如图12所示的第一反射元件15上的情况下，也可以得到同样的效果。
(实施方式4)
图15是实施方式4的光半导体器件的剖面图。此外，由于光半导体器件1以外的光学系统的结构与图1相同，因此省略了图示。
首先，对搭载有光半导体器件的盘再现装置的工作进行说明。
在图15A中，从半导体激光元件8射出的发散光束，通过在空间分离元件20上形成的三光束生成用衍射光栅14分成主光束、第一副光束以及第二副光束。这三个光束穿过准直透镜5(参考图1)和物镜6(参考图1)将光集中在光盘7(参考图1)上。
通过光盘7的信息面反射的三个光束穿过准直透镜5和物镜6后，被如图15A所示的光学模块53中形成的第二反射元件67反射，使光路变化90°。光路变化之后的反射光束通过第三反射元件68反射而再一次使光路变化90°，通过全息元件54分成±1次衍射光。主光束、第一副光束以及第二副光束的各±1次衍射光，入射到在受光元件衬底60上形成的受光元件59a和59b中，变换成电信号，从而进行信号检测。
此外，如图15B所示，该实施方式的光学模块53通过三个光学玻璃71、72、73相互贴合而形成，电介质多层膜等蒸镀在该贴合部，从而形成第二反射元件67和第三反射元件68。
在以上该实施方式中，可以在受光元件衬底60的正上方配置全息元件54，通过同一受光元件衬底60可以检测由全息元件54衍射的+1次衍射光和-1次衍射光这两种衍射光，并且可以通过提高受光光量而提高S/N比。
在本发明所涉及的半导体装置中，不会产生由受光元件衬底生成的热以及有机物质等所引起的半导体激光元件的特性劣化。因此，本发明的光半导体器件对于光拾取装置可靠性的提高是有利的。

Claims (15)

1.一种光半导体器件，其特征在于具有：
激光元件；
形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；
受光部，接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及
封装，容纳所述激光元件和所述受光部；
所述封装在内部具有各自独立的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
2.如权利要求1所述的光半导体器件，其中，还具有空间分离元件，将所述封装的内部空间分成容纳所述激光元件的第一空间和容纳所述受光部的第二空间。
3.如权利要求2所述的光半导体器件，其中，所述封装和所述空间分离元件一体成型。
4.一种光半导体器件，其特征在于具有：
激光元件；
形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；
受光部，接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；
封装，与所述光学模块集成，并且具有容纳所述激光元件的第一空间、以及容纳所述受光部并且配置在与从所述激光元件射出的激光的光轴相交叉的位置上的第二空间；以及
空间分离元件，使所述第一空间和所述第二空间彼此的空间分离，并且由透光性材料构成；
所述第一空间和所述第二空间的空间被所述空间分离元件分离；
并且所述第二空间和外部的空间被所述光学模块分离。
5.如权利要求4所述的光半导体器件，其中，所述空间分离元件具有将来自所述激光元件的出射光分成主光束和两个副光束的衍射光栅。
6.一种光半导体器件，其特征在于具有：
激光元件；
形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；
受光部，接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及
封装，与所述光学模块集成，并且具有容纳所述激光元件的第一空间、以及容纳所述受光部的第二空间；
所述光学模块配置成使所述第一空间和第二空间相分离。
7.如权利要求6所述的光半导体器件，其中，所述光学模块具有将从所述激光元件射出的激光分成多个激光的衍射光栅。
8.一种光半导体器件，其特征在于具有：
激光元件；
第一反射元件，配置成将从所述激光元件射出的激光反射到信息介质侧；
形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射被所述信息介质反射的激光；
受光部，接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及
封装，容纳所述激光元件、所述第一反射元件以及所述受光部；
在所述封装内部具有通过第一反射元件分离了空间的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
9.如权利要求8所述的光半导体器件，其中，所述封装和所述第一反射元件一体成型。
10.如权利要求8所述的光半导体器件，其中，在所述第一反射元件中的、反射从所述激光元件射出的激光的部位，涂覆金属或电介质。
11.如权利要求9所述的光半导体器件，其中，在所述第一反射元件中的、反射从所述激光元件射出的激光的部位，涂覆金属或电介质。
12.一种光半导体器件，其特征在于具有：
激光元件；
光学模块，具有第二反射元件以及第三反射元件，其中第二反射元件配置成反射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光，第三反射元件配置成反射由所述第二反射元件反射的激光；
受光部，接收被所述第三反射元件反射的激光并输出电信号；以及
封装，容纳所述激光元件和所述受光部；
所述封装在内部具有各自独立的多个空间，所述激光元件和所述受光部容纳在互不相同的所述空间中。
13.如权利要求1所述的光半导体器件，其中，容纳所述激光元件的空间比容纳所述受光部的空间的容积小。
14.如权利要求1所述的光半导体器件，其中，所述激光元件的振荡波长为380～420nm。
15.一种光半导体器件的制造方法，
所述光半导体器件具有：激光元件；形成有全息元件的光学模块，该全息元件衍射从所述激光元件射出并被信息介质反射的激光；受光部，接收被所述全息元件衍射的激光并输出电信号；以及封装，容纳所述激光元件和所述受光部；所述封装与所述光学模块一体化而使封装内部形成密闭，而且通过配置在所述封装内部的所述空间分离元件形成多个空间，
所述制造该光半导体器件的制造方法具有以下步骤：
将所述激光元件接合在所述封装中的第一工序；
配置所述空间分离元件、使容纳有所述激光元件的空间密闭化的第二工序；
将所述受光部接合在所述封装中的第三工序；以及
将所述光学模块与所述封装一体化的第四工序。
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