JPS612348A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPS612348A JPS612348A JP12204784A JP12204784A JPS612348A JP S612348 A JPS612348 A JP S612348A JP 12204784 A JP12204784 A JP 12204784A JP 12204784 A JP12204784 A JP 12204784A JP S612348 A JPS612348 A JP S612348A
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- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止形半導体装置及びその製造方法に関
連する。
連する。
従来の樹脂封止形半導体装置では、半導体チップの電極
がその放熱板即ち支持板と電気的に接続されているため
、他の放熱体に半導体装置を取付ける場合、支持板と他
の放熱体との間にマイカ板を挿入して支持板を固定して
いたが。
がその放熱板即ち支持板と電気的に接続されているため
、他の放熱体に半導体装置を取付ける場合、支持板と他
の放熱体との間にマイカ板を挿入して支持板を固定して
いたが。
良好な熱伝導性を有する樹脂材料の開発に伴い、支持板
の裏面も樹脂で被覆して、マイカ板を省略できるように
なった。
の裏面も樹脂で被覆して、マイカ板を省略できるように
なった。
その１例として１％開昭５７−１４７２６０号公報に示
されるように、パワートランジスタは、トランスファモ
ールド法により樹脂モールドされるが、この公知例は、
第７図及び第８図に示す通り、トランジスタチップ４は
、支持板１に接合され、保護用樹脂５で被覆されたのち
、上部金型８と下部金型９によって形成されるキャビテ
ィ１２内に配置される。この場合、支持板１は、それか
ら一体成形された外部リード２ｂ及び細条３ａ、 ３ｂ
によシ支持され、下部金型から数百μｍの距離６’ａだ
け分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入される。
されるように、パワートランジスタは、トランスファモ
ールド法により樹脂モールドされるが、この公知例は、
第７図及び第８図に示す通り、トランジスタチップ４は
、支持板１に接合され、保護用樹脂５で被覆されたのち
、上部金型８と下部金型９によって形成されるキャビテ
ィ１２内に配置される。この場合、支持板１は、それか
ら一体成形された外部リード２ｂ及び細条３ａ、 ３ｂ
によシ支持され、下部金型から数百μｍの距離６’ａだ
け分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入される。
第７図は、注入孔１１から液状の封止樹脂６がキャビテ
ィ１２に充填された状態を示し、第８図は、第７図の工
程を経て完成したパワートランジスタの斜視図を示す。
ィ１２に充填された状態を示し、第８図は、第７図の工
程を経て完成したパワートランジスタの斜視図を示す。
第７図は第８図の１−１線に沿った断面に対応している
。
。
ところで細条３ａ、 ３ｂはキャビティ１２内において
支持板１の位置を固定するためのもので。
支持板１の位置を固定するためのもので。
支持板１の裏面に薄く形成される封止樹脂層６ａを所望
の均一な厚みに形成するために必要である。細条３ａ、
３ｂがなくて支持板１がリード線２ｂのみによって支
えられている場合には１通常は圧入された封止樹脂６に
よって支持板１が浮動させられてしまい、封止樹脂層６
ａは所望の厚みより厚いものになってしまうので、放熱
特性の悪いパワートランジスタになってしまう。
の均一な厚みに形成するために必要である。細条３ａ、
３ｂがなくて支持板１がリード線２ｂのみによって支
えられている場合には１通常は圧入された封止樹脂６に
よって支持板１が浮動させられてしまい、封止樹脂層６
ａは所望の厚みより厚いものになってしまうので、放熱
特性の悪いパワートランジスタになってしまう。
細条３ａ、 ３ｂは、第７図の樹脂封止工程の後に、第
７図の破線１３の位置で切断される。したがって、細条
３ａ、 ３ｂの一端は第８図に示すように封止樹脂６の
外部に露出している。細条３ａ。
７図の破線１３の位置で切断される。したがって、細条
３ａ、 ３ｂの一端は第８図に示すように封止樹脂６の
外部に露出している。細条３ａ。
３ｂは外部リード２ｂと電気的に接続されているので、
他の素子と細条３ａ、 ３ｂとの接触による短絡事故や
細条３ａ、 ３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生
するなどの不都合が発生しゃすい。
他の素子と細条３ａ、 ３ｂとの接触による短絡事故や
細条３ａ、 ３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生
するなどの不都合が発生しゃすい。
本発明は、上記欠点を解消するため、支持板の裏面に薄
い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると共に、
支持板を完全に樹脂で封入できる樹脂封止形半導体装置
及びその製造方法を提供するもので、支持板の短絡事故
や絶縁不良を完全に回避できる特徴を有する。
い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると共に、
支持板を完全に樹脂で封入できる樹脂封止形半導体装置
及びその製造方法を提供するもので、支持板の短絡事故
や絶縁不良を完全に回避できる特徴を有する。
実施例
第１図ないし第６図は１本発明の実施例を示し、第１図
は１本発明による樹脂封止形半導体装置を示し、第２図
は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導体装
置組立体を示し。
は１本発明による樹脂封止形半導体装置を示し、第２図
は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導体装
置組立体を示し。
２１はニッケル被板銅板から成る支持板、２２ａ、 ２
２ｂ、 ２２ｃは同じ羽料から成る外部リード線で、２
２ａがベースリード、２２ｂがコレクタリード、２２ｃ
がエミッタリードである。２３はシリコンパワートラン
ジスタチップで、詳細は図示していないが、上面にはベ
ース電極およびエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極
がそれぞれ形成されている。チップ２３はその下面にお
いて支持板２１に半田付けによシ固着されている。
２ｂ、 ２２ｃは同じ羽料から成る外部リード線で、２
２ａがベースリード、２２ｂがコレクタリード、２２ｃ
がエミッタリードである。２３はシリコンパワートラン
ジスタチップで、詳細は図示していないが、上面にはベ
ース電極およびエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極
がそれぞれ形成されている。チップ２３はその下面にお
いて支持板２１に半田付けによシ固着されている。
従ってコレクタｔ＆は、支持板２１と電気的に接続され
る。２４ａ、 ２４ｃはアルミニウム線で、チップ２３
のベース電極とベースリード２２ａ間。
る。２４ａ、 ２４ｃはアルミニウム線で、チップ２３
のベース電極とベースリード２２ａ間。
チップ２３のエミッタ電極とエミツタリード２２Ｃ間を
それぞれ接続する０２５はジャンクションコーティング
レンジと呼ばれるチップ保護用のシリコン樹脂である。
それぞれ接続する０２５はジャンクションコーティング
レンジと呼ばれるチップ保護用のシリコン樹脂である。
２６はタイバーと呼ばれるリード線同志を橋絡した細条
、２７はリード線の端部を共通して連結している細条で
ある。支持板２１には、リード線導出側とは反対側端部
に近接して孔２８が形成されている０なお、孔２８の代
わりに支持板２１に凹部を形成することもよく行われる
。なお９図にはリードフレームの内の１個のパワートラ
ンジスタ分を示しているが、実際には多数個分が並列し
たものである。
、２７はリード線の端部を共通して連結している細条で
ある。支持板２１には、リード線導出側とは反対側端部
に近接して孔２８が形成されている０なお、孔２８の代
わりに支持板２１に凹部を形成することもよく行われる
。なお９図にはリードフレームの内の１個のパワートラ
ンジスタ分を示しているが、実際には多数個分が並列し
たものである。
第３図、ないし第６図は、第２図のリードフレームをト
ランスファモールド法により樹脂封止するためにモール
ド金型にセットした状態を示す。なお、第３図ないし第
６図は、第２図の…−■線に沿った断面に対応する。こ
の金型は、上部金型２９と下部金型３０からなり、上部
金型２９と下部金型の一方は可動型とな９他方は固定型
となる。３１．３２は封止樹脂が送られてくるランナ、
３３．３４は封止樹脂のゲートである。上部金型２９に
は、第１スライド型２９ａが滑動可能に設けられ、下部
金型３０にも、同様に第２スライド型３０ａが滑動可能
に設けら０れる。上部金型２９からは支持板２１の孔２
８を貫通して下部金型３０に達する取付孔形成用の円柱
状ピン２９ｂが伸びている。
ランスファモールド法により樹脂封止するためにモール
ド金型にセットした状態を示す。なお、第３図ないし第
６図は、第２図の…−■線に沿った断面に対応する。こ
の金型は、上部金型２９と下部金型３０からなり、上部
金型２９と下部金型の一方は可動型とな９他方は固定型
となる。３１．３２は封止樹脂が送られてくるランナ、
３３．３４は封止樹脂のゲートである。上部金型２９に
は、第１スライド型２９ａが滑動可能に設けられ、下部
金型３０にも、同様に第２スライド型３０ａが滑動可能
に設けら０れる。上部金型２９からは支持板２１の孔２
８を貫通して下部金型３０に達する取付孔形成用の円柱
状ピン２９ｂが伸びている。
まず第３図に示すように、上部金型２９と下部金型３０
が型締めされることによって形成されるキャビティに第
２図のリードフレームがセットされる。支持板２１から
導出されたコレクタリード２２ｂは、第２図の細条２６
と共に上部金型２９と下部金型３０に挾持される。また
。
が型締めされることによって形成されるキャビティに第
２図のリードフレームがセットされる。支持板２１から
導出されたコレクタリード２２ｂは、第２図の細条２６
と共に上部金型２９と下部金型３０に挾持される。また
。
支持板２１のリード導出側とは反対側の端部２１ａは、
上部金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１スライド型
２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能な第２ス
ライド型３０ａによって挾持される。これによシ支持板
２１は下部金型３０から約α４ｒｒｍの間隔だけ分離さ
れ、支持板の端部２１ａを除いては上部金型２９と下部
金型３０に非接触の状態にセットされる。上部金型２９
と下部金型３０は、スライド型２９８＋ ３０ａが支持
板の端部２１ａを挾持した状態において、ゲート３３か
ら融解樹脂を圧入する第１キヤピテイ３５を形成する。
上部金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１スライド型
２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能な第２ス
ライド型３０ａによって挾持される。これによシ支持板
２１は下部金型３０から約α４ｒｒｍの間隔だけ分離さ
れ、支持板の端部２１ａを除いては上部金型２９と下部
金型３０に非接触の状態にセットされる。上部金型２９
と下部金型３０は、スライド型２９８＋ ３０ａが支持
板の端部２１ａを挾持した状態において、ゲート３３か
ら融解樹脂を圧入する第１キヤピテイ３５を形成する。
なお９図示の例では円柱状ピン２９ｂと支持板２１とコ
レクタリード２２ｂによってキャビティ３５が分割され
るように見えるが。
レクタリード２２ｂによってキャビティ３５が分割され
るように見えるが。
実際にはスライド型２９ａ＋ ３０ａの右側のキャビテ
ィ３５は連続する１つの空間である。
ィ３５は連続する１つの空間である。
次に第４図に示すように、キャピテイ３５に連絡するゲ
ート３３から熱硬化性エポキシ樹脂等の融解樹脂を圧入
させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充填する。こ
のとき融解樹脂は、ランナ３１を通り圧送され、ゲート
３３からキャビティ３５内に流入するが、予め上部金型
２９と下部金ｍ３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起こす１
７０Ｃ程度の温度に加熱されているので。
ート３３から熱硬化性エポキシ樹脂等の融解樹脂を圧入
させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充填する。こ
のとき融解樹脂は、ランナ３１を通り圧送され、ゲート
３３からキャビティ３５内に流入するが、予め上部金型
２９と下部金ｍ３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起こす１
７０Ｃ程度の温度に加熱されているので。
キャビティ３５に粘液状態で注入された樹脂は、充填後
２〜３分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形
成する。
２〜３分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形
成する。
封止樹脂３６が固化した後に、第５図に示すように、第
１及び第２スライド型２９ａ、 ３０ａをそれぞれ上方
と下方に移動させ、支持板の端部２１ａの挟持が解除さ
れる。しかし、すでに封止樹脂３６が固化しているので
、支持板２１がキャビティ内で移動することはない。ス
ライド型２９ａ、 ３０ａの移動で第２キャビティ３７
が形成され、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３６から
この第２キャビティ３７内に突出して上部金型２９と下
部金型３０に非接触の状態である。第２キャビティ３７
の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂に対して、
すでに固化した封止樹脂３６の端面で形成される。
１及び第２スライド型２９ａ、 ３０ａをそれぞれ上方
と下方に移動させ、支持板の端部２１ａの挟持が解除さ
れる。しかし、すでに封止樹脂３６が固化しているので
、支持板２１がキャビティ内で移動することはない。ス
ライド型２９ａ、 ３０ａの移動で第２キャビティ３７
が形成され、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３６から
この第２キャビティ３７内に突出して上部金型２９と下
部金型３０に非接触の状態である。第２キャビティ３７
の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂に対して、
すでに固化した封止樹脂３６の端面で形成される。
次に第６図に示すように、 第２キャビティ３７に開口
したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキシ樹脂等
の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３７を充填
する。粘液状樹脂は。
したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキシ樹脂等
の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３７を充填
する。粘液状樹脂は。
ランナ３２から圧送されゲート３４からキャビティ３７
に流入する。このとき、下部金型２９と下部金型３０は
、ｊｆＮ脂の熱硬化温度１７０Ｃ程度に保持されており
キャビティ３７に粘液状態で充填された樹脂は前述の通
り短時間内に熱硬化で固化する。結果として封止樹脂部
３６と３８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完
全に包囲する樹脂封止構造が得られる。
に流入する。このとき、下部金型２９と下部金型３０は
、ｊｆＮ脂の熱硬化温度１７０Ｃ程度に保持されており
キャビティ３７に粘液状態で充填された樹脂は前述の通
り短時間内に熱硬化で固化する。結果として封止樹脂部
３６と３８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完
全に包囲する樹脂封止構造が得られる。
その後、上部金型２９と下部金型３０の型締めを解き、
樹脂封止されたリードフレームを下部金型３０から取外
す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完全な熱硬化を
起こさせるために、このリードフレームに１０００程度
の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理を施す。
樹脂封止されたリードフレームを下部金型３０から取外
す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完全な熱硬化を
起こさせるために、このリードフレームに１０００程度
の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理を施す。
第１図は、前記製法で作られたパワートランジスタの斜
視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は、支持板の
一部分を残して半導体チップと支持板とを被覆する第１
封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部分を被覆す
る第２封止樹脂部３８とで構成され、第１及び第２封止
樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板が完全に封
止されることは、前述の通りである。
視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は、支持板の
一部分を残して半導体チップと支持板とを被覆する第１
封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部分を被覆す
る第２封止樹脂部３８とで構成され、第１及び第２封止
樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板が完全に封
止されることは、前述の通りである。
３９は第１図の円柱状ピン２９ｂによって支持板の孔２
８を貫通するように形成された取付孔である。取付孔３
９の内側にも支持板２１は露出していないので、取付孔
３９にネジを通してこのパワートランジスタを外部放熱
体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを挿入する必
要はない。もちろん、このパワートランジスタと外部放
熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要もない。なお
、第１図は、ゲー）３３，３４とランナ３１，３２の樹
脂が除去された成形品を示す。また、細条２６．２７
は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ＋ ２
２ｂ＋ ２２ ｃは互いに分離される。
８を貫通するように形成された取付孔である。取付孔３
９の内側にも支持板２１は露出していないので、取付孔
３９にネジを通してこのパワートランジスタを外部放熱
体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを挿入する必
要はない。もちろん、このパワートランジスタと外部放
熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要もない。なお
、第１図は、ゲー）３３，３４とランナ３１，３２の樹
脂が除去された成形品を示す。また、細条２６．２７
は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ＋ ２
２ｂ＋ ２２ ｃは互いに分離される。
上記製造方法は、１組の上部及び下部金型２９．３０を
使用する方法であるから、第１樹脂封止部３６と第２樹
脂封上部３８を形成するため、金型に複数回リードフレ
ームを装着及び取外しする必要はない。
使用する方法であるから、第１樹脂封止部３６と第２樹
脂封上部３８を形成するため、金型に複数回リードフレ
ームを装着及び取外しする必要はない。
したがって、２回の融解樹脂圧入を行なう方法にもかか
わらず、その成形時は１回のスライド型の移動で、金型
に１度リードフレームを装着すればよい。また、第７図
、第８図のように細条３ａ、 ３ｂ ｔ−切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタダイオード等の半導体装置
を提供することができる。また、上部及び下部金型２９
．３０内では支持板２１は、一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挾持によｐ確実かつ正確に位置決め固定され
る０従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹
脂層を許容寸法誤差範囲内で形成できる０即ち所期の設
計に対し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を
確実に得ることができる。
わらず、その成形時は１回のスライド型の移動で、金型
に１度リードフレームを装着すればよい。また、第７図
、第８図のように細条３ａ、 ３ｂ ｔ−切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタダイオード等の半導体装置
を提供することができる。また、上部及び下部金型２９
．３０内では支持板２１は、一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挾持によｐ確実かつ正確に位置決め固定され
る０従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹
脂層を許容寸法誤差範囲内で形成できる０即ち所期の設
計に対し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を
確実に得ることができる。
尚１本発明は、上記実施例に限定されることなく９種々
の技術的変更が可能である０例えば、スライドＱ ２９
ａ、 ３０ａによシ支持板２１の孔２８とチップ２３と
の間で支持＆２１を挾持してもよい。この場合、ゲート
３３か３４のいずれかから第１キャビティに樹脂を注入
したのちスライド型を外側に移動して第２キャビティを
形成し、そこに他方のゲートから樹脂を圧入することが
できる。即ち、第２キャビティは、移動前にスライド型
が収容されていたキャビティ及びこのキャビティに連続
して支持板を収容するキャビティを含むことを意味する
。又、半導体チップを収容するキャビティは、第１キャ
ビティでも第２キャビティでもよい。更に、第１キャビ
ティ又は第２キャビティは、複数の分割されたキャビテ
ィで構成することも可能である。第２キャビティの充填
をより容易にするためスライド型と一体に移動するラン
ナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することもできる
。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチップを固
着したセンタタップ形ダイオードに適用するのにも好適
な製造方法である。なお、実施例では均一な厚さの支持
板２１としているが、支持板２１の端部２１＆側をチッ
プ２３が固着されている部分より薄くして、この薄い部
分をスライド型２９ ＆＋ ３０ ａにより挟持するよ
うにしてもよい。
の技術的変更が可能である０例えば、スライドＱ ２９
ａ、 ３０ａによシ支持板２１の孔２８とチップ２３と
の間で支持＆２１を挾持してもよい。この場合、ゲート
３３か３４のいずれかから第１キャビティに樹脂を注入
したのちスライド型を外側に移動して第２キャビティを
形成し、そこに他方のゲートから樹脂を圧入することが
できる。即ち、第２キャビティは、移動前にスライド型
が収容されていたキャビティ及びこのキャビティに連続
して支持板を収容するキャビティを含むことを意味する
。又、半導体チップを収容するキャビティは、第１キャ
ビティでも第２キャビティでもよい。更に、第１キャビ
ティ又は第２キャビティは、複数の分割されたキャビテ
ィで構成することも可能である。第２キャビティの充填
をより容易にするためスライド型と一体に移動するラン
ナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することもできる
。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチップを固
着したセンタタップ形ダイオードに適用するのにも好適
な製造方法である。なお、実施例では均一な厚さの支持
板２１としているが、支持板２１の端部２１＆側をチッ
プ２３が固着されている部分より薄くして、この薄い部
分をスライド型２９ ＆＋ ３０ ａにより挟持するよ
うにしてもよい。
第１図は９本発明による樹脂封止形半導体装置の斜視図
；第２図は、リードフレームの斜視図；第３図は１本発
明樹脂封止形半導体装置を樹脂モールドする金型の断面
図；第４図は、第１封止樹脂部を成形した後の金型の断
面図；第５図は、一対のスライド型を移動した後の金型
の断面図；第６図は、第２封止樹脂部を成形した後の金
型の断面図；第７図は、従来の樹脂封止形半導体装置の
製造に使用する金型の断面図で；第８図は、従来の樹脂
封止形半導体装置の斜視図である。 ２１−・・支持板＋ ２２ａ、 ２２ｂ＊ ２２
ｃ ・・・外部リード２６、 ２７・・・線条、２９
・・・上部金型、３０・・・下部金型。 ２９ａ、 ３０ａ・・・スライド型、３６・・・第１
封止樹脂部。 ３８・・・第２封止樹脂部、３９・・・取付孔第１図 第２図 １Ｇ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 手続補正書 昭和５９年７ 月１６０
；第２図は、リードフレームの斜視図；第３図は１本発
明樹脂封止形半導体装置を樹脂モールドする金型の断面
図；第４図は、第１封止樹脂部を成形した後の金型の断
面図；第５図は、一対のスライド型を移動した後の金型
の断面図；第６図は、第２封止樹脂部を成形した後の金
型の断面図；第７図は、従来の樹脂封止形半導体装置の
製造に使用する金型の断面図で；第８図は、従来の樹脂
封止形半導体装置の斜視図である。 ２１−・・支持板＋ ２２ａ、 ２２ｂ＊ ２２
ｃ ・・・外部リード２６、 ２７・・・線条、２９
・・・上部金型、３０・・・下部金型。 ２９ａ、 ３０ａ・・・スライド型、３６・・・第１
封止樹脂部。 ３８・・・第２封止樹脂部、３９・・・取付孔第１図 第２図 １Ｇ 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 手続補正書 昭和５９年７ 月１６０
Claims (5)
- （１）複数の外部リードの１つに接続された支持板に半
導体チップが接着され、支持板及び他の外部リードと半
導体チップとが電気的に接続されると共にこの半導体チ
ップを保護用樹脂で被覆したのち又は被覆せずに半導体
チップが支持板と一体に封止樹脂で被覆された樹脂封止
形半導体装置において、封止樹脂は、支持板の一部分を
残して、半導体チップと支持板とを被覆する第１封止樹
脂部と、支持板の残りの上記一部分を被覆する第２封止
樹脂部とで構成され、第１封止樹脂部と第２封止樹脂部
は互いに密着して支持板を完全に封止していることを特
徴とする樹脂封止形半導体装置。 - （２）リードフレームの支持板上の所定位置に半導体チ
ップを接着する工程； 半導体チップをリードフレームと導電材料で接続する工
程； 半導体チップが接着されかつこれと導電材料で接続され
た前記リードフレームを、一対のスライド型を有する金
型に装着する工程； 上記金型を型締めしかつ上記スライド型でリードフレー
ムの１部を把持する工程； リードフレームを収容する金型内の第１キャビティに融
解樹脂を圧入する工程； 上記第１キャビティ内の樹脂が硬化したのち前記一対の
スライド型を外側に移動して第２キャビティを金型内に
形成する工程； 第２キャビティに融解樹脂を圧入する工程；樹脂封止さ
れたリードフレームを金型から取出す工程； から成る樹脂封止形半導体装置の製造方法。 - （３）上記特許請求の範囲第２項において、第１キャビ
ティ又は第２キャビティのいずれかが、半導体チップを
収容することを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造
方法。 - （４）上記特許請求の範囲第２項において、第１キャビ
ティ又は第２キャビティが複数の分割されたキャビティ
で構成されることを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
製造方法。 - （５）上記特許請求の範囲第２項において、第２キャビ
ティは、スライド型が移動することにより形成され、移
動前にスライド型が収容されていたキャビティ及びこの
キャビティに連続して支持板を収容するキャビティを含
むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12204784A JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12204784A JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036488A Division JPH04211140A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JP3036487A Division JPH04211139A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612348A true JPS612348A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH0210572B2 JPH0210572B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=14826290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12204784A Granted JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612348A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4741787A (en) * | 1985-08-28 | 1988-05-03 | Seiei Kohsan Co., Ltd. | Method and apparatus for packaging semiconductor device and the like |
| US4954307A (en) * | 1987-12-31 | 1990-09-04 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
| US5133921A (en) * | 1987-12-31 | 1992-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210572A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 再生装置の制御装置 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12204784A patent/JPS612348A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210572A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 再生装置の制御装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4741787A (en) * | 1985-08-28 | 1988-05-03 | Seiei Kohsan Co., Ltd. | Method and apparatus for packaging semiconductor device and the like |
| US4954307A (en) * | 1987-12-31 | 1990-09-04 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
| US5133921A (en) * | 1987-12-31 | 1992-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0210572B2 (ja) | 1990-03-08 |
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|---|---|---|---|
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