JPH04211140A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH04211140A JPH04211140A JP3036488A JP3648891A JPH04211140A JP H04211140 A JPH04211140 A JP H04211140A JP 3036488 A JP3036488 A JP 3036488A JP 3648891 A JP3648891 A JP 3648891A JP H04211140 A JPH04211140 A JP H04211140A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。 ［０００２］
の製造方法に関する。 ［０００２］
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置では、半導
体チップの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付ける場
合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板を挿入して支
持板を固定していたが、良好な熱伝導性を有する樹脂材
料の開発に伴い、支持板の裏面も樹脂で被覆して、マイ
カ板を省略できるようになった。その１例として、特開
昭５７−１４７２６０号公報に示されるように、パワー
トランジスタはトランスファモールド法により樹脂モー
ルドされる。図７及び図８に示す通り、この公知例のト
ランジスタチップ４は支持板１に装着され、外部リード
２ａ、２ｂと電気的に接続され、更に保護用樹脂５で被
覆されたのち、上部金型８と下部金型９によって形成さ
れるキャビティ１２内に配置される。この場合、支持板
１は、それから一体成形された外部リード２ｂ及び細条
３ａ、３ｂにより支持され、下部金型から数百μｍの距
離６’ａだけ分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入
される。図７はランナ１０を経て注入孔１１から液状の
封止樹脂６がキャビティ１２に充填された状態を示し、
図８は図７の工程を経て完成したパワートランジスタの
斜視図を示す。図７は図８のＩ−Ｉ線に沿った断面に対
応している。 ［０００３］
体チップの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付ける場
合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板を挿入して支
持板を固定していたが、良好な熱伝導性を有する樹脂材
料の開発に伴い、支持板の裏面も樹脂で被覆して、マイ
カ板を省略できるようになった。その１例として、特開
昭５７−１４７２６０号公報に示されるように、パワー
トランジスタはトランスファモールド法により樹脂モー
ルドされる。図７及び図８に示す通り、この公知例のト
ランジスタチップ４は支持板１に装着され、外部リード
２ａ、２ｂと電気的に接続され、更に保護用樹脂５で被
覆されたのち、上部金型８と下部金型９によって形成さ
れるキャビティ１２内に配置される。この場合、支持板
１は、それから一体成形された外部リード２ｂ及び細条
３ａ、３ｂにより支持され、下部金型から数百μｍの距
離６’ａだけ分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入
される。図７はランナ１０を経て注入孔１１から液状の
封止樹脂６がキャビティ１２に充填された状態を示し、
図８は図７の工程を経て完成したパワートランジスタの
斜視図を示す。図７は図８のＩ−Ｉ線に沿った断面に対
応している。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】ところで細条３ａ、３
ｂはキャビティ１２内において支持板１の位置を固定す
るためのもので、支持板１の裏面に薄く形成される封止
樹脂層６ａを所望の均一な厚みに形成するために必要で
ある。細条３ａ、３ｂを設けずにリード線２ｂのみによ
って支持板１を支える場合には、通常は圧入された封止
樹脂６によって支持板１が浮動して、封止樹脂層６ａは
所望の厚みより厚くなるので、放熱特性の悪いパワート
ランジスタになってしまう。細条３ａ、３ｂは、図７の
樹脂封止工程の後に、図７の破線１３の位置で切断され
る。したがって、細条３ａ、３ｂの一端は図８に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３ａ、３ｂ
は外部り−ド２ｂと電気的に接続されているので、他の
素子と細条３ａ、３ｂとの接触による短絡事故や細条３
ａ、３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生するなど
の不都合が発生しやすい。本発明は、上記欠点を解消す
るため、支持板の裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な
厚みに形成できると共に、支持板を完全に樹脂で封止で
きる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので
、支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避できる特徴
を有する。 ［０００４］
ｂはキャビティ１２内において支持板１の位置を固定す
るためのもので、支持板１の裏面に薄く形成される封止
樹脂層６ａを所望の均一な厚みに形成するために必要で
ある。細条３ａ、３ｂを設けずにリード線２ｂのみによ
って支持板１を支える場合には、通常は圧入された封止
樹脂６によって支持板１が浮動して、封止樹脂層６ａは
所望の厚みより厚くなるので、放熱特性の悪いパワート
ランジスタになってしまう。細条３ａ、３ｂは、図７の
樹脂封止工程の後に、図７の破線１３の位置で切断され
る。したがって、細条３ａ、３ｂの一端は図８に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３ａ、３ｂ
は外部り−ド２ｂと電気的に接続されているので、他の
素子と細条３ａ、３ｂとの接触による短絡事故や細条３
ａ、３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生するなど
の不都合が発生しやすい。本発明は、上記欠点を解消す
るため、支持板の裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な
厚みに形成できると共に、支持板を完全に樹脂で封止で
きる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので
、支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避できる特徴
を有する。 ［０００４］
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止形
半導体装置の製造方法は、支持板と、支持板の一方の端
部側に連結された外部リードと、支持板に連結されない
外部リードとを備えたリードフレームを用意し、支持板
の一方の主面に半導体チップを固着し且つ支持板に連結
されない外部リートと半導体チップとを電気的に接続す
る工程と、キャビティと、キャビティに繋ったゲートと
、キャビティ内を移動可能に配設されたスライド型とを
有する成形用型を用意し、前記工程を経たり一ドフレム
を支持板の他方の端部がキャビティのゲートが繋った面
と対向するように成形用型に装着する工程と、支持板の
一方の端部側に連結された外部リードを成形用型で把持
し且つ支持板の他方の端部側をスライド型で把持するこ
とによって支持板をその他方の主面がキャビティの面か
ら離間するように位置決めし且つスライド型がゲトを横
切るように配設した状態でキャビティ内に樹脂を注入す
る工程と、スライド型を支持板から離間するように移動
し、スライド型の移動によってゲートに繋がって形成さ
れた空所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する。 ［０００５］
半導体装置の製造方法は、支持板と、支持板の一方の端
部側に連結された外部リードと、支持板に連結されない
外部リードとを備えたリードフレームを用意し、支持板
の一方の主面に半導体チップを固着し且つ支持板に連結
されない外部リートと半導体チップとを電気的に接続す
る工程と、キャビティと、キャビティに繋ったゲートと
、キャビティ内を移動可能に配設されたスライド型とを
有する成形用型を用意し、前記工程を経たり一ドフレム
を支持板の他方の端部がキャビティのゲートが繋った面
と対向するように成形用型に装着する工程と、支持板の
一方の端部側に連結された外部リードを成形用型で把持
し且つ支持板の他方の端部側をスライド型で把持するこ
とによって支持板をその他方の主面がキャビティの面か
ら離間するように位置決めし且つスライド型がゲトを横
切るように配設した状態でキャビティ内に樹脂を注入す
る工程と、スライド型を支持板から離間するように移動
し、スライド型の移動によってゲートに繋がって形成さ
れた空所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する。 ［０００５］
【作用】スライド型がゲートを横切り、スライド型の移
動により生じた空所がゲートに通じているので、スライ
ド型の移動によって形成されるキャビティはゲートに連
絡し、キャビティにゲートから封止樹脂を良好に流入さ
せることができる。 ［０００６］
動により生じた空所がゲートに通じているので、スライ
ド型の移動によって形成されるキャビティはゲートに連
絡し、キャビティにゲートから封止樹脂を良好に流入さ
せることができる。 ［０００６］
【実施例】図１〜図６は本発明の実施例を示し、図１は
本発明により製造された樹脂封止型半導体装置を示し、
図２は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導
体装置組立体を示し、２１はニッケル被覆銅板から成る
支持板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃは同じ材料から成る外
部リード線で、２２ａがベースリード、２２ｂがコレク
タリード、２２ｃがエミッタリードである。２３はシリ
コンパワートランジスタチップで、詳細を図示しないが
、上面にはベース電極およびエミッタ電極が、下面には
コレクタ電極がそれぞれ形成されている。チップ２３は
その下面において支持板２１に半田付けにより固着され
ている。従ってコレクタ電極は、支持板２１と電気的に
接続される。２４ａ、２４ｂはアルミニウム線で、チッ
プ２３のベース電極とベースリード２２ａ間、チップ２
３のエミッタ電極とエミツタリード２２ｃ間をそれぞれ
接続する。２５はジャンクションコーティングレジンと
呼ばれるチップ保護用のシリコン樹脂である。２６はタ
イバーと呼ばれるリード線同志を橋絡した細条、２７は
リード線の端部を共通して連結している細条である。支
持板２１には、リード線導出側とは反対端部に近接して
孔２８が形成されている。なお、孔２８の代わりに支持
板２１に四部を形成することもよく行われる。なお、図
にはリードフレームの内の１個のパワートランジスタ分
を示すが、実際には多数個分が並列している。 ［０００７］図３〜図６は図２のリードフレームをトラ
ンスファモールド法により樹脂封止するためにモールド
金型にセットした状態を示し、図２のＩＩ−ＩＩ線に沿
った断面に対応する。この金型は上部金型２９と下部金
型３０とからなり、上部金型２９と下部金型の一方は可
動型となり他方は固定型となる。３１．３２は封止樹脂
が送られてくるランナ、３３．３４は封止樹脂のゲート
である。上部金型２９には、第１スライド型２９ａが滑
動可能に設けられ、下部金型３０にも同様に第２スライ
ド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型２９から
は支持板２１の孔２８を貫通して下部金型３０に達する
取付孔成形用の円柱状ピン２９ｂが伸びている。 ［０００８］図３に示すように、上部金型２９と下部金
型３０が型締して形成されるキャビティに図２のリード
フレームがセットされる。支持板２１から導出されたコ
レクタリード２２ｂは、図２の細条２６と共に上部金型
２９と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１の
リード導出側とは反対側の端部２１ａは、上部金型２９
の孔内で上下に滑動可能な第１スライド型２９ａと下部
金型３０の孔内で上下に滑動可能な第２スライド型３０
ａによって挾持される。これにより支持板２１は下部金
型３０から約０．４ｍｍの間隔だけ分離され、支持板の
端部２１ａを除いては上部金型２９と下部金型３０に非
接触の状態にセットされる。上部金型２９と下部金型３
０は、スライド型２９ａ、３０ａが支持板の端部２１ａ
を挾持した状態において、ゲート３３から融解樹脂を圧
入する第１キヤビテイ３５を形成する。なお、図示の例
では円柱状ピン２９ｂと支持板２１とコレクタリード２
２ｂによってキャビティ３５が分割されるように見える
が、実際にはスライド型２９ａ、３０ａの右側のキャビ
ティ３５は連続する１つの空間である。 ［０００９１次に図４に示すように、キャビティ３５に
連絡するゲート３３から熱硬化性エポキシ脂等の融解樹
脂を圧入させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充填
する。このとき融解樹脂はランナ３１を通り圧送され、
ゲート３３からキャビティ３５内に流入するが、予め上
部金型２９と下部金型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起
こす１７０℃程度の温度に加熱されているので、キャビ
ティ３５に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜３
分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成する
。 ［００１０１封止樹脂３６が固化した後に、図５に示す
ように、第１及び第２スライド型２９ａ、３０ａをそれ
ぞれ上方と下方に移動させ、支持板の端部２１ａの挾持
が解除される。しかし、すてに封止樹脂３６が固化して
いるので、支持板２１がキャビティ内で移動することは
ない。スライド型２９ａ、３０ａの移動で第２キヤビテ
イ３７が形成され、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３
６からこの第２キヤビテイ３７内に突出して上部金型２
９と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤビテ
イ３７の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂に対
して、すでに固化した封止樹脂３６の端面で形成される
。 ［００１１］次に図６に示すように、第２キヤビテイ３
７に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキ
シ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３
７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ３２から圧送され
ゲート３４からキャビティ３７に流入する。このとき、
上部金型２９と下部金型３０は、樹脂の熱硬化温度１７
０℃程度に保持されており、キャビティ３７に粘液状態
で充填された樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３６と３
８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完全に包囲
する樹脂封止構造が得られる。 ［００１２］その後、上部金型２９と下部金型３０の型
締めを解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金型
３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完
全な同化を起こさせるために、このリードフレームに１
７０℃程度の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理
を施す。 ［００１３１図１は、前記製法で作られたパワートラン
ジスタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は
、支持板の一部分を残して半導体チップと支持板とを被
覆する第１封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部
分を被覆する第２樹脂封止部３８とで構成され、第１及
び第２封止樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板
が完全に封止されることは、前述の通りである。 ［００１４］３９は図１の円柱状ピン２９ｂによって支
持板の孔２８を貫通するように形成された取付孔である
。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出していないの
で、取付孔３９にネジを通してこのパワートランジスタ
を外部放熱体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを
挿入する必要はない。もちろん、このパワートランジス
タと外部放熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要も
ない。なお、図１は、ゲート３３．３４とランナ３１．
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細条２６
．２７は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ
、２２ｂ、２２ｃは互いに分離される。 ［００１５］上記製造方法は、１組の上部及び下部金型
２９．３０を使用する方法であるから、第１樹脂封止部
３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、金型に複数
回リードフレームを装着したり取外す必要はない。 ［００１６］したがって、２回の融解樹脂圧入を行う方
法にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型の移
動で、金型に１度リードフレームを装着すればよい。ま
た、図７、図８のように細条３ａ、３ｂを切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体装
置を提供することができる。また、支持板２１は、上部
及び下部金型２９．３０内で一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挟持により確実かつ正確に位置決め固定される
。 従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹脂装
を許容寸法差範囲内で形成できる。即ち初期の設計に対
し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。また、上記製造方法では、スライド
型２９ａ、３０ａがゲート３４を横切るように配置して
支持板２１を抱時している。スライド型２９ａ、３０ａ
の移動によって形成された第２のキャビティ３７はゲー
ト３４と連続するから、キャビティ３７にゲート３４か
ら封止樹脂を良好に流入させることができる。 ［００１７］尚、本発明は、上記実施例に限定されるこ
となく、種々の技術的変更が可能である。例えば、第１
キヤビテイ又は第２キヤビテイは、複数の分割されたキ
ャビティで構成することも可能である。第２キヤビテイ
の充填をより容易にするためスライド型と一体に移動す
るランナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチッ
プを固着したセンタタップ形ダイオードに適用するのに
も好適な製造方法である。なお、実施例では均一な厚さ
の支持板２１としているが、支持板２１の端部２１ａ側
をチップ２３が固着されている部分より薄くして、この
薄い部分をスライド型２９ａ、３０ａにより挟持するよ
うにしてもよい。 ［００１８］
本発明により製造された樹脂封止型半導体装置を示し、
図２は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導
体装置組立体を示し、２１はニッケル被覆銅板から成る
支持板、２２ａ、２２ｂ、２２ｃは同じ材料から成る外
部リード線で、２２ａがベースリード、２２ｂがコレク
タリード、２２ｃがエミッタリードである。２３はシリ
コンパワートランジスタチップで、詳細を図示しないが
、上面にはベース電極およびエミッタ電極が、下面には
コレクタ電極がそれぞれ形成されている。チップ２３は
その下面において支持板２１に半田付けにより固着され
ている。従ってコレクタ電極は、支持板２１と電気的に
接続される。２４ａ、２４ｂはアルミニウム線で、チッ
プ２３のベース電極とベースリード２２ａ間、チップ２
３のエミッタ電極とエミツタリード２２ｃ間をそれぞれ
接続する。２５はジャンクションコーティングレジンと
呼ばれるチップ保護用のシリコン樹脂である。２６はタ
イバーと呼ばれるリード線同志を橋絡した細条、２７は
リード線の端部を共通して連結している細条である。支
持板２１には、リード線導出側とは反対端部に近接して
孔２８が形成されている。なお、孔２８の代わりに支持
板２１に四部を形成することもよく行われる。なお、図
にはリードフレームの内の１個のパワートランジスタ分
を示すが、実際には多数個分が並列している。 ［０００７］図３〜図６は図２のリードフレームをトラ
ンスファモールド法により樹脂封止するためにモールド
金型にセットした状態を示し、図２のＩＩ−ＩＩ線に沿
った断面に対応する。この金型は上部金型２９と下部金
型３０とからなり、上部金型２９と下部金型の一方は可
動型となり他方は固定型となる。３１．３２は封止樹脂
が送られてくるランナ、３３．３４は封止樹脂のゲート
である。上部金型２９には、第１スライド型２９ａが滑
動可能に設けられ、下部金型３０にも同様に第２スライ
ド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型２９から
は支持板２１の孔２８を貫通して下部金型３０に達する
取付孔成形用の円柱状ピン２９ｂが伸びている。 ［０００８］図３に示すように、上部金型２９と下部金
型３０が型締して形成されるキャビティに図２のリード
フレームがセットされる。支持板２１から導出されたコ
レクタリード２２ｂは、図２の細条２６と共に上部金型
２９と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１の
リード導出側とは反対側の端部２１ａは、上部金型２９
の孔内で上下に滑動可能な第１スライド型２９ａと下部
金型３０の孔内で上下に滑動可能な第２スライド型３０
ａによって挾持される。これにより支持板２１は下部金
型３０から約０．４ｍｍの間隔だけ分離され、支持板の
端部２１ａを除いては上部金型２９と下部金型３０に非
接触の状態にセットされる。上部金型２９と下部金型３
０は、スライド型２９ａ、３０ａが支持板の端部２１ａ
を挾持した状態において、ゲート３３から融解樹脂を圧
入する第１キヤビテイ３５を形成する。なお、図示の例
では円柱状ピン２９ｂと支持板２１とコレクタリード２
２ｂによってキャビティ３５が分割されるように見える
が、実際にはスライド型２９ａ、３０ａの右側のキャビ
ティ３５は連続する１つの空間である。 ［０００９１次に図４に示すように、キャビティ３５に
連絡するゲート３３から熱硬化性エポキシ脂等の融解樹
脂を圧入させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充填
する。このとき融解樹脂はランナ３１を通り圧送され、
ゲート３３からキャビティ３５内に流入するが、予め上
部金型２９と下部金型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起
こす１７０℃程度の温度に加熱されているので、キャビ
ティ３５に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜３
分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成する
。 ［００１０１封止樹脂３６が固化した後に、図５に示す
ように、第１及び第２スライド型２９ａ、３０ａをそれ
ぞれ上方と下方に移動させ、支持板の端部２１ａの挾持
が解除される。しかし、すてに封止樹脂３６が固化して
いるので、支持板２１がキャビティ内で移動することは
ない。スライド型２９ａ、３０ａの移動で第２キヤビテ
イ３７が形成され、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３
６からこの第２キヤビテイ３７内に突出して上部金型２
９と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤビテ
イ３７の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂に対
して、すでに固化した封止樹脂３６の端面で形成される
。 ［００１１］次に図６に示すように、第２キヤビテイ３
７に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキ
シ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３
７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ３２から圧送され
ゲート３４からキャビティ３７に流入する。このとき、
上部金型２９と下部金型３０は、樹脂の熱硬化温度１７
０℃程度に保持されており、キャビティ３７に粘液状態
で充填された樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３６と３
８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完全に包囲
する樹脂封止構造が得られる。 ［００１２］その後、上部金型２９と下部金型３０の型
締めを解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金型
３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完
全な同化を起こさせるために、このリードフレームに１
７０℃程度の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理
を施す。 ［００１３１図１は、前記製法で作られたパワートラン
ジスタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は
、支持板の一部分を残して半導体チップと支持板とを被
覆する第１封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部
分を被覆する第２樹脂封止部３８とで構成され、第１及
び第２封止樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板
が完全に封止されることは、前述の通りである。 ［００１４］３９は図１の円柱状ピン２９ｂによって支
持板の孔２８を貫通するように形成された取付孔である
。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出していないの
で、取付孔３９にネジを通してこのパワートランジスタ
を外部放熱体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを
挿入する必要はない。もちろん、このパワートランジス
タと外部放熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要も
ない。なお、図１は、ゲート３３．３４とランナ３１．
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細条２６
．２７は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ
、２２ｂ、２２ｃは互いに分離される。 ［００１５］上記製造方法は、１組の上部及び下部金型
２９．３０を使用する方法であるから、第１樹脂封止部
３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、金型に複数
回リードフレームを装着したり取外す必要はない。 ［００１６］したがって、２回の融解樹脂圧入を行う方
法にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型の移
動で、金型に１度リードフレームを装着すればよい。ま
た、図７、図８のように細条３ａ、３ｂを切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体装
置を提供することができる。また、支持板２１は、上部
及び下部金型２９．３０内で一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挟持により確実かつ正確に位置決め固定される
。 従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹脂装
を許容寸法差範囲内で形成できる。即ち初期の設計に対
し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。また、上記製造方法では、スライド
型２９ａ、３０ａがゲート３４を横切るように配置して
支持板２１を抱時している。スライド型２９ａ、３０ａ
の移動によって形成された第２のキャビティ３７はゲー
ト３４と連続するから、キャビティ３７にゲート３４か
ら封止樹脂を良好に流入させることができる。 ［００１７］尚、本発明は、上記実施例に限定されるこ
となく、種々の技術的変更が可能である。例えば、第１
キヤビテイ又は第２キヤビテイは、複数の分割されたキ
ャビティで構成することも可能である。第２キヤビテイ
の充填をより容易にするためスライド型と一体に移動す
るランナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチッ
プを固着したセンタタップ形ダイオードに適用するのに
も好適な製造方法である。なお、実施例では均一な厚さ
の支持板２１としているが、支持板２１の端部２１ａ側
をチップ２３が固着されている部分より薄くして、この
薄い部分をスライド型２９ａ、３０ａにより挟持するよ
うにしてもよい。 ［００１８］
【発明の効果】前記の通り本発明によれば、支持板の裏
面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると
共に、支持板を完全に樹脂で封止できる樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることができる。
面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると
共に、支持板を完全に樹脂で封止できる樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることができる。
【図１】本発明により製造された樹脂封止形半導体装置
の斜視図
の斜視図
【図２】リードフレームの斜視図
【図３】本発明において樹脂封止形半導体装置を樹脂モ
ールドする金型の断面図
ールドする金型の断面図
【図４】第１封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
【
図５】一対のスライド型を移動した後の金型の断面図
図５】一対のスライド型を移動した後の金型の断面図
【
図６】第２封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
図６】第２封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
【図
７】従来の樹脂封止形半導体装置の製造に使用する金型
の断面図で
７】従来の樹脂封止形半導体装置の製造に使用する金型
の断面図で
【図８】従来の樹脂封止形半導体装置の斜視図である。
２１、、、支持板、 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、、、
外部リード、２３．、、チップ、 ２９ａ１３０ａ、
、、スライド型、 ３４．、、ゲート、 ３５．、
、キャビティ、
外部リード、２３．、、チップ、 ２９ａ１３０ａ、
、、スライド型、 ３４．、、ゲート、 ３５．、
、キャビティ、
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
Claims (1)
- 【請求項１】支持板と、該支持板の一方の端部側に連結
された外部リードと、該支持板に連結されない外部リド
とを備えたリードフレームを用意し、前記支持板の一方
の主面に半導体チップを固着し且つ前記支持板に連結さ
れない外部リートと前記半導体チップとを電気的に接続
する工程と、キャビティと、該キャビティに繋ったゲト
と、該キャビティ内を移動可能に配設されたスライド型
とを有する成形用型を用意し、前記工程を経た前記リー
ドフレームを前記支持板の他方の端部が前記キャビティ
の前記ゲートが繋った面と対向するように前記成形用型
に装着する工程と、前記支持板の一方の端部側に連結さ
れた外部リードを前記成形用型で把持し且つ前記支持板
の前記他方の端部側を前記スライド型で把持することに
よって前記支持板をその他方の主面が前記キャビティの
面から離間するように位置決めし且つ前記スライド型が
前記ゲートを横切るように配設した状態で前記キャビテ
ィ内に樹脂を注入する工程と、前記スライド型を前記支
持板から離間するように移動し、前記スライド型の移動
によって前記ゲートに繋がって形成された空所に前記ゲ
ートから樹脂を注入する工程とを有することを特徴とす
る樹脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036488A JPH04211140A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036488A JPH04211140A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12204784A Division JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211140A true JPH04211140A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0566017B2 JPH0566017B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=12471213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036488A Granted JPH04211140A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192983A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Kyocera Chemical Corp | 半導体パッケージ用樹脂組成物、半導体パッケージの成形方法および半導体パッケージ用樹脂組成物供給装置 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3036488A patent/JPH04211140A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192983A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Kyocera Chemical Corp | 半導体パッケージ用樹脂組成物、半導体パッケージの成形方法および半導体パッケージ用樹脂組成物供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566017B2 (ja) | 1993-09-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |