JPH04211139A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPH04211139A JPH04211139A JP3036487A JP3648791A JPH04211139A JP H04211139 A JPH04211139 A JP H04211139A JP 3036487 A JP3036487 A JP 3036487A JP 3648791 A JP3648791 A JP 3648791A JP H04211139 A JPH04211139 A JP H04211139A
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。 ［０００２］
の製造方法に関する。 ［０００２］
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置では、半導
体チップの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付ける場
合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板を挿入して支
持板を固定していたが、良好な熱伝導性を有する樹脂材
料の開発に伴い、支持板の裏面も樹脂で被覆して、マイ
カ板を省略できるようになった。その１例として、特開
昭５７−１４７２６０号公報に示されるように、パワト
ランジスタはトランスファモールド法により樹脂モルト
される。図７及び図８に示す通り、この公知例のトラン
ジスタチップ４は支持板１に装着され、外部リード２ａ
、２ｂと電気的に接続され、更に保護用樹脂５で被覆さ
れたのち、上部金型８と下部金型９によって形成される
キャビティ１２内に配置される。この場合、支持板１は
、それから一体成形された外部リード２ｂ及び細条３ａ
、３ｂにより支持され、下部金型から数百μｍの距離６
′ａだけ分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入され
る。図７はランナ１０を経て注入孔１１から液状の封止
樹脂６がキャビティ１２に充填された状態を示し、図８
は図７の工程を経て完成したパワートランジスタの斜視
図を示す。図７は図８のＩ−Ｉ線に沿った断面に対応し
ている。 ［０００３］
体チップの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付ける場
合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板を挿入して支
持板を固定していたが、良好な熱伝導性を有する樹脂材
料の開発に伴い、支持板の裏面も樹脂で被覆して、マイ
カ板を省略できるようになった。その１例として、特開
昭５７−１４７２６０号公報に示されるように、パワト
ランジスタはトランスファモールド法により樹脂モルト
される。図７及び図８に示す通り、この公知例のトラン
ジスタチップ４は支持板１に装着され、外部リード２ａ
、２ｂと電気的に接続され、更に保護用樹脂５で被覆さ
れたのち、上部金型８と下部金型９によって形成される
キャビティ１２内に配置される。この場合、支持板１は
、それから一体成形された外部リード２ｂ及び細条３ａ
、３ｂにより支持され、下部金型から数百μｍの距離６
′ａだけ分離され、キャビティ内に融解樹脂が圧入され
る。図７はランナ１０を経て注入孔１１から液状の封止
樹脂６がキャビティ１２に充填された状態を示し、図８
は図７の工程を経て完成したパワートランジスタの斜視
図を示す。図７は図８のＩ−Ｉ線に沿った断面に対応し
ている。 ［０００３］
【発明が解決しようとする課題】ところで細条３ａ、３
ｂはキャビティ１２内において支持板１の位置を固定す
るためのもので、支持板１の裏面に薄く形成される封止
樹脂層６ａを所望の均一な厚みに形成するために必要で
ある。細条３ａ、３ｂを設けずにリード線２ｂのみによ
って支持板１を支える場合には、通常は圧入された封止
樹脂６によって支持板１が浮動して、封止樹脂層６ａは
所望の厚みより厚くなるので、放熱特性の悪いパワート
ランジスタになってしまう。細条３ａ、３ｂは、図７の
樹脂封止工程の後に、図７の破線１３の位置で切断され
る。したがって、細条３ａ、３ｂの一端は図８に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３ａ、３ｂ
は外部リド２ｂと電気的に接続されているので、他の素
子と細条３ａ、３ｂとの接触による短絡事故や細条３ａ
、３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生するなどの
不都合が発生しやすい。本発明は、上記欠点を解消する
ため、支持板の裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚
みに形成できると共に、支持板を完全に樹脂で封止でき
る樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので、
支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避できる特徴を
有する。 ［０００４］
ｂはキャビティ１２内において支持板１の位置を固定す
るためのもので、支持板１の裏面に薄く形成される封止
樹脂層６ａを所望の均一な厚みに形成するために必要で
ある。細条３ａ、３ｂを設けずにリード線２ｂのみによ
って支持板１を支える場合には、通常は圧入された封止
樹脂６によって支持板１が浮動して、封止樹脂層６ａは
所望の厚みより厚くなるので、放熱特性の悪いパワート
ランジスタになってしまう。細条３ａ、３ｂは、図７の
樹脂封止工程の後に、図７の破線１３の位置で切断され
る。したがって、細条３ａ、３ｂの一端は図８に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３ａ、３ｂ
は外部リド２ｂと電気的に接続されているので、他の素
子と細条３ａ、３ｂとの接触による短絡事故や細条３ａ
、３ｂと外部放熱体との間で絶縁不良が発生するなどの
不都合が発生しやすい。本発明は、上記欠点を解消する
ため、支持板の裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚
みに形成できると共に、支持板を完全に樹脂で封止でき
る樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので、
支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避できる特徴を
有する。 ［０００４］
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止形
半導体装置の製造方法は孔又は四部を有する支持板と、
支持板の一方の端部側に連結された外部リードと、支持
板に連結されない外部リードとを備えたリードフレーム
を用意し、支持板の一方の主面に半導体チップを固着し
且つ支持板に連結されない外部リードと半導体チップと
を電気的に接続する工程と、キャビティと、キャビティ
に繋ったゲートと、キャビティ内に突出するピンと、キ
ャビティ内を移動可能に配設されたスライド型とを有す
る成形用型を用意し、支持板の他方の端部がキャビティ
のゲートが繋った面と対向し且つ支持板の孔又は四部に
ピンが支持板から離間して挿入される状態にリードフレ
ムを成形用型に装着する工程と、支持板の一方の端部側
に連結された外部リードを成形用型で把持し且つピンよ
りも支持板の他方の端部側において支持板をスライド型
で把持することによって支持板をその他方の主面がキャ
ビティの面から離間するように位置決めした状態でキャ
ビティ内に樹脂を注入する工程と、スライド型を支持板
から離間するように移動し、スライド型の移動によって
生じた空所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する
。また、本発明の他の実施例では、一方の端部側に肉厚
部を有し且つ他方の端部側に肉薄部を有する支持板と、
支持板の一方の端部側に連結された外部リードと、支持
板に連結されない外部リードとを備えたり一ドフレムと
を用意し、支持板の一方の主面の肉厚部に半導体チップ
を固着し且つ支持板に連結されない外部リードと半導体
チップとを電気的に接続する工程と、キャビティと、キ
ャビティに繋ったゲートと、キャビティ内を移動可能に
配設されたスライド型とを有する成形用型を用意し、支
持板の他方の端部がキャビティのゲートが繋った面と対
向するようにリードフレームを成形用型に装着する工程
と、支持板の一方の端部側に連結された外部リドを成形
用型で把持し且つ支持板の肉薄部をスライド型で把持す
ることによって支持板をその他方の主面がキャビティの
面から離間するように位置決めした状態でキャビティ内
に樹脂を注入する工程と、スライド型を支持板から離間
するように移動し、スライド型の移動によって生じた空
所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する。 ［０００５］
半導体装置の製造方法は孔又は四部を有する支持板と、
支持板の一方の端部側に連結された外部リードと、支持
板に連結されない外部リードとを備えたリードフレーム
を用意し、支持板の一方の主面に半導体チップを固着し
且つ支持板に連結されない外部リードと半導体チップと
を電気的に接続する工程と、キャビティと、キャビティ
に繋ったゲートと、キャビティ内に突出するピンと、キ
ャビティ内を移動可能に配設されたスライド型とを有す
る成形用型を用意し、支持板の他方の端部がキャビティ
のゲートが繋った面と対向し且つ支持板の孔又は四部に
ピンが支持板から離間して挿入される状態にリードフレ
ムを成形用型に装着する工程と、支持板の一方の端部側
に連結された外部リードを成形用型で把持し且つピンよ
りも支持板の他方の端部側において支持板をスライド型
で把持することによって支持板をその他方の主面がキャ
ビティの面から離間するように位置決めした状態でキャ
ビティ内に樹脂を注入する工程と、スライド型を支持板
から離間するように移動し、スライド型の移動によって
生じた空所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する
。また、本発明の他の実施例では、一方の端部側に肉厚
部を有し且つ他方の端部側に肉薄部を有する支持板と、
支持板の一方の端部側に連結された外部リードと、支持
板に連結されない外部リードとを備えたり一ドフレムと
を用意し、支持板の一方の主面の肉厚部に半導体チップ
を固着し且つ支持板に連結されない外部リードと半導体
チップとを電気的に接続する工程と、キャビティと、キ
ャビティに繋ったゲートと、キャビティ内を移動可能に
配設されたスライド型とを有する成形用型を用意し、支
持板の他方の端部がキャビティのゲートが繋った面と対
向するようにリードフレームを成形用型に装着する工程
と、支持板の一方の端部側に連結された外部リドを成形
用型で把持し且つ支持板の肉薄部をスライド型で把持す
ることによって支持板をその他方の主面がキャビティの
面から離間するように位置決めした状態でキャビティ内
に樹脂を注入する工程と、スライド型を支持板から離間
するように移動し、スライド型の移動によって生じた空
所にゲートから樹脂を注入する工程とを有する。 ［０００５］
【作用】ピンよりも支持板の他方の端部側において支持
板をスライド型で挟持するので、樹脂成形時に支持板を
確実に保持することができる。また、支持板の肉薄部を
スライド型で確実に挟持することができる。 ［０００６］
板をスライド型で挟持するので、樹脂成形時に支持板を
確実に保持することができる。また、支持板の肉薄部を
スライド型で確実に挟持することができる。 ［０００６］
【実施例】図１〜図６は本発明の実施例を示し、図１は
本発明により製造された樹脂封止型半導体装置を示す。 図２は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導
体装置組立体を示し、２１はニッケル被覆銅板から成る
支持板で肉厚部２１ｂと肉薄部２１ａを有し、２２ａ、
２２ｂ、２２ｃは同じ材料から成る外部リード線で、２
２ａがベースリード、２２ｂがコレクタリード、２２ｃ
がエミッタリードである。２３はシリコンパワートラン
ジスタチップで、詳細を図示しないが、上面にはベース
電極およびエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極がそ
れぞれ形成されている。チップ２３はその下面において
支持板２１の肉厚部２１ｂに半田付けにより固着されて
いる。 従ってコレクタ電極は、支持板２１と電気的に接続され
る。２４ａ、２４ｂはアルミニウム線で、チップ２３の
ベス電極とベースリード２２ａ間、チップ２３のエミッ
タ電極とエミツタリード２２ｃ間をそれぞれ接続する。 ２５はジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチ
ップ保護用のシリコン樹脂である。２６はタイバーと呼
ばれるリード線同志を橋絡した細条、２７はリード線の
端部を共通して連結している細条である。支持板２１に
は、リード線導出側とは反対端部に近接して孔２８が形
成されている。なお、孔２８の代わりに支持板２１に凹
部を形成することもよく行われる。なお、図にはリード
フレームの内の１個のパワートランジスタ分を示してい
るが、実際には多数個分が並列している。 ［０００７１図３〜図６は図２のリードフレームをトラ
ンスファモールド法により樹脂封止するためにモールド
金型にセットした状態を示し、図２のＩＩ−ＩＩ線に沿
った断面に対応する。この金型は上部金型２９と下部金
型３０とからなり、上部金型２９と下部金型３０の一方
は可動型となり他方は固定型となる。３１．３２は封止
樹脂が送られてくるランナ、３３．３４は封止樹脂のゲ
ートである。上部金型２９には、第１スライド型２９ａ
が滑動可能に設けられ、下部金型３０にも同様に第２ス
ライド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型２９
からは支持板２１の孔２８を貫通して下部金型３０に達
する取付孔成形用の円柱状ピン２９ｂが伸びている。 ［０００８］図３に示すように、上部金型２９と下部金
型３０を型締して形成されるキャビティに図２のリード
フレームがセットされる。支持板２１から導出されたコ
レクタリード２２ｂは、図２の細条２６と共に上部金型
２９と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１の
リード導出側とは反対側の端部側に配設された肉薄部２
１ａは、上部金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１ス
ライド型２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能
な第２スライド型３０ａによって挾持される。これによ
り支持板２１は下部金型３０から約０．４ｍｍ間隔で離
間し、支持板２１の肉薄部２１ａを除いては上部金型２
９と下部金型３０に非接触の状態にセットされる。上部
金型２９と下部金型３０は、スライド型２９ａ、３０ａ
が支持板の肉薄部２１ａを挟持した状態において、ゲー
ト３３から融解樹脂を圧入する第１キヤビテイ３５を形
成する。なお、図示の例では円柱状ピン２９ｂと支持板
２１とコレクタリード２２ｂによってキャビティ３５が
分割されるように見えるが、実際にはスライド型２９ａ
、３０ａの右側のキャビティ３５は連続する１つの空間
である。 ［０００９］次に図４に示すように、キャビティ３５に
連絡するゲート３３から熱硬化性エポシキ樹脂等の融解
樹脂を圧入させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充
填する。このとき融解樹脂はランナ３１を通り圧送され
、ゲート３３からキャビティ３５内に流入するが、予め
上部金型２９と下部金型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を
起こす１７０℃程度の温度に加熱されているので、キャ
ビティ３５に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜
３分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成す
る。 ［００１０１封止樹脂３６が固化した後に、図５に示す
ように、第１及び第２スライド型２９ａ、３０ａをそれ
ぞれ上方と下方に移動させ、支持板の肉薄部２１ａの挾
持が解除される。しかし、すてに封止樹脂３６が固化し
ているので、支持板２１がキャビティ内で移動すること
はない。スライド型２９ａ、３０ａの移動で第２キヤビ
テイ３７が形成され、支持板２１の肉薄部２１ａは、封
止樹脂３６から第２キヤビテイ３７内に突出して上部金
型２９と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤ
ビテイ３７の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂
に対してすでに固化した封止樹脂３６の端面で形成され
る。 ［００１１１次に図６に示すように、第２キヤビテイ３
７に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキ
シ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３
７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ３２から圧送され
ゲート３４からキャビティ３７に流入する。このとき、
上部金型２９と下部金型３０は、樹脂の熱硬化温度１７
０℃程度に保持されており、キャビティ３７に粘液状態
で充填された樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３６と３
８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完全に包囲
する樹脂封止構造が得られる。 ［００１２］その後、上部金型２９と下部金型３０の型
締めを解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金型
３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完
全な固化を起こさせるために、このリードフレームに１
７０℃程度の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理
を施す。 ［００１３］図１は、前記製法で作られたパワートラン
ジスタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は
、支持板の一部分を残して半導体チップと支持板とを被
覆する第１封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部
分を被覆する第２樹脂封止部３８とで構成され、第１及
び第２封止樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板
が完全に封止されることは、前述の通りである。 ［００１４］３９は図１の円柱状ピン２９ｂによって支
持板の孔２８を貫通するように形成された取付孔である
。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出していないの
で、取付孔３９にネジを通してこのパワートランジスタ
を外部放熱体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを
挿入する必要はない。もちろん、このパワートランジス
タと外部放熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要も
ない。なお、図１は、ゲート３３．３４とランナ３１．
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細条２６
．２７は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ
、２２ｂ、２２ｃは互いに分離される。 ［００１５］上記製造方法は、１組の上部及び下部金型
２９．３０を使用する方法であるから、第１樹脂封止部
３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、金型に複数
回リードフレームを装着したり取外す必要はない。 ［００１６］したがって、２回の融解樹脂圧入を行う方
法にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型の移
動で、金型に１度リードフレームを装着すればよい。ま
た、図７、図８のように細条３ａ、３ｂを切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体装
置を提供することができる。また、支持板２１は、上部
及び下部金型２９．３０内で一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挟持により確実かつ正確に位置決め固定される
。 従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹脂装
を許容寸法差範囲内で形成できる。即ち初期の設計に対
し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。 ［００１７１更に、上記の製造方法では、円柱状ピン２
９ｂよりも他方の端部側において支持板２１をスライド
型２９ａ、３０ａで把持しているので、スライド型２９
ａ、３０ａの移動によって形成された第２のキャビティ
３７にゲート３４から封止樹脂を良好に注入できる。ま
た、スライド型２９ａ、３０ａが支持板２１の肉薄部２
１ａを把持するので、支持板２１を確実に把持できる。 また、半導体チップ２３が支持板２１の肉厚部２１ｂに
固着されるので、放熱応答性を良好に得られる。 ［００１８］尚、本発明は、上記実施例に限定されるこ
となく、種々の技術的変更が可能である。例えば、第１
キヤビテイ又は第２キヤビテイは、複数の分割されたキ
ャビティで構成することも可能である。第２キヤビテイ
の充填をより容易にするためスライド型と一体に移動す
るランナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチッ
プを固着したセンタタップ形ダイオードに適用するのに
も好適な製造方法である。 ［００１９］
本発明により製造された樹脂封止型半導体装置を示す。 図２は樹脂封止工程前のリードフレームと呼ばれる半導
体装置組立体を示し、２１はニッケル被覆銅板から成る
支持板で肉厚部２１ｂと肉薄部２１ａを有し、２２ａ、
２２ｂ、２２ｃは同じ材料から成る外部リード線で、２
２ａがベースリード、２２ｂがコレクタリード、２２ｃ
がエミッタリードである。２３はシリコンパワートラン
ジスタチップで、詳細を図示しないが、上面にはベース
電極およびエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極がそ
れぞれ形成されている。チップ２３はその下面において
支持板２１の肉厚部２１ｂに半田付けにより固着されて
いる。 従ってコレクタ電極は、支持板２１と電気的に接続され
る。２４ａ、２４ｂはアルミニウム線で、チップ２３の
ベス電極とベースリード２２ａ間、チップ２３のエミッ
タ電極とエミツタリード２２ｃ間をそれぞれ接続する。 ２５はジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチ
ップ保護用のシリコン樹脂である。２６はタイバーと呼
ばれるリード線同志を橋絡した細条、２７はリード線の
端部を共通して連結している細条である。支持板２１に
は、リード線導出側とは反対端部に近接して孔２８が形
成されている。なお、孔２８の代わりに支持板２１に凹
部を形成することもよく行われる。なお、図にはリード
フレームの内の１個のパワートランジスタ分を示してい
るが、実際には多数個分が並列している。 ［０００７１図３〜図６は図２のリードフレームをトラ
ンスファモールド法により樹脂封止するためにモールド
金型にセットした状態を示し、図２のＩＩ−ＩＩ線に沿
った断面に対応する。この金型は上部金型２９と下部金
型３０とからなり、上部金型２９と下部金型３０の一方
は可動型となり他方は固定型となる。３１．３２は封止
樹脂が送られてくるランナ、３３．３４は封止樹脂のゲ
ートである。上部金型２９には、第１スライド型２９ａ
が滑動可能に設けられ、下部金型３０にも同様に第２ス
ライド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型２９
からは支持板２１の孔２８を貫通して下部金型３０に達
する取付孔成形用の円柱状ピン２９ｂが伸びている。 ［０００８］図３に示すように、上部金型２９と下部金
型３０を型締して形成されるキャビティに図２のリード
フレームがセットされる。支持板２１から導出されたコ
レクタリード２２ｂは、図２の細条２６と共に上部金型
２９と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１の
リード導出側とは反対側の端部側に配設された肉薄部２
１ａは、上部金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１ス
ライド型２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能
な第２スライド型３０ａによって挾持される。これによ
り支持板２１は下部金型３０から約０．４ｍｍ間隔で離
間し、支持板２１の肉薄部２１ａを除いては上部金型２
９と下部金型３０に非接触の状態にセットされる。上部
金型２９と下部金型３０は、スライド型２９ａ、３０ａ
が支持板の肉薄部２１ａを挟持した状態において、ゲー
ト３３から融解樹脂を圧入する第１キヤビテイ３５を形
成する。なお、図示の例では円柱状ピン２９ｂと支持板
２１とコレクタリード２２ｂによってキャビティ３５が
分割されるように見えるが、実際にはスライド型２９ａ
、３０ａの右側のキャビティ３５は連続する１つの空間
である。 ［０００９］次に図４に示すように、キャビティ３５に
連絡するゲート３３から熱硬化性エポシキ樹脂等の融解
樹脂を圧入させ、封止樹脂３６をキャビティ３５内に充
填する。このとき融解樹脂はランナ３１を通り圧送され
、ゲート３３からキャビティ３５内に流入するが、予め
上部金型２９と下部金型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を
起こす１７０℃程度の温度に加熱されているので、キャ
ビティ３５に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜
３分以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成す
る。 ［００１０１封止樹脂３６が固化した後に、図５に示す
ように、第１及び第２スライド型２９ａ、３０ａをそれ
ぞれ上方と下方に移動させ、支持板の肉薄部２１ａの挾
持が解除される。しかし、すてに封止樹脂３６が固化し
ているので、支持板２１がキャビティ内で移動すること
はない。スライド型２９ａ、３０ａの移動で第２キヤビ
テイ３７が形成され、支持板２１の肉薄部２１ａは、封
止樹脂３６から第２キヤビテイ３７内に突出して上部金
型２９と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤ
ビテイ３７の一面は、ゲート３４から流入する封止樹脂
に対してすでに固化した封止樹脂３６の端面で形成され
る。 ［００１１１次に図６に示すように、第２キヤビテイ３
７に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エポキ
シ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキャビティ３
７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ３２から圧送され
ゲート３４からキャビティ３７に流入する。このとき、
上部金型２９と下部金型３０は、樹脂の熱硬化温度１７
０℃程度に保持されており、キャビティ３７に粘液状態
で充填された樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３６と３
８が互いに密着して一体化し、支持板２１を完全に包囲
する樹脂封止構造が得られる。 ［００１２］その後、上部金型２９と下部金型３０の型
締めを解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金型
３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６．３８に完
全な固化を起こさせるために、このリードフレームに１
７０℃程度の温度で長時間（例えば２４時間）の熱処理
を施す。 ［００１３］図１は、前記製法で作られたパワートラン
ジスタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹脂は
、支持板の一部分を残して半導体チップと支持板とを被
覆する第１封止樹脂部３６と、支持板の上記残りの一部
分を被覆する第２樹脂封止部３８とで構成され、第１及
び第２封止樹脂部３６と３８は、互いに密着して支持板
が完全に封止されることは、前述の通りである。 ［００１４］３９は図１の円柱状ピン２９ｂによって支
持板の孔２８を貫通するように形成された取付孔である
。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出していないの
で、取付孔３９にネジを通してこのパワートランジスタ
を外部放熱体に固定するとき、取付孔に絶縁ブツシュを
挿入する必要はない。もちろん、このパワートランジス
タと外部放熱体の間にマイカ薄板等を介在させる必要も
ない。なお、図１は、ゲート３３．３４とランナ３１．
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細条２６
．２７は最終的には切断除去されて、外部リード２２ａ
、２２ｂ、２２ｃは互いに分離される。 ［００１５］上記製造方法は、１組の上部及び下部金型
２９．３０を使用する方法であるから、第１樹脂封止部
３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、金型に複数
回リードフレームを装着したり取外す必要はない。 ［００１６］したがって、２回の融解樹脂圧入を行う方
法にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型の移
動で、金型に１度リードフレームを装着すればよい。ま
た、図７、図８のように細条３ａ、３ｂを切断する工程
は不要である。しかも支持板２１は封止樹脂３６．３８
で完全に包囲されるので、従来のような短絡事故や絶縁
不良が起こらず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱
いやすいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体装
置を提供することができる。また、支持板２１は、上部
及び下部金型２９．３０内で一対のスライド型２９ａ、
３０ａの挟持により確実かつ正確に位置決め固定される
。 従って、支持板２１の裏面に所望寸法の薄い封止樹脂装
を許容寸法差範囲内で形成できる。即ち初期の設計に対
し、微小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。 ［００１７１更に、上記の製造方法では、円柱状ピン２
９ｂよりも他方の端部側において支持板２１をスライド
型２９ａ、３０ａで把持しているので、スライド型２９
ａ、３０ａの移動によって形成された第２のキャビティ
３７にゲート３４から封止樹脂を良好に注入できる。ま
た、スライド型２９ａ、３０ａが支持板２１の肉薄部２
１ａを把持するので、支持板２１を確実に把持できる。 また、半導体チップ２３が支持板２１の肉厚部２１ｂに
固着されるので、放熱応答性を良好に得られる。 ［００１８］尚、本発明は、上記実施例に限定されるこ
となく、種々の技術的変更が可能である。例えば、第１
キヤビテイ又は第２キヤビテイは、複数の分割されたキ
ャビティで構成することも可能である。第２キヤビテイ
の充填をより容易にするためスライド型と一体に移動す
るランナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオードチッ
プを固着したセンタタップ形ダイオードに適用するのに
も好適な製造方法である。 ［００１９］
【発明の効果】前記の通り本発明によれば、支持板の裏
面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると
朋に、支持板を完全に樹脂で封止できる樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることができる。
面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成できると
朋に、支持板を完全に樹脂で封止できる樹脂封止型半導
体装置の製造方法を得ることができる。
【図１】本発明により製造された樹脂封止形半導体装置
の斜視図
の斜視図
【図２】リードフレームの斜視図
【図３】本発明において樹脂封止形半導体装置を樹脂モ
ルトする金型の断面図
ルトする金型の断面図
【図４】第１封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
【
図５】一対のスライド型を移動した後の金型の断面図
図５】一対のスライド型を移動した後の金型の断面図
【
図６】第２封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
図６】第２封止樹脂部を成形した後の金型の断面図
【図
７】従来の樹脂封止形半導体装置の製造に使用する金型
の断面図
７】従来の樹脂封止形半導体装置の製造に使用する金型
の断面図
【図８】従来の樹脂封止形半導体装置の斜視図である。
２１、、、支持板、 ２２ａ１２２ｂ、２２ｃ、、、
外部リード、２６．２７細条、 ２９．、、上部金型
、 ３０１１．下部金型、 ２９ａ、３０ａ、、、
スライド型、３５、、、キャビティ、 ３６．、、第
１封止樹脂部、 ３８．、、第２封止樹脂部、 ３９
．、、取付孔
外部リード、２６．２７細条、 ２９．、、上部金型
、 ３０１１．下部金型、 ２９ａ、３０ａ、、、
スライド型、３５、、、キャビティ、 ３６．、、第
１封止樹脂部、 ３８．、、第２封止樹脂部、 ３９
．、、取付孔
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
Claims (2)
- 【請求項１】孔又は凹部を有する支持板と、該支持板の
一方の端部側に連結された外部リードと、該支持板に連
結されない外部リードとを備えたリードフレームを用意
し、前記支持板の一方の主面に半導体チップを固着し且
つ前記支持板に連結されない外部リードと前記半導体チ
ップとを電気的に接続する工程と、キャビティと、該キ
ャビティに繋ったゲートと、該キャビティ内に突出する
ピンと、該キャビティ内を移動可能に配設されたスライ
ド型とを有する成形用型を用意し、前記支持板の他方の
端部が前記キャビティの前記ゲートが繋った面と対向し
且つ前記支持板の孔又は四部に前記ピンが前記支持板か
ら離間して挿入される状態に前記リードフレームを前記
成形用型に装着する工程と、前記支持板の一方の端部側
に連結された外部リードを前記成形用型で把持し且つ前
記ピンよりも前記支持板の前記他方の端部側において前
記支持板を前記スライド型で把持することによって前記
支持板をその他方の主面が前記キャビティの面から離間
するように位置決めした状態で前記キャビティ内に樹脂
を注入する工程と、前記スライド型を前記支持板から離
間するように移動し、前記スライド型の移動によって生
じた空所に前記ゲートから樹脂を注入する工程と、を有
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
。 - 【請求項２】一方の端部側に肉厚部を有し且つ他方の端
部側に肉薄部を有する支持板と、該支持板の前記一方の
端部側に連結された外部リードと、該支持板に連結され
ない外部リードとを備えたリードフレームとを用意し、
前記支持板の一方の主面の前記肉厚部に半導体チップを
固着し且つ前記支持板に連結されない外部リードと前記
半導体チップとを電気的に接続する工程と、キャビティ
と、該キャビティに繋ったゲートと、該キャビティ内を
移動可能に配設されたスライド型とを有する成形用型を
用意し、前記支持板の他方の端部が前記キャビティの前
記ゲートが繋った面と対向するように前記リードフレム
を前記成形用型に装着する工程と、前記支持板の一方の
端部側に連結された外部リードを前記成形用型で把持し
且つ前記支持板の前記肉薄部を前記スライド型で把持す
ることによって前記支持板をその他方の主面が前記キャ
ビティの面から離間するように位置決めした状態で前記
キャビティ内に樹脂を注入する工程と、前記スライド型
を前記支持板から離間するように移動し、前記スライド
型の移動によって生じた空所に前記ゲートから樹脂を注
入する工程と、を有することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036487A JPH04211139A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3036487A JPH04211139A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12204784A Division JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04211139A true JPH04211139A (ja) | 1992-08-03 |
| JPH0566016B2 JPH0566016B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=12471182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036487A Granted JPH04211139A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04211139A (ja) |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3036487A patent/JPH04211139A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566016B2 (ja) | 1993-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |