JPH0210572B2 - - Google Patents
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- JPH0210572B2 JPH0210572B2 JP59122047A JP12204784A JPH0210572B2 JP H0210572 B2 JPH0210572 B2 JP H0210572B2 JP 59122047 A JP59122047 A JP 59122047A JP 12204784 A JP12204784 A JP 12204784A JP H0210572 B2 JPH0210572 B2 JP H0210572B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止形半導体装置の製造方法に
関連する。
関連する。
従来の樹脂封止形半導体装置では、半導体チツ
プの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付
ける場合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板
を挿入して支持板を固定していたが、良好な熱伝
導性を有する樹脂材料の開発に伴い、支持板の裏
面も樹脂で被覆して、マイカ板を省略できるよう
になつた。
プの電極がその放熱板即ち支持板と電気的に接続
されているため、他の放熱体に半導体装置を取付
ける場合、支持板と他の放熱体との間にマイカ板
を挿入して支持板を固定していたが、良好な熱伝
導性を有する樹脂材料の開発に伴い、支持板の裏
面も樹脂で被覆して、マイカ板を省略できるよう
になつた。
その１例として、特開昭57−147260号公報に示
されるように、パワートランジスタは、トランス
フアモールド法により樹脂モールドされるが、こ
の公知例は、第７図及び第８図に示す通り、トラ
ンジスタチツプ４は、支持板１に接着され、外部
リード２ａ，２ｂと電気的に接続され、更に保護
用樹脂５で被覆されたのち、上部金型８と下部金
型９によつて形成されるキヤビテイ１２内に配置
される。この場合、支持板１は、それから一体成
形された外部リード２ｂ及び細条３ａ，３ｂによ
り支持され、下部金型から数百μmの距離６′ａだ
け分離され、キヤビテイ内に融解樹脂が圧入され
る。
されるように、パワートランジスタは、トランス
フアモールド法により樹脂モールドされるが、こ
の公知例は、第７図及び第８図に示す通り、トラ
ンジスタチツプ４は、支持板１に接着され、外部
リード２ａ，２ｂと電気的に接続され、更に保護
用樹脂５で被覆されたのち、上部金型８と下部金
型９によつて形成されるキヤビテイ１２内に配置
される。この場合、支持板１は、それから一体成
形された外部リード２ｂ及び細条３ａ，３ｂによ
り支持され、下部金型から数百μmの距離６′ａだ
け分離され、キヤビテイ内に融解樹脂が圧入され
る。
第７図は、ランナ１０を経て注入孔１１から液
状の封止樹脂６がキヤビテイ１２に充填された状
態を示し、第８図は、第７図の工程を経て完成し
たパワートランジスタの斜視図を示す。第７図は
第８図の−線に沿つた断面に対応している。
７は取付孔である。
状の封止樹脂６がキヤビテイ１２に充填された状
態を示し、第８図は、第７図の工程を経て完成し
たパワートランジスタの斜視図を示す。第７図は
第８図の−線に沿つた断面に対応している。
７は取付孔である。
ところで細条３ａ，３ｂはキヤビテイ１２内に
おいて支持板１の位置を固定するためのもので、
支持板１の裏面に薄く形成される封止樹脂層６ａ
を所望の均一な厚みに形成するために必要であ
る。細条３ａ，３ｂがなくて支持板１がリード線
２ｂのみによつて支えられている場合には、通常
は圧入された封止樹脂６によつて支持板１が浮動
させられてしまい、封止樹脂層６ａは所望の厚み
より厚いものになつてしまうので、放熱特性の悪
いパワートランジスタになつてしまう。
おいて支持板１の位置を固定するためのもので、
支持板１の裏面に薄く形成される封止樹脂層６ａ
を所望の均一な厚みに形成するために必要であ
る。細条３ａ，３ｂがなくて支持板１がリード線
２ｂのみによつて支えられている場合には、通常
は圧入された封止樹脂６によつて支持板１が浮動
させられてしまい、封止樹脂層６ａは所望の厚み
より厚いものになつてしまうので、放熱特性の悪
いパワートランジスタになつてしまう。
細条３ａ，３ｂは、第７図の樹脂封止工程の後
に、第７図の破線１３の位置で切断される。した
がつて、細条３ａ，３ｂの一端は第８図に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３
ａ，３ｂは外部リード２ｂと電気的に接続されて
いるので、他の素子と細条３ａ，３ｂとの接触に
よる短絡事故や細条３ａ，３ｂと外部放熱体との
間で絶縁不良が発生するなどの不都合が発生しや
すい。
に、第７図の破線１３の位置で切断される。した
がつて、細条３ａ，３ｂの一端は第８図に示すよ
うに封止樹脂６の外部に露出している。細条３
ａ，３ｂは外部リード２ｂと電気的に接続されて
いるので、他の素子と細条３ａ，３ｂとの接触に
よる短絡事故や細条３ａ，３ｂと外部放熱体との
間で絶縁不良が発生するなどの不都合が発生しや
すい。
本発明は、上記欠点を解消するため、支持板の
裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成
できると共に、支持板を完全に樹脂で封入できる
樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するもの
で、支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避で
きる特徴を有する。
裏面に薄い封止樹脂層を所望の均一な厚みに形成
できると共に、支持板を完全に樹脂で封入できる
樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供するもの
で、支持板の短絡事故や絶縁不良を完全に回避で
きる特徴を有する。
実施例
第１図ないし第６図は、本発明の実施例を示
し、第１図は、本発明により製造された樹脂封止
形半導体装置を示し、第２図は樹脂封止工程前の
リードフレームと呼ばれる半導体装置組立体を示
し、２１はニツケル被覆銅板から成る支持板、２
２ａ，２２ｂ，２２ｃは同じ材料から成る外部リ
ード線で、２２ａがベースリード、２２ｂがコレ
クタリード、２２ｃがエミツタリードである。２
３はシリコンパワートランジスタチツプで、詳細
は図示していないが、上面にはベース電極および
エミツタ電極が、下面にはコレクタ電極がそれぞ
れ形成されている。チツプ２３はその下面におい
て支持板２１に半田付けにより固着されている。
従つてコレクタ電極は、支持板２１と電気的に接
続される。２４ａ，２４ｂはアルミニウム線で、
チツプ２３のベース電極とベースリード２２ａ
間、チツプ２３のエミツタ電極とエミツタリード
２２ｃ間をそれぞれ接続する。２５はジヤンクシ
ヨンコーテイングレジンと呼ばれるチツプ保護用
のシリコン樹脂である。２６はタイバーと呼ばれ
るリード線同志を橋絡した細条、２７はリード線
の端部を共通して連結している細条である。支持
板２１には、リード線導出側とは反対側端部に近
接して孔２８が形成されている。なお、孔２８の
代わりに支持板２１に凹部を形成することもよく
行われる。なお、図にはリードフレームの内の１
個のパワートランジスタ分を示しているが、実際
には多数個分が並列したものである。
し、第１図は、本発明により製造された樹脂封止
形半導体装置を示し、第２図は樹脂封止工程前の
リードフレームと呼ばれる半導体装置組立体を示
し、２１はニツケル被覆銅板から成る支持板、２
２ａ，２２ｂ，２２ｃは同じ材料から成る外部リ
ード線で、２２ａがベースリード、２２ｂがコレ
クタリード、２２ｃがエミツタリードである。２
３はシリコンパワートランジスタチツプで、詳細
は図示していないが、上面にはベース電極および
エミツタ電極が、下面にはコレクタ電極がそれぞ
れ形成されている。チツプ２３はその下面におい
て支持板２１に半田付けにより固着されている。
従つてコレクタ電極は、支持板２１と電気的に接
続される。２４ａ，２４ｂはアルミニウム線で、
チツプ２３のベース電極とベースリード２２ａ
間、チツプ２３のエミツタ電極とエミツタリード
２２ｃ間をそれぞれ接続する。２５はジヤンクシ
ヨンコーテイングレジンと呼ばれるチツプ保護用
のシリコン樹脂である。２６はタイバーと呼ばれ
るリード線同志を橋絡した細条、２７はリード線
の端部を共通して連結している細条である。支持
板２１には、リード線導出側とは反対側端部に近
接して孔２８が形成されている。なお、孔２８の
代わりに支持板２１に凹部を形成することもよく
行われる。なお、図にはリードフレームの内の１
個のパワートランジスタ分を示しているが、実際
には多数個分が並列したものである。
第３図ないし第６図は、第２図のリードフレー
ムをトランスフアモールド法により樹脂封止する
ためにモールド金型にセツトした状態を示す。な
お、第３図ないし第６図は、第２図の−線に
沿つた断面に対応する。この金型は、上部金型２
９と下部金型３０とからなり、上部金型２９と下
部金型の一方は可動型となり他方は固定型とな
る。３１，３２は封止樹脂が送られてくるラン
ナ、３３，３４は封止樹脂のゲートである。上部
金型２９には、第１スライド型２９ａが滑動可能
に設けられ、下部金型３０にも、同様に第２スラ
イド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型
２９からは支持板２１の孔２８を貫通して下部金
型３０に達する取付孔形成用の円柱状ピン２９ｂ
が伸びている。
ムをトランスフアモールド法により樹脂封止する
ためにモールド金型にセツトした状態を示す。な
お、第３図ないし第６図は、第２図の−線に
沿つた断面に対応する。この金型は、上部金型２
９と下部金型３０とからなり、上部金型２９と下
部金型の一方は可動型となり他方は固定型とな
る。３１，３２は封止樹脂が送られてくるラン
ナ、３３，３４は封止樹脂のゲートである。上部
金型２９には、第１スライド型２９ａが滑動可能
に設けられ、下部金型３０にも、同様に第２スラ
イド型３０ａが滑動可能に設けられる。上部金型
２９からは支持板２１の孔２８を貫通して下部金
型３０に達する取付孔形成用の円柱状ピン２９ｂ
が伸びている。
まず第３図に示すように、上部金型２９と下部
金型３０が型締めされることによつて形成される
キヤビテイに第２図のリードフレームがセツトさ
れる。支持板２１から導出されたコレクタリード
２２ｂは、第２図の細条２６と共に上部金型２９
と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１
のリード導出側とは反対側の端部２１ａは、上部
金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１スライド
型２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能
な第２スライド型３０ａによつて挾持される。こ
れにより支持板２１は下部金型３０から約0.4mm
の間隔だけ分離され、支持板の端部２１ａを除い
ては上部金型２９と下部金型３０に非接触の状態
にセツトされる。上部金型２９と下部金型３０
は、スライド型２９ａ，３０ａが支持板の端部２
１ａを挾持した状態において、ゲート３３から融
解樹脂を圧入する第１キヤビテイ３５を形成す
る。なお、図示の例では円柱状ピン２９ｂと支持
板２１とコレクタリード２２ｂによつてキヤビテ
イ３５が分割されるように見えるが、実際にはス
ライド型２９ａ，３０ａの右側のキヤビテイ３５
は連続する１つの空間である。
金型３０が型締めされることによつて形成される
キヤビテイに第２図のリードフレームがセツトさ
れる。支持板２１から導出されたコレクタリード
２２ｂは、第２図の細条２６と共に上部金型２９
と下部金型３０に挾持される。また、支持板２１
のリード導出側とは反対側の端部２１ａは、上部
金型２９の孔内で上下に滑動可能な第１スライド
型２９ａと下部金型３０の孔内で上下に滑動可能
な第２スライド型３０ａによつて挾持される。こ
れにより支持板２１は下部金型３０から約0.4mm
の間隔だけ分離され、支持板の端部２１ａを除い
ては上部金型２９と下部金型３０に非接触の状態
にセツトされる。上部金型２９と下部金型３０
は、スライド型２９ａ，３０ａが支持板の端部２
１ａを挾持した状態において、ゲート３３から融
解樹脂を圧入する第１キヤビテイ３５を形成す
る。なお、図示の例では円柱状ピン２９ｂと支持
板２１とコレクタリード２２ｂによつてキヤビテ
イ３５が分割されるように見えるが、実際にはス
ライド型２９ａ，３０ａの右側のキヤビテイ３５
は連続する１つの空間である。
次に第４図に示すように、キヤビテイ３５に連
絡するゲート３３から熱硬化性エポキシ樹脂等の
融解樹脂を圧入させ、封止樹脂３６をキヤビテイ
３５内に充填する。このとき融解樹脂は、ランナ
３１を通り圧送され、ゲート３３からキヤビテイ
３５内に流入するが、予め上部金型２９と下部金
型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起こす170℃程
度の温度に加熱されているので、キヤビテイ３５
に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜３分
以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成
する。
絡するゲート３３から熱硬化性エポキシ樹脂等の
融解樹脂を圧入させ、封止樹脂３６をキヤビテイ
３５内に充填する。このとき融解樹脂は、ランナ
３１を通り圧送され、ゲート３３からキヤビテイ
３５内に流入するが、予め上部金型２９と下部金
型３０はエポキシ樹脂が熱硬化を起こす170℃程
度の温度に加熱されているので、キヤビテイ３５
に粘液状態で注入された樹脂は、充填後２〜３分
以内の短時間で熱硬化を生じ封止樹脂３６を形成
する。
封止樹脂３６が固化した後に、第５図に示すよ
うに、第１及び第２スライド型２９ａ，３０ａを
それぞれ上方と下方に移動させ、支持板の端部２
１ａの挾持が解除される。しかし、すでに封止樹
脂３６が固化しているので、支持板２１がキヤビ
テイ内で移動することはない。スライド型２９
ａ，３０ａの移動で第２キヤビテイ３７が形成さ
れ、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３６からこ
の第２キヤビテイ３７内に突出して上部金型２９
と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤ
ビテイ３７の一面は、ゲート３４から流入する封
止樹脂に対して、すでに固化した封止樹脂３６の
端面で形成される。
うに、第１及び第２スライド型２９ａ，３０ａを
それぞれ上方と下方に移動させ、支持板の端部２
１ａの挾持が解除される。しかし、すでに封止樹
脂３６が固化しているので、支持板２１がキヤビ
テイ内で移動することはない。スライド型２９
ａ，３０ａの移動で第２キヤビテイ３７が形成さ
れ、支持板の端部２１ａは、封止樹脂３６からこ
の第２キヤビテイ３７内に突出して上部金型２９
と下部金型３０に非接触の状態である。第２キヤ
ビテイ３７の一面は、ゲート３４から流入する封
止樹脂に対して、すでに固化した封止樹脂３６の
端面で形成される。
次に第６図に示すように、第２キヤビテイ３７
に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エ
ポキシ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキ
ヤビテイ３７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ
３２から圧送されゲート３４からキヤビテイ３７
に流入する。このとき、上部金型２９と下部金型
３０は、樹脂の熱硬化温度170℃程度に保持され
ており、キヤビテイ３７に粘液状態で充填された
樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化で固化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３
６と３８が互いに密着して一体化し、支持板２１
を完全に包囲する樹脂封止構造が得られる。
に開口したゲート３４から前記と同じ熱硬化性エ
ポキシ樹脂等の粘液状樹脂を加圧下で流入させキ
ヤビテイ３７を充填する。粘液状樹脂は、ランナ
３２から圧送されゲート３４からキヤビテイ３７
に流入する。このとき、上部金型２９と下部金型
３０は、樹脂の熱硬化温度170℃程度に保持され
ており、キヤビテイ３７に粘液状態で充填された
樹脂は前述の通り短時間内に熱硬化で固化し、封
止樹脂３８を形成する。結果として封止樹脂部３
６と３８が互いに密着して一体化し、支持板２１
を完全に包囲する樹脂封止構造が得られる。
その後、上部金型２９と下部金型３０の型締め
を解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金
型３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６，
３８に完全な熱硬化を起こさせるために、このリ
ードフレームに170℃程度の温度で長時間（例え
ば24時間）の熱処理を施す。
を解き、樹脂封止されたリードフレームを下部金
型３０から取外す。そして更に、封止樹脂３６，
３８に完全な熱硬化を起こさせるために、このリ
ードフレームに170℃程度の温度で長時間（例え
ば24時間）の熱処理を施す。
第１図は、前記製法で作られたパワートランジ
スタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹
脂は、支持板の一部分を残して半導体チツプと支
持板とを被覆する第１封止樹脂部３６と、支持板
の上記残りの一部分を被覆する第２封止樹脂部３
８とで構成され、第１及び第２封止樹脂部３６と
３８は、互いに密着して支持板が完全に封止され
ることは、前述の通りである。
スタの斜視図を示す。このトランジスタの封止樹
脂は、支持板の一部分を残して半導体チツプと支
持板とを被覆する第１封止樹脂部３６と、支持板
の上記残りの一部分を被覆する第２封止樹脂部３
８とで構成され、第１及び第２封止樹脂部３６と
３８は、互いに密着して支持板が完全に封止され
ることは、前述の通りである。
３９は第１図の円柱状ピン２９ｂによつて支持
板の孔２８を貫通するように形成された取付孔で
ある。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出し
ていないので、取付孔３９にネジを通してこのパ
ワートランジスタを外部放熱体に固定するとき、
取付孔に絶縁ブツシユを挿入する必要はない。も
ちろん、このパワートランジスタと外部放熱体の
間にマイカ薄板等を介在させる必要もない。な
お、第１図は、ゲート３３，３４とランナ３１，
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細
条２６，２７は最終的には切断除去されて、外部
リード２２ａ，２２ｂ，２２ｃは互いに分離され
る。
板の孔２８を貫通するように形成された取付孔で
ある。取付孔３９の内側にも支持板２１は露出し
ていないので、取付孔３９にネジを通してこのパ
ワートランジスタを外部放熱体に固定するとき、
取付孔に絶縁ブツシユを挿入する必要はない。も
ちろん、このパワートランジスタと外部放熱体の
間にマイカ薄板等を介在させる必要もない。な
お、第１図は、ゲート３３，３４とランナ３１，
３２の樹脂が除去された成形品を示す。また、細
条２６，２７は最終的には切断除去されて、外部
リード２２ａ，２２ｂ，２２ｃは互いに分離され
る。
上記製造方法は、１組の上部及び下部金型２
９，３０を使用する方法であるから、第１樹脂封
止部３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、
金型に複数回リードフレームを装着及び取外しす
る必要はない。
９，３０を使用する方法であるから、第１樹脂封
止部３６と第２樹脂封止部３８を形成するため、
金型に複数回リードフレームを装着及び取外しす
る必要はない。
したがつて、２回の融解樹脂圧入を行なう方法
にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型
の移動で、金型に１度リードフレームを装着すれ
ばよい。また、第７図、第８図のように細条３
ａ，３ｂを切断する工程は不要である。しかも支
持板２１は封止樹脂３６，３８で完全に包囲され
るので、従来のような短絡事故や絶縁不良が起こ
らず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱いや
すいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体
装置を提供することができる。また、上部及び下
部金型２９，３０内では支持板２１は、一対のス
ライド型２９ａ，３０ａの挾持により確実かつ正
確に位置決め固定される。従つて、支持板２１の
裏面に所望寸法の薄い封止樹脂層を許容寸法誤差
範囲内で形成できる。即ち所期の設計に対し、微
小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。
にもかかわらず、その成形時は１回のスライド型
の移動で、金型に１度リードフレームを装着すれ
ばよい。また、第７図、第８図のように細条３
ａ，３ｂを切断する工程は不要である。しかも支
持板２１は封止樹脂３６，３８で完全に包囲され
るので、従来のような短絡事故や絶縁不良が起こ
らず、外部放熱体に取付けるときに非常に扱いや
すいパワートランジスタ、ダイオード等の半導体
装置を提供することができる。また、上部及び下
部金型２９，３０内では支持板２１は、一対のス
ライド型２９ａ，３０ａの挾持により確実かつ正
確に位置決め固定される。従つて、支持板２１の
裏面に所望寸法の薄い封止樹脂層を許容寸法誤差
範囲内で形成できる。即ち所期の設計に対し、微
小偏差値の放熱特性を有する半導体装置を確実に
得ることができる。
尚、本発明は、上記実施例に限定されることな
く、種々の技術的変更が可能である。例えば、ス
ライド型２９ａ，３０ａにより支持板２１の孔２
８とチツプ２３との間で支持板２１を挾持しても
よい。この場合、ゲート３３か３４のいずれかか
ら第１キヤビテイに軸脂を注入したのちスライド
型を外側に移動して第２キヤビテイを形成し、そ
こに他方のゲートから樹脂を圧入することができ
る。即ち、第２キヤビテイは、移動前にスライド
型が収容されていたキヤビテイ及びこのキヤビテ
イに連続して支持板を収容するキヤビテイを含む
ことを意味する。又、半導体チツプを収容するキ
ヤビテイは、第１キヤビテイでも第２キヤビテイ
でもよい。更に、第１キヤビテイ又は第２キヤビ
テイは、複数の分割されたキヤビテイで構成する
ことも可能である。第２キヤビテイの充填をより
容易にするためスライド型と一体に移動するラン
ナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオー
ドチツプを固着したセンタタツプ形ダイオードに
適用するのにも好適な製造方法である。なお、実
施例では均一な厚さの支持板２１としているが、
支持板２１の端部２１ａ側をチツプ２３が固着さ
れている部分より薄くして、この薄い部分をスラ
イド型２９ａ，３０ａにより挾持するようにして
もよい。
く、種々の技術的変更が可能である。例えば、ス
ライド型２９ａ，３０ａにより支持板２１の孔２
８とチツプ２３との間で支持板２１を挾持しても
よい。この場合、ゲート３３か３４のいずれかか
ら第１キヤビテイに軸脂を注入したのちスライド
型を外側に移動して第２キヤビテイを形成し、そ
こに他方のゲートから樹脂を圧入することができ
る。即ち、第２キヤビテイは、移動前にスライド
型が収容されていたキヤビテイ及びこのキヤビテ
イに連続して支持板を収容するキヤビテイを含む
ことを意味する。又、半導体チツプを収容するキ
ヤビテイは、第１キヤビテイでも第２キヤビテイ
でもよい。更に、第１キヤビテイ又は第２キヤビ
テイは、複数の分割されたキヤビテイで構成する
ことも可能である。第２キヤビテイの充填をより
容易にするためスライド型と一体に移動するラン
ナ閉鎖部材又はランナレス金型を使用することも
できる。本発明は、支持板２１に２つのダイオー
ドチツプを固着したセンタタツプ形ダイオードに
適用するのにも好適な製造方法である。なお、実
施例では均一な厚さの支持板２１としているが、
支持板２１の端部２１ａ側をチツプ２３が固着さ
れている部分より薄くして、この薄い部分をスラ
イド型２９ａ，３０ａにより挾持するようにして
もよい。
第１図は、本発明により製造された樹脂封止形
半導体装置の斜視図；第２図は、リードフレーム
の斜視図；第３図は、本発明において樹脂封止形
半導体装置を樹脂モールドする金型の断面図；第
４図は、第１封止樹脂部を成形した後の金型の断
面図；第５図は、一対のスライド型を移動した後
の金型の断面図；第６図は、第２封止樹脂部を成
形した後の金型の断面図；第７図は、従来の樹脂
封止形半導体装置の製造に使用する金型の断面図
で；第８図は、従来の樹脂封止形半導体装置の斜
視図である。 ２１…支持板、２２ａ，２２ｂ，２２ｃ…外部
リード、２６，２７…細条、２９…上部金型、３
０…下部金型、２９ａ，３０ａ…スライド型、３
６…第１封止樹脂部、３８…第２封止樹脂部、３
９…取付孔。
半導体装置の斜視図；第２図は、リードフレーム
の斜視図；第３図は、本発明において樹脂封止形
半導体装置を樹脂モールドする金型の断面図；第
４図は、第１封止樹脂部を成形した後の金型の断
面図；第５図は、一対のスライド型を移動した後
の金型の断面図；第６図は、第２封止樹脂部を成
形した後の金型の断面図；第７図は、従来の樹脂
封止形半導体装置の製造に使用する金型の断面図
で；第８図は、従来の樹脂封止形半導体装置の斜
視図である。 ２１…支持板、２２ａ，２２ｂ，２２ｃ…外部
リード、２６，２７…細条、２９…上部金型、３
０…下部金型、２９ａ，３０ａ…スライド型、３
６…第１封止樹脂部、３８…第２封止樹脂部、３
９…取付孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の外部リードの１つに連結された支持板
を有するリードフレームの該支持板上の所定位置
に半導体チツプを接着かつ電気的に接続する工程
と、 前記支持板に連結されていない他の外部リード
と前記半導体チツプとを電気的に接続する工程
と、 前記工程を経た前記リードフレームを、一対の
スライド型を有する金型に装着する工程と、 前記金型を型締めしかつ前記スライド型で前記
リードフレームの１部を把持する工程と、 前記リードフレームを収容する前記金型内の第
１キヤビテイに融解樹脂を圧入する工程と、 前記第１キヤビテイ内の樹脂が硬化したのち前
記一対のスライド型を外側に移動して前記金型内
に第２キヤビテイを形成する工程と、 前記第２キヤビテイに融解樹脂を圧入する工程
と、 樹脂封止された前記リードフレームを前記金型
から取出す工程と、 から成る樹脂封止形半導体装置の製造方法。 ２ 前記第１キヤビテイ又は第２キヤビテイのい
ずれかが、前記半導体チツプを収容する特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製造
方法。 ３ 前記第１キヤビテイ又は第２キヤビテイが複
数の分割されたキヤビテイで構成される特許請求
の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製造
方法。 ４ 前記第２キヤビテイはスライド型が移動する
ことにより形成され、移動前にスライド型が収容
されていたキヤビテイ及び該キヤビテイに連続し
て前記支持板を収容するキヤビテイを含む特許請
求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12204784A JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12204784A JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3036488A Division JPH04211140A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JP3036487A Division JPH04211139A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612348A JPS612348A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH0210572B2 true JPH0210572B2 (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=14826290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12204784A Granted JPS612348A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612348A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6248050A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Seiei Kosan Kk | 半導体デバイス等のパツケ−ジング方法 |
| JPH01179332A (ja) * | 1987-12-31 | 1989-07-17 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
| US5133921A (en) * | 1987-12-31 | 1992-07-28 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing plastic encapsulated electronic semiconductor devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210572A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 再生装置の制御装置 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12204784A patent/JPS612348A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151035A (ja) * | 1982-03-04 | 1983-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0210572A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 再生装置の制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS612348A (ja) | 1986-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |