JPH0640557B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH0640557B2
JPH0640557B2 JP62250671A JP25067187A JPH0640557B2 JP H0640557 B2 JPH0640557 B2 JP H0640557B2 JP 62250671 A JP62250671 A JP 62250671A JP 25067187 A JP25067187 A JP 25067187A JP H0640557 B2 JPH0640557 B2 JP H0640557B2
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positioning lead
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彰 寺崎
裕彦 木村
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、樹脂封止型パワートランジスタ等の樹脂封止
型半導体装置の製造方法に関する。
従来の技術 支持板の裏面側に薄い樹脂層を形成して支持板全体を封
止樹脂で被覆した構造の樹脂封止型半導体装置が公知と
なっている。この種の半導体装置では、支持板の裏面側
の樹脂層を薄くかつ均一に形成する必要がある。これを
達成するために、例えば、特開昭61−263248号
公報に示される製造方法が知られている。この方法を第
4図及び第5図に基づいて説明する。
第4図は、樹脂封止型パワートランジスタを作成するた
めのリードフレーム(正確にはリードフレームをベース
とする中間組立体)の平面図を示し、第5図は樹脂封止
後に位置決めリードを除去した状態を示す部分的断面図
である。
リードフレーム1は、支持板2と、支持板2の一端に連
結された連結外部リード3と、支持板2の他端に連結さ
れた位置決めリード4と、連結外部リード3と並行して
設けられた非連結外部リード5と、連結外部リード3と
非連結外部リード5を連結するタイバー6及び第一の連
結細条7と、複数の位置決めリード4を連結する第二の
連結細条8とを有する。
リードフレーム1は、板状の銅材を打ち抜き加工する一
連のプレス成形工程により形成される。支持板2は他の
部分より肉厚となっており放熱板を兼ねている。第5図
に示すように、位置決めリード4が連結される側の端部
は微かな幅ではあるが肉薄部9となっており、支持板2
の裏面には段差部10が形成されている。また、支持板
2にはネジ挿入用貫通孔11が形成される。
位置決めリード4は、支持板2と一体に形成された内部
位置決めリード4aと、第二の連結細条8と一体に成形
された外部位置決めリード4bとから成る。内部リード
4aと外部リード4bは、位置決めリード4の延びる方
向と直角な対向面4aと4bにおいて、半導体チッ
プを支持板2に接着する半田の融点より30〜100℃
高い融点を持つ金属又は高分子材料より成る接着剤12
で互いに接合される。
実際のリードフレーム1は複数個の支持板2等が並行に
連結された多素子取りのリードフレームであるが、第4
図ではその1素子分のみを示す。
位置決めリード4が接着されたリードフレーム1には、
まず、支持板2の主面2aに半導体チップ(シリコント
ランジスタチップ)13を半田14により固着する。次
に、非連結外部リード5と半導体チップ13とをリード
細線15で接続する。次に、半導体チップ13を破線で
示す保護樹脂16で被覆する。その後、周知のトランス
ファモールド法により破線で示す樹脂封止体17を形成
する。この時、支持板2は、連結外部リード3と位置決
めリード4を一対の成形金型で挟持することにより、上
型と下型との間に所定の間隙を持って浮いた状態で支持
される。ここで、支持板2と下型との間の間隙は1mm以
下であり、支持板2と上型との間の間隙に比べて十分に
小さい。この状態で、成形金型の成形空所内に溶融樹脂
を圧入し固化して樹脂封止体17を形成する。溶融樹脂
の注入の際、前記成形金型による挟持のために支持板2
の位置が溶融樹脂の圧力によって変動することはなく、
支持板の裏面側に薄い樹脂層を厚みの精度良く形成でき
る。
樹脂封止の後、接着剤12を加熱して溶融させた状態で
外部位置決めリード4bを引張ることにより、内部位置
決めリード4aと外部位置決めリード4bとの間を分離
して、第5図に示すように、外部位置決めリード4b及
び第二の連結結細条8を樹脂封止体17から除去する。
外部位置決めリード4bが抜けた跡にできる孔18の奥
に内部位置決めリード4aの端面4aが位置する。こ
のため、支持板2と樹脂封止体17の下面に当接して使
用される外部放熱体との間の沿面距離が樹脂封止体17
の外側で位置決めリード4を切断する一般的方法の場合
より長くなる。即ち、支持板2と外部放熱体との間の絶
縁耐圧が高く、高耐圧半導体装置のパッケージとして好
適である。
発明が解決すべき問題点 ところで、接着剤12は半導体チップ13を支持板2に
接着する半田14の融点より30〜100℃高い融点を
持つ金属又は高分子材料が使用される。このため、外部
位置決めリード4b及び第二の連結細条8の除去に際し
て、接着剤12を溶融させるために半導体装置を加熱す
ると、半導体チップ13を接着する半田14も溶融し、
半田14の部分の熱抵抗を増加させてしまう。また、加
熱と半田14の溶融によって保護樹脂16が劣化するこ
ともある。更に、加熱によってリード細線15の接続部
分の合金化反応が過度になって、リード細線15の接続
強度が低下することもある。このように樹脂封止後に半
田14の融点を超える高温加熱を行うと、半導体装置の
特性及び信頼性に悪影響を及ぼす。また、溶融した接着
剤12が孔18に流出して、接着剤12が半田等の導電
材料の場合には前記高絶縁耐圧のメリットを半減させる
こともある。
上記の欠点を解消するため、例えば、特開昭61−56
420号公報に示すように、位置決めリード4に小断面
部を形成し、位置決めリード4に引張力を与えて前記小
断面部で位置決めリード4を破断する方法もある。しか
し、位置決めリード4の破断に要する引張力は比較的大
きく、位置決めリード4の破断に大掛かりな装置が必要
になるし、作業も複雑になる。また、樹脂封止体17を
傷つけて外観不良や特性不良を招くこともある。また、
引張力による破断の際に位置決めリード4の破断部にば
りが生じ、前記高絶縁耐圧のメリットを減少させること
もある。
そこで、本発明は上記問題を解決した樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、支持板
と、前記支持板の一端に連結された連結外部リードと、
前記支持板の一方の主面に固着されている半導体チップ
と、前記支持板の前記一方の主面に塗布されたポリイミ
ド樹脂を基材とする接着剤により前記支持板の前記一方
の主面の他端側に固着された位置決めリードとを含む半
導体装置組立体を準備する工程と、樹脂封止用成形型の
上型と下型で両持ち状態に前記連結外部リードと前記位
置決めリードとを挟持することにより前記成形型内の成
形空所に前記支持板の他方の主面が浮いた状態に前記半
導体装置組立体を前記成形型で支持する工程と、前記成
形空所に樹脂を注入しかつ前記樹脂を硬化させて樹脂封
止体を形成する工程と、前記位置決めリードに外力を加
えて前記接着剤が前期支持板の前期位置決めリードが固
着された部分に残存するように前記位置決めリードを前
期支持板から取り去る工程とを含む。
作用 支持板の一方の主面に位置決めリードを固着しているの
で、位置決めリードの一部と支持板とが重なった状態で
連結される。そのため、位置決めリードと支持板との間
で広い接着面積が得られるから、位置決めリードとして
支持板を支持するに必要十分な接着強度を得ることがで
きる。また、位置決めリードに外力(通常は引張力)を
加えて支持板から取り去るので、従来のように、破断の
際に半導体装置の加熱により生ずる半導体チップ部分で
の半田の溶融がない。したがって、半導体装置の電気的
特性の劣化や信頼性の低下を防止できると共に、樹脂封
止体を損傷しない程度の比較的小さな力で位置決めリー
ドを支持板から分離することができる。更に、接着剤が
ポリイミド樹脂を基材と高耐熱性の樹脂であるため、樹
脂封止体を形成するための樹脂成形時の加熱によっても
接着剤の支持板に対する接着力が低下しない。このた
め、位置決めリードを引き抜いたとき、支持板の位置決
めリードが固着された部分に接着剤が残存する。この結
果として、金属の露出部分が無く、半導体装置の絶縁耐
圧が十分に大きく得られる。
実施例 以下、本発明の実施例を第1図〜第3図について説明す
る。これらの図面では、第4図及び第5図に示す箇所と
同一の部分については同一の符号を付し、説明を省略す
る。
まず、第1図は樹脂封止型パワートランジスタ用リード
フレーム20を示す。
リードフレーム20は、最初は、位置決めリード21及
び第二の連結細条8から成る部分とその他の部分の二体
に分けて形成されている。製作の過程では、1枚の板材
から一体にプレス成形したものを切断して二体に分けて
もよい。この二体は、位置決めリード21の内端の下面
を支持板2の上面である一方の主面2aに接着剤22で
固着することにより一体化される。接着剤22は高耐熱
性樹脂であるポリイミド樹脂を基材とするものである。
こうして製作されたリードフレーム20に対して、半導
体チップ13を支持板2に半田14により固着する。次
に、周知のワイヤボンディング工程でリード細線15を
接続し、更に、半導体チップ13を保護樹脂16で被覆
する。その後、従来例と同様に成形用金型で連結外部リ
ード3と位置決めリード21を挟持しつつトランスファ
モールドを行う。
第二図はリードフレーム20をトランスファモールド用
金型に装着した場合の第1図のI−I線に沿う断面図を
示す。金型23、24内に形成された成形空所25内に
溶融樹脂が圧入され、半導体チップ13等を含む支持板
2の全面と、連結外部リード3、位置決めリード21及
び非連結外部リード5のそれぞれ端部を被覆する樹脂封
止体17が形成される。この時、支持板2には支持板2
を押し上げる方向に樹脂の圧力が作用する。しかし、位
置決めリード21と支持板が重ねられて必要十分な面積
で固着していること、及び位置決めリード21が支持板
2の上側にあるので前記樹脂の圧力が直接的には接着剤
22を引張る方向に働かないことから、位置決めリード
21が支持板2から剥がれてしまうことはない。したが
って、連結外部リード3と位置決めリード21によって
両持ち状に支持された支持板2は成形空所25内の正し
い位置に維持され、支持板2の裏面には0.5mm程度の
樹脂層が厚み精度良く形成される。樹脂封止体17を形
成した後、第3図に示すように、第二の連結細条8に引
張力を加えることにより位置決めリード21を樹脂封止
体17から引き抜くようにして除去する。その際、接着
剤22による固着部は比較的小さな引張力で破断する。
その後、タイバー6及び連結細条7をプレス加工により
切断除去して個々の樹脂封止型パワートランジスタとす
る。
上記実施例では、樹脂封止体17の損傷による特性劣
化、信頼性低下及び外観不良も認められない。また、位
置決めリード21に引張力を加えて支持板2から取り去
るので、従来のように、破断の際に半導体装置の加熱に
より生ずる半導体チップ13部分での半田14の溶融が
ない。したがって、半導体装置の電気的特性の劣化や信
頼性の低下を防止できる。更に、接着剤22がポリイミ
ド樹脂を基材と高耐熱性の樹脂であるため、樹脂封止体
17を形成するための樹脂成形時の加熱によっても接着
剤22の支持板2に対する接着力が低下しない。このた
め、位置決めリード21を引き抜いたとき、支持板2の
位置決めリード21が固着された部分に接着剤22が残
存する。この結果として、金属の露出部分が無く、半導
体装置の絶縁耐圧が十分に大きく得られる。
更に、樹脂封止体17に外部放熱体を装着した場合、外
部放熱体と接着剤22による固着部分との沿面距離(樹
脂封止体17に沿っての最短距離)が樹脂封止型半導体
装置と外部放熱体との絶縁耐圧を決定する一つの大きな
要因となる。本発明では、樹脂封止体17内に位置決め
リード21を残存させないので(従来例における内部位
置決めリード4aに相当するものがないので)、支持板
2の肉薄部9の端部の位置までが沿面距離となり、沿面
距離が増加する。しかも本実施例では、支持板2の凹部
27の底部から位置決めリード21が導出される形状と
していることにより、支持板2の大きさを実質的に小さ
くすることなく(放熱能力を低下させることなく)かつ
樹脂封止体17を大形化することなく、沿面距離の一層
の増加を達成している。また、支持板2の肉薄部9の端
部を樹脂封止体17の側面に近接させることにより、樹
脂封止の際に支持板2の主面2a側への樹脂の流れを抑
制し、支持板2の裏面に未充填部分の生じない良好な樹
脂封止が行われるように配慮している。
変形例 上記実施例では、接着剤22による固着部分が樹脂封止
体17の内部となるように樹脂封止した。しかし、位置
決めリード21の上部に樹脂封止体17の凹部が形成さ
れるように樹脂封止して、位置決めリード21の上面が
樹脂封止体17から露出するようにしてもよい。この場
合、第二の連結細条8を上方に持ち上げるようにしても
位置決めリード21を支持板2から分離することができ
る。また、接着剤22の固着部分が底になるように上方
のみが開口した凹部を樹脂封止体17に形成し、位置決
めリード21を引き抜くように除去した後に、この凹部
に絶縁用の樹脂を注入してもよい。この場合、この凹部
の側方が側壁に包囲されているので、絶縁用の樹脂の注
入作業が行い易い。また、前記実施例では本発明をパワ
ートランジスタに応用した例を示したが、SCR等他の
樹脂封止型半導体装置にも応用することが可能である。
発明の効果 本発明の製造方法によれば、支持板の裏面側に薄い樹脂
層を形成して支持板全体を封止樹脂で被覆した構造の樹
脂封止型半導体装置を、電気的特性及び信頼性の低下を
伴うことなく、かつ容易に製作することができる。ま
た、支持板と外部放熱体との沿面距離を大きくとって、
高絶縁耐圧の樹脂封止型半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法
に用いるリードフレームの平面図、第2図はこのリード
フレームをトランスファモールド用成形金型内に装着し
た状態を示す第1図のI−I線に沿う断面図、第3図は
第1図のリードフレームに樹脂封止体を形成した後に位
置決めリードを除去した状態を示す部分的断面図、第4
図は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法に用いるリ
ードフレームの平面図、第5図は第4図のリードフレー
ムに樹脂封止体を形成した後に位置決めリードを除去し
た状態を示す部分的断面図である。 2……支持板、2a……主面、3……連結外部リード、
5……非連結外部リード、6……タイバー、7……第一
の連結細条、8……第二の連結細条、9……支持板の肉
薄部、10……段差部、11……ネジ挿入用貫通孔、1
3……半導体チップ、14……半田、15……リード細
線、16……保護樹脂、17……樹脂封止体、20……
リードフレーム、21……位置決めリード、22……接
着剤、23……成形金型の上型、24……成形金型の下
型、25……成形空所、26……孔、27……凹部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】支持板と、前記支持板の一端に連結された
    連結外部リードと、前記支持板の一方の主面に固着され
    ている半導体チップと、前記支持板の前記一方の主面に
    塗布されたポリイミド樹脂を基材とする接着剤により前
    記支持板の前記一方の主面の他端側に固着された位置決
    めリードとを含む半導体装置組立体を準備する工程と、 樹脂封止用成形型の上型と下型で両持ち状態に前記連結
    外部リードと前記位置決めリードとを挟持することによ
    り前記成形型内の成形空所に前記支持板の他方の主面が
    浮いた状態に前記半導体装置組立体を前記成形型で支持
    する工程と、 前記成形空所に樹脂を注入しかつ前記樹脂を硬化させて
    樹脂封止体を形成する工程と、 前記位置決めリードに外力を加えて前記接着剤が前期支
    持板の前期位置決めリードが固着された部分に残存する
    ように前記位置決めリードを前期支持板から取り去る工
    程と、 を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
JP62250671A 1987-10-06 1987-10-06 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0640557B2 (ja)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1247649B (it) * 1990-10-31 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento di incapsulamento in resina di un dispositivo a semiconduttore di potenza montato su dissipatore allontanando i reofori dal dissipatore mediante l'azione del controstampo in fase di chiusura dello stampo

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61263248A (ja) * 1985-05-17 1986-11-21 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ム

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