JPS61263248A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS61263248A JPS61263248A JP10551385A JP10551385A JPS61263248A JP S61263248 A JPS61263248 A JP S61263248A JP 10551385 A JP10551385 A JP 10551385A JP 10551385 A JP10551385 A JP 10551385A JP S61263248 A JPS61263248 A JP S61263248A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使
用するリードフレームに関し、特に安定しｔ絶線耐圧を
有する樹脂封止型半導体装置の製遣方法及びそれに使用
するリードフレームに関する。
用するリードフレームに関し、特に安定しｔ絶線耐圧を
有する樹脂封止型半導体装置の製遣方法及びそれに使用
するリードフレームに関する。
従来、この種の樹脂封止型半導体装置は、第３図に示す
構造を持っている。ここで１は半導体素子、２は基板支
持部、３は封止樹脂、４は外部リードである。この構造
では半導体装置裏面の樹脂厚さ全制御する為に外部リー
ド４に対し、基板支持部の他方に支持体固定用細条５ｔ
−設け、外部リード４．支持体固定用細条５を挾持しつ
つトラノスファー成形を行なう。第４図は従来の樹脂封
止型半導体装置のリードフレームの例で例えば銅等の高
熱伝導度全極で一体成形されている。
構造を持っている。ここで１は半導体素子、２は基板支
持部、３は封止樹脂、４は外部リードである。この構造
では半導体装置裏面の樹脂厚さ全制御する為に外部リー
ド４に対し、基板支持部の他方に支持体固定用細条５ｔ
−設け、外部リード４．支持体固定用細条５を挾持しつ
つトラノスファー成形を行なう。第４図は従来の樹脂封
止型半導体装置のリードフレームの例で例えば銅等の高
熱伝導度全極で一体成形されている。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置ではタイバー、支
持体固定用細条を切断しｔ後も支持体固定用細条の切断
部が外部に寓出し比まま放置されるのでこの半導体装置
を所定放熱器体に取り付けｔ時その切断部での絶縁不良
を起こし易い。その為切断部を樹脂シーリング材で被覆
する方法が用いられるが、この方法では封止樹脂とシー
リング材の界面で剥離を起こし易く、安定し九品質金確
保することが難しい。又、切断部を酸等でニップフグ除
去する方法も用いられるがこの方法ではエッチ７グ量の
制御が難しく、一定の絶縁距離を維持することが難かし
い。この様に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で
は安定し九絶縁耐圧を確保する事が困難な上、工程が煩
雑化するという欠点があっｔｏ 本発明は上記欠点を除去し、タイバー分離部の絶縁距離
を精度良く制御でき、安定した絶縁耐圧を有する樹脂封
止型半導体装置及びそれに使用するリードフレームを提
供することを目的とする。
持体固定用細条を切断しｔ後も支持体固定用細条の切断
部が外部に寓出し比まま放置されるのでこの半導体装置
を所定放熱器体に取り付けｔ時その切断部での絶縁不良
を起こし易い。その為切断部を樹脂シーリング材で被覆
する方法が用いられるが、この方法では封止樹脂とシー
リング材の界面で剥離を起こし易く、安定し九品質金確
保することが難しい。又、切断部を酸等でニップフグ除
去する方法も用いられるがこの方法ではエッチ７グ量の
制御が難しく、一定の絶縁距離を維持することが難かし
い。この様に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で
は安定し九絶縁耐圧を確保する事が困難な上、工程が煩
雑化するという欠点があっｔｏ 本発明は上記欠点を除去し、タイバー分離部の絶縁距離
を精度良く制御でき、安定した絶縁耐圧を有する樹脂封
止型半導体装置及びそれに使用するリードフレームを提
供することを目的とする。
本発明Ｏ第ｌの発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、放熱板を兼ねる基板支持部の一方の側から導出され
る外部リードに連なる第１のタイバーと前記基板支持部
の他方の側から導出される支持体固定用細条に連なる第
２のタイバーを有するリードフレームに於て、前記基板
支持部に運なる第１のタイバーを有する第１の部分と、
第２のタイバーを有する第２の部分より成り、前記第１
の部分と第２の部分が前記支持体固定用細条部で接着剤
により接合されているリードツレ−ムラ準備する工程と
、前記リードフレームに半導体素子を搭載、配線する工
程と、該半導体素子を搭載。
は、放熱板を兼ねる基板支持部の一方の側から導出され
る外部リードに連なる第１のタイバーと前記基板支持部
の他方の側から導出される支持体固定用細条に連なる第
２のタイバーを有するリードフレームに於て、前記基板
支持部に運なる第１のタイバーを有する第１の部分と、
第２のタイバーを有する第２の部分より成り、前記第１
の部分と第２の部分が前記支持体固定用細条部で接着剤
により接合されているリードツレ−ムラ準備する工程と
、前記リードフレームに半導体素子を搭載、配線する工
程と、該半導体素子を搭載。
配線し九リードフレームの前記外部リードと支持体固定
用細条を上下の金型で挾持し樹脂封止する工程と、前記
支持体固定用細条部の接合部分を加熱し前記接合部より
分断する工程とを含んで構成される。
用細条を上下の金型で挾持し樹脂封止する工程と、前記
支持体固定用細条部の接合部分を加熱し前記接合部より
分断する工程とを含んで構成される。
また、本発明の第２の発明のリードフレームは、放熱板
を兼ねる基板支持部の一方の側から導出される外部リー
ドに連なる第１のタイバーと前記基板支持部の他方の側
から導出される支持体固定用細条に連なる第２のタイバ
ーを有するリードフレームにおいて、前記基板支持部に
連なる第ｌのタイバーを有する第１の部分と、第２のタ
イバーを有する第２の部分より成り前記第１の部分と巣
２の部分が前記支持体固定用細条部で接着剤により接合
されることにより構成される。
を兼ねる基板支持部の一方の側から導出される外部リー
ドに連なる第１のタイバーと前記基板支持部の他方の側
から導出される支持体固定用細条に連なる第２のタイバ
ーを有するリードフレームにおいて、前記基板支持部に
連なる第ｌのタイバーを有する第１の部分と、第２のタ
イバーを有する第２の部分より成り前記第１の部分と巣
２の部分が前記支持体固定用細条部で接着剤により接合
されることにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及びｗＪ２図はそれぞれ本発明の一冥施例を説明
する几めの樹脂封止型半導体装置の断面図及びそれに使
用するリードフレームの平面図である。
する几めの樹脂封止型半導体装置の断面図及びそれに使
用するリードフレームの平面図である。
まず、第２図によるリードフレームを説明する、本実施
例のリードフレームは、第２図に示すように、基板支持
部２．外部リード４．第１のタイバー７を含む第１の部
分１１と、第２のタイバー８を主とする第２Ｃ１分が支
持体固定用細条５の部分６で通常半導体素子マウント用
半田の融点より３０℃〜１００℃高い融点を持つ金属又
は高分子材料より成る接着剤で接合されることにより構
成されている。
例のリードフレームは、第２図に示すように、基板支持
部２．外部リード４．第１のタイバー７を含む第１の部
分１１と、第２のタイバー８を主とする第２Ｃ１分が支
持体固定用細条５の部分６で通常半導体素子マウント用
半田の融点より３０℃〜１００℃高い融点を持つ金属又
は高分子材料より成る接着剤で接合されることにより構
成されている。
次に、第１図により前記リードフレームを使用した樹脂
封止型半導体装置の製造方法を説明する。
封止型半導体装置の製造方法を説明する。
まず、第１図に示すように、前記第２図に示し７ｐ ＋
７−ドフンーム金準備し、次に、基板支持部上に半導体
素子１を搭載し、素子とリード間金配線する。次いで、
外部リード４と、支持体固定用細条５の接合部６ｔ−外
れた部分を金型で挾持し樹脂成型を行う。次いでタイバ
一部８を加熱することにより接合部６０接着剤を溶融せ
しめ、共通接続細条である支持体固定用細条を含む第２
の部分１２を分離する。
７−ドフンーム金準備し、次に、基板支持部上に半導体
素子１を搭載し、素子とリード間金配線する。次いで、
外部リード４と、支持体固定用細条５の接合部６ｔ−外
れた部分を金型で挾持し樹脂成型を行う。次いでタイバ
一部８を加熱することにより接合部６０接着剤を溶融せ
しめ、共通接続細条である支持体固定用細条を含む第２
の部分１２を分離する。
接合部６の位置は通常０．２ ｒｎｍ程度の位置精度で
加工できるから、樹脂端から分離した接合部迄の距離り
は０．３ｍｍ程度の位置精度で制御できる。
加工できるから、樹脂端から分離した接合部迄の距離り
は０．３ｍｍ程度の位置精度で制御できる。
従って、放熱器体に取付は比時の絶縁距離をα３′ｍｍ
以内の精度で制御できるため、必要な絶縁距離に応じｅ
ｘｔ−設定すれば、安定し九絶縁耐圧を有する樹脂封止
型半導体装置が得られる。
以内の精度で制御できるため、必要な絶縁距離に応じｅ
ｘｔ−設定すれば、安定し九絶縁耐圧を有する樹脂封止
型半導体装置が得られる。
また、本実施例ではリードフレーム単位で一括処理が出
来るので絶縁耐圧をあげる几め煩雑な従来の工程の必要
がなくなり工程の簡略化ができる。
来るので絶縁耐圧をあげる几め煩雑な従来の工程の必要
がなくなり工程の簡略化ができる。
以上説明し危機に本発明は、支持体固定用細条の部分で
基板支持部と、ｍ２のタイバ一部を接着し几リードフレ
ームを用い、樹脂成形後接着剤を加熱溶融してタイバー
を分離することにより、絶縁距離を精度良く制御でき、
安定し几絶縁耐圧金有する樹脂封止型半導体装置が得ら
れ、かつ工程を煩雑にすることもないという効果がある
。
基板支持部と、ｍ２のタイバ一部を接着し几リードフレ
ームを用い、樹脂成形後接着剤を加熱溶融してタイバー
を分離することにより、絶縁距離を精度良く制御でき、
安定し几絶縁耐圧金有する樹脂封止型半導体装置が得ら
れ、かつ工程を煩雑にすることもないという効果がある
。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の一冥施例を説明す
る九めの樹脂封止型半導体装置の断面図及びそれに使用
するリードフレームの平面図、第３図及び第４図はそれ
ぞれ従来例全説明するｔめの従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図及びそれに使用するリードフレームの平面図
である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・基板支持部
、３・・・・・・封止樹脂、４・・・・・・外部リード
、５・・・・・・支持体固定用細条、６・・・・・・リ
ードフレーム接続部、７・・・・・・第１のタイバー、
８・・・・・・ｉＱ！２のタイバー、１１・・・・・・
第１の部分、１２・・・・・・ｍ２の部分。
る九めの樹脂封止型半導体装置の断面図及びそれに使用
するリードフレームの平面図、第３図及び第４図はそれ
ぞれ従来例全説明するｔめの従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図及びそれに使用するリードフレームの平面図
である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・基板支持部
、３・・・・・・封止樹脂、４・・・・・・外部リード
、５・・・・・・支持体固定用細条、６・・・・・・リ
ードフレーム接続部、７・・・・・・第１のタイバー、
８・・・・・・ｉＱ！２のタイバー、１１・・・・・・
第１の部分、１２・・・・・・ｍ２の部分。
Claims (2)
- （１）放熱板を兼ねる基板支持部の一方の側から導出さ
れる外部リードに連なる第１のタイバーと前記基板支持
部の他方の側から導出される支持体固定用細条に連なる
第２のタイバーを有するリードフレームに於て、前記基
板支持部に連なる第１のタイバーを有する第１の部分と
、第２のタイバーを有する第２の部分より成り、前記第
１の部分と第２の部分が前記支持体固定用細条部で接着
剤により接合されているリードフレームを準備する工程
と、前記リードフレームに半導体素子を搭載、配線する
工程と、該半導体素子を搭載、配線したリードフレーム
の前記外部リードと支持体固定用細条を上下の金型で挾
持し樹脂封止する工程と、前記支持体固定用細条の接合
部分を加熱し前記接合部より分断する工程とを含むこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）放熱板を兼ねる基板支持部の一方の側から導出さ
れる外部リードに連なる第１のタイバーと前記基板支持
部の他方の側から導出される支持体固定用細条に連なる
第２のタイバーを有するリードフレームにおいて、前記
基板支持部に連なる第１のタイバーを有する第１の部分
と、第２のタイバーを有する第２の部分より成り前記第
１の部分と第２の部分が前記支持体固定用細条部で接着
剤により接合されていることを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551385A JPS61263248A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10551385A JPS61263248A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263248A true JPS61263248A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14409680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10551385A Pending JPS61263248A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに使用するリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263248A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194629A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP10551385A patent/JPS61263248A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0194629A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH0640557B2 (ja) * | 1987-10-06 | 1994-05-25 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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