JPH02129952A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02129952A JPH02129952A JP28345288A JP28345288A JPH02129952A JP H02129952 A JPH02129952 A JP H02129952A JP 28345288 A JP28345288 A JP 28345288A JP 28345288 A JP28345288 A JP 28345288A JP H02129952 A JPH02129952 A JP H02129952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- section
- semiconductor device
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 101100027969 Caenorhabditis elegans old-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、外形が例えばＴｏ−２２０形のような半導
体装置のための製造工程を利用する、小形な表面実装形
樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
体装置のための製造工程を利用する、小形な表面実装形
樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
リードフレームを用い、そのマウント部に半導体チップ
を実装し、樹脂封止を施した後に分離する製造方法は全
組立工程の自動化が可能である。
を実装し、樹脂封止を施した後に分離する製造方法は全
組立工程の自動化が可能である。
この製造方法のおよその工程は、半導体チップの製造と
並行するリードフレームの製造、リードフレームの各マ
ウント部に半導体チップの固着（グイボンディング工程
）、半導体チップと外部リードとのワイヤによる接続（
ワイヤボンディング工程）、半導体チップ等の表面処理
、トランスファモールド等による樹脂封止、リードフレ
ームの連結部分離等からなり、更にその後に試験・捺印
・梱包・出荷をする。
並行するリードフレームの製造、リードフレームの各マ
ウント部に半導体チップの固着（グイボンディング工程
）、半導体チップと外部リードとのワイヤによる接続（
ワイヤボンディング工程）、半導体チップ等の表面処理
、トランスファモールド等による樹脂封止、リードフレ
ームの連結部分離等からなり、更にその後に試験・捺印
・梱包・出荷をする。
前記製造方法は、低原価で多量生産をすることができる
が、反面、各工程のための製造設備、治工具類は高価で
あるばかりでなく工程の変更に長時間を要し、場合によ
ってはほとんど無人運転で１日２４時間操業する場合に
は操業率の低下が大きい。
が、反面、各工程のための製造設備、治工具類は高価で
あるばかりでなく工程の変更に長時間を要し、場合によ
ってはほとんど無人運転で１日２４時間操業する場合に
は操業率の低下が大きい。
前記の従来の゛技術において、前記自動化された製造工
程によってＴｏ−２２０形半導体装置又は表面実装形半
導体装置を生産する場合がある。そして両者は外部放熱
部の有無及び外部リードの形状のみが異るが、マウント
部、半導体チップ、樹脂封止部の形状が同一であるよう
な場合でも、前記自動化された製造工程を別個に計画し
、治工具類を変え、製造設備の再調整を行わなければな
らない。
程によってＴｏ−２２０形半導体装置又は表面実装形半
導体装置を生産する場合がある。そして両者は外部放熱
部の有無及び外部リードの形状のみが異るが、マウント
部、半導体チップ、樹脂封止部の形状が同一であるよう
な場合でも、前記自動化された製造工程を別個に計画し
、治工具類を変え、製造設備の再調整を行わなければな
らない。
前記両者をそれぞれ多量生産する時には良いが、表面実
装形半導体装置の生産量が少い場合は極めて生産性が悪
い。そこで、自動化製造工程で製造した例えばＴｏ−２
２０形半導体装置の外部放熱部をカッタ等で切断して表
面実装形に改造することもあるが、切断時の応力が半導
体チップに及び、樹脂との密着度も低下する等の問題が
ある。
装形半導体装置の生産量が少い場合は極めて生産性が悪
い。そこで、自動化製造工程で製造した例えばＴｏ−２
２０形半導体装置の外部放熱部をカッタ等で切断して表
面実装形に改造することもあるが、切断時の応力が半導
体チップに及び、樹脂との密着度も低下する等の問題が
ある。
この発明の目的は、例えば樹脂封止形半導体装置であっ
て、外部放熱部と外部リード部とを備え、さらにマウン
ト部である金属基板が裏面において露出するような半導
体装置の製造工程を活用して、小形な表面実装形半導体
装置を品質を維持して経済的に少量生産する製造方法を
得ることにある。
て、外部放熱部と外部リード部とを備え、さらにマウン
ト部である金属基板が裏面において露出するような半導
体装置の製造工程を活用して、小形な表面実装形半導体
装置を品質を維持して経済的に少量生産する製造方法を
得ることにある。
この発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、マウン
ト部と、その一方の取付穴付きの外部放熱部と、他方の
外部リード部とを備えたリードフレームに半導体チップ
を実装して樹脂封止を施し、この樹脂封止部の裏面に前
記マウント部の金属基板を露出させる樹脂封止形半導体
装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するものである。
ト部と、その一方の取付穴付きの外部放熱部と、他方の
外部リード部とを備えたリードフレームに半導体チップ
を実装して樹脂封止を施し、この樹脂封止部の裏面に前
記マウント部の金属基板を露出させる樹脂封止形半導体
装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するものである。
本発明に係るリードフレームの形状は従来のハートフレ
ーム形状と放熱部の断面の小さい部分を除いて他は全て
連結部等も含めて同一であり、半導体チップの内線回路
構造が異っても例えばＴ。
ーム形状と放熱部の断面の小さい部分を除いて他は全て
連結部等も含めて同一であり、半導体チップの内線回路
構造が異っても例えばＴ。
−２２０形などの外形の樹脂封止形半導体装置のための
自動化された工程と設備を完全に活用できる。そのよう
な多量生産設備により小形な表面実装形半導体装置を経
済的に少量生産することができるとともに、断面の小さ
い部分の切断による外力が少さい為に内部の半導体チッ
プに悪影響がなく、樹脂との密着度の低下の恐れがない
。外部放熱部が切断されてもマウント部をプリント基板
等にはんだ付は等するので放熱特性も良い。
自動化された工程と設備を完全に活用できる。そのよう
な多量生産設備により小形な表面実装形半導体装置を経
済的に少量生産することができるとともに、断面の小さ
い部分の切断による外力が少さい為に内部の半導体チッ
プに悪影響がなく、樹脂との密着度の低下の恐れがない
。外部放熱部が切断されてもマウント部をプリント基板
等にはんだ付は等するので放熱特性も良い。
第１図は実施例の工程図、第２図は実施例になる物の断
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長大と取付穴の部分図である。
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長大と取付穴の部分図である。
この実施例の工程も、前記〔従来の技術〕で説明した工
程を持つ。すなわち半導体チップの製造と並行するリー
ドフレームの製造、リードフレームの各マウント部に半
導体チップの固着（グイボンディング工程）、半導体チ
ップと外部リードとのワイヤによる接続（ワイヤボンデ
ィング工程）、半導体チップ等の表面処理、トランスフ
ァモールド等による樹脂封止、リードフレームの連結部
分離等からなる。
程を持つ。すなわち半導体チップの製造と並行するリー
ドフレームの製造、リードフレームの各マウント部に半
導体チップの固着（グイボンディング工程）、半導体チ
ップと外部リードとのワイヤによる接続（ワイヤボンデ
ィング工程）、半導体チップ等の表面処理、トランスフ
ァモールド等による樹脂封止、リードフレームの連結部
分離等からなる。
しかし、第１図の（ａ）ワイヤボンディング工程の図に
も現れているように、こ〜で用いられるリードフレーム
１はリードフレームの製造工程で予めＴＯ−２２０形用
リードフレームに長穴２ａが外部放熱部３に設けられ、
それだけ断面の小さい部分２を備えている。長穴２ａは
リードフレームの全形と同時に打ち抜いてもよいし、Ｔ
Ｏ−２２０形リードフレームに長穴２ａのみをパンチ加
工してもよい。
も現れているように、こ〜で用いられるリードフレーム
１はリードフレームの製造工程で予めＴＯ−２２０形用
リードフレームに長穴２ａが外部放熱部３に設けられ、
それだけ断面の小さい部分２を備えている。長穴２ａは
リードフレームの全形と同時に打ち抜いてもよいし、Ｔ
Ｏ−２２０形リードフレームに長穴２ａのみをパンチ加
工してもよい。
断面の小さい部分２と長穴２ａとを除（ほかは従来と同
一であって、リードフレームエはマウント部４と取付穴
５を設けた外部放熱部３と外部リード６ａ、６ｂとを備
え、これらの単位のものは連結部７ａ、７ｂ、７Ｃで連
結されてリードフレーム１が形成されている。（ａ）ワ
イヤボンディング工程の図で示すようにマウント部４に
半導体チップ８をグイボンディングしたものにワイヤ９
が接続される。
一であって、リードフレームエはマウント部４と取付穴
５を設けた外部放熱部３と外部リード６ａ、６ｂとを備
え、これらの単位のものは連結部７ａ、７ｂ、７Ｃで連
結されてリードフレーム１が形成されている。（ａ）ワ
イヤボンディング工程の図で示すようにマウント部４に
半導体チップ８をグイボンディングしたものにワイヤ９
が接続される。
第１図（ｂ）はトランスファモールドにより樹脂封止を
施し、各半導体素子ごとに連結部７８〜７ｃで分離を行
った工程を示す、ＴＯ−２２０形ではこの後試験工程に
入るが、この実施例では（ｃ）切断工程が特に設けられ
る。
施し、各半導体素子ごとに連結部７８〜７ｃで分離を行
った工程を示す、ＴＯ−２２０形ではこの後試験工程に
入るが、この実施例では（ｃ）切断工程が特に設けられ
る。
この工程（ｃ）では、長穴２ａのある断面の小さい部分
２が切断線１１で切断され、取付穴５を設けた外部放熱
部３の大部分はなくなり、残余部分３ａのみとなる。同
時に又は前後して外部リード６ａ 、６ｂの折り曲げ、
切断等の加工がなされ外部リード６ｘとなる。
２が切断線１１で切断され、取付穴５を設けた外部放熱
部３の大部分はなくなり、残余部分３ａのみとなる。同
時に又は前後して外部リード６ａ 、６ｂの折り曲げ、
切断等の加工がなされ外部リード６ｘとなる。
第２図は第１図の（Ｃ）切断工程後の断面を示し、樹脂
封止部１０の裏面にマウント部４が露出し、その面の延
長上に加工された外部リード６ｘが達している。
封止部１０の裏面にマウント部４が露出し、その面の延
長上に加工された外部リード６ｘが達している。
第３図は断面の小さい部分２を一対の切欠け２Ｃで形成
する態様を示す。また長大２ａと取付穴５とを第４図の
ように連結してもよい。
する態様を示す。また長大２ａと取付穴５とを第４図の
ように連結してもよい。
この発明は、マウント部と、その一方の取付穴付きの外
部放熱部と、他方の外部リード部とを備えたリードフレ
ームに半導体チップを実装して樹脂封止を施し、この樹
脂封止部の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させ
る樹脂封止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するようにしたので、例
えばＴＯ−２２０形のための自動化された多量生産用設
備と工程を活用して小形な表面実装形半導体装置を例え
小量でも生産することができるという効果があり、新た
に設備と治工具類を導入することなく共用できるという
効果がある。そして外部放熱部の切断の力が半導体装置
を害うということがないという効果があり、小形になる
のでプリント基板等の実装密度が向上するという効果が
ある。
部放熱部と、他方の外部リード部とを備えたリードフレ
ームに半導体チップを実装して樹脂封止を施し、この樹
脂封止部の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させ
る樹脂封止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するようにしたので、例
えばＴＯ−２２０形のための自動化された多量生産用設
備と工程を活用して小形な表面実装形半導体装置を例え
小量でも生産することができるという効果があり、新た
に設備と治工具類を導入することなく共用できるという
効果がある。そして外部放熱部の切断の力が半導体装置
を害うということがないという効果があり、小形になる
のでプリント基板等の実装密度が向上するという効果が
ある。
第１図は実施例の工程図、第２図は実施例になる物の断
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長大と取付穴の部分図である。 １・・・リードフレーム、２・・・断面の小さい部分、
３・・・外部放熱部、４・・・マウント部、６ａ、６ｂ
。 ６Ｘ・・・外部リード、８・・・半導体チップ、１０・
・・樹脂封止部。 １ ＋１−ト″フＬ・−１４１ （ａ）′；＋１′ヤボンテインク１才１（ｂ）分離工程 （Ｃ）切折工程 第１図 第２図 第３図 第４図
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長大と取付穴の部分図である。 １・・・リードフレーム、２・・・断面の小さい部分、
３・・・外部放熱部、４・・・マウント部、６ａ、６ｂ
。 ６Ｘ・・・外部リード、８・・・半導体チップ、１０・
・・樹脂封止部。 １ ＋１−ト″フＬ・−１４１ （ａ）′；＋１′ヤボンテインク１才１（ｂ）分離工程 （Ｃ）切折工程 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）マウント部と、その一方の取付穴付きの外部放熱部
と、他方の外部リード部とを備えたリードフレームに半
導体チップを実装して樹脂封止を施し、この樹脂封止部
の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させる樹脂封
止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断することを特徴とする樹
脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283452A JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283452A JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24447696A Division JP3019000B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129952A true JPH02129952A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0777248B2 JPH0777248B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17665729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283452A Expired - Lifetime JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777248B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007137360A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Maruenu Kk | ワイパー |
| US8015656B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-09-13 | Mitsuba Corporation | Wiper blade |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178352A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-02 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
| JPS58186958A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS601855A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JPS60226154A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63283452A patent/JPH0777248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178352A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-02 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
| JPS58186958A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS601855A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JPS60226154A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007137360A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Maruenu Kk | ワイパー |
| US8015656B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-09-13 | Mitsuba Corporation | Wiper blade |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0777248B2 (ja) | 1995-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100552353B1 (ko) | 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법 | |
| US8659146B2 (en) | Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (THT) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing | |
| US7402459B2 (en) | Quad flat no-lead (QFN) chip package assembly apparatus and method | |
| JPS629639A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US9363901B2 (en) | Making a plurality of integrated circuit packages | |
| JPH07169903A (ja) | 集積回路パッケージ | |
| JPH11330313A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその構造、該方法に用いるリードフレーム | |
| US20120112333A1 (en) | Semiconductor device with nested rows of contacts | |
| US20040089923A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| JPS58218149A (ja) | 樹脂封止ダイオ−ド用リ−ドフレ−ム | |
| US20190355651A1 (en) | Two sided bondable lead frame | |
| US20190229044A1 (en) | Lead frame with plated lead tips | |
| JPH02129952A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| US20070134845A1 (en) | Method of forming molded resin semiconductor device | |
| JP3019000B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JP2001135767A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0778903A (ja) | 混成集積回路におけるバイアス電圧の供給方法 | |
| JP4311294B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
| JP2002246531A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0228356A (ja) | 表面実装型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06295972A (ja) | ハイブリッドｉｃのリードフレームの位置決め構造及びハイブリッドｉｃの製造方法 | |
| JPS62226649A (ja) | ハイブリツド型半導体装置 | |
| JPH06268142A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001308254A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2022086084A (ja) | 電子回路装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 14 |