JPS60226154A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS60226154A
JPS60226154A JP59084379A JP8437984A JPS60226154A JP S60226154 A JPS60226154 A JP S60226154A JP 59084379 A JP59084379 A JP 59084379A JP 8437984 A JP8437984 A JP 8437984A JP S60226154 A JPS60226154 A JP S60226154A
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加藤　三聖雄
Kenichi Tateno
立野　健一
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ハイブリッド構成など高密度基板構成に用い
る樹脂封止型半導体装置に関する。
従来例の構成とその問題点 パワートランジスタは、回路基板あるいは、放熱板へ絶
縁板を介して密着させ、トランジスタ素子内部で発生し
た熱を速やかに外部へ放熱させる必要がある。
第１図＆、　ｂｉ’ｔ、従来の代表的樹脂封止型半導体
装置の構造を示す平面図と側面図である。構成は、第１
図に示すように取り付は孔１、半導体素子基板２、支持
基板につながるコレクタ用外部リード３、ベース用外部
リード４およびエミッタ用外部リード５で構成されてい
る。次に、トランジスタ素子６を支持基板２へ接着した
後、ペース電極およびエミッタ電極を外部リード４およ
び同５との間を金属細線７，８で接続する。さらに、細
条１０とコレクタ用外部リード３で、支持基板２を金型
内に浮かせて位置規制し、破線枠９で示す部分を樹脂で
封止することによって製作されているＯ このようにして形成されたパワートランジスタは、回路
基板と密着させるために、取り付は孔を使用したビス止
めが必要である。また、外部リードの導出が一方向だけ
であるため、ノ・イブリッドなど高密度基板への取り付
けに際し、多くの空間を必要としたり、基板への密着性
に欠ける欠点を有している。
発明の目的 本発明は、高密度基板構成に適し、小型、軽量で外部リ
ードを回路基板などに接続するだけで、トランジスタ本
体と回路基板との密着が得られる事、捷だコレクタ外部
リードに関しては、二方向の内どちらか一方、あるいは
両方から接続できる半導体装置の提供を目的とするもの
である。
発明の構成 本発明の半導体装置は、半導体素子支持基板を挾んで、
一方から細条で、他方から大東で、それぞれ、外部リー
ドを導出したものであり、この発明によれば、外部リー
ドの回路基板への半田などを用いた接続だけで、回路基
板に密着した装着がなされると共に１成型樹脂を通じて
放熱が確保でれ、しかも成型樹脂により回路基板との絶
縁が保たれる。加えて、二方向へのコレクタ外部リード
導出により、接続が二方向の内どちらか一方、あるいは
両方から可能となる半導体装置が実現される。
実施例の説明 以下に第２図を参照して、本発明の詳細な説明する。
第２図ｔＬ、ｂ（ｌ−１，本発明の半導体装置の一例を
示す平面図と側面図である。１ず、半導体素子支持基板
１２を挾んで、一方を細条１３、他方を支持基板幅りの
０．４倍以上の寸法Ｗを持った大東１４を有する支持基
板１２に、トランジスタ素子を接着する。次いで、トラ
ンジスタ素子１７のベースならびにエミッタの各電極と
外部リード１６゜１６間とを金属細線１８．１９によっ
て接続し、この後、細条１３と大東１４とにより、成型
用金型内に支持基板を浮かした形で位置規制し、破線枠
２０で示す部分を成型用樹脂で封止することにより、半
導体装置が完成する。そして、リード・フレームから外
部リードを切り離し、各リード部１３〜１６を図で示す
ような形状に成形すれば、本発明の半導体装置が得られ
る。第３図は、本発明の他の実施例で、コレクタ用外部
リードを大東１４から導出し、一方の細条１３は短かく
切断した形状の平面図である。
このように形成された本発明の半導体装置では、外部リ
ード１３〜１６の半田などを用いた回路基板などへの接
続だけで、半導体装置と回路基板などとの密着が得られ
、封止樹脂を介しての放熱が確保され、しかも封止樹脂
により、回路基板などとの絶縁が保たれる。また、コレ
クタ外部リード１３．１４により、コレクタ電極との接
続が二方向の内のどちらか一方、あるいは両方から可能
となる。
第４図は、半導体素子基板より導出した大東幅と支持基
板幅の比と、半導体装置を回路基板へ、半田で接続した
場合に得られる熱抵抗との関係を示した図である。図か
ら解るように大東の幅Ｗと支持基板幅りとの比、Ｗ／Ｌ
が０．４以上で、熱抵抗が安定した状態となる。
以上、本発明の一例を示したが、第３図のように、コレ
クタ外部リード１３を短かくカットした形状にすること
も可能である。
発明の効果 本発明によれば、小型、軽量で、容易にかつ、安定して
、回路基板へ密着され、また、コレクタ外部リードの接
続方向が二方向の内どちらか一方、あＡいけ両すφ≧ち
■舒〒あＡ惠密廖其析渣成ト右用な効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ、ｂＦｉ、従来の樹脂封止型パワー・トランジ
スタの構造を示す平面図と側面図、第２図ａ、ｂは、本
発明の半導体装置の構造を示す平面図と側面図、第３図
は、本発明の半導体装置の他の実施例を示す平面図、第
４図は、大東の寸法比と熱抵抗の関係を示す特性図であ
る。 １２・・・・半導体素子支持基板、１３〜１６・・・・
・外部リード、１７・・・・トランジスタ素子、１８゜
１９・・・・・金属細線、２０・・・・樹脂封止領域。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 第３図 ｑ 第４図 尺秦韓Ｗ／支竹基板７昌Ｌ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体支持基板のほぼ全面を樹脂封止成型し、前記支持
    基板を挾んで一方から細条で、他方から
JP8437984A 1984-04-25 1984-04-25 樹脂封止型半導体装置 Expired - Lifetime JPH0693482B2 (ja)

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JPS60226154A true JPS60226154A (ja) 1985-11-11
JPH0693482B2 JPH0693482B2 (ja) 1994-11-16

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02129952A (ja) * 1988-11-09 1990-05-18 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止形半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4910463U (ja) * 1972-04-28 1974-01-29
JPS5415172A (en) * 1977-07-07 1979-02-03 Fujitsu Ltd Way of fixing electronic parts

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