JPS6225905Y2 - - Google Patents
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- JPS6225905Y2 JPS6225905Y2 JP1981064307U JP6430781U JPS6225905Y2 JP S6225905 Y2 JPS6225905 Y2 JP S6225905Y2 JP 1981064307 U JP1981064307 U JP 1981064307U JP 6430781 U JP6430781 U JP 6430781U JP S6225905 Y2 JPS6225905 Y2 JP S6225905Y2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
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- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体装置を用いた各種の機器の小
型化ならびにこれを組みたてる工数の削減のため
に実用化が進められている絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置で使用するリードフレームに関する。
型化ならびにこれを組みたてる工数の削減のため
に実用化が進められている絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置で使用するリードフレームに関する。
近年、大きな電力を取り扱うことのできる電力
用半導体装置までが樹脂封止構造とされるに至つ
ているが、この樹脂封止形電力用半導体装置で
は、これを組みたてるために用いるリードフレー
ムの基板支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の接
着される面とは反対側の面が成型樹脂により覆わ
れることなく露出する構造となつている。
用半導体装置までが樹脂封止構造とされるに至つ
ているが、この樹脂封止形電力用半導体装置で
は、これを組みたてるために用いるリードフレー
ムの基板支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の接
着される面とは反対側の面が成型樹脂により覆わ
れることなく露出する構造となつている。
このような構造を有する樹脂封止形電力用半導
体装置は、各種の機器にとりつけるに際して露出
する基板支持部を放熱板へ熱的に結合されるが、
このとき、放熱板と基板支持部との間を絶縁板等
を介在させるなどして電気的に絶縁させる必要が
あつた。このため、取り付け作業が煩雑となり組
立作業能率の面で問題があつた。
体装置は、各種の機器にとりつけるに際して露出
する基板支持部を放熱板へ熱的に結合されるが、
このとき、放熱板と基板支持部との間を絶縁板等
を介在させるなどして電気的に絶縁させる必要が
あつた。このため、取り付け作業が煩雑となり組
立作業能率の面で問題があつた。
このような不都合を排除するために、基板支持
体の半導体基板が接着される側とは反対側の面上
で成型樹脂で薄く被覆した絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置の実用化が進められている。第１図は
かかる樹脂封止形半導体装置の組み立てに際して
用いられるリードフレームの平面形状とこれを用
いた半導体装置の組み立ての状態を示す図であ
る。
体の半導体基板が接着される側とは反対側の面上
で成型樹脂で薄く被覆した絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置の実用化が進められている。第１図は
かかる樹脂封止形半導体装置の組み立てに際して
用いられるリードフレームの平面形状とこれを用
いた半導体装置の組み立ての状態を示す図であ
る。
図示するように共通接続細条１、外部リード部
２，３，４、基板支持部５を具備している。な
お、６は移送ピツチの決定と封止のときの位置決
めをなす孔、７は完成した樹脂封止形半導体装置
を放熱板へとりつけるビスを挿通可能にする孔で
ある。このようなリードフレームを用いた半導体
装置の組み立ては基板支持部５への半導体基板８
の接着、金属細線９，１０による接続を組てなさ
れ、こののち点線枠１１で示す部分を樹脂で成型
することによつて樹脂封止形半導体装置が完成す
る。
２，３，４、基板支持部５を具備している。な
お、６は移送ピツチの決定と封止のときの位置決
めをなす孔、７は完成した樹脂封止形半導体装置
を放熱板へとりつけるビスを挿通可能にする孔で
ある。このようなリードフレームを用いた半導体
装置の組み立ては基板支持部５への半導体基板８
の接着、金属細線９，１０による接続を組てなさ
れ、こののち点線枠１１で示す部分を樹脂で成型
することによつて樹脂封止形半導体装置が完成す
る。
第２図は以上のようにして形成された絶縁構造
を有する樹脂封止型半導体装置の断面構造を示す
図であり、図示するように基板支持部５の半導体
基板８が接着されている面とは反対側の面（下
面）にも成型樹脂１２が薄く存在している。とこ
ろで、成型樹脂１２は金属で構成される基板支持
体５にくらべて熱伝導度が低いため、基板支持体
５の下面を覆う成型樹脂部分の厚みを十分に薄く
するとともに熱伝導度が極力高いものを選定する
必要がある。このような配慮の下で基板支持体５
の下面に極めて薄い成型樹脂層を形成した場合、
所期の目的は達成されるものの、基板支持体と成
型樹脂との間の熱収縮による剥離現象から、放熱
特性の経時変化、耐湿性の低下、機械的強度の低
下あるいは電気絶縁性の劣化などの不都合が発生
していた。
を有する樹脂封止型半導体装置の断面構造を示す
図であり、図示するように基板支持部５の半導体
基板８が接着されている面とは反対側の面（下
面）にも成型樹脂１２が薄く存在している。とこ
ろで、成型樹脂１２は金属で構成される基板支持
体５にくらべて熱伝導度が低いため、基板支持体
５の下面を覆う成型樹脂部分の厚みを十分に薄く
するとともに熱伝導度が極力高いものを選定する
必要がある。このような配慮の下で基板支持体５
の下面に極めて薄い成型樹脂層を形成した場合、
所期の目的は達成されるものの、基板支持体と成
型樹脂との間の熱収縮による剥離現象から、放熱
特性の経時変化、耐湿性の低下、機械的強度の低
下あるいは電気絶縁性の劣化などの不都合が発生
していた。
本考案は、かかる不都合が排除された絶縁構造
の樹脂封止形半導体装置を実現することのできる
リードフレームを提供するものであり、共通接続
細条から同一方向に延びる外部リード部の１本の
先端部に繋る基板支持部の半導体基板接着面とは
反対側の面の少くとも一部に溝状もしくは穴状の
凹凸加工を施したところに特徴が存在する。
の樹脂封止形半導体装置を実現することのできる
リードフレームを提供するものであり、共通接続
細条から同一方向に延びる外部リード部の１本の
先端部に繋る基板支持部の半導体基板接着面とは
反対側の面の少くとも一部に溝状もしくは穴状の
凹凸加工を施したところに特徴が存在する。
以下に図面を参照して詳しく説明する。第３図
は本考案の１実施例にかかる樹脂封止形半導体装
置用リードフレームの要部を裏面側からみた平面
図〔第３図ａ〕とＢ−Ｂ線に沿つて切断して示し
た断面図〔第３図ｂ〕である。図示する例では基
板支持部５の延長方向Ｘと直交する関係で複数本
の溝１３が形成されている。この溝の幅、深さな
らびにピツチは特定されるものではなく必要に応
じて変更することができる。このような凹凸加工
を施した面に成型樹脂層を薄く形成した場合、成
型樹脂と接する基板支持体の表面積が増加すると
ころとなり、放熱特性が改善されることは勿論の
こと成型樹脂の接着強度が増し、平坦な面をもつ
基板支持体を用いたときのように剥離現象の発生
する不都合も排除される。
は本考案の１実施例にかかる樹脂封止形半導体装
置用リードフレームの要部を裏面側からみた平面
図〔第３図ａ〕とＢ−Ｂ線に沿つて切断して示し
た断面図〔第３図ｂ〕である。図示する例では基
板支持部５の延長方向Ｘと直交する関係で複数本
の溝１３が形成されている。この溝の幅、深さな
らびにピツチは特定されるものではなく必要に応
じて変更することができる。このような凹凸加工
を施した面に成型樹脂層を薄く形成した場合、成
型樹脂と接する基板支持体の表面積が増加すると
ころとなり、放熱特性が改善されることは勿論の
こと成型樹脂の接着強度が増し、平坦な面をもつ
基板支持体を用いたときのように剥離現象の発生
する不都合も排除される。
ところで表面積の増加は溝の内側壁面によつて
もたらされ、形成する溝の本数をｎ、１本の溝の
長さをｌ、溝の深さをｄとすると表面積の増加分
ΔＳはΔＳ＝２・ｎ・ｌ・ｄとなる。たとえば長
さが15mm、幅が10mmの大きさの基板支持部の裏面
に幅200μｍ、深さ100μｍの溝を15本並設した場
合、これがない場合の裏面表面積が150mm2である
に対して裏面表面積は150＋（２×15×10×0.1）＝
180mm2となり、20％の増加がみられる。
もたらされ、形成する溝の本数をｎ、１本の溝の
長さをｌ、溝の深さをｄとすると表面積の増加分
ΔＳはΔＳ＝２・ｎ・ｌ・ｄとなる。たとえば長
さが15mm、幅が10mmの大きさの基板支持部の裏面
に幅200μｍ、深さ100μｍの溝を15本並設した場
合、これがない場合の裏面表面積が150mm2である
に対して裏面表面積は150＋（２×15×10×0.1）＝
180mm2となり、20％の増加がみられる。
第４図は本考案の特徴である凹凸加工面の他の
例を示す図であり、第４図ａは溝１３を格子状に
形成したもの、第４図ｃは基板支持体５の延長方
向Ｘと平行に溝１３を形成したもの、また、第４
図ｃは溝にかえて所定の大きさと深さをもつ小穴
１４を形成したものである。これらのいずれであ
つても上記したのと同様の効果が奏される。な
お、成型時における金型内の樹脂の流れは、通常
基板支持部５の延長方向と平行であり、したがつ
て、第４図ｂで示す凹凸加工を施すならば、上記
の効果に加えて、成型時における金型内に樹脂の
流れが極めて円滑なものとなり、このことによつ
て、気泡等の金型内への残留が排除され、外観面
での不良の減少ならびに電気絶縁性の向上などの
効果が奏される。
例を示す図であり、第４図ａは溝１３を格子状に
形成したもの、第４図ｃは基板支持体５の延長方
向Ｘと平行に溝１３を形成したもの、また、第４
図ｃは溝にかえて所定の大きさと深さをもつ小穴
１４を形成したものである。これらのいずれであ
つても上記したのと同様の効果が奏される。な
お、成型時における金型内の樹脂の流れは、通常
基板支持部５の延長方向と平行であり、したがつ
て、第４図ｂで示す凹凸加工を施すならば、上記
の効果に加えて、成型時における金型内に樹脂の
流れが極めて円滑なものとなり、このことによつ
て、気泡等の金型内への残留が排除され、外観面
での不良の減少ならびに電気絶縁性の向上などの
効果が奏される。
以上説明したところから明らかなように本考案
の樹脂封止形半導体装置用リードフレームによれ
ば、高品質の絶縁構造をもつ樹脂封止形半導体装
置を形成することができる。
の樹脂封止形半導体装置用リードフレームによれ
ば、高品質の絶縁構造をもつ樹脂封止形半導体装
置を形成することができる。
第１図は絶縁構造を有する樹脂封止形半導体装
置で用いるリードフレームの平面形状を示す図、
第２図は絶縁構造を有する樹脂封止形半導体装置
の断面図、第３図ａ，ｂは本考案の１実施例にか
かる樹脂封止形半導体装置用リードフレームの要
部を示す平面図ならびに断面図、第４図ａ〜ｃは
他の例を示す平面図である。 １……共通接続細条、２，３，４……外部リー
ド部、５……基板支持体、６，７……孔、８……
半導体基板、９，１０……金属細線、１２……成
型樹脂、１３……溝、１４……小穴。
置で用いるリードフレームの平面形状を示す図、
第２図は絶縁構造を有する樹脂封止形半導体装置
の断面図、第３図ａ，ｂは本考案の１実施例にか
かる樹脂封止形半導体装置用リードフレームの要
部を示す平面図ならびに断面図、第４図ａ〜ｃは
他の例を示す平面図である。 １……共通接続細条、２，３，４……外部リー
ド部、５……基板支持体、６，７……孔、８……
半導体基板、９，１０……金属細線、１２……成
型樹脂、１３……溝、１４……小穴。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 共通接続細条から複数本の外部リードが、同
一方向にのび、同外部リードの１本の先端部
に、表面側が半導体基板接着面となり、裏面側
が成型樹脂で薄く覆われる基板支持部が繋るリ
ードフレームの、前記基板支持部の裏面側の少
なくとも一部が、溝状もしくは穴状の凹部が形
成された凹凸加工面であることを特徴とする樹
脂封止形半導体装置用リードフレーム。 (2) 凹凸加工面が基板支持部の延長方向に直交す
る溝の並設された面であることを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第１項に記載の樹脂封止
形半導体装置用リードフレーム。 (3) 凹凸加工面が格子状に溝の形成された面であ
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
１項に記載の樹脂封止形半導体装置用リードフ
レーム。 (4) 凹凸加工面が基板支持部の延長方向と平行な
溝の並設された面であることを特徴とする実用
案登録請求の範囲第１項に記載の樹脂封止形半
導体装置用リードフレーム。 (5) 凹凸加工面が多数の孔の穿設された面である
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項に記載の樹脂封止形半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981064307U JPS6225905Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981064307U JPS6225905Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57175448U JPS57175448U (ja) | 1982-11-05 |
| JPS6225905Y2 true JPS6225905Y2 (ja) | 1987-07-02 |
Family
ID=29860379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981064307U Expired JPS6225905Y2 (ja) | 1981-04-30 | 1981-04-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225905Y2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59134570A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-02 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 燃料電池構造 |
| JPS59117156U (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-07 | サンケン電気株式会社 | 絶縁物封止半導体装置 |
| JPS6164212A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | ユニチカ株式会社 | 布団用硬綿の製造方法 |
| JPH0334913Y2 (ja) * | 1984-12-10 | 1991-07-24 | ||
| JP2659540B2 (ja) * | 1987-06-19 | 1997-09-30 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡チャンネル插通型超音波プローブ |
| JPH0328510Y2 (ja) * | 1987-10-02 | 1991-06-19 | ||
| JP5308979B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-10-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体パッケージ |
| JP2015008309A (ja) * | 2014-08-08 | 2015-01-15 | 株式会社鷺宮製作所 | モールドコイルおよびモールドコイルを用いた電磁弁 |
| JP6818801B2 (ja) * | 2019-04-01 | 2021-01-20 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036074A (ja) * | 1973-07-20 | 1975-04-04 | ||
| JPS5541022A (en) * | 1978-09-15 | 1980-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo oscillation circuit |
| JPS55160449A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS56104459A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS613100A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線増感紙 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149960U (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-15 |
-
1981
- 1981-04-30 JP JP1981064307U patent/JPS6225905Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5541022A (en) * | 1978-09-15 | 1980-03-22 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo oscillation circuit |
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| JPS613100A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線増感紙 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57175448U (ja) | 1982-11-05 |
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