JP5308979B2

JP5308979B2 - 半導体パッケージ

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Publication number: JP5308979B2
Application number: JP2009225734A
Authority: JP
Inventors: 登志幸玉手
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2013-10-09
Anticipated expiration: 2029-09-30
Also published as: JP2011077215A

Description

この発明は、樹脂封止型の半導体パッケージに関する。

従来の半導体パッケージとしては、例えば図８に示すように、半導体チップ１０１を半田により板状に形成された金属製のダイパッド１０２の上面に固定し、これら半導体チップ１０１及びダイパッド１０２を封止樹脂１０３により封止したものがある（例えば、特許文献１参照）。この半導体パッケージにおいては、半導体チップ１０１において生じた熱を効率よく外方に放熱するために、ダイパッド１０２の下面を封止樹脂１０３から外方に露出させている。

特開平１１−３１２７７５号公報

しかしながら、上記従来の半導体パッケージに対して熱サイクル試験や熱疲労試験あるいは吸湿リフローを実施する等して、半導体パッケージを加熱冷却すると、ダイパッド１０２と封止樹脂１０３との材質の違いに基づく両者間の熱膨張係数や熱伝導率の差によって、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とが剥離しまう虞がある。具体的に説明すれば、半導体パッケージを加熱冷却した際には、ダイパッド１０２がその上面に沿う方向（面方向）に封止樹脂１０３よりも大きく膨張収縮するため、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とを接合する半田には大きなせん断応力が発生する。これにより、半田にクラックが生じる等して、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とが剥離する。

このように剥離に至る現象は、ダイパッド１０２の下面だけでなく、側面の一部も外方に露出している構成の半導体パッケージにおいて、特に生じ易い。
なお、従来では、例えばダイパッド１０２にその上面から窪む溝を形成し、この溝に封止樹脂１０３を係合させることで、上記剥離現象を抑制することも考えられている。しかしながら、この構成では、半導体パッケージの加熱冷却を繰り返すことによる半田の疲労を十分に抑えることができず、依然として剥離現象を十分に防止できない、という問題がある。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、ダイパッドと半導体チップとの剥離を防止できる半導体パッケージを提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明の半導体パッケージは、板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドの上面に半田を介して接合される半導体チップと、前記ダイパッドの下面が露出するように前記ダイパッド及び前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドに、その下面を複数の分割領域に区画するように、かつ、前記上面における前記半導体チップの配置領域が各分割領域と前記ダイパッドの厚さ方向に重なるように、前記下面から窪む平面視ライン状の係合溝が形成され、当該係合溝に前記封止樹脂が充填されることで、前記複数の分割領域のうち少なくとも一つの分割領域が、前記封止樹脂によって囲まれ、前記係合溝の長手方向の端部が、前記ダイパッドの厚さ方向に貫通するとともに前記係合溝の幅よりも幅広の長孔形状に形成された貫通孔に連結され、前記係合溝に充填された前記封止樹脂が前記貫通孔に充填された前記封止樹脂に一体に連なっていることを特徴とする。

本発明の半導体パッケージにおいては、ダイパッドの下面が複数の分割領域に区画されることで、各分割領域の面積がダイパッドの下面全体の面積よりも小さくなる。
また、半導体パッケージの加熱に伴うダイパッドの面方向への膨張は、複数の分割領域においてそれぞれ生じるため、各分割領域においてダイパッドが封止樹脂に対して前記面方向に膨張する大きさが、係合溝を形成しない場合と比較して小さくなる。特に、封止樹脂によって囲まれた分割領域（以下、アイランド領域と呼ぶ。）では、ダイパッドの下面側が封止樹脂によって囲まれるため、このアイランド領域を含むダイパッド部分が面方向に膨張する大きさを特に小さく抑えることができる。したがって、ダイパッド全体が、封止樹脂に対して面方向に膨張する大きさを小さく抑えることができる。
そして、半導体チップの配置領域は、複数の分割領域とダイパッドの厚さ方向に重なっているため、半導体パッケージが加熱されても、半導体チップとダイパッドとを接合する半田に作用するせん断応力を小さく抑えることができる。したがって、半導体チップとダイパッドとが剥離することを防止できる。

そして、前記半導体パッケージにおいて、前記ダイパッドには、前記上面よりも高さ位置を低く設定した段差面が、前記上面の周縁の一部に隣り合わせて形成され、前記段差面に前記貫通孔が形成されていてもよい。
また、前記半導体パッケージにおいては、前記係合溝が直線状に形成されていてもよい。

この構成の場合には、係合溝がダイパッドの下面に沿って蛇行している場合と比較して、封止樹脂の形成時において溶融した樹脂を係合溝に流し込み易い。すなわち、係合溝に対する封止樹脂の充填不良を防止することができる。

さらに、前記半導体パッケージにおいて、前記ダイパッドが平面視矩形状に形成されている場合には、前記係合溝が、前記ダイパッドの各辺に対して傾斜する方向に延びるように形成されていることが好ましい。

この場合には、ダイパッドの辺に沿って延びるように係合溝を形成する場合と比較して、係合溝の長手寸法をより長く設定することができるため、ダイパッドと封止樹脂とをより強固に係合させることが可能となる。

また、前記半導体パッケージにおいては、前記係合溝が複数形成され、これら複数の係合溝が互いに連結されていることが好ましい。

なお、係合溝同士の連結には、例えば係合溝同士の交差や分岐が含まれる。
このように構成することで、ダイパッドの下面をより多くの分割領域に区画することが可能となる。

なお、前記半導体パッケージにおいては、前記係合溝の一部が、平面視で前記配置領域の中央と前記厚さ方向に重なっていてもよい。

また、前記半導体パッケージにおいては、各分割領域と重なる前記配置領域の各部分の面積が互いに等しくてもよい。

本発明によれば、ダイパッドの下面が複数の分割領域に区画されることで、半導体パッケージの加熱に伴うダイパッドの面方向への膨張を抑えることができる。そして、半導体チップの配置領域が複数の分割領域とダイパッドの厚さ方向に重なることで、半導体パッケージの加熱によって半導体チップとダイパッドとを接合する半田に生じるせん断応力を小さく抑えることができる。
特に、複数の分割領域のうち少なくとも一つが、封止樹脂によって囲まれたアイランド領域となっていることで、半導体パッケージの加熱に伴うダイパッドの面方向への膨張をさらに抑制できるため、前記半田に生じるせん断応力を特に小さく抑えることができる。
以上のことから、半導体チップとダイパッドとが剥離することを防止でき、半導体パッケージの信頼性向上を図ることができる。

本発明の一実施形態に係る半導体パッケージをダイパッドの上面側から見た状態を示す概略平面図である。図１の半導体パッケージをダイパッドの下面側から見た状態を示す概略平面図である。図１，２のＡ−Ａ矢視断面図である。図１，２のＢ−Ｂ矢視断面図である。本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージをダイパッドの上面側から見た状態を示す概略平面図である。図５の半導体パッケージをダイパッドの下面側から見た状態を示す概略平面図である。本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージをダイパッドの下面側から見た状態を示す概略平面図である。従来の半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。

以下、図１〜４を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１〜３に示すように、この実施形態に係る半導体パッケージ１は、半導体チップ２、ダイパッド３、連結リード４、リード５及び接続子６を封止樹脂７により封止して大略構成されている。
半導体チップ２は、例えばダイオードやトランジスタなどの半導体素子であり、平面視矩形の板状に形成されてその上面２ａ及び下面２ｂに電極を有して構成されている。
ダイパッド３、連結リード４及びリード５は、銅材等のように導電性を有して塑性変形可能な板材にプレス加工を施してなるリードフレームによって構成されるものである。

ダイパッド３は平面視略矩形板状に形成され、その上面３ａの中央部には半田１１を介して半導体チップ２の下面２ｂが接合されている。これによって、半導体チップ２とダイパッド３とが電気的に接続されている。なお、半導体チップ２もダイパッド３と同様に平面視矩形状に形成されており、半導体チップ２はその各辺がダイパッド３の各辺に平行するようにダイパッド３に固定されている。
そして、平面視矩形状に形成されたダイパッド３の一方の対辺に沿う方向（Ｘ軸方向）の一端部に、連結リード４が一体に連結されている。なお、図示例では、連結リード４がダイパッド３の一端部に位置するダイパッド３の辺の中間部分に連結されている。また、ダイパッド３のうちＸ軸方向の他端部には、上面３ａよりも高さ位置を低く設定した段差面３ｃが形成されている。

以上のように大略構成されるダイパッド３の上面３ａ側には、図１，４に示すように、ダイパッド３の側面３ｄから側方に突出する上面側突起部１３が形成されている。なお、上面側突起部１３は、例えばダイパッド３の上面３ａの周縁全体に形成されていてもよいが、本実施形態においては、周縁の一部にのみ形成されている。具体的に説明すれば、ダイパッド３の上面３ａのうちＸ軸方向に延びるダイパッド３の一方の対辺のみに形成されている。なお、上面側突起部１３は、ダイパッド３上面３ａのうち、連結リード４が連結されたダイパッド３の一端部側の辺、及び、段差面３ｃに隣り合う他端部側の辺には形成されていない。このように、一方の対辺に形成された一対の上面側突起部１３は、それぞれダイパッド３上面３ａの周縁に沿ってＸ軸方向に延びるように形成されている。
これら一対の上面側突起部１３は、半導体パッケージの製造に際して、ダイパッド３の上面３ａの周縁をダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）から押圧することで、押圧されたダイパッド３の周縁部分がダイパッド３の側面３ｄから側方に張り出すようにダイパッド３が塑性変形して形成される。

一方、図２〜４に示すように、ダイパッド３の下面３ｂには、当該下面３ｂから窪む平面視ライン状の係合溝１５が２つ形成されている。各係合溝１５は、直線状に延びて形成され、その幅寸法が長手方向にわたって一定となっている。また、各係合溝１５の一部は、平面視で半導体チップ２の配置領域の中央とＺ軸方向に重なっている。
そして、第一係合溝１５Ａは、平面視矩形状に形成されたダイパッド３の他方の対辺に沿う方向（Ｙ軸方向）に延びており、その両端がダイパッド３の一方の対辺に位置するダイパッド３の側面３ｄに開口している。

また、第二係合溝１５Ｂは、Ｘ軸方向に延びており、その一端がダイパッド３上面３ａの一端部側の辺に位置するダイパッド３の側面３ｄに開口している。一方、第二係合溝１５Ｂの他端は、ダイパッド３上面３ａの他端側の辺を越えて位置するものの、段差面３ｃと重なる位置に配されているため、ダイパッド３の側面３ｄには開口していない。ただし、第二係合溝１５Ｂの他端は、ダイパッド３の段差面３ｃ領域においてＺ軸方向に貫通して形成される貫通孔１７に連結されており、この貫通孔１７を介してダイパッド３の段差面３ｃに開口している。なお、この貫通孔１７は、平面視でＹ軸方向に延びる長孔形状に形成されており、第二係合溝１５Ｂと同様にダイパッド３の側面３ｄには開口していない。
これら２つの係合溝１５は、半導体チップ２の配置領域の中央と重なる位置において互いに直交している。

このように係合溝１５が形成されることで、ダイパッド３の下面３ｂが複数の分割領域３１に区画される。また、半導体チップ２の配置領域２１が各分割領域３１とＺ軸方向に重なる。なお、この実施形態においては、２つの係合溝１５が互いに交差すると共に、第一係合溝１５Ａの両端及び第二係合溝１５Ｂの他端がそれぞれダイパッド３の側面３ｄに開口するため、ダイパッド３の下面３ｂが３つの分割領域３１に区画されている。
また、平面視矩形状を呈する半導体チップ２の配置領域２１の各辺が２つの係合溝１５の長手方向に平行しているため、各分割領域３１と重なる配置領域２１の各部分がいずれも平面視矩形状となる。さらに、２つの係合溝１５が半導体チップ２の配置領域２１の中央と重なる位置において直交しているため、各分割領域３１と重なる配置領域２１の各部分の形状や面積が互いに等しくなっている。

なお、ダイパッド３の他端部側に位置する分割領域３１Ｂのうち、ダイパッド３上面３ａと重なる領域部分３２（以下、上面側領域部分３２と呼ぶ。）は、同じ分割領域３１Ｂのうち段差面３ｃと重なる領域部分３３（以下、段差面側領域部分３３と呼ぶ。）によって互いに連結されているものの、第二係合溝１５Ｂによって実質的に２つに分割されている。
さらに、この分割領域３１Ｂにおいて、実質的に２つに分割された上面側領域部分３２と段差面側領域部分３３とを連結する部分は、第二係合溝１５Ｂよりも幅広の長孔形状に形成された貫通孔１７によって小さく設定されている。

図１〜３に示すように、連結リード４は、ダイパッド３と比較して細長い形状を呈しており、ダイパッド３の一端部から離れる方向（Ｘ軸負方向）に延長するように形成されている。また、連結リード４には折り曲げ加工が施されており、これによって、ダイパッド３の上面３ａが連結リード４やリード５よりも下方向（Ｚ軸負方向）にずらして配置されている。さらに詳細に説明すれば、連結リード４の厚さ寸法はダイパッド３よりも小さく設定され、連結リード４の表面がダイパッド３の上面３ａに連なるように、上面３ａ側に寄せた位置に連結されている。
リード５は、ダイパッド３の一端部に対して間隔をあけて複数（図示例では２つ）配されており、それぞれ連結リード４に平行してダイパッド３から離間するようにＸ軸負方向に延びている。

各接続子６は、半導体チップ２上及びリード５上の両方に接合されており、これによって、半導体チップ２及びリード５が互いに電気接続されている。なお、接続子６は、図示例のようにボンディングワイヤによって構成されていてもよいが、例えば銅材等の板状部材によって構成されてもよい。そして、接続子６が板状部材からなる場合には、その両端が半田等の導電性接着剤を介して半導体チップ２やリード５に接合されればよい。

封止樹脂７は、半導体チップ２及び接続子６を埋設するように、ダイパッド３の上面３ａ及び側面３ｄ、並びに、連結リード４及びリード５の一部を封止している。また、封止樹脂７は、２つの係合溝１５及び貫通孔１７にも充填されている。これにより、封止樹脂７は、上面側突起部１３とダイパッド３の厚さ方向に係合している。
なお、ダイパッド３の下面３ｂは封止樹脂７の外側に露出し、また、連結リード４及びリード５の延出方向先端側は封止樹脂７の外側に突出している。さらに、ダイパッド３の他端部に位置するダイパッド３の側面３ｄも露出している。

そして、この状態においては、ダイパッド３の一端部側に位置する２つの分割領域３１Ａが封止樹脂７によって４方向から完全に囲まれたアイランド領域をなしている。
一方、ダイパッド３の他端部側の側面３ｄが露出しているため、ダイパッド３の他端部側に位置する分割領域３１Ｂは封止樹脂７によって完全には囲まれていない。ただし、封止樹脂７が、ダイパッド３の一方の対辺に位置するダイパッド３の側面３ｄを封止すると共に第一係合溝１５Ａに充填されていることから、この分割領域３１Ｂは封止樹脂７によって三方向から囲まれている。また、この分割領域３１Ｂのうち実質的に分割された２つの上面側領域部分３２は、同じ分割領域３１Ｂを構成する段差面側領域部分３３に連結される部分が長孔形状の貫通孔１７によって小さく設定されていることから、封止樹脂７によって完全には囲まれてはいないものの４方向から囲まれている。

そして、上記構成の半導体パッケージ１の製造に際して、上述した封止樹脂７を形成するためには、ダイパッド３上面３ａに半導体チップ２を接合し、かつ、半導体チップ２と各リード５とを接続子６により電気接続した状態のリードフレームを封止樹脂７形成用の金型内に配置した上で、溶融した樹脂をダイパッド３の上面３ａ側から流し込めばよい。
この際、溶融樹脂は、ダイパッド３の上面３ａ側に開口する貫通孔１７を介して２つの係合溝１５に流れ込む。また、各係合溝１５は直線状に形成されているため、係合溝１５が蛇行している場合と比較して、上記溶融樹脂を係合溝１５に流し込み易い。すなわち、係合溝１５に対する封止樹脂７の充填不良が発生することを防止できる。

上記構成の半導体パッケージ１によれば、ダイパッド３の下面３ｂが複数の分割領域３１に区画されることで、各分割領域３１の面積がダイパッド３の下面３ｂ全体の面積よりも小さくなる。
このことから、半導体パッケージ１を加熱した際には、ダイパッド３の面方向の膨張が複数の分割領域３１においてそれぞれ個別に生じ、その結果として、各分割領域３１においてダイパッド３が封止樹脂７に対して面方向に膨張する大きさは、係合溝１５を形成しない場合と比較して小さくなる。特に、分割領域３１のうち封止樹脂７によって囲まれたアイランド領域３１Ａを含むダイパッド３部分では、その面方向に膨張する大きさが特に小さく抑えられる。

また、本実施形態の半導体パッケージ１では、ダイパッド３の他端部側に位置する分割領域３１Ｂが、実質的に２つの上面側領域部分３２に分割され、さらに、上面側領域部分３２と段差面側領域部分３３との連結部分も小さく抑えられているため、この分割領域３１Ｂにおけるダイパッド３の膨張は、その殆どが各上面側領域部分３２で個別に生じる。したがって、この分割領域３１Ｂに第二係合溝１５Ｂや貫通孔１７が形成されていない場合と比較して、この分割領域３１Ｂにおいてダイパッド３が封止樹脂７に対して面方向に膨張する大きさも小さく抑えることができる。
以上のようにして、ダイパッド３全体が、封止樹脂７に対して面方向に膨張する大きさを小さく抑えることができる。

そして、半導体チップ２の配置領域２１は、複数の分割領域３１とダイパッド３の厚さ方向に重なっているため、半導体パッケージ１が加熱されても、半導体チップ２とダイパッド３とを接合する半田１１に作用するせん断応力を小さく抑えることができる。したがって、半導体チップ２とダイパッド３とが剥離することを防止でき、半導体パッケージ１の信頼性向上を図ることができる。
なお、本実施形態の半導体パッケージ１では、複数の分割領域３１と重なる半導体チップ２の配置領域２１が互いに同じ大きさ・形状に分割されているため、半導体パッケージ１が加熱された際に半田１１に作用するせん断応力に偏りが生じることも抑えることができる。

なお、上記実施形態において、第二係合溝１５Ｂの他端は、ダイパッド３の側面３ｄに開口しないとしたが、例えば開口させてもよい。また、例えば図５，６に示すように、ダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）に貫通して形成される貫通孔１７をダイパッド３の側面３ｄに開口させることで、第二係合溝１５Ｂの他端がダイパッド３の側面３ｄに開口してもよい。なお、図示例では、ダイパッド３の一端部側に位置する２つの分割領域３１Ａが上記実施形態同様のアイランド領域をなしている。
これらの場合には、ダイパッド３下面３ｂが４つの分割領域３１に区画されるため、すなわち、上記実施形態の構成よりも多くの分割領域３１に区画されるため、ダイパッド３全体が、封止樹脂７に対して面方向に膨張する大きさをさらに小さく抑えることができる。

また、ダイパッド３下面３ｂに形成される各係合溝１５は、上記実施形態のように形成されることに限らず、少なくともダイパッド３の下面３ｂを複数の分割領域３１に区画するようにライン状に形成されていればよい。
すなわち、各係合溝１５は、上記実施形態のようにＸ軸方向やＹ軸方向に延びるように形成されることに限らず、ダイパッド３下面３ｂに沿う任意の方向に延びるように形成されていてよい。したがって、各係合溝１５は、例えばＸ軸方向及びＹ軸方向の両方に対して傾斜する方向（斜め方向）に延びるように形成されてもよく、特に、ダイパッド３の下面３ｂの対角線に一致するように延びて形成されることが好ましい。この場合には、上記実施形態のようにダイパッド３の辺に沿って延びるように係合溝１５を形成する場合と比較して、係合溝１５の長手寸法をより長く設定することができるため、ダイパッド３と封止樹脂７とをより強固に係合させることが可能となる。なお、係合溝１５をダイパッド３の下面３ｂの対角線に一致させるように形成すれば、係合溝１５の長手寸法を最も長く設定することができる。

また、各係合溝１５は、上記実施形態のように半導体チップ２の配置領域２１の中央とＺ軸方向に重なるように形成されることに限らず、少なくとも半導体チップ２の配置領域２１の一部と重なるように形成されていればよい。
さらに、各係合溝１５の幅寸法は、その長手方向にわたって一定とする必要はなく、少なくとも長手寸法よりも十分に小さい範囲内にあれば、変化しても構わない。具体的には、ライン状の係合溝１５が、例えばその長手方向に進むに連れて幅寸法が徐々に大きくなる平面視テーパ状に形成されてもよい。
また、各係合溝１５は、直線状に形成されることに限らず、少なくともライン状に形成されていればよく、例えば円弧形状や蛇行形状等の任意の曲線状や屈曲形状に形成されてもよい。

さらに、係合溝１５は、上記実施形態のように２つ形成されることに限らず、例えば図７に示すように１つだけ形成されてもよいし、例えば３つ以上形成されてもよい。なお、直線状の係合溝１５が１つだけ形成される場合には、例えば図７に示すように、少なくとも複数の分割領域３１の一つがアイランド領域３１Ｄをなすように、Ｙ軸方向に延びるように形成されることが好ましいが、ダイパッド３下面３ｂ（ＸＹ平面）に沿う任意の方向に延びるように形成されていてよい。

また、係合溝１５が複数形成される場合、複数の係合溝１５は上記実施形態のように互いに直交することに限らず、任意の角度で互いに交差していてもよいし、例えば交差しなくても構わない。ただし、ダイパッド３の下面３ｂをより多くの分割領域３１に区画することを考慮すれば、複数の係合溝１５は、互いに交差したり分岐したりする等して互いに連結されていることがより好ましい。なお、上記実施形態では、複数の係合溝１５が配置領域２１の中央において連結されているが、ダイパッド３下面３ｂの任意の位置において連結されてよい。
なお、このように係合溝１５の数や形状等を様々に変化させても、配置領域２１に対する係合溝１５の配置等を適宜設定することで、分割領域３１と重なる配置領域２１の各部分の形状や面積を互いに等しくすることは可能である。

また、上記実施形態においては、ダイパッド３の側面３ｄの一部が封止樹脂７によって覆われ、当該側面３ｄの残部が露出しているが、例えば、ダイパッド３の側面３ｄ全体が、封止樹脂７によって覆われてもよいし、あるいは、外方に露出していてよい。
なお、ダイパッド３の側面３ｄ全体が封止樹脂７によって覆われる場合には、区画された全ての分割領域３１が封止樹脂７によって囲まれるアイランド領域をなすことになる。一方、ダイパッド３の側面３ｄ全体が露出する場合であっても、前述したように係合溝１５の数や形状を適宜変更することで、一部の分割領域３１を１つあるいは複数の係合溝１５によって囲まれるアイランド領域として画成することは可能である。

また、ダイパッド３の上面３ａには、一つの半導体チップ２のみが配されるとしたが、例えば複数の半導体チップ２が配置されてもよい。この場合には、各半導体チップ２が、例えば上記実施形態と同様に、複数の分割領域３１と重なるように配置されてもよいが、例えば一つの分割領域３１と重なるように配置されてもよい。
このように複数の半導体チップ２を配置した構成の半導体パッケージでは、全ての半導体チップ２の配置位置を包括したダイパッド３上面３ａの一つの領域が、半導体チップ２の配置領域２１となる。すなわち、本発明の半導体パッケージにおける半導体チップ２の配置領域２１とは、一つの半導体チップ２を配置するダイパッド３上面３ａの領域に限らず、複数の半導体チップ２をそれぞれ配置する各領域を包括したダイパッド３上面３ａにおける一つの領域も意味する。
なお、前述したように複数の半導体チップ２がそれぞれ一つの分割領域３１と重なるように配されている場合でも、上記実施形態と同様に、半導体パッケージの加熱によって各分割領域３１においてダイパッド３が封止樹脂７に対してダイパッド３の面方向に膨張する大きさが抑制されることから、各半導体チップ２とダイパッド３との剥離を防止することができる。

さらに、本発明の半導体パッケージは、上記実施形態のように上面２ａ及び下面２ｂに電極を有する半導体チップ２に限らず、例えば上面に複数の電極パッドを備えるＩＣやＬＳＩ等の半導体チップにも適用可能である。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。

１半導体パッケージ
２半導体チップ
３ダイパッド
３ａ上面
３ｂ下面
３ｃ段差面
３ｄ側面
４連結リード
５リード
６接続子
７封止樹脂
１１半田
１３上面側突起部
１５係合溝
１５Ａ第一係合溝
１５Ｂ第二係合溝
１７貫通孔
２１配置領域
３１分割領域
３１Ａ，３１Ｄ分割領域（アイランド領域）

Claims

板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドの上面に半田を介して接合される半導体チップと、前記ダイパッドの下面が露出するように前記ダイパッド及び前記半導体チップを封止する封止樹脂とを備え、
前記ダイパッドに、その下面を複数の分割領域に区画するように、かつ、前記上面における前記半導体チップの配置領域が各分割領域と前記ダイパッドの厚さ方向に重なるように、前記下面から窪む平面視ライン状の係合溝が形成され、
当該係合溝に前記封止樹脂が充填されることで、前記複数の分割領域のうち少なくとも一つの分割領域が、前記封止樹脂によって囲まれ、
前記係合溝の長手方向の端部が、前記ダイパッドの厚さ方向に貫通するとともに前記係合溝の幅よりも幅広の長孔形状に形成された貫通孔に連結され、前記係合溝に充填された前記封止樹脂が前記貫通孔に充填された前記封止樹脂に一体に連なっていることを特徴とする半導体パッケージ。
前記ダイパッドには、前記上面よりも高さ位置を低く設定した段差面が、前記上面の周縁の一部に隣り合わせて形成され、
前記段差面に前記貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
前記係合溝が直線状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体パッケージ。
前記ダイパッドが平面視矩形状に形成され、
前記係合溝が、前記ダイパッドの各辺に対して傾斜する方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
前記係合溝が複数形成され、これら複数の係合溝が互いに連結されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
前記係合溝の一部が、平面視で前記配置領域の中央と前記厚さ方向に重なっていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
各分割領域と重なる前記配置領域の各部分の面積が互いに等しいことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。