JPH01293551A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01293551A JPH01293551A JP12441188A JP12441188A JPH01293551A JP H01293551 A JPH01293551 A JP H01293551A JP 12441188 A JP12441188 A JP 12441188A JP 12441188 A JP12441188 A JP 12441188A JP H01293551 A JPH01293551 A JP H01293551A
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- JP
- Japan
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- conductor
- island
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- semiconductor element
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に係抄、特にその構造に関するも
のである0 〔従来の技術〕 従来の半導体装置特に表面実装型の断面構造を第5図に
示す。
のである0 〔従来の技術〕 従来の半導体装置特に表面実装型の断面構造を第5図に
示す。
アイランド(1)上に半導体素子(2)を載置し、この
半導体素子(2)とインナーリード(31とを金属細線
(4)Kよって接続した後、この金属側!(4)とイン
ナーリードC3)、および半導体素子(2)を封止部材
(5)によって封止する構造である。
半導体素子(2)とインナーリード(31とを金属細線
(4)Kよって接続した後、この金属側!(4)とイン
ナーリードC3)、および半導体素子(2)を封止部材
(5)によって封止する構造である。
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
半導体素子から発せられる熱の放散効果が少なく、放熱
性を要する高発熱半導体素子には適しない構造であった
。
半導体素子から発せられる熱の放散効果が少なく、放熱
性を要する高発熱半導体素子には適しない構造であった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高発熱半導体素子に対して、その放熱効果を
高めることができる半導体装置を得ることを目的とする
。
たもので、高発熱半導体素子に対して、その放熱効果を
高めることができる半導体装置を得ることを目的とする
。
この発明に係る半導体装置は半導体素子を載置する部分
を高熱伝導体とし、アイランド部に貫通穴を設は前記高
熱伝導体を装入固定するとともに封止部材外部に高熱伝
導体の一部を露出させたものである。
を高熱伝導体とし、アイランド部に貫通穴を設は前記高
熱伝導体を装入固定するとともに封止部材外部に高熱伝
導体の一部を露出させたものである。
この発明における半導体装置はアイランド部に貫通穴を
設けたので、半導体素子を載置する高熱伝導体を装入固
定でき、またその高熱伝導体の一部を封止部材外部に露
出させたので、放熱効果の高い半導体装置を得ることが
できる。
設けたので、半導体素子を載置する高熱伝導体を装入固
定でき、またその高熱伝導体の一部を封止部材外部に露
出させたので、放熱効果の高い半導体装置を得ることが
できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する0
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面構
造図、第2図はその展開斜視図である。
造図、第2図はその展開斜視図である。
図中、前記従来のものと同一符号のものは同一につきそ
の説明は省略する。
の説明は省略する。
図において、貫通穴付アイランド(1a)が設けられて
おり、この貫通穴に半導体素子(2)を載置した伝熱導
体(6)を装入固定し、この後金属細線(4)によって
半導体素子(2)とインナーリード(3)を接続し、封
止部材(5)によってこれらを封止するが、熱伝導体(
6)の一部は封止部材(5)の外部に露出している構造
である。
おり、この貫通穴に半導体素子(2)を載置した伝熱導
体(6)を装入固定し、この後金属細線(4)によって
半導体素子(2)とインナーリード(3)を接続し、封
止部材(5)によってこれらを封止するが、熱伝導体(
6)の一部は封止部材(5)の外部に露出している構造
である。
第3図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置の断面
構造図で、第4図は第3図の展開斜視図である。
構造図で、第4図は第3図の展開斜視図である。
図において、アイランド(より)の貫通穴は2つ設けら
れているが、その位置及び個数は任意である。
れているが、その位置及び個数は任意である。
以上のようにこの発明によれば、アイランドの半導体素
子を載置する部分を高熱伝導体とし、アイランド部に貫
通穴を設は前記高熱伝導体を装入固定し、その高熱伝導
体の一部を封止部材の外部に露出させる構造としたので
、高発熱半導体素子に対して放熱効果の高い半導体装置
を得ることができる。
子を載置する部分を高熱伝導体とし、アイランド部に貫
通穴を設は前記高熱伝導体を装入固定し、その高熱伝導
体の一部を封止部材の外部に露出させる構造としたので
、高発熱半導体素子に対して放熱効果の高い半導体装置
を得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面構造図、第2図は第1図の展開斜視図、@3図はこの
発明の他の実施例を示す断面構造図、第4図は第3図の
展開斜視図、第5図は従来の半導体装置を示す断面構造
図である。 図において、(1)はアイランド、(2)は半導体素子
、(3)はインナーリード、(4)は金属細線、(5)
は封止部材、(6)は熱伝導体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す0
面構造図、第2図は第1図の展開斜視図、@3図はこの
発明の他の実施例を示す断面構造図、第4図は第3図の
展開斜視図、第5図は従来の半導体装置を示す断面構造
図である。 図において、(1)はアイランド、(2)は半導体素子
、(3)はインナーリード、(4)は金属細線、(5)
は封止部材、(6)は熱伝導体である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す0
Claims (1)
- 半導体素子と、この半導体素子を載置する熱伝導体と
、アイランド部と、これらを包囲する封止部材とを備え
た半導体装置において、前記アイランド部に少なくとも
1つ貫通穴を設け、前記熱伝導体を装入固定し、かつ、
熱伝導体の一部が前記封止部材の外部に露出しているこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12441188A JPH01293551A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12441188A JPH01293551A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01293551A true JPH01293551A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14884805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12441188A Pending JPH01293551A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01293551A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5216283A (en) * | 1990-05-03 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insertable heat sink and method for mounting the same |
US5291372A (en) * | 1991-09-24 | 1994-03-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integral heat sink-terminal member structure of hybrid integrated circuit assembly and method of fabricating hybrid integrated circuit assembly using such structure |
US5483098A (en) * | 1992-04-21 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Drop-in heat sink package with window frame flag |
FR2764114A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique |
JP2007165458A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとその製造方法 |
US7846752B2 (en) | 2005-02-17 | 2010-12-07 | Samsung Electro-Mechanics., Ltd. | High power LED housing and fabrication method thereof |
JP2011077215A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体パッケージ |
EP2608257A1 (en) * | 2010-08-20 | 2013-06-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing same |
CN107017217A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-08-04 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12441188A patent/JPH01293551A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107017217B (zh) * | 2015-12-03 | 2021-08-20 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
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