JPH0451549A - 高放熱型半導体装置 - Google Patents
高放熱型半導体装置Info
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- JPH0451549A JPH0451549A JP2160612A JP16061290A JPH0451549A JP H0451549 A JPH0451549 A JP H0451549A JP 2160612 A JP2160612 A JP 2160612A JP 16061290 A JP16061290 A JP 16061290A JP H0451549 A JPH0451549 A JP H0451549A
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- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 32
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高放熱型半導体装置に係り、特に放熱効率
の向上に関するものである。
の向上に関するものである。
第３図は従来の放熱型半導体装置の断面図であり１図に
おいて、（１）は半導体素子、（２）はこの半導体素子
（１）を支持するダイパッド、このダイパッド（２）上
に半導体素子（１）がろう材によって固着されている。
おいて、（１）は半導体素子、（２）はこの半導体素子
（１）を支持するダイパッド、このダイパッド（２）上
に半導体素子（１）がろう材によって固着されている。
（８）は内部リード、（４）は内部リード（３）と半導
体素子（１）の電極とを接続した金属細線、内部リード
（８）の金属細線（４）と接合でれる部分には、接続が
確実に行われるように銀メツキ等のメツキが施されてい
る。（５）は外部リード、（６）は半導体素子（１）及
び金属細線（４）等を封止し、かつ、外力より保護する
パンケージを構成するモールド樹脂である。（γ）はこ
のモールド樹脂（６）表面に接着剤ｉ８）を介して装着
された放熱器である。
体素子（１）の電極とを接続した金属細線、内部リード
（８）の金属細線（４）と接合でれる部分には、接続が
確実に行われるように銀メツキ等のメツキが施されてい
る。（５）は外部リード、（６）は半導体素子（１）及
び金属細線（４）等を封止し、かつ、外力より保護する
パンケージを構成するモールド樹脂である。（γ）はこ
のモールド樹脂（６）表面に接着剤ｉ８）を介して装着
された放熱器である。
次に動作について説明する。発熱した半導体素子（１）
の放熱は、半導体素子（１）上のモールド樹脂（６）を
通り、放熱器（７）から放熱される。
の放熱は、半導体素子（１）上のモールド樹脂（６）を
通り、放熱器（７）から放熱される。
この放熱された熱は、半導体装置等が実装でれた基板等
のシステム（図示せず）側の自然対流、もしくは強制対
流によるシステム側の熱対流により取除かれ、システム
の外部へと放熱していく。
のシステム（図示せず）側の自然対流、もしくは強制対
流によるシステム側の熱対流により取除かれ、システム
の外部へと放熱していく。
従来の放熱型半導体装置は以上のように構成されている
ので、放熱器（γ）がモールド樹脂（６）表面に接着剤
／８）で固定されているので、このため特に放熱特性と
しては、システム側の熱対流の方向と放熱板の向きが不
適当で放熱板からの発熱量を十分除去できずに放熱量が
所望量より小でくなってしまったり、半導体素子（１）
から放熱板（γ）までの間の距離が長く、シかも、熱伝
導のあまり良くないモールド樹脂が介在し放熱性があま
り良くないなどの問題点があったっ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱器の向きを回転させることができ放熱板
と半導体素子を近接させることによって放熱効率の向上
を期待できる高放熱型半導体装置を得ることを目的とす
る。
ので、放熱器（γ）がモールド樹脂（６）表面に接着剤
／８）で固定されているので、このため特に放熱特性と
しては、システム側の熱対流の方向と放熱板の向きが不
適当で放熱板からの発熱量を十分除去できずに放熱量が
所望量より小でくなってしまったり、半導体素子（１）
から放熱板（γ）までの間の距離が長く、シかも、熱伝
導のあまり良くないモールド樹脂が介在し放熱性があま
り良くないなどの問題点があったっ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、放熱器の向きを回転させることができ放熱板
と半導体素子を近接させることによって放熱効率の向上
を期待できる高放熱型半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る高放熱型半導体装置は、放熱板にネジ山
を形成し、半導体装置のダイパッド側に半導体装置表面
に開口するネジ穴を形成し、放熱器の向きを回転させて
、放熱器のネジ部を半導体装置内部に埋設し一体化した
ものである。
を形成し、半導体装置のダイパッド側に半導体装置表面
に開口するネジ穴を形成し、放熱器の向きを回転させて
、放熱器のネジ部を半導体装置内部に埋設し一体化した
ものである。
この発明における高放熱型半導体装置は、放熱器が回転
可能で任意の方向の風に対し所望の向きに調整可能であ
り、また放熱板が半導体素子に近接しているため放熱性
を高めることができる。
可能で任意の方向の風に対し所望の向きに調整可能であ
り、また放熱板が半導体素子に近接しているため放熱性
を高めることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。この
発明の一実施例による高放熱型半導体装置を示す第１図
において、（１）〜Ｉ８＋は従来のものとほぼ同一のた
め説明を省略する。（６ａ）はモールド樹脂（６）Ｋ設
けられた開口ネジ部で、所定の径とダイパッド（２）が
露出する所定の深さを備えている。
発明の一実施例による高放熱型半導体装置を示す第１図
において、（１）〜Ｉ８＋は従来のものとほぼ同一のた
め説明を省略する。（６ａ）はモールド樹脂（６）Ｋ設
けられた開口ネジ部で、所定の径とダイパッド（２）が
露出する所定の深さを備えている。
（７Ｐｉ）は放熱器（γ）に設けられた筒状のネジ部で
、このネジ部（７ａ）は、ネジ部（６ａ）の径より小さ
い所定の外径と、ダイパッド（２）に近接できる所定の
長さを備えている。（７ｂ）は放熱器（ア）のネジ部（
７ａ）から他端に向って貫通して設けられた空気抜き穴
、（９）はモールド樹脂（６）のネジ部（６ａ）に充填
された高熱伝導剤で、図示のように、放熱器（ア）のネ
ジ＠ （７ａ）をネジ部（６ａ）に挿入したとき、ネジ
部（７ａ）がネジ部（６ａ）とグイバット（２）とに所
定の間隔を形成するように、所定の量が充填される。
、このネジ部（７ａ）は、ネジ部（６ａ）の径より小さ
い所定の外径と、ダイパッド（２）に近接できる所定の
長さを備えている。（７ｂ）は放熱器（ア）のネジ部（
７ａ）から他端に向って貫通して設けられた空気抜き穴
、（９）はモールド樹脂（６）のネジ部（６ａ）に充填
された高熱伝導剤で、図示のように、放熱器（ア）のネ
ジ＠ （７ａ）をネジ部（６ａ）に挿入したとき、ネジ
部（７ａ）がネジ部（６ａ）とグイバット（２）とに所
定の間隔を形成するように、所定の量が充填される。
このように構成された高放熱型半導体装置は、放熱器（
γ）が、高熱伝導剤（９）、ダイバラ） （２） ｔ−
介して半導体装置（１）と接触し、さらに、放熱器（ア
）は高熱伝導剤（９）を介して支漱すれ、回動できるよ
うにでれている。
γ）が、高熱伝導剤（９）、ダイバラ） （２） ｔ−
介して半導体装置（１）と接触し、さらに、放熱器（ア
）は高熱伝導剤（９）を介して支漱すれ、回動できるよ
うにでれている。
次に動作について説明する。
発熱し九半導体素子（１）からの放熱は、半導体素子（
１）カらダイパッド（２）、次いでこれと近接したネジ
部（７ａ）を経て放熱器（７）から放熱される。この際
、放熱器の向きは回転させることによって半導体装置等
の実装されたシステム（図示せず）側の熱流の方向に同
期させることができ、これによりシステム側の熱流によ
って効率的に放熱が行なわれる。
１）カらダイパッド（２）、次いでこれと近接したネジ
部（７ａ）を経て放熱器（７）から放熱される。この際
、放熱器の向きは回転させることによって半導体装置等
の実装されたシステム（図示せず）側の熱流の方向に同
期させることができ、これによりシステム側の熱流によ
って効率的に放熱が行なわれる。
Ｗｃ２図は、この発明の他の実施例による高放熱型半導
体装置を示すもので、半導体素子（１）をモールドした
モールド樹脂（６）に、グイバット（２）が露出する深
さで所定の径の開口を設け、この開口に放熱器（ア）の
ネジ部（７ａ）と所定の間隔で対向するネジを有するネ
ジ部材（６ｃｍ）を装着し、上記実施例と同様の動作を
期待できるようにするとともに、製造の作業性を改善す
るようにしている。
体装置を示すもので、半導体素子（１）をモールドした
モールド樹脂（６）に、グイバット（２）が露出する深
さで所定の径の開口を設け、この開口に放熱器（ア）の
ネジ部（７ａ）と所定の間隔で対向するネジを有するネ
ジ部材（６ｃｍ）を装着し、上記実施例と同様の動作を
期待できるようにするとともに、製造の作業性を改善す
るようにしている。
なお、上記実施例では、スモール・アウトライン・パッ
ケージ（ｓｏｐ）について述べたが、これは外部リード
端子がＪ型に成形加工されているプラスチック・リード
付チップ・キャリア（ＰＬＣＯ）や、Ｊリード形アウト
ラインパッケージ（８０Ｊ）でもよい。
ケージ（ｓｏｐ）について述べたが、これは外部リード
端子がＪ型に成形加工されているプラスチック・リード
付チップ・キャリア（ＰＬＣＯ）や、Ｊリード形アウト
ラインパッケージ（８０Ｊ）でもよい。
つまり、本願発明は面実装形のパッケージには全て適用
することができる。
することができる。
以上のように、この発明によれば放熱板とモールド樹脂
にネジ山を構成したので、放熱板の角度を調節でき、ま
た、放熱板と半導体素子との距離を短くすることができ
半導体装置の放熱を高める効果があるう
にネジ山を構成したので、放熱板の角度を調節でき、ま
た、放熱板と半導体素子との距離を短くすることができ
半導体装置の放熱を高める効果があるう
第１図はこの発明の一実施例による高放熱型半導体装置
の断面図、第２図はこの発明の他の実施例による高放熱
型半導体装置の断面図、第３図は従来の高放熱型半導体
装置の断面図である。 図において、（６）はモールド樹脂、（ω）はネジ部、
（γ）は放熱板＋ （７ａ）はネジ部、（乃）は空気
抜き穴、（９）は高熱伝導剤である。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
の断面図、第２図はこの発明の他の実施例による高放熱
型半導体装置の断面図、第３図は従来の高放熱型半導体
装置の断面図である。 図において、（６）はモールド樹脂、（ω）はネジ部、
（γ）は放熱板＋ （７ａ）はネジ部、（乃）は空気
抜き穴、（９）は高熱伝導剤である。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 放熱器を有する高放熱型半導体装置において、放熱器
の半導体素子に近い側にネジ部を構成し、このネジ部の
所定の面が上記半導体素子と対向して上記半導体素子に
対して回転可能に半導体装置内部に埋設したことを特徴
とする高放熱型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160612A JPH0451549A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 高放熱型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2160612A JPH0451549A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 高放熱型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451549A true JPH0451549A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15718701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2160612A Pending JPH0451549A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 高放熱型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451549A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566872A3 (en) * | 1992-04-21 | 1994-05-11 | Motorola Inc | A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same |
| FR2700416A1 (fr) * | 1993-01-08 | 1994-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage. |
| US5895966A (en) * | 1995-09-29 | 1999-04-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| WO2015025447A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP2160612A patent/JPH0451549A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566872A3 (en) * | 1992-04-21 | 1994-05-11 | Motorola Inc | A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same |
| US5483098A (en) * | 1992-04-21 | 1996-01-09 | Motorola, Inc. | Drop-in heat sink package with window frame flag |
| FR2700416A1 (fr) * | 1993-01-08 | 1994-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif à semiconducteurs comportant un élément semiconducteur sur un élément de montage. |
| US5440169A (en) * | 1993-01-08 | 1995-08-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-packaged semiconductor device with flow prevention dimples |
| US5895966A (en) * | 1995-09-29 | 1999-04-20 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit and supply decoupling capacitor therefor |
| WO2015025447A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPWO2015025447A1 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-03-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9842786B2 (en) | 2013-08-23 | 2017-12-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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