JP4571320B2 - 半導体チップパッケージ - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２つの半導体チップを積層搭載してなる半導体チップパッケージに関するものである。
【従来の技術】
従来から、２つの半導体チップを積層搭載してなる半導体チップパッケージは、種々提案されている。その一つとして、２つの半導体チップを積層搭載したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体チップパッケージの断面構造図を図１０に示す。
図１０に示した半導体チップパッケージの場合、図１１に示すように上チップ５２は配線用電極５８がチップの中央に配列されている。このような配列を使用する例としてはメモリＬＳＩがある。一方、図１２に示すように下チップ５０は配線用電極５６がチップの各辺に配列されている。このような配列を使用する例としてはマイコン等のロジックＬＳＩがある。
【０００２】
所望のサイズに切削され個片化された上チップ５２及び下チップ５０は、テープまたはガフエポ等の材料からなるインターポーザ５４上のチップ搭載位置に下チップ５０がエポキシ樹脂等の接着剤６６によって固着され、その下チップ５０上に上チップ５２が同様に接着剤１８によって固着される。図１３に上下チップの搭載状態を概略平面図に示す。
【０００３】
その後、上チップ５２及び下チップ５０それぞれの配線用電極５８、５６が金線等の配線材６０、６０によってインターポーザ５４上のインナーリード６４にワイヤボンディングされる。そして、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材６８よって樹脂封止される。最後にインターポーザの裏面のアウターリード部分に半田ボール７０が搭載されパッケージが完成していた。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような２つの半導体チップを積層搭載してなる半導体チップパッケージには次に示す問題があった。▲１▼図１０、及び図１３からわかるように、上チップは下チップの配線用電極が完全に露出し、配線材によってワイヤボンディングできる充分なサイズを確保できるように小さくなくては本構造は採用できなかった。▲２▼配線用電極は上のチップはチップの中央、またはチップの各辺に配列されているいずれの場合も採用可能であるが、上チップより大きいサイズでなくてはならない下のチップはチップの各辺に配列されている場合に限り、チップの中央に配列されている場合は採用できない。つまり、チップの中央に配列されているチップは組み合わせるチップより充分小さくなくてはならなかった。
▲３▼上チップの配線用電極が中央に配列されている場合はワイヤ長さが長くなるため、ワイヤショート等の歩留まり低下の危険性がある。
【０００４】
従って、本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明の第一の目的は、２つの半導体チップを、チップサイズに制限されることなく自由に組み合わせて搭載可能となる半導体チップパッケージを提供することである。本発明の第二の目的は、ワイヤ長さが短くなるように設計できるため安定したワイヤボンディング歩留まりにより得られ、電気特性にも優れた半導体チップパッケージを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
本発明の半導体チップパッケージは、表面に配線用電極を設けてなる第１の半導体チップと、表面に配線用電極を設けてなる第２の半導体チップと、の２つの半導体チップを積層搭載してなり、
裏面側が陥没してなり、該陥没部位に貫通孔が設けられたインターポーザの表面側に接着シートが設けられ、
接着シートの表面に第１の半導体チップが搭載されると共に、インターポーザの貫通孔内で接着シートの第１の半導体チップが搭載された側とは反対側に第２の半導体チップが搭載されるようにして、第１の半導体チップと第２の半導体チップとが互いの裏面同士を対向させて積層搭載してなり、
インターポーザの裏面のアウターリード部分に半田ボールが形成されてなることを特徴とする。
【０００６】
本発明の半導体チップパッケージでは、第１の半導体チップと第２の半導体チップとが互いの裏面同士を対向させて積層搭載してなるので、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップの配線用電極を設けてなる表面は、それぞれ別の面に存在することになる。このため、チップサイズ、配線用電極の位置などが違う或いは同じ２つの半導体チップを自由に組み合わせて搭載可能となる。即ち、上下のチップの種類に制限はなくなる。また、上下のチップともに配線用電極をチップエッジ周辺に設計可能であり、また、配線用電極が中央に配列されている場合でもワイヤ長さが短くなるように設計できるので、安定したワイヤボンディング歩留まりを得ることができ、併せて、高速信号伝送等、電気特性上も有利になる。
本発明の半導体チップパッケージにおいては、インターポーザの裏面側が陥没してなり、該陥没部位に貫通孔が設けられてなることで、インターポーザ裏面の貫通孔及びその周辺を封止樹脂材等により封止した場合、陥没部位により封止樹脂材が埋め込まれることとなり、その露出する封止部分の突出する部分を抑えることができる。このため、インターポーザ裏面のアウターリード部に設けられる半田ボールより、封止部分を低く抑えることができる。また、半田ボールを設ける場合、その搭載ピッチをファインして、半田ボール径を小さくすることもできる。なお、封止部分が低いとはインターポーザ裏面に対して突出する部分が低いことを示す。
【０００７】
本発明の半導体チップパッケージにおいて、第１の半導体チップと第２の半導体チップとが互いの裏面同士を対向させて積層搭載してなる構成としては、具体的には下記＜２＞〜＜３＞で示す構成が好適である。
【０００９】
＜２＞第１の半導体チップ及び第２の半導体チップのチップサイズより大きい貫通孔が設けられたインターポーザ表面に、貫通孔を覆う接着シートが設けられ、
第２の半導体チップ裏面が、インターポーザ裏面側に貫通孔から露出する接着シート裏面に固着され、
第１の半導体チップ裏面が、接着シート表面に、第２の半導体チップの固着位置に対向して固着されてなることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【００１０】
＜３＞第１の半導体チップのチップサイズより小さく、且つ第２の半導体チップのチップサイズより大きい貫通孔が設けられたインターポーザ表面に、第１の半導体チップが貫通孔を覆うように、第１の半導体チップ裏面の一部が固着され、
第２の半導体チップ裏面が、インターポーザ裏面側の貫通孔から露出する第１の半導体チップ裏面に固着されてなることを特徴とする半導体チップパッケージ。
【００１２】
なお、本発明において、半導体チップ（第１の半導体チップ、第２の半導体チップ）のチップサイズに対するインターポーザの貫通孔の大きさは、半導体チップの対向面に対するインターポーザの貫通孔口の大きさを示す。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、実質的に同様の機能を有するものには、全図面通して同じ符号を付して説明する。
【００１４】
（第１の参考例）
図１〜図５を参照して第１の参考例を説明する。第１の参考例では、図１に示す半導体チップパッケージの構成を、その製造工程に従って説明する。図１に示す半導体チップパッケージでは、テープまたはガラスエポキシ等の材料からなるインターポーザ１４中央には下チップ１０（第２の半導体チップ）表面中央に配列されている配線用電極２４に対応した貫通孔１６が設けられている。所望のサイズに切削、個片化され、表面中央に配線用電極２４を設けた半導体チップが、下チップ１０（第２の半導体チップ）として、その表面の所望の部分をエポキシ樹脂等の接着剤１８によって、インターポーザ１４表面のチップ搭載位置に固着される。この下チップ１０は、その配線用電極２４がインターポーザ１４裏面側に貫通孔から露出するように固着される。
【００１５】
その後、下チップ１０の配線用電極２４が、金線等の配線材２０によってインターポーザ１４裏面に存在するインナーリード３２にワイヤボンディングされる。そして、インターポーザ１４裏面側の各部材周辺が、ポッティング法、等によってエポキシ樹脂等の樹脂封止材２８により樹脂封止される。ここで、インターポーザ１４裏面に封止樹脂が露出して突出する場合もあるが、半田ボールより充分低く抑えることが可能であり問題にならない。
【００１６】
次に、所望のサイズに切削、個片化され、表面のチップエッジ周辺に配線用電極２６を設けた半導体チップが、上チップ１２（第１の半導体チップ）として、その裏面を下チップ１０裏面にエポキシ樹脂等の接着剤１８によって固着される。その後、上チップ１２の配線用電極２６が、金線等の配線材２２によってインターポーザ１４上に存在するインナーリード３４にワイヤボンディングされる。
そして、インターポーザ１４表面の各部材周辺が、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材３０により樹脂封止される。最後に、インターポーザ１４裏面のアウターリード部分に半田ボール３６が搭載され半導体チップパッケージが完成する。
【００１７】
第１の参考例では、図２に示すように、インターポーザ１４の中央には下チップ１０の中央に配列されている配線用電極２４に対応した貫通孔１６が設けられている。ここで、図３に示すように、下チップ１０の中央に配列されている配線用電極２４はチップエッジまでの距離Ａが例えば１００μｍ程度と非常に短いことが多い。この場合、インターポーザ１４の貫通孔１６周縁と下チップ１０の配線用電極２４との距離をある程度確保するため、図４に示すように、下チップ１０を、インターポーザ１４表面のチップ搭載位置に下チップ１０表面の所望の部分を、接着剤１８（図中は塗布範囲を示す）によって、下チップ１０が貫通孔１６を完全に覆うことなく、隙間Ｂを設けて固着することとなる。このまま、インターポーザ１４裏面の各部材周辺を、樹脂封止材２８により樹脂封止すると隙間Ｂから樹脂がもれ出てしまうことがある。
【００１８】
このため、図５に示すように、両面が熱可塑性樹脂のように加熱することで粘性を持ち固着（接着）できるような性質も持ち、且つ下チップ１０のチップサイズより一回り大きく下チップ１０と貫通孔１６との隙間を覆う大きさの（好ましくは片側１００μｍ程度ずつ大きいもの）シート状の接着剤１８に、下チップ１０表面の一部を仮接着させ、そして、この下チップ１０表面にあらかじめ仮接着されているシート状の接着剤１８により、下チップ１０表面をインターポーザ１４表面のチップ搭載位置に固着させることが好ましい。但し、このシート状の接着剤１８には、下チップ１０表面の配線用電極２４に対応し、且つ下チップ１０のチップサイズよりも小さな孔が設けられている。これにより、下チップ１０及びシート状の接着剤１８によって、インターポーザ１４の貫通孔１６を完全に覆うことができ、封止する際の樹脂モレを防止でき、安定して得ることができる。
また、シート状の接着剤１８は、下チップ１０表面にあたる部分とすれば充分な強度が確保できる。
【００１９】
第１の参考例では、下チップ１０がその表面の所望の部分を接着剤１８によってインターポーザ１４表面のチップ搭載位置に固着され、上チップ１２がその裏面を下チップ１０裏面に接着剤１８によって固着されてなる。即ち、上チップ１２及び下チップ１０のそれぞれの配線用電極２６、２４を設けてなる表面は、それぞれ別の面に存在することになる。このため、下チップ１０と同じ大きさ、又はそれ以上のチップサイズの上チップ１２を搭載可能である。
【００２０】
第１の参考例では、インターポーザ１４に貫通孔１６を設け、貫通孔１６を通して下チップ１０とインターポーザ１４裏面のインナーリード３２とワイヤボンディングされる。また、上チップ１２の配線用電極２６がチップエッジ周辺に設計した上チップ１２を用いることができる。このため、配線材（ワイヤ）の長さが短い構成である。このため、安定したワイヤボンディング歩留まりを得ることができ、併せて、高速信号伝送等、電気特性上も有利になる。
【００２１】
（第２の参考例）
図６を参照して第２の参考例を説明する。第２の参考例では、図６に示す半導体チップパッケージの構成を、その製造工程に従って説明する。図６に示す半導体チップパッケージでは、テープまたはガラスエポキシ等の材料からなるインターポーザ１４の中央には上チップ１２（第１の半導体チップ）及び下チップ１０（第２の半導体チップ）のチップサイズより一回り大きな（好ましくは片側０．２ｍｍ程度）貫通孔１６が設けられている。インターポーザ１４表面には、両面が熱可塑性樹脂のように加熱することで粘性を持ち接着できるような性質も持ちシート状の接着剤１８が仮接着されている。このときシート状の接着剤１８は貫通孔１６より片側１００μｍ程度ずつ大きく設計すると貫通孔１６を完全に覆うので、封止する際の樹脂モレを防止できる。
【００２２】
そして、所望のサイズに切削、個片化され、表面のチップエッジ周辺に配線用電極２４を設けた半導体チップが、下チップ１０として、その表面をインターポーザ１４裏面側に貫通孔１６から露出するシート状の接着剤１８裏面に固着させる。その後、下チップ１０の配線用電極２４が、金線等の配線材２０によってインターポーザ１４裏面に存在するインナーリード３２にワイヤボンディングされる。そして、インターポーザ１４裏面の各部材周辺が、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材２８により樹脂封止される。
【００２３】
次に、所望のサイズに切削、個片化され、表面中央に配線用電極２６を設けた半導体チップが、上チップ１２として、その裏面をシート状の接着剤１８表面に下チップ１０の固着位置に対向して固着される。その後、上チップ１２の配線用電極２６が、金線等の配線材２２によってインターポーザ１４表面に存在するインナーリード３４にワイヤボンディングされる。そして、インターポーザ１４表面の各部材周辺が、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材３０により樹脂封止される。最後に、インターポーザ１４裏面のアウターリード部分に半田ボール３６が搭載され半導体チップパッケージが完成する。
【００２４】
第２の参考例では、下チップ１０がその表面をインターポーザ１４裏面側に貫通孔１６から露出するシート状の接着剤１８裏面に固着され、上チップ１２がその裏面をシート状の接着剤１８表面に下チップ１０の固着位置に対向して固着されてなる。即ち、上チップ１２及び下チップ１０のそれぞれの配線用電極２６、２４を設けてなる表面は、それぞれ別の面に存在することになる。このため、下チップ１０と同じ大きさ、又はそれ以上のチップサイズの上チップ１２を搭載可能である。
【００２５】
第２の参考例では、インターポーザ１４に設けた貫通孔１６内部に下チップ１０を設けて、下チップ１０とインターポーザ１４裏面のインナーリード３２とワイヤボンディングされる。また、下チップ１０をインターポーザ１４に設けた貫通孔１６内部に設けるので、インターポーザ１４に対して上チップ１２の配置高さを低く抑えることができる。このため、配線材（ワイヤ）の長さが短い構成である。このため、安定したワイヤボンディング歩留まりを得ることができ、併せて、高速信号伝送等、電気特性上も有利になる。
【００２６】
（第３の実施の形態）
図７を参照して第３の実施の形態を説明する。第３の実施の形態では、図７に示す半導体チップパッケージの構成を、その製造工程に従って説明する。図７に示す半導体チップパッケージでは、インターポーザ１４として、アルミ等の金属製基板を用い、その裏面側を絞り加工等により陥没させて、該陥没部位３８に貫通孔１６を設けた構成である。この構成以外は、上述した第２の参考例と同様であり、その説明を省略する。
【００２７】
第３の実施の形態では、裏面側が陥没してなり、該陥没部位３８に貫通孔１６が設けられたインターポーザ１４を備える。通常、上述の第３の実施の形態で示したような構成の場合、下チップ１０のチップサイズにもよるが、インターポーザ１４裏面に封止樹脂による封止部分が露出し突出するため、半田ボール３６より、封止部分４０を十分低く抑えることが困難な場合がある。具体的にはピン数が増加していくと半田ボール３６の搭載ピッチがファインになり、それに対応するには必然的に半田ボール３６径を小さくしなくてはならず、高さも低くなる。
一方で、下チップ１０のチップ厚が十分薄いレベル（例えば１００μｍレベル）まで薄くすれば半田ボール３６より充分低く抑えることが可能であり問題にならない場合も多い。しかし、半田ボール３６高さが低く（大体３００μｍ以下程度）なった場合は、上述の第３の実施例を採用できなくなることがある。このため、インターポーザ１４を上記構成とすることで、貫通孔及びその周辺（インターポーザ１４表面の各部材周辺）を封止樹脂材等により封止しても、インターポーザ１４の陥没部位３８により封止樹脂材が埋め込まれることとなり、その露出する封止部分の突出を、半田ボール３６よりも十分低く抑えることができる。また、半田ボール３６の搭載ピッチをファイン化して、半田ボール径を小さくすることもできる。
【００２８】
（第４の参考例）
図８を参照して第４の参考例を説明する。第４の参考例では、図８に示す半導体チップパッケージの構成を、その製造工程に従って説明する。図８に示す半導体チップパッケージでは、テープまたはガラスエポキシ等の材料からなるインターポーザ１４の中央にはインターポーザ１４表面に搭載する上チップ１２（第１の半導体チップ）のチップサイズより一回り小さく、且つ下チップ１０（第２の半導体チップ）のチップサイズより大きい貫通孔が設けられている。そして、所望のサイズに切削、個片化され、表面中央に配線用電極２６を設けた半導体チップが、上チップ１２として、その裏面に両面が熱可塑性樹脂のように加熱することで粘性を持ち接着できるような性質も持つシート状の接着剤１８を仮接着させる。この上チップ１２裏面にあらかじめ仮接着されているシート状の接着剤１８により、インターポーザ１４の貫通孔１６周辺のオーバーハングしている部位に、上チップ１２裏面の一部を固着させる。その後、上チップ１２の配線用電極２６が、金線等の配線材２０によってインターポーザ１４表面上に存在するインナーリード３４にワイヤボンディングされる。そしてインターポーザ１４表面の各部材周辺が、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材３０により樹脂封止される。このとき、上チップ１２を貫通孔１６より、例えば片側０．２μｍ程度ずつ大きく設計すると貫通孔１６を完全に覆うことができるので、封止する際の樹脂モレを防止できる。
【００２９】
次に、所望のサイズに切削、個片化され、表面のチップエッジ周辺に配線用電極２４を設けた半導体チップが、下チップ１０として、その裏面をインターポーザ１４裏面側に貫通孔１６から露出する上チップ１２裏面に、接着剤１８によって固着させる。その後、下チップ１０の配線用電極２４が、金線等の配線材２０によってインターポーザ１４裏面に存在するインナーリード３２にワイヤボンディングされる。そして、インターポーザ１４裏面の各部材周辺が、トランスファモールド法等によってエポキシ樹脂等により樹脂封止材２８により樹脂封止される。最後に、インターポーザ１４裏面のアウターリード部分に半田ボール３６が搭載され半導体チップパッケージが完成する。
【００３０】
第４の参考例では、上チップ１２がその裏面の一部をインターポーザ１４表面の貫通孔１６を覆うように固着され、下チップ１０がその表面をインターポーザ１４裏面側に貫通孔１６から露出する上チップ１２裏面に固着されてなる。即ち、上チップ１２及び下チップ１０のそれぞれの配線用電極２６、２４を設けてなる表面は、それぞれ別の面に存在することになる。このため、この構成によると、下チップ１０よりも大きなチップサイズの上チップ１２を搭載可能である。
【００３１】
第４の参考例では、インターポーザ１４に設けた貫通孔１６内部に下チップ１０を設けて、下チップ１０とインターポーザ１４裏面のインナーリード３２とワイヤボンディングされる。また、下チップ１０をインターポーザ１４に設けた貫通孔１６内部に設けるので、インターポーザ１４に対して上チップ１２の配置高さを低く抑えることができる。このため、配線材（ワイヤ）の長さが短い構成である。このため、安定したワイヤボンディング歩留まりを得ることができ、併せて、高速信号伝送等、電気特性上も有利になる。
【００３２】
（第５の実施の形態）
図９を参照して第５の実施の形態を説明する。第５の実施の形態では、図９に示す半導体チップパッケージの構成を、その製造工程に従って説明する。図９に示す半導体チップパッケージでは、インターポーザ１４として、アルミ等の金属製基板を用い、その裏面側を絞り加工等により陥没させて、該陥没部位３８に貫通孔１６を設けた構成である。この構成以外は、上述した第４の参考例と同様であり、その説明を省略する。
【００３３】
第５の実施の形態では、裏面側が陥没してなり、該陥没部位３８に貫通孔１６が設けられたインターポーザ１４を備えるので、上述した第３の実施の形態で示したように、露出する封止部分の突出を、半田ボール３６よりも十分低く抑えることができる。また、半田ボール３６の搭載ピッチをファイン化して、半田ボール径を小さくすることもできる。
【００３４】
上述した各参考例、各実施の形態においては、その構成を製造工程に従って説明したが、この製造工程に限定されないのは言うまでもない。また、上述した各参考例、各実施の形態において、上チップ及び下チップにおける「上下」とは、インターポーザ面に対する位置を基準とする上下を意味する。
【００３５】
上述した各参考例、各実施の形態においては、上チップ及び下チップの配線用電極の位置を、中央に配列又はチップエッジ周辺に配列されている場合について説明したが、本発明は配線用電極の位置は、特に限定されず、配線用電極が如何なる位置に設けられた半導体チップも搭載可能であることは言うまでもない。
【００３６】
上述した各参考例、各実施の形態においては、上チップ及び下チップのチップサイズは同一である場合について説明したが、この上チップ及び下チップのチップサイズは自由に変更でき、如何なるチップサイズの組み合わせでも、搭載可能であることは言うまでもない。
【００３７】
なお、上記何れの各参考例、各実施の形態に係る本発明の半導体チップパッケージにおいても、限定的に解釈されるものではなく、本発明の構成要件を満足する範囲内で実現可能であることは、言うまでもない。
【００３８】
【発明の効果】
以上、説明したように請求項１〜４の発明によれば、２つの半導体チップをチップサイズに制限されることなく自由に組み合わせて搭載可能である、また、ワイヤ長さが短くなるように設計できるため安定したワイヤボンディング歩留まりを得ることができ、、電気特性も優れる、という効果を達成する。
【００３９】
さらに、請求項５によれば、インターポーザ裏面側の貫通孔及びその周辺を封止樹脂材等により封止した場合、その露出する封止部分の突出する部分を抑えることができる、という効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の参考例における半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図２】 第１の参考例における半導体チップパッケージのインターポーザを示す概略平面図である。
【図３】 第１の参考例における半導体チップパッケージの下チップを示す概略平面図である。
【図４】 第１の参考例における半導体チップパッケージの下チップの固着状態を示す概略平面図である。
【図５】 第１の参考例における半導体チップパッケージの好適な下チップの固着状態を示す概略平面図である。
【図６】 第２の参考例における半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図７】 第３の実施の形態における半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図８】 第４の参考例における半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図９】 第５の実施の形態における半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図１０】 従来の半導体チップパッケージを示す概略断面図である。
【図１１】 従来の半導体チップパッケージの上チップを示す概略平面図である。
【図１２】 従来の半導体チップパッケージの下チップを示す概略平面図である。
【図１３】 従来の半導体チップパッケージを示すの上下チップの搭載状態を示す概略平面図である。

Claims (3)

  1. 表面に配線用電極を設けてなる第１の半導体チップと、表面に配線用電極を設けてなる第２の半導体チップと、の２つの半導体チップを積層搭載してなる半導体チップパッケージにおいて、
    裏面側が陥没してなり、該陥没部位に貫通孔が設けられたインターポーザの表面側に接着シートが設けられ、
    接着シートの表面に第１の半導体チップが搭載されると共に、インターポーザの貫通孔内で接着シートの第１の半導体チップが搭載された側とは反対側に第２の半導体チップが搭載されるようにして、第１の半導体チップと第２の半導体チップとが互いの裏面同士を対向させて積層搭載してなり、
    インターポーザの裏面のアウターリード部分に半田ボールが形成されてなることを特徴とする半導体チップパッケージ。
  2. 第１の半導体チップ及び第２の半導体チップのチップサイズより大きい貫通孔が設けられたインターポーザ表面に、貫通孔を覆う接着シートが設けられ、
    第２の半導体チップ裏面が、インターポーザ裏面側に貫通孔から露出する接着シート裏面に固着され、
    第１の半導体チップ裏面が、接着シート表面に、第２の半導体チップの固着位置に対向して固着されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
  3. 第１の半導体チップのチップサイズより小さく、且つ第２の半導体チップのチップサイズより大きい貫通孔が設けられたインターポーザ表面に、第１の半導体チップが貫通孔を覆うように、第１の半導体チップ裏面の一部が固着され、
    第２の半導体チップ裏面が、インターポーザ裏面側の貫通孔から露出する第１の半導体チップ裏面に固着されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップパッケージ。
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