JP2001085609A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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semiconductor
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chip
chips
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宗博 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２個の半導体チップを樹脂封止する半導体装
置の薄型化を推進する。また、この半導体装置の基板と
半導体チップとの熱膨張係数差に起因する半田接続寿命
の低下を抑制する。 【解決手段】 本発明のＣＳＰは、互いの裏面が対向す
るように積層した２枚のチップ１Ａ、１Ａをエラストマ
ー・シート４を介してベース基板５の上面に固着し、モ
ールド樹脂２で封止する。エラストマー・シート４は、
ベース基板５よりも弾性が高い材料からなり、ＣＳＰを
実装する基板とチップ１Ａとの熱膨張係数差によって生
じるストレスを緩和、吸収し、バンプ電極９の接続寿命
の低下を抑制する。２枚のチップ１Ａ、１Ａは、ワイヤ
８Ａ、８Ｂを介してベース基板５の一面に形成されたＣ
ｕ配線６と電気的に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造技術に関し、特に、２枚の半導体チップを積層
して単一のパッケージに樹脂封止した半導体装置に適用
して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memor
y)やフラッシュメモリなどのメモリＬＳＩを高密度に実
装することを目的として、複数枚の半導体チップを積層
して樹脂封止したパッケージ構造が種々提案されてい
る。
【０００３】例えば特開平１１−５４５３７号公報は、
裏面（回路が形成されていない面）を研磨して肉薄化し
た２枚の半導体チップの裏面同士を向き合わせて接合
し、これら２枚の半導体チップを、ＴＡＢテープの一面
に形成されたリードパターンと共に樹脂封止したパッケ
ージ構造を開示している。
【０００４】上記２枚の半導体チップの一方とリードパ
ターンとは、金属ワイヤによって電気的に接続され、も
う一枚の半導体チップとリードパターンとはワイヤを介
さずに直接接合されている。このパッケージの外部接続
端子は、ＴＡＢテープの他面に形成された半田ボールに
よって構成され、パッケージの外形寸法を半導体チップ
の外形寸法とほぼ同じにすることを可能としている。
【０００５】特開平１１−７４４２１号公報は、樹脂テ
ープの両面にリード（導体回路パターン）を形成した回
路基板の両面に半導体チップを接合すると共に、中央に
開口部を備えた絶縁性の支持基板によってこの回路基板
を支持し、回路基板およびその両面に接合された２枚の
半導体チップを樹脂封止したパッケージ構造を開示して
いる。
【０００６】上記回路基板の上面に接合された第１の半
導体チップは、この回路基板の上面に形成されたリード
に、回路基板の下面に接合された第２の半導体チップ
は、回路基板の下面に形成されたリードにそれぞれボン
ディングワイヤを介して電気的に接続されている。ま
た、回路基板を支持する支持基板の下面には、上記リー
ドに電気的に接続された半田ボールが設けられ、このパ
ッケージの外部接続端子を構成している。さらに、回路
基板の上面に接合された第１の半導体チップは、トラン
スファモールドによって形成された第１の樹脂によって
封止され、回路基板の下面に接合された第２の半導体チ
ップは、ポッティングモールドによって形成された第２
の樹脂によって封止されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】２枚の半導体チップを
積層して樹脂封止したパッケージを半田ボールを介して
基板に実装する従来のパッケージ構造は、半導体チップ
と基板との熱膨張係数差によって生じるストレスによっ
て半田の接続寿命が低下し易い。また、ＴＡＢリードを
用いた構造では、ボンディングパッドのレイアウトや外
形寸法の異なる異種の半導体チップを自在に組み合わせ
て積層することが難しい。さらに、製造工程も煩雑で、
コストの低減を図ることも難しい。
【０００８】本発明の目的は、２個の半導体チップを積
層して樹脂封止する半導体装置において、半導体チップ
と基板との熱膨張係数差による半田接続寿命の低下を抑
制する技術を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、２個の半導体チップ
を積層して樹脂封止する半導体装置において、同一種類
のチップだけでなく、ボンディングパッドのレイアウト
や外形寸法の異なる異種チップを自在に組み合わせて２
段に積層することを可能にする技術を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の他の目的は、２個の半導体チップ
を積層して樹脂封止する半導体装置の製造コストを低減
する技術を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、２個の半導体チップ
を積層して樹脂封止する半導体装置の小型化、薄型化を
推進する技術を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１４】本発明の半導体装置は、それぞれの裏面が
対向するように積層された第１および第２半導体チップ
と、一面に前記第１半導体チップの主面が固着され、前
記第１半導体チップの前記主面に形成されたボンディン
グパッドと対向する領域に開孔が形成されたベース基板
と、前記第１半導体チップの前記ボンディングパッドお
よび前記ベース基板の第１配線を電気的に接続する第１
ワイヤと、前記第２半導体チップの主面に形成されたボ
ンディングパッドおよび前記ベース基板の第２配線を電
気的に接続する第２ワイヤと、前記ベース基板の他面に
接続され、前記第１または第２配線に電気的に接続され
たバンプ電極と、前記第１および第２半導体チップを封
止する樹脂とを備えている。
【００１５】本発明の半導体装置は、上記第１半導体チ
ップと前記ベース基板との間に、前記ベース基板よりも
弾性が高い材料からなるシートが介在している。
【００１６】本発明の半導体装置の製造方法は、以下の
工程を有している； （ａ）第１および第２半導体チップと、一部に開孔が形
成されたベース基板とを用意する工程、（ｂ）前記第１
半導体チップの主面に形成されたボンディングパッドと
前記ベース基板の前記開孔とが対向するように、前記第
１半導体チップの主面を前記ベース基板の一面に固着さ
せる工程、（ｃ）前記第１半導体チップの裏面に前記第
２半導体チップの裏面を固着させる工程、（ｄ）前記第
１半導体チップの主面に形成された前記ボンディングパ
ッドと前記ベース基板に形成された第１配線とを、第１
ワイヤを介して電気的に接続する工程、（ｅ）前記第２
半導体チップの主面に形成されたボンディングパッドと
前記ベース基板に形成された第２配線とを、第２ワイヤ
を介して電気的に接続する工程、（ｆ）前記第１および
第２半導体チップを樹脂封止する工程、（ｇ）前記ベー
ス基板の他面にバンプ電極を接続する工程。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するた
めの全図において、同一の部材には同一の符号を付し、
その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】（実施の形態１）図１は、本実施形態の半
導体装置を示す平面図、図２は、この半導体装置の基板
実装面（下面）を示す平面図、図３は、この半導体装置
の断面図である。
【００１９】本実施形態の半導体装置は、２段に積層し
た半導体チップ（以下、単にチップという）１Ａ、１Ａ
をモールド樹脂２で封止したファン・イン・アウト(Fan
-in/out)型のＣＳＰ(Chip Size Package) である。
【００２０】モールド樹脂２で封止された２枚のチップ
１Ａ、１Ａは、それぞれの裏面が対向するように積層さ
れ、接着剤３によって固着されている。すなわち、下層
のチップ（第１半導体チップ）１Ａは、その下面が回路
形成面（主面）となっており、上層のチップ（第２半導
体チップ）１Ａは、その上面が回路形成面となってい
る。これらのチップ１Ａ、１Ａは、互いに同一の外形寸
法を有し、それぞれの回路形成面には、例えば６４メガ
ビット（Ｍbit)または２５６メガビットの大容量ＤＲＡ
Ｍが形成されている。また、これらのチップ１Ａ、１Ａ
の回路形成面の中央部には、ボンディングパッドＢＰが
形成されている。すなわち、これらのチップ１Ａ、１Ａ
は、回路形成面の中央部にボンディングパッドＢＰを配
置するセンターパッド方式を採用している。
【００２１】上記２枚のチップ１Ａ、１Ａは、下層のチ
ップ１Ａの下面に接着されたエラストマー・シート４を
介してベース基板５の上面に固着されている。ベース基
板５は、モールド樹脂２の外形寸法と同じか、またはわ
ずかに大きい外形寸法を有するポリイミドなどの樹脂テ
ープからなり、その一面（上面）にはＣｕ配線６が形成
されている。ベース基板５の中央部、すなわち下層のチ
ップ１ＡのボンディングパッドＢＰと対向する領域に
は、後述するワイヤ８Ａを通すための開孔７が形成され
ている。
【００２２】下層のチップ１Ａとベース基板５との間に
介在する上記エラストマー・シート４は、上記ベース基
板５よりも弾性が高い材料、例えば高弾性ポリイミド樹
脂または多孔質フッ素樹脂などからなる。このエラスト
マー・シート４は、無機系材料である単結晶シリコンの
チップ１Ａとそれよりも熱膨張係数が大きい有機系材料
であるベース基板５や後述するモジュール基板２１との
熱膨張係数差によって生じるストレスを緩和、吸収する
ための緩衝部材である。
【００２３】上記ベース基板５の一面に形成されたＣｕ
配線６の一部（第１配線）と下層のチップ１Ａのボンデ
ィングパッドＢＰとは、Ａｕ（金）やＡｌ（アルミニウ
ム）などの低抵抗金属からなるワイヤ（第１ワイヤ）８
Ａを介して電気的に接続されている。ワイヤ８Ａは、ベ
ース基板５に形成された前記開孔７を通じてＣｕ配線と
ボンディングパッドＢＰとを接続している。
【００２４】また、ベース基板５の一面に形成されたＣ
ｕ配線６の他の一部（第２配線）と上層のチップ１Ａの
ボンディングパッドＢＰとは、上記ワイヤ８Ａよりも長
いワイヤ（第２ワイヤ）８Ｂを介して電気的に接続され
ている。これらのワイヤ８Ａ、８Ｂは、２枚のチップ１
Ａ、１Ａおよびエラストマー・シート４と共に、前記モ
ールド樹脂２によって封止されている。
【００２５】ベース基板５の下面には、中央部のモール
ド樹脂２で覆われた領域の外側に、ＣＳＰの外部接続端
子を構成する多数のバンプ電極９がエリア・アレイ状に
配置されている。これらのバンプ電極９は、例えば半田
ボールからなり、ベース基板５に形成されたＣｕ配線６
の下面に直接接続されている。
【００２６】次に、上記のように構成されたＣＳＰの製
造方法を図４〜図１７を用いて工程順に説明する。
【００２７】図４は、ＣＳＰの製造に用いるマトリクス
基板１０を示す平面図である。このマトリクス基板１０
は、細長いスリット状の開孔７が所定の間隔をおいて形
成された厚さ５０〜７５μm 程度の薄いポリイミド樹脂
テープからなる。図の破線によって区画された四角形の
領域のそれぞれは、ＣＳＰ１個分の占有領域であり、後
の工程でマトリクス基板１をこの破線に沿って切断する
ことにより、前述したベース基板５となる。マトリクス
基板１０は、長尺のテープとなっており、図にはその一
部（ＣＳＰ約８個分の領域）が示されている。
【００２８】図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿ったＣＳＰ約
１個分の領域を示すマトリクス基板１０の断面図であ
る。図示のように、マトリクス基板１０の一面には、前
述したＣｕ配線６が形成されている。このＣｕ配線６
は、例えばベース基板５に貼り付けた厚さ２０μm 程度
の電解Ｃｕ箔または圧延Ｃｕ箔をエッチングすることに
よって形成され、そのボンディングエリアおよびバンプ
電極接続エリアの表面には、ＡｕまたはＡｕ／Ｎｉ（ニ
ッケル）のメッキが施されている。
【００２９】図６は、上記マトリクス基板１０に搭載さ
れるチップ１Ａの回路形成面を示す平面図である。図示
のように、チップ１Ａの回路形成面の中央部には、前述
した多数のボンディングパッドＢＰが長辺方向に沿って
一列に配置されている。このチップ１Ａは、あらかじめ
その裏面を研磨してその厚さを２００μm 以下、望まし
くは１００μm 以下にまで薄くしておく。
【００３０】ＣＳＰを製造するには、まず図７および図
８に示すように、チップ１Ａとほぼ同じ外形寸法となる
ように裁断した厚さ１００μm 程度のエラストマー・シ
ート４をマトリクス基板１０の一面に貼り付ける。エラ
ストマー・シート４の両面には、例えばアクリル／エポ
キシ樹脂系の接着剤（図示せず）を塗布しておく。
【００３１】次に、図９および図１０に示すように、エ
ラストマー・シート４の上面に第１のチップ１Ａの回路
形成面を貼り付ける。あるいは、まずエラストマー・シ
ート４の一面に第１のチップ１Ａの回路形成面を貼り付
け、その後、このエラストマー・シート４の他面をマト
リクス基板１に貼り付けてもよい。
【００３２】次に、図１１に示すように、上記第１のチ
ップ１Ａの裏面（上面）に第２のチップ１Ａの裏面を重
ね合わせ、Ａｇペーストなどの接着剤３によって両者の
裏面同士を固着した後、図１２に示すように、ワイヤボ
ンディング装置のステージ２０上にマトリクス基板１０
を位置決めし、第１のチップ１Ａのボンディングパッド
ＢＰと対応するＣｕ配線６とをワイヤ８Ａで電気的に接
続する。
【００３３】次に、図１３に示すように、マトリクス基
板１０の上下面を反転させ、第２のチップ１Ａのボンデ
ィングパッドＢＰと対応するＣｕ配線６とをワイヤ８Ｂ
で電気的に接続する。このとき、Ｃｕ配線６の表面にワ
イヤ８Ｂの一端を接続（ファースト・ボンディング）し
てからボンディングパッドＢＰの表面にワイヤ８Ｂの他
端を接続（セカンド・ボンディング）するリバース・ボ
ンディング方式を採用することにより、長いワイヤ８Ｂ
のループ高さを低くすることができる。
【００３４】なお、上記した工程では、マトリクス基板
１０の一面に２枚のチップ１Ａ、１Ａを搭載してからワ
イヤ８Ａ、８Ｂのボンディングを行ったが、図１４に示
すように、マトリクス基板１０の一面にエラストマー・
シート４を挟んで第１のチップ１Ａを搭載した後、この
チップ１ＡのボンディングパッドＢＰとＣｕ配線６とを
ワイヤ８Ａで接続し、次に、図１５に示すように、第１
のチップ１Ａの上面に第２のチップ１Ａを積層した後、
第２のチップ１ＡのボンディングパッドＢＰとＣｕ配線
６とをワイヤ８Ｂで接続してもよい。
【００３５】次に、図１６、図１７に示すように、上記
マトリクス基板１０を図示しないモールド金型に装着
し、２枚のチップ１Ａ、１Ａ、ワイヤ８Ａ、８Ｂおよび
エラストマー・シート４をモールド樹脂２で一括封止す
る。モールド樹脂２は、例えばシリカが含有されたエポ
キシ系樹脂からなる。
【００３６】その後、マトリクス基板１０の下面に露出
したＣｕ配線６にバンプ電極９を接続し、続いてマトリ
クス基板１０を前記図４に示した破線に沿って切断する
ことにより、前記図１〜図３に示す本実施形態のＣＳＰ
が完成する。バンプ電極９は、例えばＳｎ（６３％）／
Ｐｎ（３７％）共晶合金からなる直径３００μm 〜４０
０μm 程度の半田ボールからなる。バンプ電極９の材料
には、Ｓｎ／Ｐｎ合金半田の他、Ｓｎ系合金半田、高融
点半田、Ａｕメッキ付きＮｉ合金などを使用することも
できる。
【００３７】このように、本実施の形態によれば、ＤＲ
ＡＭが形成された２枚のチップ１Ａ、１Ａを積層してモ
ールド樹脂２で封止したことにより、実質的に２倍の容
量のＤＲＡＭパッケージを実現することができる。
【００３８】またこのとき、チップ１Ａの裏面を研磨し
てその厚さを２００μm 以下まで薄くすることにより、
バンプ電極９の底部からモールド樹脂２の上面までの厚
さが１．４μm 以下の薄型パッケージを実現することが
でき、さらにチップ１Ａの厚さを１００μm 以下まで薄
くした場合には、厚さが１．２μm 以下の超薄型パッケ
ージを実現することもできる。
【００３９】また、ベース基板５の下面にバンプ電極９
をエリア・アレイ状に配置したことにより、チップ１Ａ
のサイズに近い外形寸法を有するＣＳＰを実現すること
ができる。
【００４０】また、ワイヤボンディング装置やモールド
金型など、従来よりＱＦＰ(Quad Flat Package) などの
汎用樹脂パッケージの製造ラインで使われている生産設
備を用いたことにより、安価なコストでＣＳＰを製造す
ることができる。
【００４１】図１８（ａ）は、本実施形態のＣＳＰをモ
ジュール基板２１の両面に実装したＤＩＭＭ(Dual In-l
ine Memory Module)の平面図、同図（ｂ）は、同じく側
面図である。
【００４２】本実施形態のＣＳＰは、小型かつ薄型で、
しかも１個のＣＳＰに２倍の容量のＤＲＡＭが封止され
ているので、パソコンやＷＳ（ワークステーション）な
どのメインメモリなどに用いて好適な大容量ＤＩＭＭを
実現することができる。
【００４３】また、本実施形態のＣＳＰは、チップ１Ａ
とベース基板５との間にエラストマー・シート４を介在
させたことにより、チップ１Ａとそれよりも熱膨張係数
が大きい有機系材料であるベース基板５やモジュール基
板２１との熱膨張係数差によって生じるストレスをエラ
ストマー・シート４によって緩和、吸収することができ
る。これにより、ＣＳＰをモジュール基板２１に実装し
た後のバンプ電極９の接続寿命が向上し、信頼性の高い
ＤＩＭＭを実現することができる。
【００４４】（実施の形態２）前記実施の形態１では、
回路形成面の中央部にボンディングパッドＢＰを配置す
るセンターパッド方式のチップ１Ａ、１Ａを積層したＣ
ＳＰについて説明したが、例えば図１９に示すような、
回路形成面の長辺に沿って２列にボンディングパッドＢ
Ｐが配置されたチップ１Ｂを使ったＣＳＰを実現するこ
ともできる。
【００４５】図２０は、上記チップ１Ｂを２段に積層し
たＣＳＰの基板実装面（下面）を示す平面図、図２１
は、このＣＳＰの断面図である。これらのチップ１Ｂ、
１Ｂの回路形成面には、例えば６４メガビット（Ｍbit
）または２５６メガビットの大容量フラッシュメモリ
が形成されている。このＣＳＰは、前記実施の形態１で
説明した方法に準じて製造することができる。
【００４６】本実施の形態によれば、フラッシュメモリ
が形成された２枚のチップ１Ｂ、１Ｂを積層してモール
ド樹脂２で封止したことにより、実質的に２倍の容量の
フラッシュメモリパッケージを実現することができる。
【００４７】（実施の形態３）前記実施の形態１、２で
は、同一種類のメモリチップ（１Ａまたは１Ｂ）を２段
に積層したＣＳＰについて説明したが、例えば図２２に
示すような、回路形成面の四辺に沿ってボンディングパ
ッドＢＰが配置されたチップ１Ｃと、前記実施の形態１
のチップ１Ａ（または前記実施の形態２のチップ１Ｂ）
とを２段に積層したＣＳＰを実現することもできる。図
２２に示すチップ１Ｃを下層に配置する場合は、図２２
に示すような、チップ１ＣのボンディングパッドＢＰと
対向する領域に４つの開孔７を形成したベース基板５を
使用し、これらの開孔７を通じてベース基板５のＣｕ配
線６とボンディングパッドＢＰとをワイヤ８Ａで結線す
ればよい。
【００４８】図２４は、上記チップ１Ｃと前記実施の形
態１のチップ１Ａとを２段に積層したＣＳＰの基板実装
面（下面）を示す平面図、図２５は、このＣＳＰの断面
図である。
【００４９】下層のチップ１Ｃには、例えばＣＰＵやＡ
ＳＩＣなどのロジックＬＳＩが形成され、上層のチップ
１Ａには、ＤＲＡＭが形成されている。ロジックＬＳＩ
のような多ピンのチップ１Ｃを搭載したＣＳＰは、メモ
リチップだけを搭載したＣＳＰに比べて外部接続端子
（バンプ電極９）の数が多くなる。このような場合は、
一面にＣｕ配線６を形成した前記ベース基板５に代え、
例えば図２５に示すような、両面にＣｕ配線６を形成し
たガラス布含浸エポキシ樹脂（ガラエポ）基板を使って
ベース基板２２を構成してもよい。
【００５０】本実施形態によれば、ロジックＬＳＩが形
成されたチップ１ＣとＤＲＡＭが形成されたチップ１Ａ
とを２段に積層することにより、高機能なシステムＬＳ
Ｉを一個のパッケージで実現することができる。その
際、ベース基板２２のＣｕ配線５のレイアウトを最適化
することにより、高速、高性能のシステムＬＳＩを実現
することもできる。
【００５１】これにより、携帯電話を始めとする各種情
報通信端末機器に実装して好適なＣＳＰを安価に提供す
ることができるので、これら情報通信端末機器の小型
化、軽量化を推進することができる。
【００５２】なお、本実施形態では、チップ１Ｃの上部
にそれよりも外形寸法の大きいチップ１Ａを積層した
（図２４、図２５参照）が、図２６に示すように、チッ
プ１Ｃの上部にそれよりも外形寸法の小さいチップ１Ｄ
を積層することもできる。
【００５３】このように、本発明によれば、同一種類の
チップを２段に積層できることは勿論、ボンディングパ
ッドＢＰのレイアウトや外形寸法の異なる異種チップを
自在に組み合わせて２段に積層することが可能である。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を前
記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００５５】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００５６】本発明によれば、２個の半導体チップを積
層して樹脂封止する半導体装置において、半導体チップ
と基板との熱膨張係数差による半田接続寿命の低下を抑
制することができる。
【００５７】本発明によれば、２個の半導体チップを積
層して樹脂封止する半導体装置において、同一種類のチ
ップだけでなく、ボンディングパッドのレイアウトや外
形寸法の異なる異種チップを自在に組み合わせて２段に
積層することが可能となる。
【００５８】本発明によれば、２個の半導体チップを積
層して樹脂封止する半導体装置の製造コストを低減する
ことができる。
【００５９】本発明によれば、２個の半導体チップを積
層して樹脂封止する半導体装置の小型化、薄型化を推進
することができる。
【００６０】本発明によれば、携帯電話を始めとする各
種情報通信端末機器に実装して好適な半導体装置を実現
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置を示す平
面図である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体装置の基板実
装面を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態である半導体装置の断面図
である。
【図４】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
用いるマトリクス基板の平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿ったマトリクス基板の断面
図である。
【図６】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に
用いる半導体チップの回路形成面を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施形態である半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態である半導体装置の製造方
法を示す平面図である。
【図９】本発明の一実施形態である半導体装置の製造方
法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す平面図である。
【図１７】本発明の一実施形態である半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
【図１８】（ａ）は、本発明の一実施形態である半導体
装置を実装したモジュール基板の平面図、（ｂ）は同じ
く側面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態である半導体装置の製
造に用いる半導体チップの回路形成面を示す平面図であ
る。
【図２０】本発明の他の実施形態である半導体装置の基
板実装面を示す平面図である。
【図２１】本発明の他の実施形態である半導体装置の断
面図である。
【図２２】本発明の他の実施形態である半導体装置の製
造に用いる半導体チップの回路形成面を示す平面図であ
る。
【図２３】本発明の他の実施形態である半導体装置の製
造に用いるベース基板の平面図である。
【図２４】本発明の他の実施形態である半導体装置の基
板実装面を示す平面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態である半導体装置の断
面図である。
【図２６】本発明の他の実施形態である半導体装置の断
面図である。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｄ 半導体チップ ２ モールド樹脂 ３ 接着剤 ４ エラストマー・シート ５ ベース基板 ６ Ｃｕ配線 ７ 開孔 ８Ａ〜８Ｂ ワイヤ ９ バンプ電極 １０ マトリクス基板 ２０ ステージ ２１ モジュール基板 ２２ ベース基板

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれの裏面が対向するように積層さ
    れた第１および第２半導体チップと、一面に前記第１半
    導体チップの主面が固着され、前記第１半導体チップの
    前記主面に形成されたボンディングパッドと対向する領
    域に開孔が形成されたベース基板と、前記第１半導体チ
    ップの前記ボンディングパッドおよび前記ベース基板の
    第１配線を電気的に接続する第１ワイヤと、前記第２半
    導体チップの主面に形成されたボンディングパッドおよ
    び前記ベース基板の第２配線を電気的に接続する第２ワ
    イヤと、前記ベース基板の他面に接続され、前記第１ま
    たは第２配線に電気的に接続されたバンプ電極と、前記
    第１および第２半導体チップを封止する樹脂とを備えた
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
    記第１半導体チップと前記ベース基板との間には、前記
    ベース基板よりも弾性が高い材料からなるシートが介在
    していることを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置において、前
    記シートを構成する材料は、エラストマーまたは多孔質
    樹脂であることを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップは、互いに同一機能の回
    路が形成された同一寸法の半導体チップであることを特
    徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップには、ＤＲＡＭが形成さ
    れていることを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップには、フラッシュメモリ
    が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップは、互いに異なる機能の
    回路が形成された異なる寸法の半導体チップであること
    を特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップの一方にはメモリＬＳＩ
    が形成され、他方にはロジックＬＳＩが形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の半導体装置において、前
    記第１および第２半導体チップは、それぞれの厚さが２
    ００μm 以下であることを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１および第２半導体チップは、それぞれの厚さが
    １００μm 以下であることを特徴とする半導体装置。
  11. 【請求項１１】 以下の工程を有する半導体装置の製造
    方法； （ａ）第１および第２半導体チップと、一部に開孔が形
    成されたベース基板とを用意する工程、（ｂ）前記第１
    半導体チップの主面に形成されたボンディングパッドと
    前記ベース基板の前記開孔とが対向するように、前記第
    １半導体チップの主面を前記ベース基板の一面に固着さ
    せる工程、（ｃ）前記第１半導体チップの裏面に前記第
    ２半導体チップの裏面を固着させる工程、（ｄ）前記第
    １半導体チップの主面に形成された前記ボンディングパ
    ッドと前記ベース基板に形成された第１配線とを、第１
    ワイヤを介して電気的に接続する工程、（ｅ）前記第２
    半導体チップの主面に形成されたボンディングパッドと
    前記ベース基板に形成された第２配線とを、第２ワイヤ
    を介して電気的に接続する工程、（ｆ）前記第１および
    第２半導体チップを樹脂封止する工程、（ｇ）前記ベー
    ス基板の他面にバンプ電極を接続する工程。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、前記（ｂ）工程で前記第１半導体チップの
    主面を前記ベース基板の一面に固着させる際、前記第１
    半導体チップの主面と前記ベース基板との間に、前記ベ
    ース基板よりも弾性が高い材料からなるシートを介在さ
    せることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１記載の半導体装置の製造方
    法において、前記ベース基板を複数枚の半導体チップが
    搭載可能な大面積のモジュール基板で構成し、前記第１
    および第２半導体チップを樹脂封止した後、前記モジュ
    ール基板をパッケージ単位で切断することによって、前
    記ベース基板を得ることを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
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