JPH0412557A - 半導体パッケージの放熱構造 - Google Patents
半導体パッケージの放熱構造Info
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- JPH0412557A JPH0412557A JP2115166A JP11516690A JPH0412557A JP H0412557 A JPH0412557 A JP H0412557A JP 2115166 A JP2115166 A JP 2115166A JP 11516690 A JP11516690 A JP 11516690A JP H0412557 A JPH0412557 A JP H0412557A
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板上に搭載された半導体素子を気密封止して
成る半導体パンケージに関するものであり、前記半導体
素子からの発熱を放熱するための半導体パッケージの放
熱構造に関する。
成る半導体パンケージに関するものであり、前記半導体
素子からの発熱を放熱するための半導体パッケージの放
熱構造に関する。
〔従来の技術）
従来、半導体パッケージにおける放熱は、表面側に半導
体素子を搭載している基板の裏面側に、放熱体としての
放熱フィンを接着することにより取り付けた構造とし、
この放熱フィンを介して半導体素子から発生する熱を外
部に逃がすことによりパッケージ内の放熱を行っていた
。
体素子を搭載している基板の裏面側に、放熱体としての
放熱フィンを接着することにより取り付けた構造とし、
この放熱フィンを介して半導体素子から発生する熱を外
部に逃がすことによりパッケージ内の放熱を行っていた
。
このような従来の半導体パッケージの放熱構造を、特開
昭６０−６６８３４号に基づいて説明する。
昭６０−６６８３４号に基づいて説明する。
第３図は従来の半導体パッケージの放熱構造を示す断面
図であり、図において１は給電されることで発熱する半
導体素子、２はこの半導体素子１を所定の位置に接着剤
３により接着することで搭載している薄板状の基板であ
る。４はこの基板２上に搭載された半導体素子１を覆う
ようにして基板２に封止剤５により取りつけたキャップ
である。
図であり、図において１は給電されることで発熱する半
導体素子、２はこの半導体素子１を所定の位置に接着剤
３により接着することで搭載している薄板状の基板であ
る。４はこの基板２上に搭載された半導体素子１を覆う
ようにして基板２に封止剤５により取りつけたキャップ
である。
そして、この基板２、キャップ４、封止剤５により半導
体素子１を気密封止するためのパッケージを構成してい
る。
体素子１を気密封止するためのパッケージを構成してい
る。
６は外部からパッケージ内にその一部を導入させている
導電部材から成る複数のリード端子、７はこのリード端
子６と半導体素子工とを電気的に接続している複数本の
ワイヤボンディングであり、このワイヤボンディング７
と前記リード端子６との接合部を含めて、前記半導体素
子１の周囲を前記パッケージ内に収容して気密封止する
ことで半導体パッケージが構成されている。
導電部材から成る複数のリード端子、７はこのリード端
子６と半導体素子工とを電気的に接続している複数本の
ワイヤボンディングであり、このワイヤボンディング７
と前記リード端子６との接合部を含めて、前記半導体素
子１の周囲を前記パッケージ内に収容して気密封止する
ことで半導体パッケージが構成されている。
上述した構造の半導体パッケージの半導体素子１にリー
ド端子６．ワイヤボンディング７を介して給電すると、
半導体素子工は発熱する。
ド端子６．ワイヤボンディング７を介して給電すると、
半導体素子工は発熱する。
この発熱を放熱するため従来は、半導体素子１を搭載し
ている基板２の、半導体素子ｌを搭載している側とは反
対側の面、つまり半導体パンケージの外側となる面に放
熱体としての放熱フィン８を接着剤９により取りつけて
いる。
ている基板２の、半導体素子ｌを搭載している側とは反
対側の面、つまり半導体パンケージの外側となる面に放
熱体としての放熱フィン８を接着剤９により取りつけて
いる。
放熱フィン８は軽量でかつ熱伝導性の良いアルミ材等に
より形成されており、この放熱フィン８により半導体素
子Ｉの熱を効率よくパッケージ外部に放熱するようにし
ていた。
より形成されており、この放熱フィン８により半導体素
子Ｉの熱を効率よくパッケージ外部に放熱するようにし
ていた。
ところで、上述した従来の放熱構造においては前記放熱
フィン８と基板２とを接着する接着剤９の材質が、種々
の問題、例えばキャンプに亀裂が生じる等の問題を引き
起こす要因となっており、これらの問題を解決するため
に従来より前記接着剤９には以下に示すような特性が要
求されている。
フィン８と基板２とを接着する接着剤９の材質が、種々
の問題、例えばキャンプに亀裂が生じる等の問題を引き
起こす要因となっており、これらの問題を解決するため
に従来より前記接着剤９には以下に示すような特性が要
求されている。
つまり、接着剤９はまず熱伝導性が良く、そして接着強
度が充分あり、かつ適度な弾性があって基板２と放熱フ
ィン８との熱応力を吸収することができ、さらに耐熱性
を有する材質でなければならない。この条件を全て満た
す材質については前出の従来文献である特開昭６０−６
６８３４号公報に述べられているとおりである。
度が充分あり、かつ適度な弾性があって基板２と放熱フ
ィン８との熱応力を吸収することができ、さらに耐熱性
を有する材質でなければならない。この条件を全て満た
す材質については前出の従来文献である特開昭６０−６
６８３４号公報に述べられているとおりである。
しかしながら、近年、半導体における集積度動作速度等
の増加はめざましく、１チ、プ当たり１０Ｗ以上の発熱
を生じるものも多く出てきている。また、その外形も大
きくなり、パッケージサイズで矩形の樅横寸法が数１０
１１ＩＩ１１のものもでてきている。
の増加はめざましく、１チ、プ当たり１０Ｗ以上の発熱
を生じるものも多く出てきている。また、その外形も大
きくなり、パッケージサイズで矩形の樅横寸法が数１０
１１ＩＩ１１のものもでてきている。
従って、上述した接着剤の特性の中でも、特に熱伝導性
と弾性の度合いが重要になってくる。
と弾性の度合いが重要になってくる。
−船釣に熱伝導性接着剤として代表的なシリコーン系と
エポキシ系を比較してみると、熱伝導性ではシリコーン
系よりエポキシ系のほうが３〜５倍程度良い特性を有し
ている。このため熱伝導特性的にはエポキシ系の接着剤
を使用したいが、しかしエポキシ系の接着剤は、シリコ
ーン系の接着剤に比べて弾性が無いので、基板と、放熱
フィンの材質の熱膨張係数を完全に一致させないと（特
に基板のサイズが大きいほど必要となってくる。）、亀
裂や剥離等が生じて、放熱フィン用の接着剤としては使
用できないという問題があった。
エポキシ系を比較してみると、熱伝導性ではシリコーン
系よりエポキシ系のほうが３〜５倍程度良い特性を有し
ている。このため熱伝導特性的にはエポキシ系の接着剤
を使用したいが、しかしエポキシ系の接着剤は、シリコ
ーン系の接着剤に比べて弾性が無いので、基板と、放熱
フィンの材質の熱膨張係数を完全に一致させないと（特
に基板のサイズが大きいほど必要となってくる。）、亀
裂や剥離等が生じて、放熱フィン用の接着剤としては使
用できないという問題があった。
そこで、本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであり、基板と、放熱フィンの材質の熱膨張係数を
完全に一致させなくとも、熱伝導性が良く、かつ適度な
弾性を有する従来からの接着剤により放熱フィンを基板
に接着できるような構造を提供することを目的とするも
のである。
ものであり、基板と、放熱フィンの材質の熱膨張係数を
完全に一致させなくとも、熱伝導性が良く、かつ適度な
弾性を有する従来からの接着剤により放熱フィンを基板
に接着できるような構造を提供することを目的とするも
のである。
上述した目的を達成するため本発明は、接着剤をそれぞ
れの特性、つまり熱伝導性を有するものと、弾性率が小
さくかつ熱応力を吸収するものとの２種類を用意し、そ
れぞれの特性に対応して使用するようにしたものである
。
れの特性、つまり熱伝導性を有するものと、弾性率が小
さくかつ熱応力を吸収するものとの２種類を用意し、そ
れぞれの特性に対応して使用するようにしたものである
。
つまり、絶縁性基板の片面側を覆うようにしてキャップ
を封止剤により封止することで、前記基板の片面中央に
搭載した半導体素子と、この半導体素子とリード端子と
を電気的に接続している接合部とを気密封止するパンケ
ージを構成し、前記基板の他面側に放熱体を接着剤によ
り接着することで前記半導体素子からの発熱を放熱する
半導体パッケージの放熱構造において、前記放熱体と基
板とを接着するための接着剤を、熱伝導性の良いエポキ
シ系接着剤と、弾性率の低いシリコーン系接着剤との２
種類で構成する。
を封止剤により封止することで、前記基板の片面中央に
搭載した半導体素子と、この半導体素子とリード端子と
を電気的に接続している接合部とを気密封止するパンケ
ージを構成し、前記基板の他面側に放熱体を接着剤によ
り接着することで前記半導体素子からの発熱を放熱する
半導体パッケージの放熱構造において、前記放熱体と基
板とを接着するための接着剤を、熱伝導性の良いエポキ
シ系接着剤と、弾性率の低いシリコーン系接着剤との２
種類で構成する。
そして、半導体素子を取りつけた前記基板の中央に対応
する他面側にエポキシ系接着剤を、そしてこれを取り囲
むようにしてその周囲にシリコーン系接着剤を配するよ
うにしたものである。
する他面側にエポキシ系接着剤を、そしてこれを取り囲
むようにしてその周囲にシリコーン系接着剤を配するよ
うにしたものである。
［作 用］
上述した構造によれば、基板に取りつけられた半導体素
子にリード端子を介して電気が供給されると、半導体素
子は発熱する。そして、この発熱は半導体素子が取りつ
けられている基板中央に対応する他面側（裏面側）に配
された熱伝導性の良いエポキシ系接着剤により、効率良
くパッケージ外部の放熱フィンへと伝達される。
子にリード端子を介して電気が供給されると、半導体素
子は発熱する。そして、この発熱は半導体素子が取りつ
けられている基板中央に対応する他面側（裏面側）に配
された熱伝導性の良いエポキシ系接着剤により、効率良
くパッケージ外部の放熱フィンへと伝達される。
また、この放熱フィンは前記エポキシ系接着剤を取り囲
むようにして、弾性率が低くかつ接着性の良いシリコー
ン系接着剤が配されているので、基板と放熱体とは剥離
や亀裂等の障害を生じることなく確実に接着される。
むようにして、弾性率が低くかつ接着性の良いシリコー
ン系接着剤が配されているので、基板と放熱体とは剥離
や亀裂等の障害を生じることなく確実に接着される。
以下本発明の一実施例を開面を用いて説明する。
第１図は本発明の半導体パッケージの放熱構造の一実施
例を示す断面図、第２図は放熱フィンと基板を接着する
前の状態を示す斜視図である。
例を示す断面図、第２図は放熱フィンと基板を接着する
前の状態を示す斜視図である。
第１図及び第２図において、１は給電されることで発熱
する半導体素子、２はこの半導体素子１を所定の位置に
接着剤３により接着することで搭載している薄板状の基
板である。４はこの基板２上に搭載された半導体素子１
を覆うようにして基板２に封止剤５により取りつけたキ
ャップであり、これら基板２、キャップ４、封止剤５に
より前記半導体素子１を気密封止するためのパッケージ
が構成されている。
する半導体素子、２はこの半導体素子１を所定の位置に
接着剤３により接着することで搭載している薄板状の基
板である。４はこの基板２上に搭載された半導体素子１
を覆うようにして基板２に封止剤５により取りつけたキ
ャップであり、これら基板２、キャップ４、封止剤５に
より前記半導体素子１を気密封止するためのパッケージ
が構成されている。
６は外部から前記パッケージ内にその一部を導入させて
いる導電部材から成る複数のリード端子、７はこのリー
ド端子６と半導体素子１とを電気的に接続している複数
本のワイヤボンディングであり、このワイヤボンディン
グ７と前記リード端子６との接合部を含めて、前記半導
体素子１の周囲を前記パッケージ内に収容して気密封止
することで半導体パッケージを構成しており、この構造
は従来と全く同様のものである。
いる導電部材から成る複数のリード端子、７はこのリー
ド端子６と半導体素子１とを電気的に接続している複数
本のワイヤボンディングであり、このワイヤボンディン
グ７と前記リード端子６との接合部を含めて、前記半導
体素子１の周囲を前記パッケージ内に収容して気密封止
することで半導体パッケージを構成しており、この構造
は従来と全く同様のものである。
また、８は前記構成における半導体パッケージの放熱を
行うための放熱体としての放熱フィンであり、やはり従
来と同様に半導体素子ｌを搭載している基板２の、半導
体素子１を搭載している側とは反対側の面、つまり半導
体パッケージの外側となる面（図中においては下面）に
取りつけられている。
行うための放熱体としての放熱フィンであり、やはり従
来と同様に半導体素子ｌを搭載している基板２の、半導
体素子１を搭載している側とは反対側の面、つまり半導
体パッケージの外側となる面（図中においては下面）に
取りつけられている。
１０と１１はこの放熱フィン８を基板２に接着するため
それぞれに特性の異なる２種類の接着剤であり、１０は
熱伝導性の良いエポキシ系接着剤（熱伝導率；ｌ０Ｘ１
０−３〜２０Ｘ１０−”Ｃａｌ／ｃｍ ＨＳｅｃ ’
Ｃ）、１１は密着性が良く適度な弾性を有するシリコー
ン系接着剤である。なお、シリコーン系接着剤１１にお
いてはその熱伝導率の良いもので、４．５ＸＩＯ−’
Ｃａｌ／ｃｍ −５ｅｃ ’ Ｃ程度であり、エポキ
シ系接着剤ＩＯのそれに比べてかなり低い。
それぞれに特性の異なる２種類の接着剤であり、１０は
熱伝導性の良いエポキシ系接着剤（熱伝導率；ｌ０Ｘ１
０−３〜２０Ｘ１０−”Ｃａｌ／ｃｍ ＨＳｅｃ ’
Ｃ）、１１は密着性が良く適度な弾性を有するシリコー
ン系接着剤である。なお、シリコーン系接着剤１１にお
いてはその熱伝導率の良いもので、４．５ＸＩＯ−’
Ｃａｌ／ｃｍ −５ｅｃ ’ Ｃ程度であり、エポキ
シ系接着剤ＩＯのそれに比べてかなり低い。
これら各接着剤１０と１１とはそれぞれ、第２図に示す
ように、互いに交わることなくそれぞれに設定されてい
る所定の領域に塗布あるいは印刷するようになっている
。
ように、互いに交わることなくそれぞれに設定されてい
る所定の領域に塗布あるいは印刷するようになっている
。
熱伝導性の良いエポキシ系接着剤１０は、基板２の表面
（図においては上面）のほぼ中央に搭載されている半導
体素子ｌと、その裏面側で対応する位置、つまり第２図
に示すように放熱フィン８の上面の中央部に、半導体パ
ッケージの大きさよりも僅かに大きい領域で、スクリー
ン印刷、あるいはデイスペンサにより塗布している。
（図においては上面）のほぼ中央に搭載されている半導
体素子ｌと、その裏面側で対応する位置、つまり第２図
に示すように放熱フィン８の上面の中央部に、半導体パ
ッケージの大きさよりも僅かに大きい領域で、スクリー
ン印刷、あるいはデイスペンサにより塗布している。
また、シリコーン系接着剤１１は、前記エポキシ系接着
剤１０が塗布されている領域に対応する中央部分を除い
て、その周囲を取り囲むようにして基板２の裏面のほぼ
全体にスクリーン印刷によって印刷されている。なお、
このシリコーン系接着剤１１は、その中央に溝部１４を
形成して、大きく２つに分離されている。この溝部１４
は、基板２と放熱フィン８を貼り合わせた時の、エポキ
シ系接着剤１０付近の空気抜き用の溝であり、この溝部
１４を形成しておくことで、エポキシ系接着剤１０の周
囲に空気が押し込められることがないので、密着性を良
くすることができる。
剤１０が塗布されている領域に対応する中央部分を除い
て、その周囲を取り囲むようにして基板２の裏面のほぼ
全体にスクリーン印刷によって印刷されている。なお、
このシリコーン系接着剤１１は、その中央に溝部１４を
形成して、大きく２つに分離されている。この溝部１４
は、基板２と放熱フィン８を貼り合わせた時の、エポキ
シ系接着剤１０付近の空気抜き用の溝であり、この溝部
１４を形成しておくことで、エポキシ系接着剤１０の周
囲に空気が押し込められることがないので、密着性を良
くすることができる。
これにより、基板２と放熱フィン８とを、第２図に示す
ように、それぞれ接着剤１０と１１が塗布あるいは印刷
されている面同士を対向するようにして貼り合わせると
、互いの接着剤１０と１１はそれぞれ混じり合うことな
く、それぞれ相手方の部材を接着する。
ように、それぞれ接着剤１０と１１が塗布あるいは印刷
されている面同士を対向するようにして貼り合わせると
、互いの接着剤１０と１１はそれぞれ混じり合うことな
く、それぞれ相手方の部材を接着する。
ここで、基ｔＩｉ２に対する放熱フィン８はシリコーン
系接着剤１１にて接着固定が確保されることから、中央
部に塗布あるいは印刷されたエポキシ系接着剤１０は、
純粋に熱伝導性のみを追求した材料の使用が可能となる
。通常、熱伝導性を上げるためには、Ａｇ粉末、無機質
フィラーを含有させれば良いが、これらの充填率を上げ
ると、接着能力が低下してしまうという特性があった。
系接着剤１１にて接着固定が確保されることから、中央
部に塗布あるいは印刷されたエポキシ系接着剤１０は、
純粋に熱伝導性のみを追求した材料の使用が可能となる
。通常、熱伝導性を上げるためには、Ａｇ粉末、無機質
フィラーを含有させれば良いが、これらの充填率を上げ
ると、接着能力が低下してしまうという特性があった。
このため充填率には限界があり、その結果、従来は熱伝
導性を上げれば接着力が弱くなり、接着力を強くすれば
熱伝導性が下がってしまうという問題があったが、本願
においては熱伝導性のみを追求した材料の使用を可能と
している。
導性を上げれば接着力が弱くなり、接着力を強くすれば
熱伝導性が下がってしまうという問題があったが、本願
においては熱伝導性のみを追求した材料の使用を可能と
している。
従って、半導体素子１からの発熱は、基板２を通りエポ
キシ系接着剤１０により効率良く放熱フィン８に伝えら
れ、この放熱フィン８によって半導体パッケージ外部へ
と放熱される。そして、この時のエポキシ系接着剤１０
が塗布されている領域は半導体素子１とほぼ同等の広さ
のみであるために、基板２と放熱フィン８との熱膨張率
係数に差があっても、その差による熱応力は小さく（熱
応力＝熱膨張係数の差×接着面の長さ）、両者２と８と
の接着に支障をきたすことはない。
キシ系接着剤１０により効率良く放熱フィン８に伝えら
れ、この放熱フィン８によって半導体パッケージ外部へ
と放熱される。そして、この時のエポキシ系接着剤１０
が塗布されている領域は半導体素子１とほぼ同等の広さ
のみであるために、基板２と放熱フィン８との熱膨張率
係数に差があっても、その差による熱応力は小さく（熱
応力＝熱膨張係数の差×接着面の長さ）、両者２と８と
の接着に支障をきたすことはない。
以上説明したように本発明によれば、絶縁性基板の片面
中央に搭載した半導体素子と、この半導体素子とリード
端子とを電気的に接続している接合部とをキャップによ
り覆って封止剤により封止して内部を気密封止したパッ
ケージの、前記基板の他面側に放熱体を接着剤にて接着
して半導体素子からの発熱を放熱する半導体パンケージ
の放熱構造において、前記放熱体と基板とを接着するた
めの接着剤を、熱伝導性の良いエポキシ系接着剤と、弾
性率の低いシリコーン系接着剤との２種類で構成し、前
記半導体素子を取りつけた前記基板の中央に対応する他
面側にエポキシ系接着剤を、そしてこれを取り囲むよう
にしてその周囲にシリコーン系接着剤を配するようにし
た。
中央に搭載した半導体素子と、この半導体素子とリード
端子とを電気的に接続している接合部とをキャップによ
り覆って封止剤により封止して内部を気密封止したパッ
ケージの、前記基板の他面側に放熱体を接着剤にて接着
して半導体素子からの発熱を放熱する半導体パンケージ
の放熱構造において、前記放熱体と基板とを接着するた
めの接着剤を、熱伝導性の良いエポキシ系接着剤と、弾
性率の低いシリコーン系接着剤との２種類で構成し、前
記半導体素子を取りつけた前記基板の中央に対応する他
面側にエポキシ系接着剤を、そしてこれを取り囲むよう
にしてその周囲にシリコーン系接着剤を配するようにし
た。
このため、半導体素子からの発熱は基板を通りエポキシ
系接着剤により効率良く放熱フィンに伝えられて放熱さ
れ、かつこのエポキシ系接着剤による熱応力は、その塗
布あるいは印刷面が少ないことから大きくなることはな
く、接着に支障をきたすことはない。
系接着剤により効率良く放熱フィンに伝えられて放熱さ
れ、かつこのエポキシ系接着剤による熱応力は、その塗
布あるいは印刷面が少ないことから大きくなることはな
く、接着に支障をきたすことはない。
このように、基板と放熱体との接着剤は、従来からのも
のを、それぞれの特性に合わせて、各々に対応する領域
にのみ配するだけで、高い熱伝導性と確実な接着性を得
ることができ、その結果、放熱特性が良好で、かつ接着
信顧性の高い半導体パッケージの放熱構造を提供するこ
とができる。
のを、それぞれの特性に合わせて、各々に対応する領域
にのみ配するだけで、高い熱伝導性と確実な接着性を得
ることができ、その結果、放熱特性が良好で、かつ接着
信顧性の高い半導体パッケージの放熱構造を提供するこ
とができる。
第１図は本発明の半導体パッケージの放熱構造の一実施
例を示す断面図、第２図は放熱フィンと基板を接着する
前の状態を示す斜視図、第３図は従来の構造を示す断面
図である。 ・・・半導体素子 ２・・・基板 °°・キャンプ ５・・・封止剤・・・リード端
子 ８・・・放熱フィン・・・エポキシ系接着剤 ・・・シリコーン系接着剤 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 金倉喬ニ ・・・モ導俸木子 ２・・・墨栖 ４．６、ヘマ・・／フ゛ ５０．６封止削 ６・・・ リードｒｔ豹子 ８・・・ｉ文熱フィン １＼う７−日月６つ−メじ階１列牙示ｉｆｒ″ｒｔｒバ
ク睡 １ 国
例を示す断面図、第２図は放熱フィンと基板を接着する
前の状態を示す斜視図、第３図は従来の構造を示す断面
図である。 ・・・半導体素子 ２・・・基板 °°・キャンプ ５・・・封止剤・・・リード端
子 ８・・・放熱フィン・・・エポキシ系接着剤 ・・・シリコーン系接着剤 特許出願人 沖電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 金倉喬ニ ・・・モ導俸木子 ２・・・墨栖 ４．６、ヘマ・・／フ゛ ５０．６封止削 ６・・・ リードｒｔ豹子 ８・・・ｉ文熱フィン １＼う７−日月６つ−メじ階１列牙示ｉｆｒ″ｒｔｒバ
ク睡 １ 国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板の片面側を覆うようにしてキャップを封
止剤により封止することで、前記基板の片面中央に搭載
した半導体素子と、この半導体素子とリード端子とを電
気的に接続している接合部とを気密封止するパッケージ
を構成し、 前記基板の他面側に放熱体を接着剤により接着すること
で前記半導体素子からの発熱を放熱する半導体パッケー
ジの放熱構造において、 前記放熱体と基板とを接着するための接着剤を、熱伝導
性の良いエポキシ系接着剤と、弾性率の低いシリコーン
系接着剤との２種類で構成し、前記基板中央に取りつけ
た半導体素子と対応する基板他面側にエポキシ系接着剤
を、そしてこれを取り囲むようにしてその周囲にシリコ
ーン系接着剤を配したことを特徴とする半導体パッケー
ジの放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115166A JP2625236B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体パッケージの放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115166A JP2625236B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体パッケージの放熱構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412557A true JPH0412557A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2625236B2 JP2625236B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=14655975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2115166A Expired - Lifetime JP2625236B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 半導体パッケージの放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625236B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08180687A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | ジョセフソンラッチ回路 |
| US5552637A (en) * | 1993-06-14 | 1996-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| WO2004068679A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Hitachi, Ltd. | コントローラ付き電動モータユニット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101340512B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2013-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 칩 패키지 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판어셈블리 |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2115166A patent/JP2625236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5552637A (en) * | 1993-06-14 | 1996-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JPH08180687A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | ジョセフソンラッチ回路 |
| WO2004068679A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Hitachi, Ltd. | コントローラ付き電動モータユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2625236B2 (ja) | 1997-07-02 |
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