JPH03104142A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPH03104142A
JPH03104142A JP1241285A JP24128589A JPH03104142A JP H03104142 A JPH03104142 A JP H03104142A JP 1241285 A JP1241285 A JP 1241285A JP 24128589 A JP24128589 A JP 24128589A JP H03104142 A JPH03104142 A JP H03104142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
heat dissipation
heat
heat dissipating
dissipating block
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1241285A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Ishiguro
石黒 勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1241285A priority Critical patent/JPH03104142A/ja
Publication of JPH03104142A publication Critical patent/JPH03104142A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/306Lead-in-hole components, e.g. affixing or retention before soldering, spacing means

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は主に樹脂封止型半導体装置の構造に関するもの
である。
従来の技術 高出力集積回路を搭載する樹脂封止型半導体装置の場合
、回路駆動時に発生する熱を効率的に放散するため、装
置内部に放熱ブロックを内蔵させる構造をとる場合があ
る。こうした半導体装置はプリント基板への実装の際、
樹脂本体及び放熱ブロック露出面はプリント基板から浮
かせて取付けるのが通例である。
発明が解決しようとする課題 近年の集積回路は多機能高集積化に伴う高出力が進み、
半導体装置の高放熱性がますます要求され、内部放熱ブ
ロツクなどの装置単体構造だけの配慮では対応できない
現状にある。
課題を解決するための手段 本発明は、集積回路チップを内蔵する放熱ブロックに載
置し、その載置面の対抗面を半導体装置の一端面に露出
、突出させ、プリント基板と対面するよう配置するとと
もに、その露出、突出面を外部電極端子群のスタンドオ
フとほぼ同一の高さに位置させる。
作用 この構造によれば、半導体チップで発生した熱は内部放
熱板を介してプリント基板に伝達され、プリント基板面
の放熱面積を増大させ放熱性を増大させる。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。第1
図は本発明の半導体装置側面図である。
放熱ブロック1の突出面と外部電極端子2のスタンドオ
フをほぼ同一の高さに位置させる。
第2図はプリント基板3への実装時の半導体装置および
プリント基板実装部の断面図である。また矢印は発生し
た熱の熱流を示す。半導体チップ4で発生した熱は内部
放熱ブロック1を介してプリント基板3に伝達され、空
気中へと放散していく。なお、図中、5は樹脂被覆体、
6は接着材である。
発明の効果 本発明の構造によれば、従来の放熱ブロック入り半導体
装置に比較して2〜3倍の放熱が期待でき、半導体装置
の高出力化に大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例樹脂封止型の半導体装置の側面
図、第2図は同装置のプリント基板実装状態の断面図で
ある。 1・・・・・・放熱ブロック、2・・・・・・外部電極
端子(群)、3・・・・・・プリント基板、4・・・・
・・半導体チップ、5・・・・・・樹脂被覆体、6・・
・・・・接着材。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内蔵放熱ブロックを有し、その放熱ブロックの一
    部の面が樹脂被覆の一端面に露出し、かつ、その放熱ブ
    ロック露出面が前記樹脂被覆から導出の外部電極端子群
    のスタンドオフとほぼ同一の実装高さに設定されている
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. (2)外部電極端子群のスタンドオフと放熱ブロック露
    出面との実装高さにおける関係において、その差異が0
    〜0.5mmに設定された請求項1記載の樹脂封止型半
    導体装置。
JP1241285A 1989-09-18 1989-09-18 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03104142A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1241285A JPH03104142A (ja) 1989-09-18 1989-09-18 樹脂封止型半導体装置

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JP1241285A JPH03104142A (ja) 1989-09-18 1989-09-18 樹脂封止型半導体装置

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JPH03104142A true JPH03104142A (ja) 1991-05-01

Family

ID=17071992

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1241285A Pending JPH03104142A (ja) 1989-09-18 1989-09-18 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPH03104142A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489801A (en) * 1993-11-03 1996-02-06 Intel Corporation Quad flat package heat slug composition
US5757075A (en) * 1995-04-26 1998-05-26 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor heat sink apparatus

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5489801A (en) * 1993-11-03 1996-02-06 Intel Corporation Quad flat package heat slug composition
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