JPH04359458A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04359458A JPH04359458A JP13390891A JP13390891A JPH04359458A JP H04359458 A JPH04359458 A JP H04359458A JP 13390891 A JP13390891 A JP 13390891A JP 13390891 A JP13390891 A JP 13390891A JP H04359458 A JPH04359458 A JP H04359458A
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- Japan
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- die pad
- semiconductor element
- semiconductor device
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- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子を固定す
るダイパッドを備えた半導体装置に関するものである。
るダイパッドを備えた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体装置を示す断面図で
あり、図において、１は半導体素子、２は半導体素子１
を取付けるダイパッド、３は半導体素子１とダイパッド
２を接着する樹脂、ガラス等のダイボンド材、４は金属
細線、５は金属細線４により半導体素子１上の電極と電
気的に接続されたリードであり、このリード５は半導体
装置を外部回路と電気的、機械的に接続する。６は封止
樹脂である。
あり、図において、１は半導体素子、２は半導体素子１
を取付けるダイパッド、３は半導体素子１とダイパッド
２を接着する樹脂、ガラス等のダイボンド材、４は金属
細線、５は金属細線４により半導体素子１上の電極と電
気的に接続されたリードであり、このリード５は半導体
装置を外部回路と電気的、機械的に接続する。６は封止
樹脂である。
【０００３】以上の構成により、半導体素子１は金属細
線４、リード５を通して外部回路との電気信号をやりと
りをする。半導体素子１に入力された電気信号は、半導
体素子１上の回路で処理された後、出力される。
線４、リード５を通して外部回路との電気信号をやりと
りをする。半導体素子１に入力された電気信号は、半導
体素子１上の回路で処理された後、出力される。
【０００４】半導体素子１は、電気信号を処理する際に
電力を消費し発熱する。発生した熱の大部分は、ダイボ
ンド材３を通じてダイパッド２へ伝わり、ダイパッド２
を支えている吊りリードを通じて外部に放熱される。熱
の残りの部分は、金属細線４を通じて、リード５に伝わ
り外部に放熱されるか、封止樹脂６を通じて外部に放熱
される。
電力を消費し発熱する。発生した熱の大部分は、ダイボ
ンド材３を通じてダイパッド２へ伝わり、ダイパッド２
を支えている吊りリードを通じて外部に放熱される。熱
の残りの部分は、金属細線４を通じて、リード５に伝わ
り外部に放熱されるか、封止樹脂６を通じて外部に放熱
される。
【０００５】したがって放熱性を良くするには、ダイボ
ンド材３、ダイパッド２に熱伝導率の良い材料を用いる
必要がある。
ンド材３、ダイパッド２に熱伝導率の良い材料を用いる
必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、放熱性を良くするには
、ダイボンド材としてハンダ，ダイパッドとして銅系材
料を用いるが、熱膨張率の点で銅系材料は半導体素子と
の差が大きく、応力の発生や変形の原因となる。これを
防ぐためには放熱性を犠牲にしてダイボンド材として樹
脂材料、ダイパッドとして４２アロイなどを用いる必要
があり、放熱性と応力、変形の緩和を両立させることが
難しいという問題点があった。
上のように構成されているので、放熱性を良くするには
、ダイボンド材としてハンダ，ダイパッドとして銅系材
料を用いるが、熱膨張率の点で銅系材料は半導体素子と
の差が大きく、応力の発生や変形の原因となる。これを
防ぐためには放熱性を犠牲にしてダイボンド材として樹
脂材料、ダイパッドとして４２アロイなどを用いる必要
があり、放熱性と応力、変形の緩和を両立させることが
難しいという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体素子にかかる応力を緩和
できるとともに、高い放熱性を持つ半導体装置を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、半導体素子にかかる応力を緩和
できるとともに、高い放熱性を持つ半導体装置を得るこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、１つまたは複数の開口部を設けたダイパッドに半
導体素子を樹脂，ガラス等で接着した後に、ダイパッド
の開口部にハンダ等の高熱伝導材を満たしたものである
。
置は、１つまたは複数の開口部を設けたダイパッドに半
導体素子を樹脂，ガラス等で接着した後に、ダイパッド
の開口部にハンダ等の高熱伝導材を満たしたものである
。
【０００９】
【作用】この発明においては、ダイパッドの開口部に満
たされた高熱伝導材を通して半導体素子にて発生した熱
を効率よく放熱する。
たされた高熱伝導材を通して半導体素子にて発生した熱
を効率よく放熱する。
【００１０】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図１
について説明する。図において、ダイパッド２には開口
部７が設けられている。８は半導体素子１と開口部７で
構成される凹部に満たされたハンダなどの高熱伝導材で
ある。その他、図３におけると同一符号は同一部分を示
している。
について説明する。図において、ダイパッド２には開口
部７が設けられている。８は半導体素子１と開口部７で
構成される凹部に満たされたハンダなどの高熱伝導材で
ある。その他、図３におけると同一符号は同一部分を示
している。
【００１１】以上の構成により、半導体素子１が信号処
理などの動作により発熱すると、その熱の大部分はダイ
ボンド材３および高熱伝導材８を通じてダイパッド２に
伝わってダイパッドを支える吊りリードに伝わり放熱さ
れる。残りの熱は金属細線４、リード５を通じて、およ
び封止樹脂６に通じて放熱される。
理などの動作により発熱すると、その熱の大部分はダイ
ボンド材３および高熱伝導材８を通じてダイパッド２に
伝わってダイパッドを支える吊りリードに伝わり放熱さ
れる。残りの熱は金属細線４、リード５を通じて、およ
び封止樹脂６に通じて放熱される。
【００１２】半導体素子１はダイパッド２に部分的に接
着されているので、ダイパッド２の熱膨張率の差による
応力や変形が小さく、ダイパッド材料として熱伝導率を
重視して銅系材料を選ぶことが可能である。また、ダイ
ボンド材３としてハンダを選ぶこともできるし、さらに
応力や変形を緩和するために熱伝導率を犠牲にして樹脂
材を用いた場合でも、高熱伝導材８を通じて放熱される
ので放熱性に対する悪影響は少ない。
着されているので、ダイパッド２の熱膨張率の差による
応力や変形が小さく、ダイパッド材料として熱伝導率を
重視して銅系材料を選ぶことが可能である。また、ダイ
ボンド材３としてハンダを選ぶこともできるし、さらに
応力や変形を緩和するために熱伝導率を犠牲にして樹脂
材を用いた場合でも、高熱伝導材８を通じて放熱される
ので放熱性に対する悪影響は少ない。
【００１３】実施例２．次に第２の実施例として放熱フ
ィン付き半導体装置を図２について説明する。図におい
て符号１〜８は実施例１と同様のものである。９はダイ
パッド開口部７に合せて封止樹脂６に開けられた開口部
であり、半導体素子１、開口部７、封止樹脂開口部９に
より形成された凹部に高熱伝導材８が満たされている。 １０は放熱フィンである。
ィン付き半導体装置を図２について説明する。図におい
て符号１〜８は実施例１と同様のものである。９はダイ
パッド開口部７に合せて封止樹脂６に開けられた開口部
であり、半導体素子１、開口部７、封止樹脂開口部９に
より形成された凹部に高熱伝導材８が満たされている。 １０は放熱フィンである。
【００１４】この実施例１２では実施例と同様の効果を
持つとともに高熱伝導材８を外部に露出させることによ
り放熱性を高めさらに放熱フィン１０を付けることによ
ってさらに放熱性を高めることができる。
持つとともに高熱伝導材８を外部に露出させることによ
り放熱性を高めさらに放熱フィン１０を付けることによ
ってさらに放熱性を高めることができる。
【００１５】また、高熱伝導材としてハンダを用いた場
合、放熱フィン取り付けにそのハンダを利用することが
できる。
合、放熱フィン取り付けにそのハンダを利用することが
できる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、１つ
または複数の開口部を設けたダイパッドに半導体素子を
樹脂、ガラス等で接着した後にダイパッドの開口部にハ
ンダ等の高熱伝導材を流し込んだ構成としたので、半導
体素子にかかる応力が小さいため信頼性が高くでき、ま
た、放熱性の良い半導体装置が得られる効果がある。
または複数の開口部を設けたダイパッドに半導体素子を
樹脂、ガラス等で接着した後にダイパッドの開口部にハ
ンダ等の高熱伝導材を流し込んだ構成としたので、半導
体素子にかかる応力が小さいため信頼性が高くでき、ま
た、放熱性の良い半導体装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例１の断面図である。
【図２】この発明の実施例２の断面図である。
【図３】従来の半導体装置を示す断面図である。
１ 半導体素子
２ ダイパッド
３ ダイボンド材
７ 開口部
８ 高熱伝導材
９ 封止樹脂開口部
１０ 放熱フィン
Claims (2)
- 【請求項１】 １つまたは複数の開口部を設けたダイ
パッドと、このダイパッドにダイボンド材で接着された
半導体素子と、前記ダイパッドの開口部に満たされ前記
ダイボンド材に比べ熱伝導率の高い高熱伝導材とを備え
てなる半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子およびダイパッドを囲む封
止樹脂の外面に露出した高熱伝導材により固定されてい
る放熱フィンを備えたことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390891A JPH04359458A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13390891A JPH04359458A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359458A true JPH04359458A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15115913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13390891A Pending JPH04359458A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04359458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100237620B1 (ko) * | 1996-06-17 | 2000-01-15 | 김영환 | 열방출용 반도체 패키지 |
| JP2014502059A (ja) * | 2011-01-05 | 2014-01-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | サーマルマネージメントを向上させた電子アセンブリ |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13390891A patent/JPH04359458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100237620B1 (ko) * | 1996-06-17 | 2000-01-15 | 김영환 | 열방출용 반도체 패키지 |
| JP2014502059A (ja) * | 2011-01-05 | 2014-01-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | サーマルマネージメントを向上させた電子アセンブリ |
| US8933546B2 (en) | 2011-01-05 | 2015-01-13 | Robert Bosch Gmbh | Electronic assembly with improved thermal management |
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