JP5256177B2 - 半導体パッケージ - Google Patents

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Description

この発明は、樹脂封止型の半導体パッケージに関する。
従来の半導体パッケージとしては、例えば図８に示すように、半導体チップ１０１を半田により板状に形成された金属製のダイパッド１０２の上面に固定し、これら半導体チップ１０１及びダイパッド１０２を封止樹脂１０３により封止したものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−３１２７７５号公報
ところで、上記構成の半導体パッケージに対して熱サイクル試験や熱疲労試験あるいは吸湿リフローを実施する等して、半導体パッケージを加熱冷却すると、ダイパッド１０２と封止樹脂１０３との材質の違いに基づく両者間の熱膨張係数や熱伝導率の差によって、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とが剥離しまう虞がある。具体的に説明すれば、半導体パッケージを加熱冷却した際には、ダイパッド１０２の上面に沿う方向に膨張収縮する量の差がダイパッド１０２と封止樹脂１０３との間で特に大きくなるため、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とを接合する半田には大きなせん断応力が発生する。これにより、半田にクラックが生じる等して、半導体チップ１０１とダイパッド１０２とが剥離する。
なお、従来では、例えばダイパッド１０２の上面に、その周縁に沿って配列された複数の有底穴を形成し、これら有底穴に封止樹脂１０３を係合させることで、上記剥離現象を抑制することも考えられている。しかしながら、この構成では、有底穴がダイパッド１０２上面の周縁に隣接しているため、半導体チップ１０１を固定するダイパッド１０２上面の領域がダイパッド１０２上面の面積よりも小さくなると、半導体パッケージの加熱冷却を繰り返すことによる半田の疲労を十分に抑えることができず、依然として剥離現象を十分に防止できない、という問題がある。
具体的に説明すれば、実際に半導体パッケージを使用する場合には、半導体チップ１０１が主な発熱源となるため、封止樹脂１０３やダイパッド１０２のうち半導体チップ１０１の近傍部分が特に膨張収縮しやすく、また、この近傍部分において封止樹脂１０３とダイパッド１０２との間で膨張収縮する量の差が特に大きくなる。したがって、前述した有底穴を形成しても半導体チップ１０１とダイパッド１０２との剥離現象を十分に防止することができない。
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、ダイパッドと半導体チップとの剥離防止を図ることができる半導体パッケージを提供することを目的とする。
この課題を解決するために、本発明の半導体パッケージは、板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドの上面に半田を介して接合される半導体チップと、これらダイパッド及び半導体チップを封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドに、前記上面から前記ダイパッドの厚さ方向に窪む有底の係合穴が形成され、当該係合穴が、前記ダイパッドの上面の周縁よりも当該ダイパッドに固定された前記半導体チップの近くに配されると共に、当該半導体チップを囲繞するように複数配列され、前記半導体チップが、平面視多角形状に形成され、前記ダイパッドには、平面視した前記半導体チップの角部に隣接して配置された前記係合穴の外側のみに間隔をあけて、前記ダイパッドの上面から窪む補助係合穴が形成されていることを特徴とする。
本発明の半導体パッケージによれば、封止樹脂が半導体チップを囲むように形成された複数の係合穴に入り込むことで、ダイパッドと封止樹脂とがダイパッドの厚さ方向に係合するため、半導体パッケージが加熱冷却されても、ダイパッドと封止樹脂との間で前記上面に沿う方向（以下、面方向と呼ぶ。）の膨張収縮の大きさに差が出ることを抑制できる。特に、半導体チップを囲繞するように配列された複数の係合穴が半導体チップに近づけて配置されているため、ダイパッド及び封止樹脂のうち半導体チップの近傍部分が局所的に加熱冷却されても、半導体チップの近傍においてダイパッドと封止樹脂との間で膨張収縮に差が生じることを特に抑制できる。すなわち、半導体チップ近傍においてダイパッドの面方向へのダイパッドと封止樹脂との相対的な移動を抑えることができる。したがって、ダイパッドと封止樹脂との相対的な移動による半田の疲労を十分に抑えて、半導体チップとダイパッドとの剥離を防止することができる。
また、本発明の半導体パッケージによれば、平面視した半導体チップの角部同士を結ぶ対角線近傍に位置する半田の疲労を特に抑えることができる。
詳細に説明すれば、平面視多角形状の半導体チップにおいては、平面視した半導体チップの対角線が最も長い寸法となるため、半導体チップが主な発熱源である場合、ダイパッドと封止樹脂とが相対的に膨張収縮する差は、対角線の長手方向に関して最も大きくなる。すなわち、膨張収縮の差によって半田にかかる応力は、前記対角線の長手方向に関して最も大きくなる。
そこで、前述したように、角部近傍に係合穴とは別個の補助係合穴を新たに形成することで、半導体チップの角部近傍におけるダイパッドと封止樹脂との係合力が高められることになる。これにより、ダイパッド及び封止樹脂が対角線の長手方向に相対移動することを特に抑え、対角線近傍に位置する半田の疲労を特に抑制することができる。
そして、前記半導体パッケージにおいては、複数の前記係合穴が、平面視した前記半導体チップの周縁形状に沿って配列されていることが好ましい。
この構成では、封止樹脂及びダイパッドのうち半導体チップの近傍部分が局所的に加熱冷却されても、全ての係合穴を半導体チップの周縁により近づけて配置することができる。このため、前記近傍部分において封止樹脂とダイパッドとの間で膨張収縮に差が生じることをさらに抑制し、封止樹脂とダイパッドとの相対的な移動による半田の疲労をさらに抑えることが可能となる。
さらに、前記半導体パッケージにおいては、前記半導体チップが、平面視多角形状に形成され、平面視した前記半導体チップの辺の中間位置から前記半導体チップの角部に近づくにしたがって前記係合穴と前記辺との距離が小さくなることが好ましい。
この場合には、平面視した半導体チップの角部同士を結ぶ対角線近傍に位置する半田の疲労を特に抑えることができる。
詳細に説明すれば、半導体チップの角部近傍に位置する係合穴を半導体チップに特に近づけて配置することで、半導体チップの角部近傍におけるダイパッドと封止樹脂との係合力が高められることになる。これにより、ダイパッド及び封止樹脂が対角線の長手方向に相対移動することを特に抑え、対角線近傍に位置する半田の疲労を特に抑制することができる。
さらに、前記ダイパッドに補助係合穴を形成した場合、前記補助係合穴は、前記角部に沿って複数配列されていてもよいし、あるいは、平面視で前記角部に沿って屈曲する溝状に形成されていてもよい。また、前記補助係合穴の深さ寸法は、前記係合穴の深さ寸法よりも大きく設定されていてもよい。
これらの場合には、半導体チップの角部近傍におけるダイパッドと封止樹脂との係合力をさらに高めて、ダイパッド及び封止樹脂が対角線の長手方向に相対移動することを確実に抑えることができる。したがって、半導体チップの対角線近傍に位置する半田の疲労をさらに抑制することができる。
さらに、前記半導体パッケージでは、前記係合穴内や前記補助係合穴内に、その内周面から径方向内側に突出して当該係合穴の前記底面に対向する突起部が形成されてもよい。
これらの構成では、封止樹脂が係合穴内や補助係合穴内において、それぞれの底面と突起部との間に入り込むことで、ダイパッドと封止樹脂とがダイパッドの厚さ方向に係合することになる。このため、封止樹脂に対するダイパッドの厚さ方向への移動を抑制し、封止樹脂に対してダイパッドがその下面側に剥離することを抑えることができる。
なお、これらの構成は、半導体チップにおいて生じた熱を効率よく外方に放熱できるように、ダイパッドの下面が封止樹脂から外方に露出している半導体パッケージにおいて特に有効である。
本発明によれば、複数の係合穴によってダイパッドと封止樹脂とが半導体チップの近傍において係合することにより、封止樹脂とダイパッドとの相対的な移動による半田の疲労を十分に抑え、半導体チップとダイパッドとの剥離防止を図ることができる。
本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを示す概略平面図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。 図１の半導体パッケージにおいて、半導体チップの角部近傍を示す要部拡大平面図である。 図１の半導体パッケージにおいて、ダイパッドに形成される係合穴あるいは補助係合穴の一例を示す拡大断面図である。 図４に示すダイパッドにおける補助係合穴の変形例を示す要部拡大断面図である。 図１に示すダイパッドにおける係合穴の配列の変形例を示す平面図である。 従来の半導体パッケージの一例を示す概略断面図である。
以下、図１〜５を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１，２に示すように、この実施形態に係る半導体パッケージ１は、半導体チップ２、ダイパッド３、連結リード４、リード５及び接続子６を封止樹脂７により封止して大略構成されている。
半導体チップ２は、例えばダイオードやトランジスタなどの半導体素子であり、平面視矩形の板状に形成されてその上面２ａ及び下面２ｂに電極を有して構成されている。
ダイパッド３、連結リード４及びリード５は、銅材等のように導電性を有して塑性変形可能な板材にプレス加工を施してなるリードフレームによって構成されるものである。
ダイパッド３は平面視略矩形板状に形成され、その上面３ａの中央部には半田１１を介して半導体チップ２の下面２ｂが接合されている。これによって、半導体チップ２とダイパッド３とが電気的に接続されている。
そして、平面視矩形状に形成されたダイパッド３の一方の対辺に沿う方向（Ｘ軸方向）の一端部に、連結リード４が一体に連結されている。なお、図示例では、連結リード４がダイパッド３の一端部に位置するダイパッド３の辺の中間部分に連結されている。また、ダイパッド３のうちＸ軸方向の他端部には、上面３ａよりも高さ位置を低く設定した段差面３ｃが形成されている。
以上のように大略構成されるダイパッド３には、その上面３ａからダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸負方向）に窪む有底の係合穴１３が複数形成されている。
複数の係合穴１３は、ダイパッド３上に固定された半導体チップ２を囲繞するように、平面視したダイパッド３の上面３ａの各辺（周縁形状）に沿って配列されている。なお、図示例では、係合穴１３が一列に並べて配列されているが、例えば複数列に並べて配列されていてもよい。これら係合穴１３は、ダイパッド３上面３ａの周縁よりもダイパッド３に固定された半導体チップの近くに位置している。ここで、各係合穴１３と半導体チップ２の各辺との間隔は、より小さく設定することが好ましいが、少なくとも半導体チップ２をダイパッド３に接合する際に半田１１が係合穴１３に入り込まない程度の間隔に設定する必要がある。
各係合穴１３は、図示例のように平面視円形状に形成されていてもよいが、任意の平面視形状に形成されていてよい。また、各係合穴１３は、断面視矩形等の単純な断面形状に形成されてもよいが、例えば図５に示すように、その内周面から径方向内側に突出して係合穴の底面に対向する突起部１７を有していてもよい。なお、図示例の突起部１７は、係合穴１３の底面１３ａ周縁から斜め上方に突出している。
そして、突起部１７は、例えば図５（ａ）に示すように、係合穴１３の内周面１３ｂの周方向全体にわたって形成されて平面視リング形状を呈してもよいが、例えば図５（ｂ）に示すように、係合穴１３の内周面１３ｂの周方向の一部のみに形成されても構わない。
なお、図５（ａ）に示す突起部１７の平面視形状は、円環状や矩形環状等の任意の平面視形状を呈していてよい。また、係合穴１３の平面視形状に相似する形状でもよいが、異なる形状であってもよい。一方、図５（ｂ）に示す突起部１７の突出方向は、任意であってよく、例えば半導体チップ２に対して近づく方向あるいは離れる方向のいずれであってもよい。
以上のように形成される突起部１７は、例えば、係合穴１３の底面１３ａを画成する有底の下孔を形成した後に、ダイパッド３の上面３ａ側から下孔の周縁部分を押圧して下孔の周壁部分を下孔の径方向内側に押し出すことで形成することが可能である。なお、この場合には、ダイパッド３が塑性変形する。
また、ダイパッド３には、図１，４に示すように、係合穴１３と同様に、その上面３ａからダイパッド３の厚さ方向に窪む有底の補助係合穴１４が複数形成されている。
複数の補助係合穴１４は、平面視した半導体チップ２の角部に隣接して配された係合穴１３に対して外側に間隔をあけた位置に形成され、半導体チップ２の角部に沿って平面視Ｌ字状に配列されている。なお、図示例では、補助係合穴１４が半導体チップ２の角部近傍において一列に並べて配列され、かつ、角部の頂点２ｅから半導体チップの外側に離れる方向に複数（図示例では２つ）並べられているが、例えば角部近傍において複数列に並べて配列されていてもよい。補助係合穴１４は、係合穴１３に接しない範囲において、できる限り半導体チップ２の角部に近づけて配されることが好ましい。また、補助係合穴１４の深さ寸法は、係合穴１３の深さ寸法よりも大きく設定されることが好ましい。
各補助係合穴１４は、図示例のように平面視円形状に形成されていてもよいが、任意の平面視形状に形成されていてよい。また、各補助係合穴１４は、断面視矩形等の単純な断面形状に形成されてもよいが、図５に示す係合穴１３と同様に、突起部１７を有してもよい。
なお、ダイパッド３の上面３ａ側には、上述した係合穴１３及び補助係合穴１４の他に、例えば図１，３に示すように、ダイパッド３の側面３ｄから側方に突出する上面側突起部１９が形成されていてもよい。上面側突起部１９は、例えばダイパッド３の上面３ａの周縁全体に形成されていてもよいが、図示例では、周縁の一部にのみ形成されている。具体的に説明すれば、上面側突起部１９は、ダイパッド３上面３ａのうち、ダイパッド３の上面３ａのうちＸ軸方向に延びるダイパッド３の一方の対辺のみに形成され、連結リード４が連結されたダイパッド３の一端部側の辺や、段差面３ｃに隣り合う他端部側の辺には形成されていない。
これら一対の上面側突起部１９は、半導体パッケージ１の製造に際して、ダイパッド３の上面３ａの周縁をダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）から押圧することで、押圧されたダイパッド３の周縁部分がダイパッド３の側面３ｄから側方に張り出すようにダイパッド３が塑性変形して形成することができる。
図１，２に示すように、連結リード４は、ダイパッド３と比較して細長い形状を呈しており、ダイパッド３の一端部から離れる方向（Ｙ軸負方向）に延長するように形成されている。また、連結リード４には折り曲げ加工が施されており、これによって、ダイパッド３の上面３ａが連結リード４やリード５よりも下方向（Ｚ軸負方向）にずらして配置されている。さらに詳細に説明すれば、連結リード４の厚さ寸法はダイパッド３よりも小さく設定され、連結リード４の表面がダイパッド３の上面３ａに連なるように、上面３ａ側に寄せた位置に連結されている。
リード５は、ダイパッド３の一端部に対して間隔をあけて複数（図示例では２つ）配されており、それぞれ連結リード４に平行してダイパッド３から離間するようにＹ軸負方向に延びている。
各接続子６は、半導体チップ２上及びリード５上の両方に接合されており、これによって、半導体チップ２及びリード５が互いに電気接続されている。なお、接続子６は、図示例のようにボンディングワイヤによって構成されていてもよいが、例えば銅材等の板状部材によって構成されてもよい。そして、接続子６が板状部材からなる場合には、その両端が半田等の導電性接着剤を介して半導体チップ２やリード５に接合されればよい。
封止樹脂７は、半導体チップ２及び接続子６を埋設するように、ダイパッド３の上面３ａ及び側面３ｄ、並びに、連結リード４及びリード５の一部を封止している。なお、ダイパッド３の下面３ｂは封止樹脂７の外側に露出し、また、連結リード４及びリード５の延出方向先端側は封止樹脂７の外側に突出している。
そして、封止樹脂７は係合穴１３及び補助係合穴１４に入り込んでおり、これによりダイパッド３と封止樹脂７とがダイパッド３の面方向（ＸＹ平面に沿う方向）に係合している。また、封止樹脂７は上面側突起部１９を封止しており、これによってダイパッド３と封止樹脂７とがダイパッド３の厚さ方向（Ｚ軸方向）に係合している。さらに、係合穴１３や補助係合穴１４が図５に示す断面形状を呈する場合には、係合穴１３の底面１３ａと突起部１７との間に封止樹脂７が入り込むことで、ダイパッド３と封止樹脂７とがダイパッド３の面方向に係合することになる。
以上のように構成された半導体パッケージ１によれば、半導体チップ２の近くにおいてこれを囲むように配された複数の係合穴１３によってダイパッド３と封止樹脂７とがダイパッド３の面方向に係合しているため、半導体パッケージ１が加熱冷却されても、ダイパッド３と封止樹脂７との間でダイパッド３の面方向の膨張収縮の大きさに差が出ることを抑制できる。
特に、複数の係合穴１３が半導体チップ２の周縁形状に沿って配列されていることで、全ての係合穴１３を特に半導体チップ２の周縁に近づけて配置できるため、ダイパッド３及び封止樹脂７のうち半導体チップ２の近傍部分が局所的に加熱冷却されても、半導体チップ２の近傍においてダイパッド３と封止樹脂７との間で膨張収縮に差が生じることを特に抑制できる。すなわち、半導体チップ２近傍においてダイパッド３の面方向へのダイパッド３と封止樹脂７との相対的な移動を抑えることができる。したがって、ダイパッド３と封止樹脂７との相対的な移動による半田１１の疲労を十分に抑えて、半導体チップ２とダイパッド３との剥離を防止することができる。
また、上記構成の半導体パッケージ１においては、平面視した半導体チップ２の角部近傍には係合穴１３のほかに補助係合穴１４も形成されているため、半導体チップ２の角部同士を結ぶ対角線の近傍に位置する半田１１の疲労を特に抑えることができる。
詳細に説明すれば、平面視矩形状（多角形状）の半導体チップ２においては、平面視した半導体チップ２の対角線が最も長い寸法となるため、ダイパッド３と封止樹脂７とが相対的に膨張収縮する差は、半導体チップ２の対角線の長手方向に関して最も大きくなる。すなわち、この膨張収縮の差によって半田１１にかかる応力は、対角線の長手方向に関して最も大きくなる。
そこで、半導体チップ２の角部近傍に係合穴１３とは別個の補助係合穴１４を新たに形成することで、半導体チップ２の角部近傍におけるダイパッド３と封止樹脂７との係合力が高められることになる。これにより、ダイパッド３及び封止樹脂７が対角線の長手方向に相対移動することを特に抑えることができ、その結果として、対角線近傍に位置する半田１１の疲労を特に抑制することができる。
また、補助係合穴１４が半導体チップ２の角部に沿って複数配列されていたり、補助係合穴１４の深さ寸法が係合穴１３の深さ寸法よりも大きく設定されていることで、半導体チップ２の角部近傍におけるダイパッド３と封止樹脂７との係合力をさらに高めて、ダイパッド３及び封止樹脂７が対角線の長手方向に相対移動することを確実に抑えることができる。したがって、半導体チップ２の対角線近傍に位置する半田１１の疲労をさらに抑制することができる。
また、係合穴１３内や補助係合穴１４内に突起部１７が形成されることで、また、ダイパッド３の側面３ｄから突出する上面側突起部１９が形成されることで、ダイパッド３と封止樹脂７とがダイパッド３の厚さ方向に係合するため、封止樹脂７に対するダイパッド３の厚さ方向への移動を抑制し、封止樹脂７に対してダイパッド３がその下面３ｂ側に剥離することを抑えることができる。
なお、上記実施形態においては、補助係合穴１４が半導体チップ２の角部に沿って複数配列されるとしたが、例えば図６に示すように、平面視した半導体チップ２の角部に沿って屈曲する溝状に形成されてもよい。なお、図示例においては、溝状の補助係合穴１４の幅寸法が、補助係合穴１４の長手方向にわたって一定となるように設定されているが、例えば、角部の頂点２ｅに対応する補助係合穴１４の屈曲部分における幅寸法が、他の部分と比較して大きく設定されていてもよい。また、溝状の補助係合穴１４は、例えば図５に示す突起部１７を有していてもよい。
上述した溝状の補助係合穴１４であっても、角部に沿って配列された複数の補助係合穴１４の場合と同様に、半導体チップ２の角部近傍におけるダイパッド３と封止樹脂７との係合力を高め、半導体チップ２の対角線近傍に位置する半田１１の疲労を特に抑制することができる。
また、上記実施形態において、半導体チップ２は、平面視矩形状を呈しているが、他の多角形状や円形状等の任意の平面視形状を呈していてもよい。この場合でも、複数の係合穴１３を周縁形状に沿って配列することは可能である。
さらに、複数の係合穴１３は、半導体チップ２の周縁形状に沿って配列されるとしたが、少なくともダイパッド３の上面３ａの周縁よりもダイパッド３に固定された半導体チップ２の近くに配されると共に、半導体チップ２を囲繞するように配列されていればよい。したがって、複数の係合穴１３は、例えばダイパッド３上面３ａの周縁に沿って蛇行するように配列されてもよい。
このような場合でも、半導体チップ２を囲繞するように配列された複数の係合穴１３が半導体チップ２に近づけて配置されるため、上記実施形態の場合と同様に、ダイパッド３と封止樹脂７との相対的な移動による半田１１の疲労を十分に抑えて、半導体チップ２とダイパッド３との剥離を防止することができる。
また、複数の係合穴１３は、例えば図７に示すように、半導体チップ２の各辺の中間位置から半導体チップ２の角部に近づくにしたがって係合穴１３と半導体チップ２の辺との距離が小さくなるように配列されていてもよい。なお、図示例では、係合穴１３が、平面視で矩形状に形成された半導体チップ２に外接する円形状に配列されているが、例えば半導体チップ２に外接する矩形状等の平面視多角形状に配列されてもよい。また、上述した係合穴１３の配列は、平面視矩形状の半導体チップ２に限らず、平面視多角形状の半導体チップ２に適用することが可能である。
そして、図７に例示する係合穴１３の配列では、補助係合穴１４を形成した場合と同様に、半導体チップ２の角部近傍におけるダイパッド３と封止樹脂７との係合力が特に高められ、ダイパッド３及び封止樹脂７が対角線の長手方向に相対移動することを特に抑えることができる。その結果、対角線近傍に位置する半田１１の疲労を特に抑制することが可能となる。
なお、図７に示す構成では、補助係合穴１４が形成されていないが、図７に例示する構成のように、平面視した半導体チップ２の周縁形状と係合穴１３の配列が互いに相似していない場合でも、半導体チップ２の角部近傍に補助係合穴１４を形成することは可能である。この場合、補助係合穴１４は、半導体チップ２の角部に沿って複数配列されたり（図４参照）、角部に沿って屈曲する溝状に形成されたり（図６参照）してもよいが、例えば半導体チップ２の角部における係合穴１３の配列に沿うように、複数配列されたり、屈曲する溝状に形成されたりしてもよい。
また、ダイパッド３は、その下面３ｂが上記実施形態のように外方に露出せず、例えば封止樹脂７内に埋設されていてもよい。この場合、ダイパッド３と封止樹脂７とをダイパッド３の厚さ方向に係合させる突起部１７や上面側突起部１９は形成されなくても構わない。
そして、本発明の半導体パッケージは、上記実施形態のように上面２ａ及び下面２ｂに電極を有する半導体チップ２に限らず、例えば上面に複数の電極パッドを備えるＩＣやＬＳＩ等の半導体チップにも適用可能である。また、本発明の半導体パッケージは、複数の半導体チップをダイパッド３の上面３ａに固定した構成にも適用することができる。この場合、複数の係合穴１３は、複数の半導体チップを個別に囲繞するように配列されていればよい。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
１ 半導体パッケージ
２ 半導体チップ
２ｅ 角部の頂点
３ ダイパッド
３ａ 上面
３ｂ 下面
３ｃ 段差面
３ｄ 側面
４ 連結リード
５ リード
６ 接続子
７ 封止樹脂
１１ 半田
１３ 係合穴
１３ａ 底面
１３ｂ 内周面
１４ 補助係合穴
１７ 突起部

Claims (8)

  1. 板状に形成されたダイパッドと、該ダイパッドの上面に半田を介して接合される半導体チップと、これらダイパッド及び半導体チップを封止する封止樹脂とを備え、
    前記ダイパッドに、前記上面から前記ダイパッドの厚さ方向に窪む有底の係合穴が形成され、
    当該係合穴が、前記ダイパッドの上面の周縁よりも当該ダイパッドに固定された前記半導体チップの近くに配されると共に、当該半導体チップを囲繞するように複数配列され、
    前記半導体チップが、平面視多角形状に形成され、
    前記ダイパッドには、平面視した前記半導体チップの角部に隣接して配置された前記係合穴の外側のみに間隔をあけて、前記ダイパッドの上面から窪む補助係合穴が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 複数の前記係合穴が、平面視した前記半導体チップの周縁形状に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
  3. 前記半導体チップが、平面視多角形状に形成され、
    平面視した前記半導体チップの辺の中間位置から前記半導体チップの角部に近づくにしたがって前記係合穴と前記辺との距離が小さくなることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
  4. 前記係合穴内に、その内周面から径方向内側に突出して当該係合穴の前記底面に対向する突起部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
  5. 前記補助係合穴が、平面視で前記角部に沿って複数配列されていること特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに１項に記載の半導体パッケージ。
  6. 前記補助係合穴が、平面視で前記角部に沿って屈曲する溝状に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに１項に記載の半導体パッケージ。
  7. 前記補助係合穴の深さ寸法が、前記係合穴の深さ寸法よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
  8. 前記補助係合穴内に、その内周面から径方向内側に突出して当該補助係合穴の前記底面に対向する突起部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
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