JP5577221B2 - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Description

この発明は、リードフレーム及び半導体装置に関する。

従来の半導体装置には、例えば図８に示すように、半導体チップ１０２をはんだ１０４によりダイパッド１０３に接合して構成されるものがある（特許文献１参照）。この半導体装置の製造に際して半導体チップ１０２をダイパッド１０３に接合する場合には、はじめに、スクリーン印刷等によりはんだ１０４（はんだペースト）をダイパッド１０３の上面１０３ａに塗布した上で、半導体チップ１０２をダイパッド１０３上に配置する。その後、リフローによりはんだ１０４を溶融することで、半導体チップ１０２がダイパッド１０３に接合される。
この種の半導体装置では、その信頼性を確保できるように、ダイパッド１０３と半導体チップ１０２との間に介在するはんだ１０４の厚みを十分に確保することが必要とされている。

特開２００６−３０３２１６号公報

ところで、はんだ１０４の厚みを確保するためには、ダイパッド１０３の上面１０３ａに十分な量のはんだ１０４を塗布しなければならないが、図９に示すように、リフロー時には溶融したはんだ１０４がダイパッド１０３の上面１０３ａに濡れ広がって所望のはんだ１０４厚さを確保できない場合があり、半導体装置の信頼性を確保できない、という問題がある。
また、リフロー時にはんだ１０４が濡れ広がってもはんだ１０４の厚さを確保できるように、ダイパッド１０３の上面１０３ａに塗布するはんだ１０４の量をさらに増やすと、濡れ広がったはんだ１０４がダイパッド１０３の側面１０３ｂに到達する場合がある（図９参照）。この場合には、半導体チップ１０２及びダイパッド１０３を封止するモールド樹脂とダイパッド１０３との密着性が低下する等、半導体装置の信頼性低下を招く虞がある。
なお、特許文献１では、半導体チップ１０２の配置領域の周囲に、ダイパッド１０３の上面１０３ａから突出する平面視矩形枠状のダム部を設けることが考えられている。しかしながら、このような構成であっても、ダイパッド１０３の上面１０３ａ上にはんだ１０４及び半導体チップ１０２が順次積層されてしまうため、半導体装置の小型化・薄型化が阻害されてしまう、という問題が残る。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、信頼性の向上を図ると共に小型化・薄型化も図ることが可能な半導体装置、及び、この製造に用いるリードフレームを提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、はんだにより半導体チップを接合する板状のダイパッドを備え、当該ダイパッドの平坦な上面のうち前記半導体チップの配置領域に、前記上面から窪んで前記はんだを収容する凹部が形成され、前記ダイパッドの上面側から見た前記凹部の平面視形状が、前記半導体チップの配置領域全体を含むように、前記配置領域よりも大きく形成され、前記半導体チップ及び前記凹部が、互いに相似する平面視多角形状に形成され、平面視した前記凹部の内接円が前記半導体チップの外接円よりも小さく設定され、、平面視した前記凹部の角部に、当該凹部の内側面から前記ダイパッドの上面に沿う方向に窪むと共に、前記ダイパッドの上面から外方に露出する逃がし溝が形成されていることを特徴とする。

上記構成のリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合には、ペースト状のはんだを凹部内に収容するように塗布し、次いで、半導体チップをはんだ上に配置すればよい。その後、リフローによりはんだを溶融するが、はんだは凹部内に収容されているため、従来のように濡れ広がることが無い。したがって、半導体チップをダイパッドに接合した状態においては、ダイパッドと半導体チップとの間に介在するはんだの厚みを十分に確保することができる。すなわち、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
また、はんだがダイパッドの凹部内に収容されていることで、ダイパッド上に半導体チップを重ねた構成の厚さ寸法を小さく抑えることができ、半導体装置の小型化・薄型化を図ることもできる。
さらに、上記構成では、凹部に収容されたはんだの一部が外方に露出するため、前述したリフロー時に、はんだ内部や、はんだと半導体チップとの間に介在する空気（ボイド）を、容易に外方に逃がすことができる。
また、上記構成では、リフローの際に、溶融したはんだ上に浮上する半導体チップが回転してしまうことを抑制できる。すなわち、はんだの溶融に伴って半導体チップの向きがずれてしまうことを抑制できる。
さらに、上記構成では、リフローの際に溶融したはんだ上に浮上する半導体チップが凹部の角部に向けて移動しても、平面視した半導体チップの角部は逃がし溝内に入り込むことができるため、凹部の角部に当接すること自体を防止できる。したがって、半導体チップの角部にクラックが発生することを確実に防止できる。

そして、前記リードフレームにおいては、前記凹部が、前記ダイパッドの上面よりも低く位置して当該上面に平行する平坦な底面と、当該底面の周縁から前記ダイパッドの上面に向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面とによって構成されていることが好ましい。

リフローにより半導体チップをダイパッドに接合する際には、凹部内のはんだが膨張収縮するが、はんだが収縮する際には凹部内のはんだに応力が生じることがある。また、凹部を有するリードフレームによって製造された半導体装置に対し、熱サイクル試験や熱疲労試験を実施する等して、半導体装置を加熱冷却した際には、リードフレームとはんだとの材質の違いに基づく両者間の熱膨張係数の差によって、凹部に収容されたはんだに応力が生じることがある。

このことに対し、上記構成のように凹部に傾斜面を形成しておくことにより、リフロー時あるいは半導体装置の加熱冷却時に凹部内のはんだにかかる応力を緩和して、凹部内のはんだにクラックが生じることを防止できる。また、凹部内のはんだに生じる応力が半導体チップに伝わって半導体チップにクラックが生じることも防止できる。
さらに、後述するように凹部の平面視形状が半導体チップの配置領域よりも大きく形成されている場合には、リフロー時に半導体チップが溶融したはんだ上に浮上するため、平面視した凹部の周縁に接触することがある。ここで、凹部に傾斜面が形成されていれば、リフロー時に半導体チップが凹部周縁に接触した際に半導体チップにかかる応力を緩和することもできる。
以上のことから、半導体装置の信頼性をさらに向上させることができる。

さらに、前記リードフレームにおいては、前記傾斜面が前記凹部の内側に膨出するように湾曲して、前記傾斜面と前記ダイパッドの上面とが滑らかに連なっていることがさらに好ましい。
この構成では、凹部内のはんだのうち凹部の傾斜面とダイパッドの上面との角部近傍に位置する部分に生じる応力を特に緩和でき、その結果として、角部近傍に位置するはんだにクラックが生じることを特に防止することができる。

また、前記リードフレームにおいては、前記凹部の底面の周縁領域に、前記底面から窪む環状溝が形成されていてもよい。

なお、前記リードフレームにおいては、前記凹部がコイニング加工によって形成されているとよい。

そして、本発明の半導体装置は、前記リードフレームを用いて製造されるものであって、半導体チップが、前記ダイパッドの凹部に収容されたはんだを介して、前記ダイパッドの上面側に接合されていることを特徴とする。

本発明によれば、半導体装置の信頼性向上を図ることができると共に、半導体装置の小型化・薄型化も図ることも可能となる。

本発明の第一実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。 図１に示す半導体装置をダイパッドの上面側から見た状態を示す概略平面図である。 本発明の第二実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。 本発明の第三実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。 本発明の第四実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。 本発明の第五実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。 従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。 従来の半導体装置において生じる問題点の一つを示す概略断面図である。

〔第一実施形態〕
以下、図１，２を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図１，２に示すように、この実施形態に係る半導体装置は、半導体チップ２を搭載する板状のダイパッド３を備えるリードフレームによって製造されるものであり、はんだ４によりダイパッド３の上面３ａ側に半導体チップ２を接合して構成されている。
なお、リードフレームは、導電性を有する板材にプレス加工やエッチング加工等を施すことで、ダイパッド３の他に、ボンディングワイヤ等の接続子によって半導体チップ２に電気接続される周知のリード等を備え得るものであるが、本実施形態では、ダイパッド３を除くリードフレームの他の構成の記載を省略する。また、半導体装置は、半導体チップ２、ダイパッド３及びはんだ４の他に、例えば、前述した周知のリード及び接続子や、これら半導体チップ２、ダイパッド３、リード、接続子を封止する周知のモールド樹脂等を備えていてもよいが、本実施形態では、半導体チップ２、ダイパッド３及びはんだ４を除く半導体装置の他の構成の記載を省略する。

本実施形態の半導体チップ２は、平面視矩形の板状に形成されている。なお、この半導体チップ２は、大電流トランジスタ等のように上面及び下面の両方に電極パッドを形成したものであってもよいし、上面のみに複数の電極パッドを設けた構成であってもよい。
そして、本実施形態のリードフレームをなすダイパッド３には、その平坦な上面３ａから窪む凹部１１が形成されている。この凹部１１は、ダイパッド３の上面３ａのうち半導体チップ２を配置する領域（配置領域）に形成されており、この凹部１１内に半導体チップ２接合用のはんだ４が収容されるようになっている。

ダイパッド３の上面３ａ側から見た凹部１１の平面視形状は、半導体チップ２の平面視形状に相似する矩形状に形成されている。そして、平面視した凹部１１の大きさは、半導体チップ２の配置領域全体を含むように、配置領域よりも大きく形成されている。また、平面視した凹部１１の大きさは、平面視した凹部１１の内接円Ｃ１が半導体チップ２の（配置領域の）外接円Ｃ２よりも小さくなるように設定されている。
さらに、本実施形態の凹部１１は、ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１１ａと、底面１１ａの周縁からダイパッド３の上面３ａに向けて垂直に立ち上がる内側面１１ｂとによって画成されている。すなわち、本実施形態の凹部１１は、ダイパッド３の上面３ａに開口する凹部１１の開口部面積と底面１１ａの面積とが等しい断面視矩形状に形成されている。

本実施形態の凹部１１は、コイニング加工やエッチング加工によって形成することが可能である。なお、コイニング加工によって凹部１１を形成する場合には、ダイパッド３のうち凹部１１の形成部分を圧縮し、凹部１１の形成部分の厚みをダイパッド３の他の部分の厚みよりも薄く形成すればよい。この凹部１１の形成は、導電性の板材にダイパッド３やリード等を形成する前後、あるいは、同時に行うことが可能である。

このように構成されたリードフレームを用いて半導体装置を製造する場合には、ペースト状のはんだ４を凹部１１内に収容するように塗布し、次いで、半導体チップ２をはんだ４上に配置すればよい。その後、リフローによりはんだ４を溶融するが、はんだ４は凹部１１内に収容されているため、従来のように濡れ広がることが無い。
したがって、本実施形態のリードフレームによれば、半導体チップ２をダイパッド３に接合した状態において、ダイパッド３と半導体チップ２との間に介在するはんだ４の厚みを十分に確保することができる。すなわち、半導体装置の信頼性向上を図ることができる。
また、はんだ４がダイパッド３の凹部１１内に収容されていることで、ダイパッド３上に半導体チップ２を重ねた構成の厚さ寸法を小さく抑えることができ、半導体装置の小型化・薄型化を図ることもできる。

さらに、凹部１１の平面視形状が半導体チップ２の配置領域よりも大きく形成されていることで、半導体チップ２をはんだ４上に配置してもはんだ４の一部が外方に露出するため、リフロー時には、はんだ４内部や、はんだ４と半導体チップ２との間に介在する空気（ボイド）を、容易に外方に逃がすことができる。
また、凹部１１の平面視形状が半導体チップ２の配置領域よりも大きく形成されていることで、リフロー時には、半導体チップ２が溶融したはんだ４上に浮上することになる。これに対し、本実施形態のリードフレームでは、凹部１１の平面視形状が、半導体チップ２の平面視形状に相似する多角形状に形成されると共に、平面視した凹部１１の内接円Ｃ１が半導体チップ２の外接円Ｃ２よりも小さく設定されているため、半導体チップ２が溶融したはんだ４上に浮上しても、はんだ４上において回転してしまうことを抑制できる。すなわち、はんだ４の溶融に伴って半導体チップ２の向きがずれてしまうことを抑制できる。なお、半導体チップ２の回転を抑制できることは、半導体チップ２をダイパッド３に接合した後に、半導体チップ２の上面に形成された複数の電極パッドに対して、ボンディングワイヤ等の接続子を個別に接合する構成に対して特に有効である。

〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について図３を参照して説明する。なお、ここでは、第一実施形態との相違点のみについて説明し、第一実施形態のリードフレーム及び半導体装置と同一の構成要素や製造方法については同一符号を付す等して、その説明を省略する。
図３に示すように、この実施形態に係るリードフレームをなすダイパッド３の凹部１２は、第一実施形態と同様に、ダイパッド３の上面３ａから窪んで形成されている。この凹部１２は、ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、底面１２ａの周縁からダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって半導体チップ２の配置領域から離れるように延びる平らな傾斜面（内側面）１２ｂとによって構成されている。すなわち、本実施形態の凹部１２は、ダイパッド３の上面３ａに開口する凹部１２の開口部面積が底面１２ａの面積よりも大きい断面視台形状に形成されている。

そして、この凹部１２の平面視形状は、第一実施形態と同様に、半導体チップ２の平面視形状に相似する矩形状に形成されている。すなわち、凹部１２の開口部及び底面１２ａは、共に平面視矩形状に形成されている。
また、平面視した凹部１２の大きさも、第一実施形態と同様に、半導体チップ２の配置領域全体を含むように、配置領域よりも大きく形成されている。具体的に説明すれば、平面視した凹部１２の開口部及び底面１２ａの大きさは、共に半導体チップ２の配置領域よりも大きく設定されている。
さらに、平面視した凹部１２の開口部の大きさは、第一実施形態と同様に、平面視した凹部１２の開口部の内接円Ｃ１が半導体チップ２の外接円Ｃ２よりも小さくなるように設定されている。なお、平面視した凹部１２の底面１２ａの大きさは、開口部の場合と同様に、平面視した凹部１２の底面１２ａの内接円Ｃ１が半導体チップ２の外接円Ｃ２よりも小さくなるように設定されていてもよいが、これに限ることは無い。

この実施形態に係るリードフレームでは、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、このリードフレームによれば、凹部１２に収容されたはんだ４にかかる応力を緩和することができる。詳細に説明すれば、リフローにより半導体チップ２をダイパッド３に接合する際には、凹部１２内のはんだ４が膨張収縮するが、はんだ４が収縮する際には凹部１２内のはんだ４に応力が生じることがある。また、凹部１２を有するリードフレームによって製造された半導体装置に対し、熱サイクル試験や熱疲労試験を実施する等して、半導体装置を加熱冷却した際には、リードフレームとはんだ４との材質の違いに基づく両者間の熱膨張係数の差によって、凹部１２内のはんだ４に応力が生じることがある。

このことに対し、上記構成のように凹部１２に傾斜面１２ｂを形成しておくことにより、リフロー時あるいは半導体装置の加熱冷却時に凹部１２内のはんだ４にかかる応力を緩和して、凹部１２内のはんだ４にクラックが生じることを防止できる。また、凹部１２内のはんだ４に生じる応力が半導体チップ２に伝わって半導体チップ２にクラックが生じることも防止できる。
さらに、本実施形態のリードフレームによれば、リフロー時に溶融したはんだ４上に浮上する半導体チップ２が移動して、平面視した凹部１２の周縁に接触したとしても、凹部１２の周縁が傾斜面１２ｂとなっていることで、半導体チップ２が凹部１２周縁に接触した際に半導体チップ２にかかる応力を緩和することもできる。
以上のことから、本実施形態の構成では、半導体装置の信頼性をさらに向上させることができる。

〔第三実施形態〕
次に、本発明の第三実施形態について図４を参照して説明する。なお、ここでは、第二実施形態との相違点のみについて説明し、第二実施形態のリードフレーム及び半導体装置と同一の構成要素や製造方法については同一符号を付す等して、その説明を省略する。
図４に示すように、この実施形態に係るリードフレームをなすダイパッド３の凹部１３は、第二実施形態と同様に、ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１３ａと、底面１３ａの周縁からダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって半導体チップ２の配置領域から離れるように延びる傾斜面（内側面）１３ｂとによって構成されている。なお、この凹部１３の開口部及び底面１３ａの平面視形状及び大きさは、いずれも第二実施形態の凹部１２と同様となっている。
そして、本実施形態では、傾斜面１３ｂが凹部１３の内側に膨出するように湾曲して、傾斜面１３ｂとダイパッド３の上面３ａとが滑らかに連なっている。すなわち、傾斜面１３ｂとダイパッド３の上面３ａとの角部が丸みを帯びている。なお、図示例において、傾斜面１３ｂと底面１３ａとの角部は丸みを帯びていないが、例えば丸みを帯びていてもよい。

本実施形態のリードフレームによれば、第二実施形態と同様の効果を奏することに加え、凹部１３に収容されたはんだ４のうち、凹部１３の傾斜面１３ｂとダイパッド３の上面３ａとの角部近傍に位置する部分に生じる応力を特に緩和できる。したがって、この角部近傍に位置するはんだ４にクラックが生じることを特に防止することができる。

〔第四実施形態〕
次に、本発明の第四実施形態について図５を参照して説明する。なお、ここでは、第一〜第三実施形態との相違点のみについて説明し、第一〜第三実施形態のリードフレーム及び半導体装置と同一の構成要素や製造方法については同一符号を付す等して、その説明を省略する。
図５に示すように、この実施形態に係るリードフレームをなすダイパッド３の凹部１４は、第一〜第三実施形態と同様に、ダイパッド３の上面３ａから窪んで形成されている。なお、この凹部１４の断面視形状は、第一実施形態の凹部１１のように矩形状に形成されてもよいし、第二、第三実施形態の凹部１２，１３のように台形状に形成されてもよい。
そして、本実施形態の凹部１４では、その平面視形状が、第一〜第三実施形態と同様に半導体チップ２の平面視形状に相似する矩形状に形成されているものの、平面視した凹部１４の角部１４ｃが丸みを帯びている。なお、平面視した凹部１４の大きさは、第一〜第三実施形態の凹部１１〜１３と同様である。

したがって、本実施形態のリードフレームによれば、第一〜第三実施形態と同様の効果を奏し得る。
また、このリードフレームによれば、リフローの際に溶融したはんだ４上に浮上する半導体チップ２が移動して、平面視した半導体チップ２の角部が凹部１４の角部１４ｃに当接した際に、半導体チップ２の角部にかかる応力を特に緩和することができる。したがって、半導体チップ２の角部にクラックが発生することを防止できる。

〔第五実施形態〕
次に、本発明の第五実施形態について図６を参照して説明する。なお、ここでは、第一〜第三実施形態との相違点のみについて説明し、第一〜第三実施形態のリードフレーム及び半導体装置と同一の構成要素や製造方法については同一符号を付す等して、その説明を省略する。
図６に示すように、この実施形態に係るリードフレームをなすダイパッド３の凹部１５は、第一〜第三実施形態と同様に、ダイパッド３の上面３ａから窪んで形成されている。なお、この凹部１５の断面視形状は、第一実施形態の凹部１１のように矩形状に形成されてもよいし、第二、第三実施形態の凹部１２，１３のように台形状に形成されてもよい。
そして、本実施形態の凹部１５では、その平面視形状が、第一〜第三実施形態と同様に半導体チップ２の平面視形状に相似する矩形状に形成されているものの、平面視した凹部１５の角部には、凹部１５の内側面１５ｂからダイパッド３の上面３ａに沿う方向に窪む逃がし溝２１が形成されている。この逃がし溝２１は、ダイパッド３の上面３ａから外方に露出している。なお、図示例では、逃がし溝２１が平面視円形状に形成されているが、例えば多角形状等の任意の平面視形状に形成されていてよい。
以上のように形成された凹部１５の平面視での大きさは、第一〜第三実施形態の凹部１１〜１３と同様である。

したがって、本実施形態のリードフレームによれば、第一〜第三実施形態と同様の効果を奏し得る。
さらに、このリードフレームによれば、リフローの際に溶融したはんだ４上に浮上する半導体チップ２が凹部１５の角部に向けて移動しても、平面視した半導体チップ２の角部は逃がし溝２１内に入り込むことができるため、凹部１５の角部に当接すること自体を防止できる。したがって、半導体チップ２の角部にクラックが発生することを確実に防止できる。

以上、本発明のリードフレーム及び半導体装置に係る五つの実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第二、第三実施形態では、凹部１２，１３の底面１２ａ，１３ａの大きさが、半導体チップ２の配置領域よりも大きく設定されるとしたが、例えば配置領域よりも小さく設定されてもよい。すなわち、平面視した半導体チップ２の周縁は、例えば傾斜面１２ｂ，１３ｂ上に位置していても構わない。

また、上述した全ての実施形態の凹部１１〜１５では、その底面１１ａ〜１３ａ全体が平坦面とされているが、これに限ることはない。例えば図７に示すように、ダイパッド３の上面３ａから窪む凹部１６の底面１６ａの周縁領域に、当該底面１６ａから窪む環状溝２２が形成されていてもよい。この環状溝２２の形状や大きさは、図示例のように平面視で環状溝２２が半導体チップ２の周縁に重なるように設定されることが好ましいが、これに限ることはない。
なお、図示例の環状溝２２は、断面Ｖ字状とされているが、矩形状や円弧状等の任意の断面形状とされてよい。また、図示例の凹部１６は、第二実施形態と同様に傾斜面（内側面）１６ｂを有する断面視形状となっているが、例えば第一、第三実施形態と同様の断面視形状となっていてもよい。

さらに、平面視した凹部１１〜１６の大きさは、上記実施形態のものに限らない。すなわち、平面視した凹部１１〜１６の大きさは、例えば、平面視した凹部１１〜１６の内接円Ｃ１が半導体チップ２の外接円Ｃ２に対して同等あるいは大きくなるように設定されても構わない。
また、平面視した凹部１１〜１６の大きさは、半導体チップ２の配置領域よりも大きく設定されることに限らず、少なくとも半導体チップ２が凹部１１〜１６に収容されたはんだ４と接合できるように設定されればよい。したがって、平面視した凹部１１〜１６の大きさは、例えば半導体チップ２の配置領域に対して同等あるいは小さく設定されてもよい。

さらに、凹部１１〜１６は、その全体が半導体チップ２の配置領域に重なることに限らず、例えば半導体チップ２の一部がダイパッド３の上面３ａに配されるように、凹部１１〜１６の一部のみが半導体チップ２の配置領域と重なってもよい。この場合には、平面視した凹部１１〜１６の大きさが半導体チップ２の配置領域よりも小さくても、上記実施形態の場合と同様に、半導体チップ２を凹部１１〜１６上に配した状態で凹部１１〜１６に収容されたはんだ４の一部が外方に露出するため、リフロー時にはんだ４内部等に存在するボイドを容易に外方に逃がすことが可能となる。

また、上述した全ての実施形態では、平面視矩形状の半導体チップ２についてのみ説明したが、本発明は、任意の平面視形状を有する半導体チップに適用することが可能である。すなわち、半導体チップの平面視形状は、例えば円形状や任意の多角形状であってよい。
この場合、ダイパッド３に形成される凹部の平面視形状は、半導体チップの平面視形状とは無関係の任意の形状に設定されてもよいが、半導体チップの平面視形状に相似していることがより好ましい。

また、半導体チップが上記実施形態のように平面視多角形状である場合、ダイパッド３に形成される凹部の平面視形状は、上記実施形態と同様に、半導体チップの平面視形状よりも大きい相似形とされることに加え、平面視した凹部の内接円が半導体チップの外接円よりも小さくなるように設定されているとより好ましい。

２ 半導体チップ
３ ダイパッド
３ａ 上面
４ はんだ
１１，１２，１３，１４，１５，１６ 凹部
１１ａ，１２ａ，１３ａ，１６ａ 底面
１１ｂ，１５ｂ 内側面
１２ｂ，１３ｂ，１６ｂ 傾斜面（内側面）
１４ｃ 角部
２１ 逃がし溝
２２ 環状溝
Ｃ１ 内接円
Ｃ２ 外接円

Claims (6)

1. はんだにより半導体チップを接合する板状のダイパッドを備えるリードフレームであって、
   当該ダイパッドの平坦な上面のうち前記半導体チップの配置領域に、前記上面から窪んで前記はんだを収容する凹部が形成され、
   前記ダイパッドの上面側から見た前記凹部の平面視形状が、前記半導体チップの配置領域全体を含むように、前記配置領域よりも大きく形成され、
   前記半導体チップ及び前記凹部が、互いに相似する平面視多角形状に形成され、
   平面視した前記凹部の内接円が前記半導体チップの外接円よりも小さく設定され、
   平面視した前記凹部の角部に、当該凹部の内側面から前記ダイパッドの上面に沿う方向に窪むと共に、前記ダイパッドの上面から外方に露出する逃がし溝が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記凹部が、前記ダイパッドの上面よりも低く位置して当該上面に平行する平坦な底面と、当該底面の周縁から前記ダイパッドの上面に向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面とによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記傾斜面が前記凹部の内側に膨出するように湾曲して、前記傾斜面と前記ダイパッドの上面とが滑らかに連なっていることを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。
4. 前記凹部の底面の周縁領域に、前記底面から窪む環状溝が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
5. 前記凹部が、コイニング加工によって形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のリードフレームを用いて製造される半導体装置であって、
   半導体チップが、前記ダイパッドの凹部に収容されたはんだを介して、前記ダイパッドの上面側に接合されていることを特徴とする半導体装置。

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