JPS5931862B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5931862B2 JPS5931862B2 JP51136047A JP13604776A JPS5931862B2 JP S5931862 B2 JPS5931862 B2 JP S5931862B2 JP 51136047 A JP51136047 A JP 51136047A JP 13604776 A JP13604776 A JP 13604776A JP S5931862 B2 JPS5931862 B2 JP S5931862B2
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- heat dissipation
- resin
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱放散の改良された樹脂封止型半導体装置の構
造に関する。
造に関する。
従来、樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と、この半
導体素子を固着する為の基板と外部リードとを１枚の金
属板からエッチングやブレスによつて成形したリードフ
レームと、半導体素子およびリードの内方端を封止する
樹脂封止材料とで構成されていた。
導体素子を固着する為の基板と外部リードとを１枚の金
属板からエッチングやブレスによつて成形したリードフ
レームと、半導体素子およびリードの内方端を封止する
樹脂封止材料とで構成されていた。
しかしながら熱伝導の悪い樹脂材料によつて半導体素子
がモールドされてしまう為、半導体素子からの熱放散が
速やかに行われず大電力はもちろんの事小電力あるいは
ＬＳＩ（大規模集積回路）等においても発生熱に起因す
る熱破壊が生じやすいという問題があつた。
がモールドされてしまう為、半導体素子からの熱放散が
速やかに行われず大電力はもちろんの事小電力あるいは
ＬＳＩ（大規模集積回路）等においても発生熱に起因す
る熱破壊が生じやすいという問題があつた。
従来上記の熱放散を改良する方法として半導体素子接着
部材が樹脂でモールドされる外部に延長して放熱板の効
果を持たせたもの、又は半導体素子接着部材の素子接着
部の裏面に金属ブロックを取付けて熱放散を改良しよう
とするもの等が提案されている。
部材が樹脂でモールドされる外部に延長して放熱板の効
果を持たせたもの、又は半導体素子接着部材の素子接着
部の裏面に金属ブロックを取付けて熱放散を改良しよう
とするもの等が提案されている。
しかしこれらの方法も前者においては放熱板を取付けた
効果が小さく、後者は製造工程において金属ブロックを
半導体素子接着部材裏面に取付ける工程と樹脂モールド
する工程が非常に難しくなる欠点があつた。本発明は上
述した従来の問題点や欠点を除去し、熱放散が良好で、
安価かつ高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
効果が小さく、後者は製造工程において金属ブロックを
半導体素子接着部材裏面に取付ける工程と樹脂モールド
する工程が非常に難しくなる欠点があつた。本発明は上
述した従来の問題点や欠点を除去し、熱放散が良好で、
安価かつ高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
即ち本発明は、リードフレームを構成する半導体素子接
着部材が金属平板から突出して形成されており、その突
出部平面に半導体素子を接着し、゛金属細線で配線後、
半導体素子接着部材の裏面が樹脂モールドされず外気に
露出する構造とするものである。
着部材が金属平板から突出して形成されており、その突
出部平面に半導体素子を接着し、゛金属細線で配線後、
半導体素子接着部材の裏面が樹脂モールドされず外気に
露出する構造とするものである。
本発明によれば、半導体素子からの発生熱は半導体素子
接着部材突起部裏面から外気を伝わつて速やかに放散し
ラるもので熱放散特性が良＜、電気的特性の信頼性が高
い。
接着部材突起部裏面から外気を伝わつて速やかに放散し
ラるもので熱放散特性が良＜、電気的特性の信頼性が高
い。
またかかる改良は極めて簡単な構造のため原価が高くな
ることはない。次に本発明を説明する為にまず従来の半
導体装置の構造について説明すると、第１図、第２図は
、従来の半導体装置の斜視図とＸ−Ｘ’断面図、第３図
、第４図は従来の方法で熱放散を改良した第１の実施例
半導体装置の斜視図とＹ−Ｙ’断面図、第５図は従来の
方法で熱放散を改良した第２の実施例の半導体装置の断
面図である。第１図、第２図では、一枚の金属板から成
形された複数本のリード１と半導体素子接着部材２は、
前記素子接着部材２に半導体素子３が接着され、素子電
極とリード電極４の結線部を含みリード折り曲げ部まで
を樹脂５よつてモールドしたものである。
ることはない。次に本発明を説明する為にまず従来の半
導体装置の構造について説明すると、第１図、第２図は
、従来の半導体装置の斜視図とＸ−Ｘ’断面図、第３図
、第４図は従来の方法で熱放散を改良した第１の実施例
半導体装置の斜視図とＹ−Ｙ’断面図、第５図は従来の
方法で熱放散を改良した第２の実施例の半導体装置の断
面図である。第１図、第２図では、一枚の金属板から成
形された複数本のリード１と半導体素子接着部材２は、
前記素子接着部材２に半導体素子３が接着され、素子電
極とリード電極４の結線部を含みリード折り曲げ部まで
を樹脂５よつてモールドしたものである。
樹脂５は本来熱伝導率が悪いものであり、素子の放熱は
全く配慮されて卦らず、放熱特性は極めて悪いものであ
る。第３図、第４図は、この放熱特性を改善するために
提案されたもので、半導体素子接着部材１２と放熱板１
６とが一体に形成され、この放熱板は樹脂１５の外部に
延設されて卦り、半導体素子１３が素子接着部材１２Ｖ
Ｃ接着された後、電極を結線後、放熱板１６とリード１
１を残して樹脂１５によつてモールドしたものである。
全く配慮されて卦らず、放熱特性は極めて悪いものであ
る。第３図、第４図は、この放熱特性を改善するために
提案されたもので、半導体素子接着部材１２と放熱板１
６とが一体に形成され、この放熱板は樹脂１５の外部に
延設されて卦り、半導体素子１３が素子接着部材１２Ｖ
Ｃ接着された後、電極を結線後、放熱板１６とリード１
１を残して樹脂１５によつてモールドしたものである。
かかる構成に卦いても素子１３と放熱板１６との距離が
長くかつ、コバール等の熱伝導率の悪いリードフレーム
板で放熱板が形成されているため放熱特性もさほどに改
善されていない。第５図は、半導体素子接着部材２２の
下面に放熱用金属プロツク２７を取り付けて半導体素子
２３とリード電極２４とを金属細線で接続した後リード
２１を残して樹脂２５をモールドしたものである。
長くかつ、コバール等の熱伝導率の悪いリードフレーム
板で放熱板が形成されているため放熱特性もさほどに改
善されていない。第５図は、半導体素子接着部材２２の
下面に放熱用金属プロツク２７を取り付けて半導体素子
２３とリード電極２４とを金属細線で接続した後リード
２１を残して樹脂２５をモールドしたものである。
このようにすると放熱特性はかなり改善されるが原価が
高くなつたり、製造工程がむつかしくなる欠点がある。
以上のように、従来の樹脂封止型半導体装置では、素子
からの発生熱の放熱が悪いか又は原価高や製造上の問題
を生じていた。
高くなつたり、製造工程がむつかしくなる欠点がある。
以上のように、従来の樹脂封止型半導体装置では、素子
からの発生熱の放熱が悪いか又は原価高や製造上の問題
を生じていた。
すなわち、第２図に示す構造の半導体装置は素子接着部
材２が熱伝導の悪い樹脂５の中央に浮いている状態であ
る為、最も熱放散の良くない半導体装置である。次に第
３図の従来例では半導体素子接着部材の横方向に伸びた
放熱板１６によつて、また第５図は半導体素子接着部材
裏面に取り付けられたプロツク２７によつてそれぞれ熱
放散されている。しかしながら第３図の従来例の放熱特
性は十分ではなく、また第５図の構造に卦いては金属プ
ロツク２７を伝わつて装置外に放散されるので比較的熱
抵抗の満足のできるものが得られるが、製造工程が難し
くなる事、コストアツブになる事などから特殊用途の製
品しか用いる利点がなかつた。本発明は上述した欠点を
除去し、大巾なコストアツプにならずして放熱特性が良
好で信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供するもの
である。
材２が熱伝導の悪い樹脂５の中央に浮いている状態であ
る為、最も熱放散の良くない半導体装置である。次に第
３図の従来例では半導体素子接着部材の横方向に伸びた
放熱板１６によつて、また第５図は半導体素子接着部材
裏面に取り付けられたプロツク２７によつてそれぞれ熱
放散されている。しかしながら第３図の従来例の放熱特
性は十分ではなく、また第５図の構造に卦いては金属プ
ロツク２７を伝わつて装置外に放散されるので比較的熱
抵抗の満足のできるものが得られるが、製造工程が難し
くなる事、コストアツブになる事などから特殊用途の製
品しか用いる利点がなかつた。本発明は上述した欠点を
除去し、大巾なコストアツプにならずして放熱特性が良
好で信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を提供するもの
である。
即ち本発明は、半導体素子接着部材を加工成形し素子接
着部と放熱板とを一体成形すると共に、樹脂モールド後
は、半導体素子接着部裏面が直接空気と接触するように
したものである。次に本発明を図面を用いて説明すると
、第６図は本発明の半導体装置を得る為のリードフレー
ムの平面図、第７図は本発明の第１の実施例半導体装置
の裏面斜視図、第８図はそのＸ−Ｘ′の断面図、第９図
は本発明第２の実施例の斜視図、第１０図はそのＹ−Ｙ
′断面図、第１１図は本発明の半導体装置の使用状態の
断面図を示すものである。
着部と放熱板とを一体成形すると共に、樹脂モールド後
は、半導体素子接着部裏面が直接空気と接触するように
したものである。次に本発明を図面を用いて説明すると
、第６図は本発明の半導体装置を得る為のリードフレー
ムの平面図、第７図は本発明の第１の実施例半導体装置
の裏面斜視図、第８図はそのＸ−Ｘ′の断面図、第９図
は本発明第２の実施例の斜視図、第１０図はそのＹ−Ｙ
′断面図、第１１図は本発明の半導体装置の使用状態の
断面図を示すものである。
まず第６図に示す本発明の第１の実施例によれば、リー
ド電極１０４、リード１０１、連結帯１０８、フレーム
１０９等は従来のリードフレームと変ることなく一枚の
の金属板より成形せられ、従来のリードフレームに存す
るような半導体素子接着部材は除去されているリードフ
レームをブレス又はエツチングにより成形し、これに放
熱板１１１とこの放熱板１１１の平面からは突出し、そ
の上面に平面部を有する半導体素子接着部１１０がブレ
スにより一体成形された一枚板とが重ね合わされたもの
である。
ド電極１０４、リード１０１、連結帯１０８、フレーム
１０９等は従来のリードフレームと変ることなく一枚の
の金属板より成形せられ、従来のリードフレームに存す
るような半導体素子接着部材は除去されているリードフ
レームをブレス又はエツチングにより成形し、これに放
熱板１１１とこの放熱板１１１の平面からは突出し、そ
の上面に平面部を有する半導体素子接着部１１０がブレ
スにより一体成形された一枚板とが重ね合わされたもの
である。
第７図、第８図は放熱板１１１の中央部に突出し、その
上部が平面の形状を有する半導体素子接着部材１１０に
半導体素子１０３を接着し、素子電極とリード電極１０
４とを配線後樹脂１０５によつてモールドしたものであ
る。第９図、第１０図に示す第２の実施例に於いては、
放熱板２１１の中央部には長手方向に連続して突出し、
その上表面が平面である帯状の半導体素子接着部材２１
０に半導体素子２０３を接着し、素子電極とリード電極
２０４とを配線後、樹脂２０５ＶＣよつてモールドした
ものである。
上部が平面の形状を有する半導体素子接着部材１１０に
半導体素子１０３を接着し、素子電極とリード電極１０
４とを配線後樹脂１０５によつてモールドしたものであ
る。第９図、第１０図に示す第２の実施例に於いては、
放熱板２１１の中央部には長手方向に連続して突出し、
その上表面が平面である帯状の半導体素子接着部材２１
０に半導体素子２０３を接着し、素子電極とリード電極
２０４とを配線後、樹脂２０５ＶＣよつてモールドした
ものである。
このように本発明によれば、半導体素子接着部が空気に
直接接触している為に放熱効果は従来の半導体装置に比
較すれば大きく改良されうることは明らかである。特に
本発明の半導体装置は、放熱板と半導体素子接着部とを
装置の上部に設ける事によつて空気の自然対流が効率よ
く行われ、更には空冷フアンによる冷却にも最も効率的
な冷却が行われるものである。また逆に放熱板をシヤー
シ一等の金属板に密着さして、放熱効果を高めることも
できる。第１１図のように放熱板１１１又は２１１を上
にしてプリント板２１２に取り付け、放熱板１１１又は
２１１に放熱プロツク１１３を取り付けることもできる
。以上本発明を実施例について述べたが、これらは単に
例として記載したに過ぎず本発明の特許請求の範囲を制
限するもので゜はない。
直接接触している為に放熱効果は従来の半導体装置に比
較すれば大きく改良されうることは明らかである。特に
本発明の半導体装置は、放熱板と半導体素子接着部とを
装置の上部に設ける事によつて空気の自然対流が効率よ
く行われ、更には空冷フアンによる冷却にも最も効率的
な冷却が行われるものである。また逆に放熱板をシヤー
シ一等の金属板に密着さして、放熱効果を高めることも
できる。第１１図のように放熱板１１１又は２１１を上
にしてプリント板２１２に取り付け、放熱板１１１又は
２１１に放熱プロツク１１３を取り付けることもできる
。以上本発明を実施例について述べたが、これらは単に
例として記載したに過ぎず本発明の特許請求の範囲を制
限するもので゜はない。
第１図、第２図は従来の半導体装置の斜視図、Ｘ−Ｘ′
断面図、第３図、第４図は改良した従来の半導体装置第
１の実施例の斜視図、Ｙ−Ｙ７断面図、第５図は改良し
た従来の半導体装置の第２の実施例の断面図、第６図は
本発明の半導体装置を得る為のリードフレームの平面図
、第７図は本発明の第１の実施例の半導体装置の裏面斜
視図、第８図はそのＸ−Ｘ′断面図、第９図は本発明の
第２の実施例の半導体装置の斜視図、第１０図はそのＹ
−Ｙ′断面図、第１１図は本発明の半導体装置の使用状
態を説明する断面図である。 第１図〜第１１図に卦いて１，１１，２１，１０１，２
０１・・・・・・リード、２，１２，２２・・・・・・
半導体素子接着、３，１３，２３，１０３，２０３・・
・・・・半導体素子、４，１４，２４，１０４・・・・
・・リード電極、５，１５，２５，１０５，２０５・・
・・・・樹脂、１６，１１１，２１１・・・・・・放熱
板、２７，２１３・・・・・・金属プロツク、１０８・
・・・・・連結帯、１０９・・・・・・フレーム、１１
０，２１０・・・・・・突部平面半導体素子接着部材、
２１２・・・・・・プリント板である。
断面図、第３図、第４図は改良した従来の半導体装置第
１の実施例の斜視図、Ｙ−Ｙ７断面図、第５図は改良し
た従来の半導体装置の第２の実施例の断面図、第６図は
本発明の半導体装置を得る為のリードフレームの平面図
、第７図は本発明の第１の実施例の半導体装置の裏面斜
視図、第８図はそのＸ−Ｘ′断面図、第９図は本発明の
第２の実施例の半導体装置の斜視図、第１０図はそのＹ
−Ｙ′断面図、第１１図は本発明の半導体装置の使用状
態を説明する断面図である。 第１図〜第１１図に卦いて１，１１，２１，１０１，２
０１・・・・・・リード、２，１２，２２・・・・・・
半導体素子接着、３，１３，２３，１０３，２０３・・
・・・・半導体素子、４，１４，２４，１０４・・・・
・・リード電極、５，１５，２５，１０５，２０５・・
・・・・樹脂、１６，１１１，２１１・・・・・・放熱
板、２７，２１３・・・・・・金属プロツク、１０８・
・・・・・連結帯、１０９・・・・・・フレーム、１１
０，２１０・・・・・・突部平面半導体素子接着部材、
２１２・・・・・・プリント板である。
Claims (1)
- １ 一主平面に凸状の溝部を備えた放熱板と、この凸状
面に接着された半導体素子と、前記半導体素子の周辺部
に先端部が位置し、前記半導体素子の電極を外部に導出
するリードと、前記半導体素子および前記リードの前記
先端部を封止する樹脂部材とを含み、該樹脂部材は、前
記放熱板の半導体素子接着側表面全面と接触するように
設けられ、これによつて、前記放熱板の裏面全体が、前
記樹脂部材の外側に露出されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51136047A JPS5931862B2 (ja) | 1976-11-11 | 1976-11-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51136047A JPS5931862B2 (ja) | 1976-11-11 | 1976-11-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5360577A JPS5360577A (en) | 1978-05-31 |
| JPS5931862B2 true JPS5931862B2 (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=15165927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51136047A Expired JPS5931862B2 (ja) | 1976-11-11 | 1976-11-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931862B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098364U (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | 石原 将光 | ペツト用ウオツシヤ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6037261U (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 舶用電球株式会社 | 発光ダイオ−ドランプの発光部の放熱構造 |
| JPS6092851U (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-25 | 舶用電球株式会社 | 発光ダイオ−ドランプの発光部 |
-
1976
- 1976-11-11 JP JP51136047A patent/JPS5931862B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6098364U (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | 石原 将光 | ペツト用ウオツシヤ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5360577A (en) | 1978-05-31 |
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