JPH0878461A - 放熱板付き半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

放熱板付き半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0878461A
JPH0878461A JP6236005A JP23600594A JPH0878461A JP H0878461 A JPH0878461 A JP H0878461A JP 6236005 A JP6236005 A JP 6236005A JP 23600594 A JP23600594 A JP 23600594A JP H0878461 A JPH0878461 A JP H0878461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit chip
leads
adhesive layer
heat plate
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6236005A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2564771B2 (ja
Inventor
Hiromitsu Sasanami
弘光 笹浪
Yukio Tamura
幸男 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Goto Seisakusho KK
Original Assignee
Goto Seisakusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goto Seisakusho KK filed Critical Goto Seisakusho KK
Priority to JP6236005A priority Critical patent/JP2564771B2/ja
Publication of JPH0878461A publication Critical patent/JPH0878461A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2564771B2 publication Critical patent/JP2564771B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 吸湿性がなく、良好な熱伝導性を有する接着
剤で放熱効率を向上させると共に、量産化が容易で、安
価に放熱板付きの半導体装置を提供すること。 【構成】 導電性、熱伝導性の良好な金属板で放熱板1
を形成する。次いで、放熱板1上の回路チップ搭載部1
aの周辺に、スクリーン印刷により接着剤層2を形成す
る。接着剤層2には、熱伝導性及び電気絶縁性が良好で
ある窒化アルミニウム等のセラミック粉末を含むエポキ
シ系あるいはアクリル系などの接着剤を用いる。次に、
接着剤層2の上面にリードフレーム3のリード3aの先
端部を押し当て、放熱板1に可及的に近い位置でリード
3aを接着する。放熱板1とリード3aとの間には、接
着剤自体が良好な電気絶縁性を有するから他に特別の電
気絶縁層を形成する必要がない。回路チップ4から生じ
た熱は、放熱板1を介して多数の微小なリード3aに伝
わり、リード3aから外部に放熱される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC等の樹脂モールデ
ィング型の半導体装置及びその製造方法に関し、特に回
路チップの過熱を防止するための放熱板を具備したもの
に係る。
【0002】
【従来の技術】従来、回路チップの過熱を防止するため
に導電性の放熱板の上に回路チップを搭載する形式の半
導体装置が知られている。この場合、回路チップの周辺
に位置して放熱板の上に多数のリードが固定される。そ
して、放熱板とリードとの間は電気的に絶縁されてい
る。放熱板とリードとの間の絶縁をとるために、ポリイ
ミド接着剤を両面に有する絶縁テープを介在させて放熱
板上にリードを接着する形式の半導体装置が知られてい
る(例えば特開昭63−246851)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の放熱板付き
半導体装置においては、絶縁テープのポリイミドに吸湿
性があり、吸湿により装置の性能に悪影響を及ぼすこと
があるし、絶縁テープの切断、接着が量産の障害とな
り、また絶縁テープが比較的高価でコスト高の一因とな
っている難点がある。また、絶縁テープの両面にポリイ
ミド接着剤を被覆した三重構造の両面接着テープが、放
熱板とリードとの間に介在するので、両者間の熱伝導が
妨げられ、放熱効率が悪くなるという問題点を有する。
従って、本発明は、電気絶縁性が高く、吸湿性がなく、
良好な熱伝導性を有する接着剤で放熱効率を向上させ、
量産化が容易であり、また高価な絶縁テープを用いずに
安価に放熱板付きの半導体装置を提供することを課題と
している。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、導電性の放熱板1の上面に、回路チップ搭
載部1aを形成し、回路チップ搭載部1aの周辺に、例
えば窒化アルミニウム等のセラミック粉末を含有する接
着剤層2を介してリード3aを接着して半導体装置を構
成した。また、回路チップ4を搭載するための導電性の
放熱板1を形成する工程と、放熱板1上の回路チップ搭
載部1aの周辺に、セラミック粉末を含有する接着剤層
2を印刷により形成する工程と、接着剤層2の上面にリ
ードフレーム3のリード3aの先端部を接着する工程と
を含む半導体装置の製造方法を採用した。
【0005】
【作用】本発明においては、Cu、Al等の良導電性、
良導熱性の金属板から、打抜き等の手段により放熱板1
を形成する。次いで、放熱板1上の回路チップ搭載部1
aの周辺の上面に、スクリーン印刷等の印刷手段により
接着剤層2を形成する。印刷による接着剤層2の形成
は、従来の絶縁テープ、両面接着テープの貼着に比較し
て極めて容易であり、自動化、量産化に資するところが
大きいし、安価に得られる。次いで、接着剤層2の上面
にリードフレーム3のリード3aの先端部を押し当て、
放熱板1に可及的に近い位置でリード3aを接着する。
その後は通常の製造方法に従い、例えば放熱板1上に回
路チップ4を導電性ペースト5にて接着した後、回路チ
ップ4の端子とリード3aの先端部とをワイヤボンディ
ングし、回路チップ4とリード3aの先端部とを合成樹
脂モールディング7により封止する。そして、最後にリ
ードフレーム3からリード3aを切り離して放熱板付き
半導体装置を製造する。こうして製造された半導体装置
においては、回路チップ4から生じた熱が、放熱板1を
介して多数の微小なリード3aに伝わり、リード3aか
ら外部に放熱される。このとき、リード3aが接着剤層
2を介して、放熱板1の直近にあるし、接着剤層2が窒
化アルミニウム等のセラミック粉末を含むから、熱伝導
が良好で高い放熱効率を有するし、他の特別の電気絶縁
層を形成する必要がない。
【0006】
【実施例】本発明の一実施例を図1ないし図5に示す。
図1ないし図5は、放熱板付き半導体装置の製造過程を
示すもので、図1は放熱板の斜視図、図2は放熱板の印
刷過程を示す斜視図、図3(A)は接着剤を印刷した放
熱板の斜視図、図3(B)は同断面図、図4(A)は放
熱板とリードフレームとを接着した状態の平面図、図4
(B)は同断面図、図5(A)はリードと回路端子とを
ワイヤボンディングした状態の平面図、図5(B)は同
断面図である。
【0007】この実施例においては、Cu、Al等の良
導電性、良導熱性の金属板から、打抜き等の手段によ
り、図1に示すような放熱板1を形成する。
【0008】次いで、図3に示すように、放熱板1上の
中央部の回路チップ搭載部1aの周辺に、スクリーン印
刷等の印刷手段により接着剤層2を形成する。印刷に当
たっては、例えば図2に示すように、放熱板1を嵌合さ
せる凹所20aを複数形成した治具20を用いることが
できる。接着剤としては、例えば電気絶縁性、熱伝導性
が良好である窒化アルミニウムなどのセラミック粉末を
含有するエポキシ系あるいはアクリル系等の接着剤が用
いられる。印刷後に、図4に示すように、放熱板1の上
面にリードフレーム3を重ね、接着剤層2の上面にリー
ド3aの先端部を載せて、リード3aを柔軟な接着剤層
2に押し当てる。こうして、放熱板1からリード3aへ
の熱伝導率を向上させるために、リード3aを可及的に
放熱板1に接近させた位置で接着する。そして、接着剤
層2を乾燥硬化させてリード3aを固定する。
【0009】次いで、図5に示すように、放熱板1上に
回路チップ4を銀ペーストのような導電性ペースト5に
て接着した後、回路チップ4の端子とリード3aの先端
部とを金線6等でワイヤボンディングし、回路チップ4
とリード3aの先端部とを合成樹脂モールディング7に
より封止する。そして、最後にリードフレーム3からリ
ード3aを切り離して(図示せず)放熱板付き半導体装
置を製造する。
【0010】こうして製造された半導体装置において
は、回路チップ4から生じた熱が、放熱板1を介して多
数の微小なリード3aに伝わり、リード3aから外部に
放熱される。リード3aは、接着剤層2を介して、放熱
板1の直近にあるし、接着剤層2がセラミック粉末又は
窒化アルミニウムを含むから、電気絶縁性を確保しなが
らも熱伝導性が良好で放熱効率がよい。また、リード3
aと放熱板1と間は接着剤層2のみの単層構造を成し、
接着剤自体が良好な電気絶縁性を有するから特別の絶縁
層を形成する必要がなく、従来の三層構造の接着テープ
に比べて一度の印刷手段で容易に形成できるので、半導
体装置の量産化、低廉化に資する。
【0011】
【発明の効果】以上のように、本発明は、導電性の放熱
板1の上面に、回路チップ搭載部1aを形成し、回路チ
ップ搭載部1aの周辺にセラミック粉末を含有する接着
剤層2を介してリード3aを接着して半導体装置を構成
したため、放熱板1とリード3aとの間に、厚い両面接
着テープを介在させずに接着剤層を形成したので、吸湿
性がなく、絶縁性を確保しつつ良好な熱伝導性を有し、
また放熱板1とリード3aとが接近しているので、良好
な放熱効率を確保することができ、さらに従来の三相構
造の接着テープの代わりに接着剤層のみを形成すること
としたので、容易に製作でき、安価に提供することがで
きる。また、回路チップ4を搭載するための導電性の放
熱板1を形成する工程と、放熱板1上の回路チップ搭載
部1aの周辺に、セラミック粉末を含有する接着剤層2
を印刷により形成する工程と、接着剤層2の上面にリー
ドフレーム3のリード3aの先端部を接着する工程とを
含む半導体装置の製造方法を採用したため、自動化に適
しており量産化が容易で、半導体装置をさらに安価に提
供することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】放熱板の斜視図である。
【図2】放熱板の印刷過程を示す斜視図である。
【図3】(A)は接着剤を印刷した放熱板の斜視図、
(B)は同断面図である。
【図4】(A)は放熱板とリードフレームとを接着した
状態の平面図、(B)は同断面図である。
【図5】(A)はリードと回路端子とをワイヤボンディ
ングした状態の平面図、(B)は同断面図である。
【符号の説明】
1 放熱板 2 接着剤層 3 リードフレーム 3a リード 4 回路チップ 5 導電性ペースト 6 金線

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面に回路チップ搭載部を有する導電性
    の放熱板と、回路チップ搭載部の周辺部上にセラミック
    粉末を含有する接着剤を介して接着されたリードとを具
    備することを特徴とする放熱板付き半導体装置。
  2. 【請求項2】 回路チップを搭載するための導電性の放
    熱板を形成する工程と、 前記放熱板上の回路チップ搭載部の周辺の上面に、前記
    接着剤層を印刷により形成する工程と、 前記接着剤層の上面にリードフレームのリードの先端部
    を接着する工程とを含むことを特徴とする請求項1に記
    載の放熱板付き半導体装置の製造方法。
JP6236005A 1994-09-05 1994-09-05 放熱板付き半導体装置及びその製造方法 Expired - Lifetime JP2564771B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6236005A JP2564771B2 (ja) 1994-09-05 1994-09-05 放熱板付き半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6236005A JP2564771B2 (ja) 1994-09-05 1994-09-05 放熱板付き半導体装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0878461A true JPH0878461A (ja) 1996-03-22
JP2564771B2 JP2564771B2 (ja) 1996-12-18

Family

ID=16994385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6236005A Expired - Lifetime JP2564771B2 (ja) 1994-09-05 1994-09-05 放熱板付き半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2564771B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002314004A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂封止型半導体装置用金属ベース絶縁基板とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6979909B2 (en) 2001-02-09 2005-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing same
KR20160047412A (ko) 2014-10-22 2016-05-02 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 구리 방열재, 캐리어 부착 동박, 커넥터, 단자, 적층체, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
US10194534B2 (en) 2016-07-26 2019-01-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Printed wiring board, electronic device, catheter, and metallic material
KR20200090207A (ko) 2017-12-26 2020-07-28 제이엑스금속주식회사 방열용 구리박 및 방열 부재

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6979909B2 (en) 2001-02-09 2005-12-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing same
US7045907B2 (en) 2001-02-09 2006-05-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2002314004A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Denki Kagaku Kogyo Kk 樹脂封止型半導体装置用金属ベース絶縁基板とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR20160047412A (ko) 2014-10-22 2016-05-02 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 구리 방열재, 캐리어 부착 동박, 커넥터, 단자, 적층체, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
US9724896B2 (en) 2014-10-22 2017-08-08 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper heat dissipation material, carrier-attached copper foil, connector, terminal, laminate, shield material, printed-wiring board, metal processed member, electronic device and method for manufacturing the printed wiring board
US10464291B2 (en) 2014-10-22 2019-11-05 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper heat dissipation material, carrier-attached copper foil, connector, terminal, laminate, shield material, printed-wiring board, metal processed member, electronic device and method for manufacturing the printed wiring board
US10194534B2 (en) 2016-07-26 2019-01-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Printed wiring board, electronic device, catheter, and metallic material
KR20200090207A (ko) 2017-12-26 2020-07-28 제이엑스금속주식회사 방열용 구리박 및 방열 부재

Also Published As

Publication number Publication date
JP2564771B2 (ja) 1996-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6482674B1 (en) Semiconductor package having metal foil die mounting plate
JPH05218233A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2564771B2 (ja) 放熱板付き半導体装置及びその製造方法
KR880002260A (ko) 열적으로 향상된 대규모 집적회로 패키지 및 집적회로 다이의 장착방법
JPH02310954A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JP2905609B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2001118961A (ja) 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法
JPH0719876B2 (ja) 半導体装置
JP2017028131A (ja) パッケージ実装体
JPS63190363A (ja) パワ−パツケ−ジ
JPH06132441A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH03238852A (ja) モールド型半導体集積回路
JPH0770670B2 (ja) 放熱板付き半導体装置の製造方法
JP2005327791A (ja) 半導体装置およびその実装構造
JP3894749B2 (ja) 半導体装置
JP2665170B2 (ja) 半導体装置
JPH06252315A (ja) 半導体装置
JP2007201251A (ja) 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JPH05144985A (ja) 混成集積回路装置
JPH08255868A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS6139554A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2504262Y2 (ja) 半導体モジュ―ル
JP2944588B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置用リードフレーム
JP2002064174A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS60110145A (ja) 樹脂封止型半導体装置