JPH06252315A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH06252315A
JPH06252315A JP6471193A JP6471193A JPH06252315A JP H06252315 A JPH06252315 A JP H06252315A JP 6471193 A JP6471193 A JP 6471193A JP 6471193 A JP6471193 A JP 6471193A JP H06252315 A JPH06252315 A JP H06252315A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
metal plate
lead
adhesive layer
heat dissipation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6471193A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuya Otaka
達也 大高
Yasuharu Kameyama
康晴 亀山
Shigeo Hagitani
重男 萩谷
Takashi Suzumura
隆志 鈴村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP6471193A priority Critical patent/JPH06252315A/ja
Publication of JPH06252315A publication Critical patent/JPH06252315A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、装置の大型化やコストアップを抑
えながら放熱性を向上させることを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、リードフレームより
分離されたリード3に絶縁接着層5を介して一体化され
た所定の厚さの金属板2と、金属板2の第1の面に載置
され、リード3とボンディングワイヤ6を介して接続さ
れた半導体素子1と、半導体素子1,ボンディングワイ
ヤ6,及びリード3のボンディングワイヤ接続部を封止
するモールド樹脂4よた構成され、金属板2の第2の面
をモールド樹脂4より露出して構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特
に、半導体素子からの発熱に対して放熱性を高めた半導
体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】最近になって、1〜数w程度の発熱をす
る半導体素子が次々に現れ、半導体素子を搭載するパッ
ケージとして、発熱を効率良く、しかも低コストで放熱
することができる構造が要求されている。
【0003】図3には、上記した放熱タイプの半導体装
置として現在検討されているものが示されている。この
半導体装置は、タブなしリードフレームのインナーリー
ド3と、当該インナーリード3の先端に絶縁性接着剤5
を介して貼付された金属板2と、当該金属板2の中央部
に搭載された半導体素子1と、半導体素子1とインナー
リード3を接続するボンディングワイヤ6と、インナー
リード3の一部(アウターリード部)を残してこれらを
封止するモールド樹脂4より構成されている。
【0004】このような構成を有する半導体装置は、半
導体素子1の発熱を金属板2を介してモールド樹脂4、
すなわち、パッケージ全体に伝熱し、パッケージ表面と
空気との熱交換によって放熱するようにしている。
【0005】また、更に放熱性を向上させる場合には、
パッケージの上面にその面積より大きい放熱面積の有す
る放熱部材を取り付けることで実現でき、例えば、図4
に示すように、モールド樹脂4の表面に伝熱面積を増大
させる放熱フィン7を伝熱性接着層8を介して取り付け
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような半
導体装置では、放熱性を高めようとすると、パッケージ
の表面に放熱面積を増大させる放熱フィン等を新たに取
り付ける必要があるため、部品点数の増加によるコスト
アップや、装置の大型化を招くという不都合がある。特
に、放熱フィン等は複雑な凸凹形状になっているため、
製品コストとして非常に大きくなる。
【0007】従って、本発明の目的は装置の大型化やコ
ストアップを抑えながら放熱性を向上させることができ
る半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、装置の大型化やコストアップを抑えながら放熱性を
向上させるため、タブなしリードフレームのインナーリ
ードの先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の
厚さの金属板と、金属板の第1の面に載置され、インナ
ーリードとボンディングワイヤを介して接続された半導
体素子と、半導体素子,ボンディングワイヤ,及びイン
ナーリードのボンディングワイヤ接続部を封止するモー
ルド樹脂より構成され、金属板の第2の面をモールド樹
脂より露出して構成した半導体装置を提供するものであ
る。
【0009】上記金属板は第2の面を介してプリント基
板上に伝熱性接着層によって接着され、アウターリード
はプリント基板の所定の配線に接続されることが好まし
い。このような構成では、半導体素子からの発熱を、モ
ールド樹脂へ伝熱するのに加えてプリント基板にも伝熱
できるようになり、実質的な放熱面積を増大させて放熱
性を向上させることができる。
【0010】また、上記金属板は熱伝導性の高い銅系合
金が望ましい。しかし、素子の大きさの約2倍程度の大
きさの金属板とすることが可能であれば、例えば、42
ニッケル合金としても良い。金属板をモールド樹脂に埋
設する構造にすると、パッケージ成形後において半田リ
フロー工程等の熱膨張の差によってパッケージクラック
が発生するが、この際、42ニケッル合金等、モールド
樹脂より熱膨張の小さい金属とすることで、モールド樹
脂が金属板を締めつける方向の応力を持たせることがで
き、パッケージの封止性をも向上させることができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の半導体装置について添付図面
を参照しながら詳細に説明する。
【0012】図1には、本発明の一実施例に係る半導体
装置の断面構造が示されている。この半導体装置は、タ
ブなしリードフレームの複数本のインナーリード3と、
これに絶縁性接着層5を介して一体化された所定の厚さ
の金属板2と、この金属板2のインナーリード3側の面
に載置された半導体素子1と、半導体素子1とインナー
リード3を接続するボンディングワイヤ6と、半導体素
子1,ボンディングワイヤ6,及びインナーリード3の
ボンディングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂4を
有し、金属板2のインナーリード3側と反対側の面がモ
ールド樹脂4より露出するように構成されている。
【0013】このような構成を有する半導体装置は、図
2に示すように、プリント基板9に固定されたとき、半
導体装置1の発熱を効率良く放熱することができるよう
になっている。すなわち、プリント基板9の表面に半導
体装置の金属板2を伝熱性接着層10を介して接着し、
インナーリード3の一部(アウターリード部)とプリン
ト基板9の配線11を電気的に接続してプリント基板9
に半導体装置を固定すると、半導体素子1からの発熱
は、金属板2を介してモールド樹脂(パッケージ全体)
4,及び半導体装置の周辺のプリント基板9に伝熱され
る。従って、半導体装置に放熱フィン等を追加しなくて
も実質的な放熱面積を大きくすることができ、半導体装
置の放熱性を向上させることができる。この放熱に寄与
する面積は、プリント基板9や半導体装置の周囲の風
速,或いはプリント基板9の材質によっても異なるが、
1〜2m/s程度の風速とすれば約2倍程度の放熱性の
向上が得られる。
【0014】以上の構成で最も重要なことは、半導体装
置とプリント基板9の間の密着性、すなわち、両者の熱
伝達性が良好になっていることである。従って、金属板
2の露出面に設けられる伝熱性接着層10としては、3
50℃以下の融点を有する金属,或いは良熱伝導性ペー
スト又は接着剤を用いるのが好ましい。
【0015】このように、本発明の半導体装置は半導体
装置の発熱を金属板を介してパッケージ全体に伝熱する
のに加えて、金属板の露出面を介してプリント基板にも
伝熱するようにしたため、新たな放熱部品を取り付ける
ことなく放熱面積を拡大することができ、その結果、コ
ストアップ,装置の大型化を抑えながら放熱性を向上さ
せることができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によると、タブなしリードフレームのインナーリード
の先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の厚さ
の金属板と、金属板の第1の面に載置され、リードとボ
ンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、半
導体素子,ボンディングワイヤ,及びリードのボンディ
ングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂より構成さ
れ、金属板の第2の面をモールド樹脂より露出して構成
したため、装置の大型化やコストアップを抑えながら放
熱性を向上させることができる。また、このような構成
の半導体によれば、インナーリードの先端を接着層を介
して金属板に固定することになり、これによりインナー
リードの数が200以上の多ピン構造のリードフレーム
においても、インナーリードの先端をばらつかせるなど
変形させることなく、素子付け工程、ワイヤボンディン
グ工程、モールド工程を通すことが可能となり、これら
後工程での作業歩留りを大幅に向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図。
【図2】プリント基板に固定された状態を示す説明図。
【図3】従来の半導体装置を示す断面図。
【図4】従来の他の半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 金属
板 3 リード 4 モー
ルド樹脂 5 絶縁性接着層 6 ボン
ディングワイヤ 7 放熱フィン 8 伝熱
性接着層 9 プリント基板 10 伝熱
性接着層 11 配線
フロントページの続き (72)発明者 鈴村 隆志 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 タブなしリードフレームのインナーリー
    ドの先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の厚
    さの金属板と、 前記金属板の第1の面に載置され、前記リードとボンデ
    ィングワイヤを介して接続された半導体素子と、 前記半導体素子,前記ボンディングワイヤ,及び前記リ
    ードのボンディングワイヤ接続部を封止するモールド樹
    脂より構成され、 前記金属板は、第2の面が前記モールド樹脂より露出し
    て構成されることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記金属板は、前記第2の面を介してプ
    リント基板上に伝熱性接着層によって接着され、 前記リードは、前記プリント基板の所定の配線に接続さ
    れている構成の請求項1の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記金属板は、銅系,或いは鉄系の合金
    である請求項1,或いは2の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記伝熱性接着層は、350℃以下の融
    点を有する金属,或いは良熱伝導性ペースト又は接着剤
    である請求項2の半導体装置。
JP6471193A 1993-03-01 1993-03-01 半導体装置 Pending JPH06252315A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6471193A JPH06252315A (ja) 1993-03-01 1993-03-01 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6471193A JPH06252315A (ja) 1993-03-01 1993-03-01 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06252315A true JPH06252315A (ja) 1994-09-09

Family

ID=13266014

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6471193A Pending JPH06252315A (ja) 1993-03-01 1993-03-01 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06252315A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162558A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
US6117709A (en) * 1997-11-12 2000-09-12 Denso Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same
US8217413B2 (en) 2006-01-26 2012-07-10 Lg Innotek Co., Ltd. Package of light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101273045B1 (ko) * 2012-06-11 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162558A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Fujitsu Ltd 半導体装置
US6117709A (en) * 1997-11-12 2000-09-12 Denso Corporation Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same
US8217413B2 (en) 2006-01-26 2012-07-10 Lg Innotek Co., Ltd. Package of light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101283182B1 (ko) * 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US8552449B2 (en) 2006-01-26 2013-10-08 Lg Innotek Co., Ltd. Package of light emitting diode and method for manufacturing the same
US9450156B2 (en) 2006-01-26 2016-09-20 Lg Innotek Co., Ltd. Package of light emitting diode and method for manufacturing the same
USRE48617E1 (en) 2006-01-26 2021-06-29 Lg Innotek Co., Ltd. Package of light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101273045B1 (ko) * 2012-06-11 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1104741C (zh) 半导体封装及其制造方法
JPH02306656A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2725448B2 (ja) 半導体装置
JPH06252315A (ja) 半導体装置
JP2934421B2 (ja) ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置
JPS6149446A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0773122B2 (ja) 封止型半導体装置
JPH0637217A (ja) 半導体装置
JP2564771B2 (ja) 放熱板付き半導体装置及びその製造方法
JPH05175407A (ja) 半導体搭載基板
JPH11145322A (ja) 半導体装置
JP3199191B2 (ja) 金属ベース回路基板
JPS60136348A (ja) 半導体装置
JP3314574B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63190363A (ja) パワ−パツケ−ジ
JPS6159660B2 (ja)
JP2005327791A (ja) 半導体装置およびその実装構造
JPH06260572A (ja) 半導体装置
JP2665170B2 (ja) 半導体装置
JPH0778903A (ja) 混成集積回路におけるバイアス電圧の供給方法
JPH10135405A (ja) 配線基板モジュール
JPH03248449A (ja) ヒートシンク搭載型半導体装置
JPH07202067A (ja) ヒートシンク付ピングリッドアレイ
JPH05218296A (ja) ハイブリッドic
JPS60138945A (ja) 封止型半導体装置