JPH06252315A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06252315A JPH06252315A JP6471193A JP6471193A JPH06252315A JP H06252315 A JPH06252315 A JP H06252315A JP 6471193 A JP6471193 A JP 6471193A JP 6471193 A JP6471193 A JP 6471193A JP H06252315 A JPH06252315 A JP H06252315A
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- semiconductor device
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、装置の大型化やコストアップを抑
えながら放熱性を向上させることを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、リードフレームより
分離されたリード３に絶縁接着層５を介して一体化され
た所定の厚さの金属板２と、金属板２の第１の面に載置
され、リード３とボンディングワイヤ６を介して接続さ
れた半導体素子１と、半導体素子１，ボンディングワイ
ヤ６，及びリード３のボンディングワイヤ接続部を封止
するモールド樹脂４よた構成され、金属板２の第２の面
をモールド樹脂４より露出して構成されている。
えながら放熱性を向上させることを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、リードフレームより
分離されたリード３に絶縁接着層５を介して一体化され
た所定の厚さの金属板２と、金属板２の第１の面に載置
され、リード３とボンディングワイヤ６を介して接続さ
れた半導体素子１と、半導体素子１，ボンディングワイ
ヤ６，及びリード３のボンディングワイヤ接続部を封止
するモールド樹脂４よた構成され、金属板２の第２の面
をモールド樹脂４より露出して構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特
に、半導体素子からの発熱に対して放熱性を高めた半導
体装置に関する。
に、半導体素子からの発熱に対して放熱性を高めた半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近になって、１〜数ｗ程度の発熱をす
る半導体素子が次々に現れ、半導体素子を搭載するパッ
ケージとして、発熱を効率良く、しかも低コストで放熱
することができる構造が要求されている。
る半導体素子が次々に現れ、半導体素子を搭載するパッ
ケージとして、発熱を効率良く、しかも低コストで放熱
することができる構造が要求されている。
【０００３】図３には、上記した放熱タイプの半導体装
置として現在検討されているものが示されている。この
半導体装置は、タブなしリードフレームのインナーリー
ド３と、当該インナーリード３の先端に絶縁性接着剤５
を介して貼付された金属板２と、当該金属板２の中央部
に搭載された半導体素子１と、半導体素子１とインナー
リード３を接続するボンディングワイヤ６と、インナー
リード３の一部（アウターリード部）を残してこれらを
封止するモールド樹脂４より構成されている。
置として現在検討されているものが示されている。この
半導体装置は、タブなしリードフレームのインナーリー
ド３と、当該インナーリード３の先端に絶縁性接着剤５
を介して貼付された金属板２と、当該金属板２の中央部
に搭載された半導体素子１と、半導体素子１とインナー
リード３を接続するボンディングワイヤ６と、インナー
リード３の一部（アウターリード部）を残してこれらを
封止するモールド樹脂４より構成されている。
【０００４】このような構成を有する半導体装置は、半
導体素子１の発熱を金属板２を介してモールド樹脂４、
すなわち、パッケージ全体に伝熱し、パッケージ表面と
空気との熱交換によって放熱するようにしている。
導体素子１の発熱を金属板２を介してモールド樹脂４、
すなわち、パッケージ全体に伝熱し、パッケージ表面と
空気との熱交換によって放熱するようにしている。
【０００５】また、更に放熱性を向上させる場合には、
パッケージの上面にその面積より大きい放熱面積の有す
る放熱部材を取り付けることで実現でき、例えば、図４
に示すように、モールド樹脂４の表面に伝熱面積を増大
させる放熱フィン７を伝熱性接着層８を介して取り付け
ている。
パッケージの上面にその面積より大きい放熱面積の有す
る放熱部材を取り付けることで実現でき、例えば、図４
に示すように、モールド樹脂４の表面に伝熱面積を増大
させる放熱フィン７を伝熱性接着層８を介して取り付け
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような半
導体装置では、放熱性を高めようとすると、パッケージ
の表面に放熱面積を増大させる放熱フィン等を新たに取
り付ける必要があるため、部品点数の増加によるコスト
アップや、装置の大型化を招くという不都合がある。特
に、放熱フィン等は複雑な凸凹形状になっているため、
製品コストとして非常に大きくなる。
導体装置では、放熱性を高めようとすると、パッケージ
の表面に放熱面積を増大させる放熱フィン等を新たに取
り付ける必要があるため、部品点数の増加によるコスト
アップや、装置の大型化を招くという不都合がある。特
に、放熱フィン等は複雑な凸凹形状になっているため、
製品コストとして非常に大きくなる。
【０００７】従って、本発明の目的は装置の大型化やコ
ストアップを抑えながら放熱性を向上させることができ
る半導体装置を提供することである。
ストアップを抑えながら放熱性を向上させることができ
る半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、装置の大型化やコストアップを抑えながら放熱性を
向上させるため、タブなしリードフレームのインナーリ
ードの先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の
厚さの金属板と、金属板の第１の面に載置され、インナ
ーリードとボンディングワイヤを介して接続された半導
体素子と、半導体素子，ボンディングワイヤ，及びイン
ナーリードのボンディングワイヤ接続部を封止するモー
ルド樹脂より構成され、金属板の第２の面をモールド樹
脂より露出して構成した半導体装置を提供するものであ
る。
み、装置の大型化やコストアップを抑えながら放熱性を
向上させるため、タブなしリードフレームのインナーリ
ードの先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の
厚さの金属板と、金属板の第１の面に載置され、インナ
ーリードとボンディングワイヤを介して接続された半導
体素子と、半導体素子，ボンディングワイヤ，及びイン
ナーリードのボンディングワイヤ接続部を封止するモー
ルド樹脂より構成され、金属板の第２の面をモールド樹
脂より露出して構成した半導体装置を提供するものであ
る。
【０００９】上記金属板は第２の面を介してプリント基
板上に伝熱性接着層によって接着され、アウターリード
はプリント基板の所定の配線に接続されることが好まし
い。このような構成では、半導体素子からの発熱を、モ
ールド樹脂へ伝熱するのに加えてプリント基板にも伝熱
できるようになり、実質的な放熱面積を増大させて放熱
性を向上させることができる。
板上に伝熱性接着層によって接着され、アウターリード
はプリント基板の所定の配線に接続されることが好まし
い。このような構成では、半導体素子からの発熱を、モ
ールド樹脂へ伝熱するのに加えてプリント基板にも伝熱
できるようになり、実質的な放熱面積を増大させて放熱
性を向上させることができる。
【００１０】また、上記金属板は熱伝導性の高い銅系合
金が望ましい。しかし、素子の大きさの約２倍程度の大
きさの金属板とすることが可能であれば、例えば、４２
ニッケル合金としても良い。金属板をモールド樹脂に埋
設する構造にすると、パッケージ成形後において半田リ
フロー工程等の熱膨張の差によってパッケージクラック
が発生するが、この際、４２ニケッル合金等、モールド
樹脂より熱膨張の小さい金属とすることで、モールド樹
脂が金属板を締めつける方向の応力を持たせることがで
き、パッケージの封止性をも向上させることができる。
金が望ましい。しかし、素子の大きさの約２倍程度の大
きさの金属板とすることが可能であれば、例えば、４２
ニッケル合金としても良い。金属板をモールド樹脂に埋
設する構造にすると、パッケージ成形後において半田リ
フロー工程等の熱膨張の差によってパッケージクラック
が発生するが、この際、４２ニケッル合金等、モールド
樹脂より熱膨張の小さい金属とすることで、モールド樹
脂が金属板を締めつける方向の応力を持たせることがで
き、パッケージの封止性をも向上させることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の半導体装置について添付図面
を参照しながら詳細に説明する。
を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】図１には、本発明の一実施例に係る半導体
装置の断面構造が示されている。この半導体装置は、タ
ブなしリードフレームの複数本のインナーリード３と、
これに絶縁性接着層５を介して一体化された所定の厚さ
の金属板２と、この金属板２のインナーリード３側の面
に載置された半導体素子１と、半導体素子１とインナー
リード３を接続するボンディングワイヤ６と、半導体素
子１，ボンディングワイヤ６，及びインナーリード３の
ボンディングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂４を
有し、金属板２のインナーリード３側と反対側の面がモ
ールド樹脂４より露出するように構成されている。
装置の断面構造が示されている。この半導体装置は、タ
ブなしリードフレームの複数本のインナーリード３と、
これに絶縁性接着層５を介して一体化された所定の厚さ
の金属板２と、この金属板２のインナーリード３側の面
に載置された半導体素子１と、半導体素子１とインナー
リード３を接続するボンディングワイヤ６と、半導体素
子１，ボンディングワイヤ６，及びインナーリード３の
ボンディングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂４を
有し、金属板２のインナーリード３側と反対側の面がモ
ールド樹脂４より露出するように構成されている。
【００１３】このような構成を有する半導体装置は、図
２に示すように、プリント基板９に固定されたとき、半
導体装置１の発熱を効率良く放熱することができるよう
になっている。すなわち、プリント基板９の表面に半導
体装置の金属板２を伝熱性接着層１０を介して接着し、
インナーリード３の一部（アウターリード部）とプリン
ト基板９の配線１１を電気的に接続してプリント基板９
に半導体装置を固定すると、半導体素子１からの発熱
は、金属板２を介してモールド樹脂（パッケージ全体）
４，及び半導体装置の周辺のプリント基板９に伝熱され
る。従って、半導体装置に放熱フィン等を追加しなくて
も実質的な放熱面積を大きくすることができ、半導体装
置の放熱性を向上させることができる。この放熱に寄与
する面積は、プリント基板９や半導体装置の周囲の風
速，或いはプリント基板９の材質によっても異なるが、
１〜２ｍ／ｓ程度の風速とすれば約２倍程度の放熱性の
向上が得られる。
２に示すように、プリント基板９に固定されたとき、半
導体装置１の発熱を効率良く放熱することができるよう
になっている。すなわち、プリント基板９の表面に半導
体装置の金属板２を伝熱性接着層１０を介して接着し、
インナーリード３の一部（アウターリード部）とプリン
ト基板９の配線１１を電気的に接続してプリント基板９
に半導体装置を固定すると、半導体素子１からの発熱
は、金属板２を介してモールド樹脂（パッケージ全体）
４，及び半導体装置の周辺のプリント基板９に伝熱され
る。従って、半導体装置に放熱フィン等を追加しなくて
も実質的な放熱面積を大きくすることができ、半導体装
置の放熱性を向上させることができる。この放熱に寄与
する面積は、プリント基板９や半導体装置の周囲の風
速，或いはプリント基板９の材質によっても異なるが、
１〜２ｍ／ｓ程度の風速とすれば約２倍程度の放熱性の
向上が得られる。
【００１４】以上の構成で最も重要なことは、半導体装
置とプリント基板９の間の密着性、すなわち、両者の熱
伝達性が良好になっていることである。従って、金属板
２の露出面に設けられる伝熱性接着層１０としては、３
５０℃以下の融点を有する金属，或いは良熱伝導性ペー
スト又は接着剤を用いるのが好ましい。
置とプリント基板９の間の密着性、すなわち、両者の熱
伝達性が良好になっていることである。従って、金属板
２の露出面に設けられる伝熱性接着層１０としては、３
５０℃以下の融点を有する金属，或いは良熱伝導性ペー
スト又は接着剤を用いるのが好ましい。
【００１５】このように、本発明の半導体装置は半導体
装置の発熱を金属板を介してパッケージ全体に伝熱する
のに加えて、金属板の露出面を介してプリント基板にも
伝熱するようにしたため、新たな放熱部品を取り付ける
ことなく放熱面積を拡大することができ、その結果、コ
ストアップ，装置の大型化を抑えながら放熱性を向上さ
せることができる。
装置の発熱を金属板を介してパッケージ全体に伝熱する
のに加えて、金属板の露出面を介してプリント基板にも
伝熱するようにしたため、新たな放熱部品を取り付ける
ことなく放熱面積を拡大することができ、その結果、コ
ストアップ，装置の大型化を抑えながら放熱性を向上さ
せることができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によると、タブなしリードフレームのインナーリード
の先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の厚さ
の金属板と、金属板の第１の面に載置され、リードとボ
ンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、半
導体素子，ボンディングワイヤ，及びリードのボンディ
ングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂より構成さ
れ、金属板の第２の面をモールド樹脂より露出して構成
したため、装置の大型化やコストアップを抑えながら放
熱性を向上させることができる。また、このような構成
の半導体によれば、インナーリードの先端を接着層を介
して金属板に固定することになり、これによりインナー
リードの数が２００以上の多ピン構造のリードフレーム
においても、インナーリードの先端をばらつかせるなど
変形させることなく、素子付け工程、ワイヤボンディン
グ工程、モールド工程を通すことが可能となり、これら
後工程での作業歩留りを大幅に向上させることができ
る。
置によると、タブなしリードフレームのインナーリード
の先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の厚さ
の金属板と、金属板の第１の面に載置され、リードとボ
ンディングワイヤを介して接続された半導体素子と、半
導体素子，ボンディングワイヤ，及びリードのボンディ
ングワイヤ接続部を封止するモールド樹脂より構成さ
れ、金属板の第２の面をモールド樹脂より露出して構成
したため、装置の大型化やコストアップを抑えながら放
熱性を向上させることができる。また、このような構成
の半導体によれば、インナーリードの先端を接着層を介
して金属板に固定することになり、これによりインナー
リードの数が２００以上の多ピン構造のリードフレーム
においても、インナーリードの先端をばらつかせるなど
変形させることなく、素子付け工程、ワイヤボンディン
グ工程、モールド工程を通すことが可能となり、これら
後工程での作業歩留りを大幅に向上させることができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】プリント基板に固定された状態を示す説明図。
【図３】従来の半導体装置を示す断面図。
【図４】従来の他の半導体装置を示す断面図。
１ 半導体装置 ２ 金属
板 ３ リード ４ モー
ルド樹脂 ５ 絶縁性接着層 ６ ボン
ディングワイヤ ７ 放熱フィン ８ 伝熱
性接着層 ９ プリント基板 １０ 伝熱
性接着層 １１ 配線
板 ３ リード ４ モー
ルド樹脂 ５ 絶縁性接着層 ６ ボン
ディングワイヤ ７ 放熱フィン ８ 伝熱
性接着層 ９ プリント基板 １０ 伝熱
性接着層 １１ 配線
フロントページの続き (72)発明者 鈴村 隆志 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 タブなしリードフレームのインナーリー
ドの先端に絶縁性接着層を介して一体化された所定の厚
さの金属板と、 前記金属板の第１の面に載置され、前記リードとボンデ
ィングワイヤを介して接続された半導体素子と、 前記半導体素子，前記ボンディングワイヤ，及び前記リ
ードのボンディングワイヤ接続部を封止するモールド樹
脂より構成され、 前記金属板は、第２の面が前記モールド樹脂より露出し
て構成されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記金属板は、前記第２の面を介してプ
リント基板上に伝熱性接着層によって接着され、 前記リードは、前記プリント基板の所定の配線に接続さ
れている構成の請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 前記金属板は、銅系，或いは鉄系の合金
である請求項１，或いは２の半導体装置。 - 【請求項４】 前記伝熱性接着層は、３５０℃以下の融
点を有する金属，或いは良熱伝導性ペースト又は接着剤
である請求項２の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6471193A JPH06252315A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6471193A JPH06252315A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252315A true JPH06252315A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=13266014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6471193A Pending JPH06252315A (ja) | 1993-03-01 | 1993-03-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252315A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162558A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US6117709A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-12 | Denso Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8217413B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-07-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same |
| KR101273045B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2013-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
-
1993
- 1993-03-01 JP JP6471193A patent/JPH06252315A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162558A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US6117709A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-12 | Denso Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US8217413B2 (en) | 2006-01-26 | 2012-07-10 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same |
| KR101283182B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2013-07-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| US8552449B2 (en) | 2006-01-26 | 2013-10-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same |
| US9450156B2 (en) | 2006-01-26 | 2016-09-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same |
| USRE48617E1 (en) | 2006-01-26 | 2021-06-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Package of light emitting diode and method for manufacturing the same |
| KR101273045B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2013-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
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