JPH10135405A - 配線基板モジュール - Google Patents

配線基板モジュール

Info

Publication number
JPH10135405A
JPH10135405A JP8291613A JP29161396A JPH10135405A JP H10135405 A JPH10135405 A JP H10135405A JP 8291613 A JP8291613 A JP 8291613A JP 29161396 A JP29161396 A JP 29161396A JP H10135405 A JPH10135405 A JP H10135405A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
substrate
wiring board
board module
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8291613A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoto Ogasawara
直人 小笠原
Naotaka Murakami
直隆 村上
Takemasu Kano
威倍 加納
Yoshihiro Takeshita
良博 竹下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aisin AW Co Ltd
Original Assignee
Aisin AW Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aisin AW Co Ltd filed Critical Aisin AW Co Ltd
Priority to JP8291613A priority Critical patent/JPH10135405A/ja
Publication of JPH10135405A publication Critical patent/JPH10135405A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】放熱効果を損なうことなく電子部品の搭載面積
を広くし、かつ、基板を小型化する。 【解決手段】第1の面S1及び第2の面S2にそれぞれ
電子部品が搭載された基板21と、基板21を支持する
支持部材と、基板21の第1の面S1との間に電子部品
搭載用の空間を置いて支持部材に取り付けられた放熱部
材と、電子部品搭載用の空間に充填(てん)された熱伝
導性樹脂とを有する。この場合、電子部品において発生
した熱は、熱伝導性樹脂を介して放熱部材に伝達され、
放熱部材によって大気中に放出される。したがって、電
子部品の温度を低くすることができ、電子部品が自動的
に停止させられたり、破損したりすることはない。ま
た、基板21に放熱部材を取り付ける必要がなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板モジュー
ルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、基板に電子部品が搭載された配線
基板モジュールにおいては、基板の片面に放熱フィンが
取り付けられていて、前記電子部品において発生した熱
は前記放熱フィンから大気中に放出されるようになって
いる。図2は従来の配線基板モジュールの断面図であ
る。
【0003】図において、11は樹脂製のケース、12
は該ケース11に取り付けられた基板である。該基板1
2の一方の面には、抵抗体素子R1、R2、ICチップ
E1、他の部品E2〜E4等の電子部品が搭載される。
なお、前記抵抗体素子R1、R2は印刷等によって形成
されるとともに、ICチップE1はダイボンディングに
よって、他の部品E2〜E4ははんだ付けによってそれ
ぞれ基板12に固定され、前記ICチップE1はワイヤ
保護用の樹脂15によって封止される。
【0004】ところで、ICチップE1、図示しないパ
ワートランジスタ等の発熱性の電子部品は、作動に伴っ
て熱を発生し、該熱によって温度が高くなると、電流値
の精度に誤差を生じさせたり、作動が自動的に停止させ
られたり、破損したりしてしまう。そこで、電子部品に
おいて発生させられた熱を大気中に放出するために、前
記基板12の他方の面、特にICチップE1の背面に放
熱フィン16が接着等によって取り付けられ、該放熱フ
ィン16とICチップE1とが伝熱用ビアホール17を
介して接続される。該伝熱用ビアホール17は、前記基
板12を一方の面から他方の面にかけて貫通させて形成
され、伝熱用ビアホール17には図示しない金属導体が
充填(てん)される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の配線基板モジュールにおいては、放熱フィン16が
基板12の他方の面に取り付けられているので、電子部
品を基板12の両面に搭載することができず、搭載面積
が狭くなってしまう。したがって、放熱効果を損なうこ
となく電子部品の搭載面積を広くするためには、基板1
2を大型化する必要が生じる。
【0006】本発明は、前記従来の配線基板モジュール
の問題点を解決して、放熱効果を損なうことなく電子部
品の搭載面積を広くし、かつ、基板を小型化することが
できる配線基板モジュールを提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明の配
線基板モジュールにおいては、第1の面及び第2の面に
それぞれ電子部品が搭載された基板と、該基板を支持す
る支持部材と、前記基板の第1の面との間に電子部品搭
載用の空間を置いて前記支持部材に取り付けられた放熱
部材と、前記電子部品搭載用の空間に充填された熱伝導
性樹脂とを有する。
【0008】本発明の他の配線基板モジュールにおいて
は、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品による
発熱量は、第2の面に搭載された電子部品による発熱量
より多い。本発明の更に他の配線基板モジュールにおい
ては、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品は、
半導体素子及び抵抗体素子の少なくとも一方である。
【0009】本発明の更に他の配線基板モジュールにお
いては、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品
は、半導体素子であり、保護材料によって封止される。
本発明の更に他の配線基板モジュールにおいては、さら
に、前記熱伝導性樹脂はゲル状の樹脂である。本発明の
更に他の配線基板モジュールにおいては、さらに、前記
基板は、基板内部及び第2の面の少なくとも一方に伝熱
用導体層が形成され、第1の面に搭載された電子部品と
前記伝熱用導体層とが伝熱用ビアホールによって接続さ
れる。
【0010】本発明の更に他の配線基板モジュールにお
いては、第1の面及び第2の面にそれぞれ電子部品が搭
載された基板と、該基板を支持する支持部材と、前記基
板の第1の面との間に電子部品搭載用の空間を置いて前
記支持部材に取り付けられた放熱部材と、前記第1の面
に形成され、電子部品と接続された伝熱用導体層とを有
するとともに、該伝熱用導体層と前記放熱部材とが熱伝
導性接続体を介して連結される。
【0011】本発明の更に他の配線基板モジュールにお
いては、さらに、前記電子部品搭載用の空間に熱伝導性
樹脂が充填される。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
実施の形態における配線基板モジュールの断面図であ
る。図において、21は絶縁性が高い材料から成る基
板、22は、前記基板21を支持する支持部材としての
ケースであり、該ケース22は、前記基板21の第1の
面S1側に電子部品搭載用の第1の空間31を、前記基
板21の第2の面S2側に電子部品搭載用の第2の空間
32をそれぞれ形成する。また、23は前記ケース22
に取り付けられ、前記第1の空間31を閉鎖する放熱部
材としての放熱フィン、40は、前記ケース22に一体
的に形成された端子22tと、基板21に一体的に形成
された端子21tとを電気的に接続するワイヤである。
なお、前記基板21は、適宜の固定方法、例えば、図示
しないねじ、接着剤等によってケース22に取り付けら
れる。
【0013】この場合、前記基板21を構成する材料と
しては、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセラミッ
クス、炭化珪(けい)素、窒化珪素等のセラミックスの
ほか、エポキシ樹脂、ガラス−エポキシ複合材料等の有
機樹脂を使用することができる。これらのうち、熱伝導
率が40〔W/m・K〕以上の材料が適宜使用される。
【0014】そして、前記基板21は、例えば、アルミ
ナから成る多層構造を有する多層基板から成り、第1の
面S1及び第2の面S2に伝熱用導体層としての図示し
ない回路配線パターンが印刷によって形成される。ま
た、前記基板21の内部の所定の層間、例えば、第1層
25と第2層26との間に、伝熱用導体層としての伝熱
用内層パターン27がべた印刷によってほぼ基板21の
全体にわたって形成される。なお、該伝熱用内層パター
ン27はグランド、入力側IG等として使用することも
できる。
【0015】そして、前記基板21の第1の面S1に
は、相対的に発熱量が多い電子部品、例えば、前記抵抗
体素子R1、R2、半導体素子としてのICチップE1
等が搭載される。なお、前記抵抗体素子R1、R2は、
印刷によって形成されるか、又は抵抗チップ部品として
回路配線パターンにはんだ付けされる。また、ICチッ
プE1は、ダイボンディング等によって回路配線パター
ンと電気的に接続されるとともに基板21に固定され、
保護材料、すなわち、ワイヤ保護用の樹脂15によって
封止される。したがって、基板21の取扱いが容易にな
り、組付け等の作業性を向上させることができる。
【0016】また、前記第1の面S1におけるICチッ
プE1の搭載位置には、回路配線パターンの一部を構成
する伝熱用導体層としての導体33が形成され、該導体
33と前記ICチップE1とが熱伝導体から成るダイペ
ースト34によって接着される。そして、前記放熱フィ
ン23には、ヒートスプレッダ37が一体又は別体に基
板21に向けて形成され、導体33とヒートスプレッダ
37との間には熱伝導性放熱シート36が配設される。
前記導体33は、ICチップE1が発生させた熱を伝え
るための伝熱用導体層であり、前記ヒートスプレッダ3
7及び熱伝導性放熱シート36は、いずれも熱伝導性接
続体を構成し、放熱フィン23と導体33とを連結す
る。これによって、ICチップE1が発生させた熱は、
導体33、熱伝導性放熱シート36及びヒートスプレッ
ダ37を介して放熱フィン23に伝達され、放熱され
る。
【0017】さらに、前記導体33と前記伝熱用内層パ
ターン27とが伝熱用ビアホール39を介して接続され
る。該伝熱用ビアホール39は、前記第1層25を第1
の面S1から伝熱用内層パターン27にかけて貫通させ
て形成され、図示しない金属導体が伝熱用ビアホール3
9に充填される。一方、前記基板21の第2の面S2に
は、相対的に発熱量が少ない電子部品、例えば、他の部
品E2〜E4が搭載され、はんだ付けによって基板21
に固定される。また、前記第2の面S2に形成された回
路配線パターンと、前記導体33及び伝熱用内装パター
ン27とを図示しない伝熱用ビアホールを介して接続す
ることもできる。
【0018】そして、前記第1の空間31内には、熱伝
導性樹脂、例えば、図示しないシリコーングリス等のゲ
ル状の樹脂から成る放熱ゲルが充填される。該放熱ゲル
は、第1の面S1側に搭載された電子部品において発生
した熱を直接、又は樹脂15を介して放熱フィン23に
伝達する。また、前記放熱ゲルは、弾性を有するので、
電子部品において発生した熱によって放熱ゲルに熱膨張
が生じても、電子部品、配線等に応力を加えることがな
い。したがって、電子部品が脱落したり配線が切断され
たりするのを防止することができる。
【0019】なお、ICチップE1を樹脂15によって
封止することなく、前記第1の空間31内に放熱ゲルを
充填することもできる。このように、本実施の形態にお
いては、第1の空間31に放熱ゲルが充填されているの
で、電子部品において発生した熱は、放熱ゲルを介して
放熱フィン23に伝達され、該放熱フィン23によって
大気中に放出される。したがって、基板21に放熱フィ
ンを取り付ける必要がなくなるので、放熱効果を損なう
ことなく電子部品の搭載面積を広くすることができ、基
板21を小型化することができる。
【0020】また、発熱量の多い電子部品を第1の面S
1に集中させて配置し、第1の面S1から重点的に放熱
を行うことができるので、配線基板モジュールの構造を
簡素化することができる。そして、前記第1の面S1に
おいて、ICチップE1が搭載された導体33と伝熱用
内層パターン27との間が伝熱用ビアホール39を介し
て、又は前記導体33と第2の面S2に形成された回路
配線パターンとの間が他の伝熱用ビアホールを介して接
続されるので、電子部品において発生した熱は、前記両
伝熱用ビアホールを介して伝熱用内層パターン27にそ
れぞれ伝達され、拡散される。したがって、電子部品の
温度を低くすることができる。
【0021】また、前記ヒートスプレッダ37及び熱伝
導性放熱シート36によって、放熱フィン23と、電子
部品が搭載された導体33とが熱的に連結されるので、
電子部品から放熱フィン23への熱の伝達を良好にする
ことができる。次に、基板21を構成する絶縁材料とし
てアルミナを使用した場合の、前記構成の配線基板モジ
ュールの製造方法について説明する。
【0022】まず、アルミナ(Al2 3 )を主成分と
する粉末原料に、適当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等
を添加して混合し、ドクターブレード法、カレンダーロ
ール法等のテープ成形技術によってセラミックグリーン
シートを成形する。次に、該セラミックグリーンシート
の所定の位置に孔(あな)空け加工法によって所定の直
径の図示しないスルーホール及び伝熱用ビアホール39
を形成する。
【0023】続いて、タングステン(W)、モリブデン
(Mo)等の高融点金属を主成分とする粉末原料に、適
当な有機バインダ、可塑剤、溶剤等を添加し、混合して
得た金属ペーストを印刷によって前記セラミックグリー
ンシートに塗布し、回路配線パターン、導体33及び伝
熱用内層パターン27を形成する。また、前記スルーホ
ール及び伝熱用ビアホール39には前記金属ペーストが
充填される。
【0024】このような方法を繰り返し、前記回路配線
パターン、伝熱用内層パターン27、導体33、スルー
ホール及び伝熱用ビアホール39が形成されたセラミッ
クグリーンシートを複数枚形成する。次に、各セラミッ
クグリーンシートを、回路配線パターン、伝熱用内層パ
ターン27、導体33、スルーホール及び伝熱用ビアホ
ール39が、電気的及び熱的に接続されるように位置合
わせをして積層し、水素(H2 )、窒素(N2 )等の還
元性雰囲気下において焼成することによって、基板21
が形成される。
【0025】その後、電子部品実装時のダイペースト3
4の接着性、はんだ漏れ性を改善するために、電極、電
子部品実装部等にニッケル(Ni)、銅(Cu)等の図
示しないメッキ層を形成し、該メッキ層の上に金(A
u)、銅等の導体33を、更にメッキ又は印刷によって
形成する 続いて、前記基板21の前記導体33の上に銀(Ag)
ペースト、はんだ等のダイペースト34を介してICチ
ップE1等のベアチップを取り付け、金線、アルミニウ
ム線等を使用するワイヤボンディングによって結線を行
った後、エポキシ系の樹脂又はシリコン系の樹脂15に
よって封止を行う。一方、基板21の第1の面S1及び
第2の面S2の所定箇所に形成された図示しない電極に
はんだを塗布し、各他の電子部品E2〜E4を搭載し
て、リフロー炉内において基板21を通すことによっ
て、各他の部品E2〜E4をはんだ付けする。
【0026】このようにして、電子部品が搭載された基
板21は、適宜の固定方法、例えば、ねじ、接着等によ
ってケース22に取り付けられ、図示しないコネクタと
結線される。そして、前記第1の空間31に前記放熱ゲ
ルを充填し、放熱フィン23をケース22に取り付けた
後、前記放熱ゲルを熱硬化させる。また、ヒートスプレ
ッダ37は、放熱フィン23と一体的に形成され、該放
熱フィン23をケース22に取り付けるときに、ヒート
スプレッダ37と導体33とが、熱伝導性放熱シート3
6を介して、又は図示しない熱伝導性接着剤によって連
結される。
【0027】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させ
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【0028】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、配線基板モジュールにおいては、第1の面及び第
2の面にそれぞれ電子部品が搭載された基板と、該基板
を支持する支持部材と、前記基板の第1の面との間に電
子部品搭載用の空間を置いて前記支持部材に取り付けら
れた放熱部材と、前記電子部品搭載用の空間に充填され
た熱伝導性樹脂とを有する。
【0029】この場合、電子部品において発生した熱
は、熱伝導性樹脂を介して放熱部材に伝達され、該放熱
部材によって大気中に放出される。したがって、電子部
品の温度を低くすることができ、電子部品が自動的に停
止させられたり、破損したりすることはない。また、基
板に放熱部材を直接取り付ける必要がなくなるので、放
熱効果を損なうことなく電子部品の搭載面積を広くする
ことができ、基板を小型化することができる。
【0030】本発明の他の配線基板モジュールにおいて
は、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品による
発熱量は、第2の面に搭載された電子部品による発熱量
より多い。この場合、発熱量の多い電子部品を第1の面
に集中させて配置し、第1の面から重点的に放熱を行う
ことができるので、配線基板モジュールの構造を簡素化
することができる。
【0031】本発明の更に他の配線基板モジュールにお
いては、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品
は、半導体素子及び抵抗体素子の少なくとも一方であ
る。この場合、半導体素子、抵抗体素子等の発熱量の多
い電子部品を第1の面に集中させて配置し、第1の面か
ら重点的に放熱を行うことができるので、配線基板モジ
ュールの構造を簡素化することができる。
【0032】本発明の更に他の配線基板モジュールにお
いては、さらに、前記第1の面に搭載された電子部品
は、半導体素子であり、保護材料によって封止される。
この場合、半導体素子が保護材料によって封止されるの
で、基板の取扱いが容易になり、組付け等の作業性を向
上させることができる。本発明の更に他の配線基板モジ
ュールにおいては、さらに、前記熱伝導性樹脂はゲル状
の樹脂である。
【0033】この場合、前記熱伝導性樹脂はゲル状の樹
脂であるので、電子部品において発生した熱によって熱
伝導性樹脂に熱膨張が生じても、電子部品、配線等に応
力を加えることがない。したがって、電子部品が脱落し
たり配線が切断されたりするのを防止することができ
る。本発明の更に他の配線基板モジュールにおいては、
さらに、前記基板は、基板内部及び第2の面の少なくと
も一方に伝熱用導体層が形成され、第1の面に搭載され
た電子部品と前記伝熱用導体層とが伝熱用ビアホールに
よって接続される。
【0034】この場合、電子部品において発生した熱
は、伝熱用ビアホールを介して基板内部又は第2の面に
配設された伝熱用導体層に伝達され、拡散されるので、
電子部品の温度を低くすることができる。本発明の更に
他の配線基板モジュールにおいては、第1の面及び第2
の面にそれぞれ電子部品が搭載された基板と、該基板を
支持する支持部材と、前記基板の第1の面との間に電子
部品搭載用の空間を置いて前記支持部材に取り付けられ
た放熱部材と、前記第1の面に形成され、電子部品と接
続された伝熱用導体層とを有するとともに、該伝熱用導
体層と前記放熱部材とが熱伝導性接続体を介して連結さ
れる。
【0035】この場合、電子部品において発生した熱
は、伝熱用導体及び熱伝導性接続体を介して放熱部材に
伝達され、該放熱部材によって大気中に放出される。し
たがって、基板に直接放熱部材を取り付ける必要がなく
なるので、放熱効果を損なうことなく電子部品の搭載面
積を広くすることができ、基板を小型化することができ
る。
【0036】また、伝熱用導体層と放熱部材とが熱伝導
性接続体を介して連結されるので、電子部品から放熱部
材への熱伝達を良好にすることができる。本発明の更に
他の配線基板モジュールにおいては、さらに、前記電子
部品搭載用の空間に、熱伝導性樹脂が充填される。この
場合、電子部品において発生した熱は、伝熱用導体及び
熱伝導性接続体を介して放熱部材に伝達され、該放熱部
材によって大気中に放出されるとともに、熱伝導性樹脂
を介して放熱部材に伝達され、該放熱部材によって大気
中に放出される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における配線基板モジュー
ルの断面図である。
【図2】従来の配線基板モジュールの断面図である。
【符号の説明】
15 樹脂 21 基板 22 ケース 23 放熱フィン 27 伝熱用内層パターン 31 第1の空間 33 導体 36 熱伝導性放熱シート 37 ヒートスプレッダ 39 伝熱用ビアホール E1 ICチップ E2〜E4 他の部品 S1 第1の面 S2 第2の面 R1、R2 抵抗体素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹下 良博 鹿児島県姶良郡隼人町内山田1361−3

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の面及び第2の面にそれぞれ電子部
    品が搭載された基板と、該基板を支持する支持部材と、
    前記基板の第1の面との間に電子部品搭載用の空間を置
    いて前記支持部材に取り付けられた放熱部材と、前記電
    子部品搭載用の空間に充填された熱伝導性樹脂とを有す
    ることを特徴とする配線基板モジュール。
  2. 【請求項2】 前記第1の面に搭載された電子部品によ
    る発熱量は、第2の面に搭載された電子部品による発熱
    量より多い請求項1に記載の配線基板モジュール。
  3. 【請求項3】 前記第1の面に搭載された電子部品は、
    半導体素子及び抵抗体素子の少なくとも一方である請求
    項1に記載の配線基板モジュール。
  4. 【請求項4】 前記第1の面に搭載された電子部品は、
    半導体素子であり、保護材料によって封止される請求項
    1に記載の配線基板モジュール。
  5. 【請求項5】 前記熱伝導性樹脂はゲル状の樹脂である
    請求項1に記載の配線基板モジュール。
  6. 【請求項6】 前記基板は、基板内部及び第2の面の少
    なくとも一方に伝熱用導体層が形成され、第1の面に搭
    載された電子部品と前記伝熱用導体層とが伝熱用ビアホ
    ールによって接続される請求項1〜5のいずれか1項に
    記載の配線基板モジュール。
  7. 【請求項7】 第1の面及び第2の面にそれぞれ電子部
    品が搭載された基板と、該基板を支持する支持部材と、
    前記基板の第1の面との間に電子部品搭載用の空間を置
    いて前記支持部材に取り付けられた放熱部材と、前記第
    1の面に形成され、電子部品と接続された伝熱用導体層
    とを有するとともに、該伝熱用導体層と前記放熱部材と
    が熱伝導性接続体を介して連結されることを特徴とする
    配線基板モジュール。
  8. 【請求項8】 前記電子部品搭載用の空間に熱伝導性樹
    脂が充填される請求項7に記載の配線基板モジュール。
JP8291613A 1996-11-01 1996-11-01 配線基板モジュール Pending JPH10135405A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8291613A JPH10135405A (ja) 1996-11-01 1996-11-01 配線基板モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8291613A JPH10135405A (ja) 1996-11-01 1996-11-01 配線基板モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10135405A true JPH10135405A (ja) 1998-05-22

Family

ID=17771225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8291613A Pending JPH10135405A (ja) 1996-11-01 1996-11-01 配線基板モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10135405A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000016398A1 (fr) * 1998-09-11 2000-03-23 Hitachi, Ltd. Module de puissance a semi-conducteur et systeme d'entrainement de moteur
JP2002343935A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力用半導体モジュール
JP2002343907A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Denso Corp 回路装置
WO2014188624A1 (ja) * 2013-05-22 2014-11-27 株式会社カネカ 放熱構造体

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000016398A1 (fr) * 1998-09-11 2000-03-23 Hitachi, Ltd. Module de puissance a semi-conducteur et systeme d'entrainement de moteur
JP2000091499A (ja) * 1998-09-11 2000-03-31 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム
US6313598B1 (en) * 1998-09-11 2001-11-06 Hitachi, Ltd. Power semiconductor module and motor drive system
JP2002343935A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Sansha Electric Mfg Co Ltd 電力用半導体モジュール
JP4672902B2 (ja) * 2001-05-11 2011-04-20 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
JP2002343907A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Denso Corp 回路装置
JP4552354B2 (ja) * 2001-05-14 2010-09-29 株式会社デンソー 回路装置
WO2014188624A1 (ja) * 2013-05-22 2014-11-27 株式会社カネカ 放熱構造体
US9826623B2 (en) 2013-05-22 2017-11-21 Kaneka Corporation Heat dissipating structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4610414B2 (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造
EP0488641A1 (en) Package for a semiconductor element or semiconductor elements
JPH10135405A (ja) 配線基板モジュール
JP3193142B2 (ja) 基 板
JPH10326984A (ja) 配線基板モジュール
JP3667130B2 (ja) 配線基板モジュール
JP2001102475A (ja) 半導体素子用パッケージおよびその実装構造
JPH10178243A (ja) 放熱板付きプリント回路基板およびその製造方法
JP2000340896A (ja) 配線基板モジュール
JP2000183253A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH0613487A (ja) マルチチップモジュール
CN109524374A (zh) 一种led发光模块
JP2003068954A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2965223B2 (ja) 放熱用複合基板
JPH1117047A (ja) 電子部品搭載用基板
JP2000114442A (ja) 電子部品用パッケージ
JPH11289037A (ja) 放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージ
JP2002076213A (ja) 半導体素子モジュール
JP2000077583A (ja) 電子部品用パッケージおよびその製造方法
JPH05114665A (ja) 放熱性基板
JP4574071B2 (ja) 放熱部材および半導体素子収納用パッケージ
JPH11297909A (ja) 放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージ
JP2000236034A (ja) 電子部品用パッケージ
JP2006013356A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP3640238B2 (ja) 放熱用金属板およびそれを用いた電子部品用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060418

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060822