JPS647496B2 - - Google Patents

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JPS647496B2
JPS647496B2 JP277688A JP277688A JPS647496B2 JP S647496 B2 JPS647496 B2 JP S647496B2 JP 277688 A JP277688 A JP 277688A JP 277688 A JP277688 A JP 277688A JP S647496 B2 JPS647496 B2 JP S647496B2
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JP
Japan
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heat sink
resin material
exterior resin
molding
molded
Prior art date
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JP277688A
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English (en)
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JPS63211638A (ja
Inventor
Takayuki Koseki
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NEC Home Electronics Ltd
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は放熱板の裏面を含んで外装樹脂材を
モールド成形した絶縁タイプの樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関する。
従来の技術 放熱性を重視する樹脂封止型半導体装置は一般
に放熱板の裏面を露出させて樹脂モールド成形
し、放熱板裏面を放熱器等の外部取付部材に密接
するように取付けているが、最近はコレクタ絶縁
タイプのトランジスタのように放熱板を外部取付
部材に絶縁して取付ける絶縁タイプのものが多方
面で要求され、普及している。この絶縁タイプの
樹脂封止型半導体装置としては上記放熱板裏面露
出タイプのものを放熱板裏面に放熱性を損なわな
い程度の薄いマイカ板を敷設したり、シリコング
リスを塗着する等して外部取付部材と電気的絶縁
して実装するものが一般的であるが、このタイプ
のものはマイカ板やシリコングリス等の装着作業
が面倒で実装の作業性が悪く、また半導体装置と
別個のマイカ板等の絶縁部材の保守管理が煩雑で
ある等の問題があつた。
上記問題を解決するものとして、放熱板を裏面
を含めて全面的に樹脂モールド成形した絶縁タイ
プの樹脂封止型半導体装置が実用化されている。
これらの従来例を第1図及び第2図で説明する
と、1は放熱板、2は放熱板1から同一方向の外
方に延びる例えば3本一組のリードで、中央の1
本の先端は放熱板1の端に一体化され、両側の2
本の先端は放熱板1の近傍に位置する。3は放熱
板1上に固着された半導体素子、4は半導体素子
3の表面電極と対応する両側リード2の先端部と
を電気的接続する金属細線、5は放熱板1の一部
に穿設された取付穴、6は放熱板1の裏面mを含
む全面にモールド成形された外装樹脂材である。
7は外装樹脂材6の表裏面を貫通した取付用ネジ
挿通穴で、取付穴5の中央を通る。外装樹脂材6
の内の放熱板1裏面に被着されたものは外部取付
部材8から放熱板1を熱的結合させるが電気的に
絶縁する薄い等厚の樹脂絶縁膜9として形成さ
れ、これは放熱板1の放熱性を損なわない程度の
厚さ(約0.2〜0.4mm)で形成される。このような
半導体装置の外部取付部材9への実装は単にネジ
止め等するだけの簡単な作業で行われる。
発明が解決しようとする問題点 ところで、上記半導体装置は樹脂モールド成形
上に次の問題点があつた。例えば上記外装樹脂材
6は第3図に示すような上金型10と下金型11
を使つて1回のモールド成形で行われる。即ち、
上,下金型10,11でリード2を型締めして、
キヤビテイ12内に放熱板1をその裏面mをキヤ
ビテイ内面と一定の微小間隔gで対向させて中空
に浮かした状態で保持しておいて、キヤビテイ1
2内に溶融樹脂材を注入することで行われてい
る。尚、第3図の13はネジ挿通穴7の形成用ツ
ールである。
上述の如きモールド成形は上,下金型10,1
1でリード2を挾持することのみで放熱板1をキ
ヤビテイ12内に浮かせて保持しているため、モ
ールド成形時の放熱板1の安定性が悪くて注入さ
れる溶融樹脂材の流圧で放熱板1が動き、キヤビ
テイ内面との間隔gが部分的に変化して、結果的
に樹脂絶縁膜9の厚さにバラツキが生じることが
あつた。この樹脂絶縁膜9の厚さのバラツキは放
熱板1の部分的な放熱性のバラツキとなり、また
部分的に薄くなつたところが半導体装置実装後の
高電圧印加で絶縁破壊を起こして耐圧劣下を招く
等して信頼性に問題があつた。
また放熱板1の裏面mの樹脂絶縁膜9を等厚に
形成する工夫として、モールド成形時に放熱板1
を側方からピンを押圧して安定に支持する手段
や、例えば第4図に示すように放熱板1の上記リ
ード2と反対側端部より補強用リード2′を追加
して延ばし、リード2と補強用リード2′を上,
下金型10′,11′で型締めすることにより放熱
板1のモールド成形時の安定性を良好ならしめた
ものがある(例えば特開昭57−188858号参照)。
しかし、この種モールド成形時の放熱板補強手段
はモールド成形後に補強に使つたピンや抜け穴や
リードの切断面が外装樹脂材表面に現れて外観を
悪くし、またピンの抜け穴から放熱板が露出する
等して耐圧上にも問題があり好ましくなかつた。
問題点を解決するための手段 本発明は上記従来問題点に鑑み、外観や耐圧を
損なうことなく放熱板裏面の樹脂絶縁膜が等厚に
形成し得る構造の絶縁タイプ樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供することを目的とし、放熱板
に全面的にモールド成形される外装樹脂材を2回
に分けて形成したことを特徴とするもので、1回
目のモールド成形は少なくとも放熱板の裏面を除
く部分で行い、2回目のモールド成形は放熱板の
裏面を含む残り部分で行う。
作 用 このように2回のモールド成形により外装樹脂
材を形成すると、1回目のモールド成形時には放
熱板の裏面をモールド成形用金型のキヤビテイ内
面に当接させて金型で放熱板を直接に型締めする
ことができ、2回目のモールド成形時は1回目の
モールド成形で形成された部分的な外装樹脂材が
金型のキヤビテイ内での放熱板の保持に利用で
き、これにより2回目のモールド成形時に放熱板
裏面に形成される樹脂絶縁膜の膜厚の均一化が容
易になる。1回目のモールド成形を放熱板の裏面
を除き放熱板の半導体素子固着部分を含む要部で
行えば、1回目のモールド成形で形成される外装
樹脂材内に半導体素子や金属細線が封入保護さ
れ、2回目のモールド成形が容易にできて製造上
有利である。
実施例 第1図及び第2図と同一形状の樹脂封止型半導
体装置の製造に本発明を適用した実施例を第5図
に示すと、第1図及び第2図と同一符号のものは
同一物を示し、相違するのは次の外装樹脂材15
の形成方法のみである。外装樹脂材15は2回に
分けてモールド成形されたもので、1回目のモー
ルド成形で形成された第1外装樹脂材15aと、
2回目のモールド成形で形成された第2外装樹脂
材15bで構成される。第1外装樹脂材15aは
放熱板1の表面の素子固着部分周辺n1からリード
2の先端部上にわたる部分的な位置にモールド成
形され、第2外装樹脂材15bは残りの要部露出
部分にモールド成形される。
第1外装樹脂材15aは例えば第6図に示すよ
うな上金型16と下金型17をリード2の被樹脂
モールド部分と、放熱板1の表面の素子固着部分
周辺n1を除く取付穴周辺部分n2及び放熱板裏面m
に密着させて型締めした状態で、上,下金型1
6,17間に形成されたキヤビテイ18に溶融樹
脂材を注入して形成される。
第2外装樹脂材15bは第7図に示すような
上,下金型19,20を使つてモールド成形すれ
ばよい。上,下金型19,20の衝合部分に形成
されるキヤビテイ21は第1外装樹脂材15aが
部分的に嵌挿される第1外装樹脂材保持用凹部2
1′を有し、このキヤビテイ21内に放熱板1は
裏面mをキヤビテイ21の頂面から一定の間隔g
で浮かせた状態で保持される。この時の放熱板1
の保持は上,下金型19,20によるリード2の
挾持と凹部21′による第1外装樹脂材15aの
位置決め保持の両方で行われるので、放熱板1は
強固に保持され、この状態でキヤビテイ21内に
溶融樹脂材を注入すれば第2外装樹脂材15bが
モールド成形される。この2回目のモールド成形
時に形成される放熱板1の裏面m上の樹脂絶縁膜
15cの厚みは放熱板1の安定性改善により十分
薄く且つ均一になる。尚、第7図13はネジ挿通
穴形成用ツールである。第2外装樹脂材15bと
第1外装樹脂材15aは同種の樹脂材で形成する
ことが望ましいが、その限りではない。第1,第
2外装樹脂材15a,15bが一体化された外装
樹脂材15はその表面にピン抜け穴や補強用リー
ド切断面などが無く、従つて外観や耐圧の改善が
容易に図れる。
第1,第2外装樹脂材15a,15bの形状は
様々な変更が可能で、その変更例を第8図の実施
例で説明する。第8図の外装樹脂材22は放熱板
1の表面の素子固着部分周辺n1上とリード2の先
端部上下周辺にモールド成形された第1外装樹脂
材22aと、残りの要部にモールド成形された第
2外装樹脂材22bで構成される。第1外装樹脂
材22aのリード先端部の下方部分はコーナに切
込み形状の段部23を形成した形状で、この段部
23内に第2外装樹脂材22bの一部が回り込ん
で被着形成される。第2外装樹脂材22bのモー
ルド成形は、例えば第9図に示すように上,下金
型24,25でリード2と、第1外装樹脂材22
aを段部23を利用して上下方向から挾持して型
締めした状態で行えばよい。このようにすると放
熱板1の保持強度が段部23への挾持力の追加に
て尚更に大きくなり、放熱板裏面mの樹脂絶縁膜
22cの厚み均一化が容易となる。
尚、上記各実施例におけるモールド成形は金型
のキヤビテイ内で放熱板の裏面を上にして行うよ
うにしてもよい。
発明の効果 以上の如く、本発明は第1外装樹脂材を形成し
た後、第2外装樹脂材を放熱板裏面上も含めて形
成したことにより、2回目のモールド成形時の放
熱板保持が特別なピンやリードなどの部材を使う
ことなく強固に行え、従つて外装樹脂材の外観を
損なうこと無く、且つ耐圧を劣下させること無く
放熱板裏面上に樹脂絶縁膜を均一な厚さで形成す
ることが可能であり、絶縁タイプの樹脂封止型半
導体装置の品質改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来の樹脂封止型半導体装
置の部分省略平面図及びA−A線に沿う断面図、
第3図は第1図の半導体装置の樹脂モールド成形
用金型の部分断面図、第4図は他の従来の半導体
装置における樹脂モールド成形用金型の部分断面
図、第5図は本発明の一実施例を示す断面図、第
6図及び第7図は第5図の半導体装置製造用金型
の二例を示す各部分断面図、第8図は本発明の他
の実施例を示す断面図、第9図は第8図の半導体
装置製造用金型の部分断面図である。 1……放熱板、m……放熱板裏面、2……リー
ド、3……半導体素子、15,22……外装樹脂
材、15a,22a……第1外装樹脂材、15
b,22b……第2外装樹脂材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 放熱板上に半導体素子を固定し、半導体素子
    の表面電極とリードとを電気的に接続した後、放
    熱板の全面を含む要部を樹脂材にてモールド成形
    し外装する半導体装置の製造方法において、前記
    外装樹脂材を、少なくとも放熱板の非素子固着側
    裏面を除く部分を第1の樹脂材にてモールド成形
    した後、放熱板の裏面を含む残り部分を第2の樹
    脂材にてモールド成形して形成したことを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP277688A 1988-01-08 1988-01-08 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Granted JPS63211638A (ja)

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