JPS6188535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6188535A JPS6188535A JP21071384A JP21071384A JPS6188535A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A
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- resin
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- plate
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放熱板の裏面をも樹脂で被覆した絶縁型モール
ドタイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
ドタイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の絶縁型モールド封止形トランジスタの製造方法の
代表例を第4図に示す。モールド成形の際、同図(5)
に示すように、放熱板2にはクシピン8を有し、このつ
夛ピン8を金型3,4で押えて、金型3,4内での放熱
板2の位置決めを行なっている。この状態で金型3,4
内に樹脂1を注入してモールド封止し、金型3,4から
取り出して同図t13>の形状を得る。これでは、クシ
ピン8が露出しておシ、高電圧をかけると放電してしま
うので。
代表例を第4図に示す。モールド成形の際、同図(5)
に示すように、放熱板2にはクシピン8を有し、このつ
夛ピン8を金型3,4で押えて、金型3,4内での放熱
板2の位置決めを行なっている。この状態で金型3,4
内に樹脂1を注入してモールド封止し、金型3,4から
取り出して同図t13>の形状を得る。これでは、クシ
ピン8が露出しておシ、高電圧をかけると放電してしま
うので。
絶縁耐圧が要求される用途では不利となシ、同図(qに
示すように、絶縁物質9で露出するクシピン8をおおう
こともある。また、絶縁物質9でおおう前には、通常つ
シピン8をさらに短く切断する工程が入シ、製品の完成
までに復雑な工程をたどることになる。また、製品の品
質及び信頼性面では、つりピン切断の精度及びダレの防
止、つりピンをおおう絶縁物質9の品質及び接着強度の
確保。
示すように、絶縁物質9で露出するクシピン8をおおう
こともある。また、絶縁物質9でおおう前には、通常つ
シピン8をさらに短く切断する工程が入シ、製品の完成
までに復雑な工程をたどることになる。また、製品の品
質及び信頼性面では、つりピン切断の精度及びダレの防
止、つりピンをおおう絶縁物質9の品質及び接着強度の
確保。
絶縁物質9の形状及び接着面の外観の維持等の管理が難
かしくなる。
かしくなる。
本発明の目的は、特に製造工程の簡単な絶縁型モールド
樹脂封止牛導体装置の製造方法を提供することにある。
樹脂封止牛導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、金型内で放熱板を絶縁物を介して保持
し、この状態で絶縁物とともに樹脂封止する絶縁型モー
ルド樹脂封止半導体装置の製造方法を得る。
し、この状態で絶縁物とともに樹脂封止する絶縁型モー
ルド樹脂封止半導体装置の製造方法を得る。
以下1図面を用いて本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例による製造工程を示すもので
ある。まず同図(5)に示す通り、放熱板2にはつシピ
ンは形成しない。放熱板2に絶縁板6を密着させ、その
後絶縁板6を金型3,4の位置決めピン5a、5bで押
さえて、樹脂1を注入してモールド成形する。このよう
にして得られた製品の側面図および裏面図を同図(Bl
、(qに示す。樹脂1の位置決めピン5a、5bの位置
は開孔7が形成されているが、放熱板2の裏面は絶縁板
6でおおわれているので放熱板から放電することはない
。絶縁板6の放熱板2への密着方法としては。
ある。まず同図(5)に示す通り、放熱板2にはつシピ
ンは形成しない。放熱板2に絶縁板6を密着させ、その
後絶縁板6を金型3,4の位置決めピン5a、5bで押
さえて、樹脂1を注入してモールド成形する。このよう
にして得られた製品の側面図および裏面図を同図(Bl
、(qに示す。樹脂1の位置決めピン5a、5bの位置
は開孔7が形成されているが、放熱板2の裏面は絶縁板
6でおおわれているので放熱板から放電することはない
。絶縁板6の放熱板2への密着方法としては。
成形後はモールドでささえられるので放熱板2に接着剤
を用いて接着しても良いし、また位置決めピン5bの位
置に合わせて置くだけでも良い。
を用いて接着しても良いし、また位置決めピン5bの位
置に合わせて置くだけでも良い。
絶縁板6の形状及び取付位置は、第2図に示すように放
熱板20県面全面と表面の位置決めピ15aに対応する
部分とでもよいし、第3図に示すように、放熱板2を左
右で位置決めピンでささえる二うにしてこの部分に絶縁
板6を設けても良い。
熱板20県面全面と表面の位置決めピ15aに対応する
部分とでもよいし、第3図に示すように、放熱板2を左
右で位置決めピンでささえる二うにしてこの部分に絶縁
板6を設けても良い。
このような製造方法にすると、工程が簡単になり、つシ
ピンを用いないのでクシピン切断に関する問題も解消さ
れ、絶縁板と放熱板との密着強度も成形することにより
、モールド樹脂でおさえられて強くなシ、放熱板と絶縁
板の接着面も成形後はモールドにより、隠されるのでそ
れほどきれいにする必要もなくなり、管理がやり易くな
る。
ピンを用いないのでクシピン切断に関する問題も解消さ
れ、絶縁板と放熱板との密着強度も成形することにより
、モールド樹脂でおさえられて強くなシ、放熱板と絶縁
板の接着面も成形後はモールドにより、隠されるのでそ
れほどきれいにする必要もなくなり、管理がやり易くな
る。
このように1本発明によれば、容易に絶縁型モ・−ルド
樹脂封止半導体装置を製造することができる。
樹脂封止半導体装置を製造することができる。
第1区内は本発明の一実施例による絶縁型モールド樹脂
封止半導体装置の製造工程を示す断面図、同図(均は成
形後の半導体装置の側面図、同図(qは成形後の半導体
装置の裏面図である。第2図および第3図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。第4回置は従来の絶縁型
モールド樹脂封止半導体装置の製造工程を示す断面図、
同図(B)はモールド後の製品を示す側面図、同図(q
は改良した製品の断面図である。 1・・・・・・モールド樹脂、2・・・・・・放熱板、
3.4・・・・・・成形金型% 5,5a、5b・・・
・・°位置決めピン、6・・・・・・絶縁板、7a、7
b・・・・・・位置決めピンによってできた開孔、8・
・・・・・つシピン、9・・・・・・つシヒンをおおう
絶縁物質。 (B) 71)開J乙 菜 f 面 2放れは7閘犯 単3 図 <A) 第4 ゾ
封止半導体装置の製造工程を示す断面図、同図(均は成
形後の半導体装置の側面図、同図(qは成形後の半導体
装置の裏面図である。第2図および第3図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。第4回置は従来の絶縁型
モールド樹脂封止半導体装置の製造工程を示す断面図、
同図(B)はモールド後の製品を示す側面図、同図(q
は改良した製品の断面図である。 1・・・・・・モールド樹脂、2・・・・・・放熱板、
3.4・・・・・・成形金型% 5,5a、5b・・・
・・°位置決めピン、6・・・・・・絶縁板、7a、7
b・・・・・・位置決めピンによってできた開孔、8・
・・・・・つシピン、9・・・・・・つシヒンをおおう
絶縁物質。 (B) 71)開J乙 菜 f 面 2放れは7閘犯 単3 図 <A) 第4 ゾ
Claims (1)
- 素子の放熱板全体を樹脂でおおってなる半導体装置の
製造方法において、放熱板に絶縁板を密着させて、該絶
縁板を位置決めピンで押さえた状態で樹脂封止すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21071384A JPS6188535A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21071384A JPS6188535A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6188535A true JPS6188535A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16593866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21071384A Pending JPS6188535A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6188535A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0514621U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-26 | リウ バオ−シエン | 吸 盤 |
EP0574662A3 (en) * | 1992-06-15 | 1994-05-25 | Motorola Inc | Insulated semiconductor package |
US5370517A (en) * | 1990-10-31 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device |
US5445995A (en) * | 1991-12-20 | 1995-08-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink |
US5629574A (en) * | 1992-06-30 | 1997-05-13 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Control interface device for an electric motor |
CN104823277A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-05 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造开关模块及所属的格栅模块的方法及所属的格栅模块和相应的电子的标准组件 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21071384A patent/JPS6188535A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5370517A (en) * | 1990-10-31 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device |
JPH0514621U (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-26 | リウ バオ−シエン | 吸 盤 |
US5445995A (en) * | 1991-12-20 | 1995-08-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink |
EP0574662A3 (en) * | 1992-06-15 | 1994-05-25 | Motorola Inc | Insulated semiconductor package |
US5629574A (en) * | 1992-06-30 | 1997-05-13 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Control interface device for an electric motor |
CN104823277A (zh) * | 2012-12-10 | 2015-08-05 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造开关模块及所属的格栅模块的方法及所属的格栅模块和相应的电子的标准组件 |
JP2015536579A (ja) * | 2012-12-10 | 2015-12-21 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 切換モジュールおよび付属の格子モジュールを作製する方法ならびに付属の格子モジュールおよび対応した電子ユニット |
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