JPS6188535A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6188535A
JPS6188535A JP21071384A JP21071384A JPS6188535A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP 21071384 A JP21071384 A JP 21071384A JP S6188535 A JPS6188535 A JP S6188535A
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JP
Japan
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insulating plate
resin
heat radiating
plate
semiconductor device
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Application number
JP21071384A
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English (en)
Inventor
Masataka Yanaga
彌永 政孝
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は放熱板の裏面をも樹脂で被覆した絶縁型モール
ドタイプの半導体装置の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の絶縁型モールド封止形トランジスタの製造方法の
代表例を第4図に示す。モールド成形の際、同図(5)
に示すように、放熱板2にはクシピン8を有し、このつ
夛ピン8を金型3,4で押えて、金型3,4内での放熱
板2の位置決めを行なっている。この状態で金型3,4
内に樹脂1を注入してモールド封止し、金型3,4から
取り出して同図t13>の形状を得る。これでは、クシ
ピン8が露出しておシ、高電圧をかけると放電してしま
うので。
絶縁耐圧が要求される用途では不利となシ、同図(qに
示すように、絶縁物質9で露出するクシピン8をおおう
こともある。また、絶縁物質9でおおう前には、通常つ
シピン8をさらに短く切断する工程が入シ、製品の完成
までに復雑な工程をたどることになる。また、製品の品
質及び信頼性面では、つりピン切断の精度及びダレの防
止、つりピンをおおう絶縁物質9の品質及び接着強度の
確保。
絶縁物質9の形状及び接着面の外観の維持等の管理が難
かしくなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、特に製造工程の簡単な絶縁型モールド
樹脂封止牛導体装置の製造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、金型内で放熱板を絶縁物を介して保持
し、この状態で絶縁物とともに樹脂封止する絶縁型モー
ルド樹脂封止半導体装置の製造方法を得る。
〔実施例〕
以下1図面を用いて本発明を説明する。
第1図は本発明の一実施例による製造工程を示すもので
ある。まず同図(5)に示す通り、放熱板2にはつシピ
ンは形成しない。放熱板2に絶縁板6を密着させ、その
後絶縁板6を金型3,4の位置決めピン5a、5bで押
さえて、樹脂1を注入してモールド成形する。このよう
にして得られた製品の側面図および裏面図を同図(Bl
、(qに示す。樹脂1の位置決めピン5a、5bの位置
は開孔7が形成されているが、放熱板2の裏面は絶縁板
6でおおわれているので放熱板から放電することはない
。絶縁板6の放熱板2への密着方法としては。
成形後はモールドでささえられるので放熱板2に接着剤
を用いて接着しても良いし、また位置決めピン5bの位
置に合わせて置くだけでも良い。
絶縁板6の形状及び取付位置は、第2図に示すように放
熱板20県面全面と表面の位置決めピ15aに対応する
部分とでもよいし、第3図に示すように、放熱板2を左
右で位置決めピンでささえる二うにしてこの部分に絶縁
板6を設けても良い。
〔発明の効果〕
このような製造方法にすると、工程が簡単になり、つシ
ピンを用いないのでクシピン切断に関する問題も解消さ
れ、絶縁板と放熱板との密着強度も成形することにより
、モールド樹脂でおさえられて強くなシ、放熱板と絶縁
板の接着面も成形後はモールドにより、隠されるのでそ
れほどきれいにする必要もなくなり、管理がやり易くな
る。
このように1本発明によれば、容易に絶縁型モ・−ルド
樹脂封止半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1区内は本発明の一実施例による絶縁型モールド樹脂
封止半導体装置の製造工程を示す断面図、同図(均は成
形後の半導体装置の側面図、同図(qは成形後の半導体
装置の裏面図である。第2図および第3図は本発明の他
の実施例を示す断面図である。第4回置は従来の絶縁型
モールド樹脂封止半導体装置の製造工程を示す断面図、
同図(B)はモールド後の製品を示す側面図、同図(q
は改良した製品の断面図である。 1・・・・・・モールド樹脂、2・・・・・・放熱板、
3.4・・・・・・成形金型% 5,5a、5b・・・
・・°位置決めピン、6・・・・・・絶縁板、7a、7
b・・・・・・位置決めピンによってできた開孔、8・
・・・・・つシピン、9・・・・・・つシヒンをおおう
絶縁物質。 (B)       71)開J乙 菜 f 面 2放れは7閘犯 単3 図 <A) 第4 ゾ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  素子の放熱板全体を樹脂でおおってなる半導体装置の
    製造方法において、放熱板に絶縁板を密着させて、該絶
    縁板を位置決めピンで押さえた状態で樹脂封止すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP21071384A 1984-10-08 1984-10-08 半導体装置の製造方法 Pending JPS6188535A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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