JPS63166252A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63166252A JPS63166252A JP61314115A JP31411586A JPS63166252A JP S63166252 A JPS63166252 A JP S63166252A JP 61314115 A JP61314115 A JP 61314115A JP 31411586 A JP31411586 A JP 31411586A JP S63166252 A JPS63166252 A JP S63166252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- semiconductor device
- resin
- internal
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
この発明は半導体装置、特にその放熱板に関するもので
ある。
ある。
第６図、第７図、第８図は従来の半導体装置の内部平面
図、内部側面図、裏面外観平面図であり、第９図は完成
斜視図、第１０図は第７図中Ｂ部の部分拡大図である。
図、内部側面図、裏面外観平面図であり、第９図は完成
斜視図、第１０図は第７図中Ｂ部の部分拡大図である。
図において、１はリードフレーム、２〜５は外部リード
、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一体化された内
部電極、１Ｇ−１３は内部電極６〜９に固着された半導
体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成する内部リー
ド、１８はモールド成形樹脂による絶縁物、１９は外部
への熱の放散の役目をする平板から成る放熱板、２０は
内部電極６〜９と放熱板１９との間の絶縁層、２１は外
部冷却フィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶
縁層２１の厚みを一定に保つ為の接続板である。
、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一体化された内
部電極、１Ｇ−１３は内部電極６〜９に固着された半導
体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成する内部リー
ド、１８はモールド成形樹脂による絶縁物、１９は外部
への熱の放散の役目をする平板から成る放熱板、２０は
内部電極６〜９と放熱板１９との間の絶縁層、２１は外
部冷却フィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶
縁層２１の厚みを一定に保つ為の接続板である。
次に動作について説明する。リードフレーム１の状態で
内部Ｔｉ極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、
内部リード１４〜１７により、所要の回路を形成後、平
板より成る放熱板１９を背面に設置し、その−面を露出
した状態で外部リード２〜５以外を絶縁物１８にて樹脂
モールドを行った後、リードフレーム１の不要な部分を
取除き、半導体装置が完成する。
内部Ｔｉ極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、
内部リード１４〜１７により、所要の回路を形成後、平
板より成る放熱板１９を背面に設置し、その−面を露出
した状態で外部リード２〜５以外を絶縁物１８にて樹脂
モールドを行った後、リードフレーム１の不要な部分を
取除き、半導体装置が完成する。
半導体装置は外部リード２〜５に必要な配線を行い、放
熱板１９の面を冷却フィン取付側に配置して、取付穴２
１にて取付け、所要の電力を供給する事ができる。内部
電極６〜９と放熱板１９との絶縁及び放熱の為の熱伝導
は絶縁層２０を介して行われ、絶縁層２０と放熱板１９
との接合は（放熱板１９が平板テするため）絶縁Ｊ８２
０を形成するモールド成形樹脂の接着力によっている。
熱板１９の面を冷却フィン取付側に配置して、取付穴２
１にて取付け、所要の電力を供給する事ができる。内部
電極６〜９と放熱板１９との絶縁及び放熱の為の熱伝導
は絶縁層２０を介して行われ、絶縁層２０と放熱板１９
との接合は（放熱板１９が平板テするため）絶縁Ｊ８２
０を形成するモールド成形樹脂の接着力によっている。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
モールド成形樹脂程度のｍ脳液着力では絶縁層２０と、
放熱板１９との接合力が十分でなく、外力をはじめとし
て、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外的要因に
より放熱板１９が絶縁［２０から外れ易く、放熱機能を
維持できないなどの問題点があった。
モールド成形樹脂程度のｍ脳液着力では絶縁層２０と、
放熱板１９との接合力が十分でなく、外力をはじめとし
て、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外的要因に
より放熱板１９が絶縁［２０から外れ易く、放熱機能を
維持できないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、絶縁層と放熱板の接合力を増し、外力をはじ
め、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外的要因に
よっても放熱板が絶Ｉｉ層から外れることなく、放熱機
能を維持する事ができろ半導体装置を得る事を目的とす
る。
たもので、絶縁層と放熱板の接合力を増し、外力をはじ
め、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外的要因に
よっても放熱板が絶Ｉｉ層から外れることなく、放熱機
能を維持する事ができろ半導体装置を得る事を目的とす
る。
この発明に係る半導体装置は、放熱板側面部に面取り部
分を設は他の部分と同時にｍ脂モールドしたものである
。
分を設は他の部分と同時にｍ脂モールドしたものである
。
この発明における半導体装置は放熱板側面部に面取り部
分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドすることによ
り、形成される絶縁層と放熱板との接合がより強固にな
る。
分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドすることによ
り、形成される絶縁層と放熱板との接合がより強固にな
る。
以下この発明の一実施例を図【ζついて説明する。
第１図〜第５図において、１はリードフレーム、２〜５
は外部リード、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一
体化された内部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固
着された半導体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成
する内部リード、１８はモールド成形樹脂による絶縁物
、２４はその側面部に面取り部分２４３を有し、他の部
分と同時に一面が露出するように樹脂モールドされ外部
への熱の放散の役目をする放熱板、２０は内部電極６〜
９と放熱板２４との間の絶！［，２１は外部冷却フィン
（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶縁ｙｆｊ２１
の厚みを一定に保つ為の接続板である。
は外部リード、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一
体化された内部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固
着された半導体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成
する内部リード、１８はモールド成形樹脂による絶縁物
、２４はその側面部に面取り部分２４３を有し、他の部
分と同時に一面が露出するように樹脂モールドされ外部
への熱の放散の役目をする放熱板、２０は内部電極６〜
９と放熱板２４との間の絶！［，２１は外部冷却フィン
（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶縁ｙｆｊ２１
の厚みを一定に保つ為の接続板である。
次に動作について説明する。リードフレーム１の状態で
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７によ抄所要の回路を形成後、放熱板
２４を背面に設置した状態で外部＋３−ド２〜５以外を
ＦＩ！ｉ物１８で樹脂モールドを行う。
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７によ抄所要の回路を形成後、放熱板
２４を背面に設置した状態で外部＋３−ド２〜５以外を
ＦＩ！ｉ物１８で樹脂モールドを行う。
樹脂モールドを行うと、放熱板２４の側面部に設けた面
取り部２４ａは半導体装置内部に隠れ、外観上は従来品
とほとんど変わらなくなるが、構造的に放熱板２４側面
部に設けた面取り部２４ｍを絶縁物１８によって抑え込
む状態となる。樹脂封止後、接続板２２．２３を絶縁物
１８から引抜（と共にリードフレーム１を最終製品形状
に仕上げ半導体装置が完成する。
取り部２４ａは半導体装置内部に隠れ、外観上は従来品
とほとんど変わらなくなるが、構造的に放熱板２４側面
部に設けた面取り部２４ｍを絶縁物１８によって抑え込
む状態となる。樹脂封止後、接続板２２．２３を絶縁物
１８から引抜（と共にリードフレーム１を最終製品形状
に仕上げ半導体装置が完成する。
なお上記実施例では放熱板２４の両側面２ケ所に面取部
分２４ａを設けたものを示したが３ケ所又は４ケ所に面
取り部分を設けても良い。
分２４ａを設けたものを示したが３ケ所又は４ケ所に面
取り部分を設けても良い。
以上のように、この発明によれば放熱板側面部に面取り
部分を設け、他の部分と同時に樹脂封止するように構成
したので放熱板側面部の面取り部分を絶縁物によって抑
え込むことができ、形成された絶縁層と放熱板との接合
がより強固なものが得られ、外力をはじめと−トサイク
ルテスト、耐湿テスト等に耐えると共に放熱機能を維持
できる信頼性の高いものが得られる効果がある。
部分を設け、他の部分と同時に樹脂封止するように構成
したので放熱板側面部の面取り部分を絶縁物によって抑
え込むことができ、形成された絶縁層と放熱板との接合
がより強固なものが得られ、外力をはじめと−トサイク
ルテスト、耐湿テスト等に耐えると共に放熱機能を維持
できる信頼性の高いものが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す内
部平面図、第２図は同内部側面図、第３図は同裏面外観
平面図、第４図は完成斜視図、第５図はこの発明の一実
施例による第２図中Ａ部を示す部分拡大図、第６図は従
来の半導体装置を示す内部平面図、第７図は同内部側面
図、第８図は同裏面外観平面図、第９図は同完成斜視図
、第１０図は第７図中Ｂ部を示す部分拡大図である。 図中、１はリードフレーム、２〜５は外部リード、６〜
９は内部電極、１０〜１３は半導体チップ、１４〜１７
は内部リード、１８は絶縁物、２ｏは絶縁石、２１は取
付穴、２２．２３は接続板、２４は放熱板、２４ａは面
取り部である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
部平面図、第２図は同内部側面図、第３図は同裏面外観
平面図、第４図は完成斜視図、第５図はこの発明の一実
施例による第２図中Ａ部を示す部分拡大図、第６図は従
来の半導体装置を示す内部平面図、第７図は同内部側面
図、第８図は同裏面外観平面図、第９図は同完成斜視図
、第１０図は第７図中Ｂ部を示す部分拡大図である。 図中、１はリードフレーム、２〜５は外部リード、６〜
９は内部電極、１０〜１３は半導体チップ、１４〜１７
は内部リード、１８は絶縁物、２ｏは絶縁石、２１は取
付穴、２２．２３は接続板、２４は放熱板、２４ａは面
取り部である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金属板に半導体チップを固着し内部リードにより所要回
路を形成し熱放散を良くするために冷却フィン取付面側
に放熱板を設け、これらを上記放熱板の一面を露出する
ように樹脂封止した半導体装置において、該放熱板と樹
脂との接合をより強固にするため放熱板側面部に面取り
部分を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314115A JPS63166252A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314115A JPS63166252A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166252A true JPS63166252A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=18049424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314115A Pending JPS63166252A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166252A (ja) |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP61314115A patent/JPS63166252A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4878106A (en) | Semiconductor circuit packages for use in high power applications and method of making the same | |
| JP2912526B2 (ja) | 半導体パワーモジュールおよび複合基板 | |
| US4712127A (en) | High reliability metal and resin container for a semiconductor device | |
| JPH0263142A (ja) | モールド・パッケージおよびその製造方法 | |
| JP3655338B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6378558A (ja) | 電子装置 | |
| JPS63166252A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2585771B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004273946A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6188535A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63166251A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3097842B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
| JPS63104456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01282846A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS5835377B2 (ja) | 電子機器の製造方法 | |
| JPH0338837Y2 (ja) | ||
| JPS63296345A (ja) | フイルムキヤリア | |
| JPH05267503A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60110145A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS58186958A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0831986A (ja) | 放熱板付半導体装置 | |
| JPH04124860A (ja) | 半導体パッケージ | |
| KR200167587Y1 (ko) | 반도체 패캐이지 | |
| JPH0758245A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5812455Y2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |