JPS63166251A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63166251A JPS63166251A JP31411686A JP31411686A JPS63166251A JP S63166251 A JPS63166251 A JP S63166251A JP 31411686 A JP31411686 A JP 31411686A JP 31411686 A JP31411686 A JP 31411686A JP S63166251 A JPS63166251 A JP S63166251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- resin
- semiconductor device
- insulating layer
- insulating material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特にその放熱板に関するもので
ある。
ある。
第６図、第７図、第８図は従来の半導体装置の内部平面
図、内部側面図、裏面外観平面図であり、第９図は完成
斜視図、第１０図は放熱板の斜視図である。
図、内部側面図、裏面外観平面図であり、第９図は完成
斜視図、第１０図は放熱板の斜視図である。
図において、１はリードフレーム、２〜５は外部リード
、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一体化された内
部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固着された半導
体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成する内部リー
ド、１８はモールド成形樹脂による絶縁物、１９は外部
への熱の放散の役目をする平板から成る放熱板、２０は
内部電極６〜９と放熱板１９との間の絶縁層、２１は外
部冷却フィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶
縁層２１の厚みを一定に保つ為の接続板である。
、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一体化された内
部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固着された半導
体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成する内部リー
ド、１８はモールド成形樹脂による絶縁物、１９は外部
への熱の放散の役目をする平板から成る放熱板、２０は
内部電極６〜９と放熱板１９との間の絶縁層、２１は外
部冷却フィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶
縁層２１の厚みを一定に保つ為の接続板である。
次にａ作について説明する。リードフレーム１の状態で
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７により、所要の回路を形成後、平板
より成る放熱板１９を背面に設置し、その−面を露出し
た状態で外部リード２〜５以外を絶縁物１８にて樹脂モ
ールドを行った後、リードフレーム１の不要な部分を取
除き、半導体装置が完成する。
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７により、所要の回路を形成後、平板
より成る放熱板１９を背面に設置し、その−面を露出し
た状態で外部リード２〜５以外を絶縁物１８にて樹脂モ
ールドを行った後、リードフレーム１の不要な部分を取
除き、半導体装置が完成する。
半導体装置は外部リード２〜５に必要な配線を行い、放
熱板１９の面を冷却フィン取付側に配置して、取付穴２
１にて取付け、所要の電力を供給する事ができる。内部
電極６〜９と放熱板１９との絶縁及び放熱の為の熱伝導
は絶縁層２０を介して行われ、絶縁層２０と放熱板１９
との接合は（放熱板１９が平板であるため）絶縁Ｍ２０
を形成するモールド成形樹脂の接着力によっている。
熱板１９の面を冷却フィン取付側に配置して、取付穴２
１にて取付け、所要の電力を供給する事ができる。内部
電極６〜９と放熱板１９との絶縁及び放熱の為の熱伝導
は絶縁層２０を介して行われ、絶縁層２０と放熱板１９
との接合は（放熱板１９が平板であるため）絶縁Ｍ２０
を形成するモールド成形樹脂の接着力によっている。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
モールド成形４１Ｂ！１１程度の樹脂接着力では絶縁層
２０と、放熱板１９との接合力が十分でなく、外力をは
じめとして、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外
的要因により、放熱板１９が絶縁層２０から外れ易く、
放熱機能を維持できなくなり、また冷却フィンへ取付け
る際、締付はネジをほんのわずか締め過ぎても、取付穴
周辺が欠けたり、割れたり、ヒビが入ったりするなどの
問題点があった。
モールド成形４１Ｂ！１１程度の樹脂接着力では絶縁層
２０と、放熱板１９との接合力が十分でなく、外力をは
じめとして、ヒートサイクルテスト・耐湿テスト等の外
的要因により、放熱板１９が絶縁層２０から外れ易く、
放熱機能を維持できなくなり、また冷却フィンへ取付け
る際、締付はネジをほんのわずか締め過ぎても、取付穴
周辺が欠けたり、割れたり、ヒビが入ったりするなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、絶縁層と放熱板の接合力を増し、外力をはじ
め、ビートサイクルテスト・＃４湿テスト等の外的要因
によっても放熱板が絶縁層から外れることなく、放熱機
能を維持する事ができると共に、冷却フィンへ取付ける
際、多少取付はネジを締め付は過ぎても、欠けたり、割
れたり、ヒビが入ったりすることがなく、初期の特性を
維持できろ半導体装置を得る事を目的とする。
たもので、絶縁層と放熱板の接合力を増し、外力をはじ
め、ビートサイクルテスト・＃４湿テスト等の外的要因
によっても放熱板が絶縁層から外れることなく、放熱機
能を維持する事ができると共に、冷却フィンへ取付ける
際、多少取付はネジを締め付は過ぎても、欠けたり、割
れたり、ヒビが入ったりすることがなく、初期の特性を
維持できろ半導体装置を得る事を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、放熱板の取付穴部に筒形
の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドした
ものである。
の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドした
ものである。
この発明における半導体装置は、放熱板の取付穴部に筒
形の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドす
ることにより、形成される絶縁層と放熱板との接合がよ
り強固になす、締付強度も大幅に向上する。
形の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂モールドす
ることにより、形成される絶縁層と放熱板との接合がよ
り強固になす、締付強度も大幅に向上する。
息下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図〜第５図において、１はリードフレーム、２〜５
ば外部リード、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一
体化された内部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固
着された半導体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成
する内部リード、１８はモールド成形ｍ脂による絶縁物
、２４は取付穴部に円筒形の突出部分２４ａを有し、他
の部分と同時に一面が露出するように樹脂モールドされ
外部への熱の放散の役目をする放熱板、２０は内部電極
６〜９と放熱板２４との間の絶縁層、２１は外部冷却フ
ィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶縁層２１
の厚みを一定に保つ為の接続板である。
ば外部リード、６〜９は外部リード２〜５とそれぞれ一
体化された内部電極、１０〜１３は内部電極６〜９に固
着された半導体チップ、１４〜１７は所要の回路を形成
する内部リード、１８はモールド成形ｍ脂による絶縁物
、２４は取付穴部に円筒形の突出部分２４ａを有し、他
の部分と同時に一面が露出するように樹脂モールドされ
外部への熱の放散の役目をする放熱板、２０は内部電極
６〜９と放熱板２４との間の絶縁層、２１は外部冷却フ
ィン（図示せず）への取付穴、２２．２３は絶縁層２１
の厚みを一定に保つ為の接続板である。
次に動作について説明する。リードフレーム１の状態で
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７により所要の回路を形成後、放熱板
２４を背面に設置した状態で外部リード２〜５以外を絶
縁物１８で樹脂モールドを行う。
内部電極６〜９に半導体チップ１０〜１３を固着し、内
部リード１４〜１７により所要の回路を形成後、放熱板
２４を背面に設置した状態で外部リード２〜５以外を絶
縁物１８で樹脂モールドを行う。
樹脂モールドを行うと、放熱板２４の取付穴部に設けた
円筒形の突出部分２４龜は半導体装置内部に隠れ、外観
上は従来品と全く変わらなくなるが、絶縁物１８との接
着面積が増大するとともに、突出部分２４為が取付ネジ
締付時に間隔片の役割を果す。
円筒形の突出部分２４龜は半導体装置内部に隠れ、外観
上は従来品と全く変わらなくなるが、絶縁物１８との接
着面積が増大するとともに、突出部分２４為が取付ネジ
締付時に間隔片の役割を果す。
ｔＭ脂封止後、接続板２２．２３を絶縁物１８がら引抜
くと共にリードフレーム１を最終製品形状に仕上げ半導
体装置が完成する。
くと共にリードフレーム１を最終製品形状に仕上げ半導
体装置が完成する。
以上のようにこの発明によれば、放熱板取付穴部に円筒
形の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂封止するよ
うに構成したので、絶縁物との接着面積が増大し、形成
された絶縁層と放熱板との接合がより強固なものが得ら
れ、外力をはじめ、と−トサイクルテスト、耐湿テスト
等に耐えると共に放熱機能を維持でき、また筒形の突出
部分が取付ネジ締付時に間隔片の役割を果し、半導体装
置の欠け、割れ、ヒビ等を防止することができるという
効果がある。
形の突出部分を設け、他の部分と同時に樹脂封止するよ
うに構成したので、絶縁物との接着面積が増大し、形成
された絶縁層と放熱板との接合がより強固なものが得ら
れ、外力をはじめ、と−トサイクルテスト、耐湿テスト
等に耐えると共に放熱機能を維持でき、また筒形の突出
部分が取付ネジ締付時に間隔片の役割を果し、半導体装
置の欠け、割れ、ヒビ等を防止することができるという
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す内
部平面図、第２図は同内部側面図、第３図は同裏面外観
平面図、第４図は完成斜視図、第５図はこの発明の一実
施例による放熱板を示す斜視図、第６図は従来の半導体
装置を示す内部平面図、第７図は同内部側面図、第８図
は同裏面外観図、第９図は同完成斜視図、第１Ｏ図は従
来の放熱板を示す斜視図である。 図中、１はリードフレーム、２〜５は外部ＩＪ −ド、
６〜９は内部電極、１０〜１３は半導体チップ、１４〜
１７は内部リード、１８は絶縁物、２０は絶縁層、２１
は取付穴、２２．２３は接続板、２４は放熱板、２４ｍ
は筒形突出部である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
部平面図、第２図は同内部側面図、第３図は同裏面外観
平面図、第４図は完成斜視図、第５図はこの発明の一実
施例による放熱板を示す斜視図、第６図は従来の半導体
装置を示す内部平面図、第７図は同内部側面図、第８図
は同裏面外観図、第９図は同完成斜視図、第１Ｏ図は従
来の放熱板を示す斜視図である。 図中、１はリードフレーム、２〜５は外部ＩＪ −ド、
６〜９は内部電極、１０〜１３は半導体チップ、１４〜
１７は内部リード、１８は絶縁物、２０は絶縁層、２１
は取付穴、２２．２３は接続板、２４は放熱板、２４ｍ
は筒形突出部である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金属板に半導体チップを固着し内部リードにより所要回
路を形成し熱放散を良くするために冷却フィン取付面側
に放熱板を設け、これらを上記放熱板の一面を露出する
ように樹脂封止した半導体装置において、上記放熱板の
取付穴部に筒形の突出部分を設けたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31411686A JPS63166251A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31411686A JPS63166251A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166251A true JPS63166251A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=18049435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31411686A Pending JPS63166251A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9117751B2 (en) | 2005-08-22 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Endpointing detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31411686A patent/JPS63166251A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9117751B2 (en) | 2005-08-22 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Endpointing detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
| US9583405B2 (en) | 2005-08-22 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Endpointing detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
| US10276460B2 (en) | 2005-08-22 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | Endpointing detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
| US11183435B2 (en) | 2005-08-22 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Endpointing detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
| US11715672B2 (en) | 2005-08-22 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for chemical mechanical polishing based on spectrometry |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4878106A (en) | Semiconductor circuit packages for use in high power applications and method of making the same | |
| US6825550B2 (en) | Board-on-chip packages with conductive foil on the chip surface | |
| US4783428A (en) | Method of producing a thermogenetic semiconductor device | |
| JPH09283681A (ja) | 半導体装置 | |
| US4712127A (en) | High reliability metal and resin container for a semiconductor device | |
| JPH0263142A (ja) | モールド・パッケージおよびその製造方法 | |
| JPS63166251A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001118961A (ja) | 樹脂封止型電力用半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2564771B2 (ja) | 放熱板付き半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63166252A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2585771B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6188535A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000183216A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0338837Y2 (ja) | ||
| JPS58186958A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63104456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04313257A (ja) | 放熱用のスラッグを有した電子部品搭載用基板 | |
| JPH0870087A (ja) | リードフレーム | |
| JP2939094B2 (ja) | 電力用半導体装置の製造方法 | |
| JPH01282846A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS5965437A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH11243162A (ja) | 膨張緩衝用インサートを有するボールグリッドアレーパッケージとその製造方法 | |
| KR100195158B1 (ko) | 반도체 리드프레임 | |
| JPS6288347A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH03190264A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |