JPS63296345A - フイルムキヤリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体素子の実装に使用されるフィルムキャリ
アに関し、特に半導体素子により発生した熱の放熱性に
優れたフィルムキャリアに関するものである。

［従来の技術］ 一般に、半導体素子のボンディング方゛式の中で、高速
て量産性に優れ、且つ高い信頼性を有する方式として、
複数の電極を一度にボンディングすることができるフィ
ルムキャリアによる方式が広く知られている。このフィ
ルムキャリアには、デバイス孔が形成された可どう仕給
縁フィルム上に銅箔を接着し、その銅箔をパターニング
することにより電極か形成される。半導体素子なボンデ
インクするためのリードはデバイス孔に延設され、その
先端に半導体素子チップがボンディングされる。その後
、半導体素子チップの素子面を覆うように樹脂で封止し
て使用される。

このようなフィルムキャリアは、リードのみで半導体素
子を空中に浮かせた状態で保持して使用するのか一般的
であるか、そのため半導体素子の放熱が悪く、特に中央
部の温度１昇か著しい。大電力の半導体素子では、特に
この様なＭ熱が問題となり、半導体素子の特性や信頼性
を劣化させる欠点かある。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、前記の様な従来例の欠点に鑑みてなされたも
のて、大電力の半導体素子に対しても放熱効果の高いフ
ィルムキャリアを安価にて提供することを［１的とする
ものである。

［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は、絶縁性フィルム上に導電性パターンに
より電極と放熱パターンを併設し、そのほぼ中央におい
て前記電極と半導体素子をボンディングしてなるフィル
ムキャリアにおいて、前記導電性パターンの一部により
形成された放熱パターンが半導体素子の素子面を被覆す
るように、且つ素子面と僅かに離れて絶縁性フィルムの
中央部に設けられた放熱体と、該放熱体と接続し絶縁性
フィルムの周縁まで延長して配設された放熱片とから形
成され、さらに前記素子面を前記放熱パターンとともに
封止樹脂て固着したことを特徴とするフィルムキャリア
である。

本発明において、放熱パターンの放熱体には穴または／
および切り欠きが設けられているのか好ましい。

また、電極および放熱パターンを形成する導電性パター
ンは、導電性および熱伝導性が良好な材料て形成されて
いることを要し、材料としては、例えば銅箔、アルミニ
ウム箔等が好ましい。

［作用］ 本発明のフィルムキャリアは、絶縁性フィルム上に導電
性パターンにより電極と放熱パターンを併設し、そのほ
ぼ中央において前記電極と半導体素子なボンデインクし
てなるフィルムキャリアにおいて、前記導′１π性パタ
ーンの一部により形成された放熱パターンが半導体素子
の素子面を被覆するように、且つ素子面と僅かに離れて
絶縁性フィルムの中央部に設けられた放熱体と、該放熱
体と接続し絶縁性フィルムの周縁まで延長して配設され
た放熱片とから形成され、さらに前記素子面を前記放熱
パターンとともに封止樹脂で固着しているのて、熱伝導
の良い銅箔等からなる放熱パターンか半導体素子の配設
されている絶縁性フィルムの中央部付近からフィルム端
部まて延長して設けられることにより、半導体素子に発
生した中央部の熱は放熱パターンを伝導して効率良く外
部へ放熱される。

また、半導体素子の素子面を覆う部分に設けられた放熱
体に、適度に穴や切り込みを設けることにより、変形し
やすくなり、より半導体素子の素子面に近づけることか
できる。

［実施例］ 以下図面に示す実施例に基づいて本発明を更に具体的に
説明する。

第１図は本発明のフィルムキャリアの一実施例を示すモ
面図および第２図はその拡大断面図である。同図におい
て、本発明のフィルムキャリアｌは、絶縁性フィルム９
上に導電性パターンにより電極３と放熱パターンを併設
し、そのほぼ中央において前記電極３と半導体素子４を
ボンデインクしてなるフィルムキャリアｌにおいて、前
記導電性パターンの一部により形成された、放熱体５お
よび放熱片７からなる放熱パターンを設けてなるもので
ある。

放熱体５は半導体素子４の素子面を被覆するように、且
つ素子面と僅かに離れて絶縁性フィルム９の中央部に設
けられ、さらに半導体素子４の表面には封止樹脂（図示
せず）か充填され、前記放熱体５と半導体素子４は固着
される。また、放熱体５には穴６および切り欠き８が設
けられている。

放熱片７は、前記放熱体５と接続し絶縁性フィルム９の
周縁まて延長して四隅の方向に配設されている。

ここて、放熱体５及び放熱片７からなる放熱パターンは
電極パターン形成時に必要なマスクにパターンを加えて
おくたけて、従来の製造工程を何等変えることなく容易
に形成てきる。

この様な構成からなる本発明のフィルムキャリアにより
半導体素子を駆動すると、半導体素子４から発生した熱
は、インナーリード２からフィルム上のパターン状の電
極３へ逃げると同時に中央部の熱は封止樹脂を通して放
熱パターンの放熱体５へ伝わり、さらにフィルム上のパ
ターン状の放熱片７へ伝わり、空中等へ放散される。

又、一般に半導体素子をボンディングする際には、１１
００ｐ程度のインナーリートフォーミングを同時に行う
か、このとき放熱パターンの放熱体５が伸ばしにくいと
、設定値通りにフォーミングすることができない。又、
設定値を大きくすると断線等の不良が発生するので好ま
しくない。従って、放熱パターンの放熱体５に適切に穴
及び切り欠き等を設けて変形し易くすることで解決でき
る。この様に形成することにより、放熱体５は半導体素
子に近づくことができるようになり、一層熱が伝導しや
すくなる。

第３図は本発明の他の実施例を示す平面図である。本実
施例においても、電極パターン形成用のマスクに放熱体
５．六６．放熱片７．切り欠き）シからなる放熱パター
ンを形成するためのパターンを追加するたけて、フィル
ムキャリアの製造工程を何等変更することなく容易に本
発明のフィルムキャリアを得ることができる。

この場合にも半導体素子に発生した中央部の熱は、封止
樹脂を通して放熱パターンの放熱体５に伝導し、さらに
フィルム上の放熱片７に伝導して空中等に放散される。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明のフィルムキャリアは、従
来導電性パターンによる電極を形成する際にエツチング
により除去していた部分の銅箔を歿し、放熱パターンを
形成すことにより、半導体素子に発生した中央部の熱を
効率良く放熱することができる。さらに、フィルム上の
放熱パターンをアース線に接続することにより半導体素
子に対するシールド効果も付加される。

又、第１図に示す様に、四隅に放熱片を設けた放熱パタ
ーンを形成した構成にすれば、力のかかり易い半導体素
子の角部を補強することになり、信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のフィルムキャリアの一実施例を示す平
面図、第２図はその拡大断面図および第３図は本発明の
他の実施例を示す平面図である。 ｌ・・・フィルムキャリア ２・・・インナーリード ３・・・電極 ４・・・半導体素子 ５・・・放熱体 ６・・・穴 ７・・・放熱片 ８・・・切り欠き ９・・・絶縁性フィルム

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性フィルム上に導電性パターンにより電極と
   放熱パターンを併設し、そのほぼ中央において前記電極
   と半導体素子をボンディングしてなるフィルムキャリア
   において、前記導電性パターンの一部により形成された
   放熱パターンが半導体素子の素子面を被覆するように、
   且つ素子面と僅かに離れて絶縁性フィルムの中央部に設
   けられた放熱体と、該放熱体と接続し絶縁性フィルムの
   周縁まで延長して配設された放熱片とから形成され、さ
   らに前記素子面を前記放熱パターンとともに封止樹脂で
   固着したことを特徴とするフィルムキャリア。
2. （２）前記放熱パターンの放熱体に穴または／および切
   り欠きが設けられている特許請求の範囲第１項記載のフ
   ィルムキャリア。