JPS60258940A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS60258940A JPS60258940A JP11398384A JP11398384A JPS60258940A JP S60258940 A JPS60258940 A JP S60258940A JP 11398384 A JP11398384 A JP 11398384A JP 11398384 A JP11398384 A JP 11398384A JP S60258940 A JPS60258940 A JP S60258940A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に従来の樹
脂封止型半導体装置よりも絶縁耐圧が高く、しかも従来
より製造コストを高騰させることなく製造することので
きる樹脂封止型半導体装置に閏するものである。
脂封止型半導体装置よりも絶縁耐圧が高く、しかも従来
より製造コストを高騰させることなく製造することので
きる樹脂封止型半導体装置に閏するものである。
［発明の技術向背ｍ］
第５図は、本発明に関連する従来の樹脂封止型半導体装
置であって、Ｔｏ−２２０アイソレーシヨンタイプと呼
ばれる型式のものの外観図である。
置であって、Ｔｏ−２２０アイソレーシヨンタイプと呼
ばれる型式のものの外観図である。
同図において、１はエポキシ樹脂系の樹脂で成形された
樹脂モールド部、２Ａ及び２Ｄは該樹脂モールド部１内
から突出したリード部である。 樹脂モールド部１は三
つの部分ＩＡ、ＩＢ、ＩＣから成っており、部分１Ａ内
には半導体チップが収容され、部分１Ｂにはビス孔１ａ
が貫設され、部分１Ｃの側面にはリードフレーム切断痕
２Ｃがわずかに突出している。
樹脂モールド部、２Ａ及び２Ｄは該樹脂モールド部１内
から突出したリード部である。 樹脂モールド部１は三
つの部分ＩＡ、ＩＢ、ＩＣから成っており、部分１Ａ内
には半導体チップが収容され、部分１Ｂにはビス孔１ａ
が貫設され、部分１Ｃの側面にはリードフレーム切断痕
２Ｃがわずかに突出している。
第５図のごとき樹脂封止型半導体装置は第６図に実線で
表示されている平面形状のリードフレーム２を用いて製
造される。 第６図において、２Ａはリードフレーム２
と一体のリード部であり、連結部分２Ｆと一体に形成さ
れている。 ２Ｂは半導体チップ３を取り付けるための
チップマウントベース、２ａはチップマウントベース２
Ｂに ′貫設された孔である。 各チップマウントベー
ス２Ｂは、連結部分２Ｃによって並列的に一体化される
とともにリード部兼支持アーム２Ｄを介して前記連結部
分２Ｆに接続されている。
表示されている平面形状のリードフレーム２を用いて製
造される。 第６図において、２Ａはリードフレーム２
と一体のリード部であり、連結部分２Ｆと一体に形成さ
れている。 ２Ｂは半導体チップ３を取り付けるための
チップマウントベース、２ａはチップマウントベース２
Ｂに ′貫設された孔である。 各チップマウントベー
ス２Ｂは、連結部分２Ｃによって並列的に一体化される
とともにリード部兼支持アーム２Ｄを介して前記連結部
分２Ｆに接続されている。
第５図のごとき半導体装置を製造する場合、よく知られ
ているように該チップマウントベース２Ｂ上に半導体チ
ップ３を固着したあと、半導体チップ３とリード部２Ａ
との間にボンディングワイヤ４を接続し、次に、図示二
点鎖線で囲まれる領域にエポキシ樹脂系の樹脂を成形し
て樹脂モールド部１を成形した後、更に第６図の線Ｃ１
〜Ｃ４に沿ってリードフレーム２を切断して連結部分２
Ｃ及び２Ｆを除去することにより第７図のごとき平面形
状の（すなわち、第５図と同じ外観の）樹脂封止型半導
体装置が得られる。
ているように該チップマウントベース２Ｂ上に半導体チ
ップ３を固着したあと、半導体チップ３とリード部２Ａ
との間にボンディングワイヤ４を接続し、次に、図示二
点鎖線で囲まれる領域にエポキシ樹脂系の樹脂を成形し
て樹脂モールド部１を成形した後、更に第６図の線Ｃ１
〜Ｃ４に沿ってリードフレーム２を切断して連結部分２
Ｃ及び２Ｆを除去することにより第７図のごとき平面形
状の（すなわち、第５図と同じ外観の）樹脂封止型半導
体装置が得られる。
第５図及び第７図に示されるアイソレーションタイプの
樹脂封止型半導体装置の絶縁耐圧は第９図に示されるよ
うに樹脂モールド部１の下面を金属板Ｍに接した状態で
接続リード２Ａと金属板Ｍとの間に印加した破壊電圧Ｖ
によって決定される。
樹脂封止型半導体装置の絶縁耐圧は第９図に示されるよ
うに樹脂モールド部１の下面を金属板Ｍに接した状態で
接続リード２Ａと金属板Ｍとの間に印加した破壊電圧Ｖ
によって決定される。
従って、チップマウントベース２Ｂの下面におｔプる樹
脂被覆層の厚さが適切であり且つ均等であることが必要
である。 従来、前記のごとき樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止］二程では、第８図に示すようにチップマウン
トベース２Ｂの下面各所における樹脂被覆の厚ざ［、及
びｔ２がすべて等しく且つ適切な値となるようにリード
フレーム２のリード部２Ａと連結部分２Ｃとを成形用金
型の型合せ面に支持させることにより、チップマウント
ベース２Ｂを金型キャビティ内で水平に保ちつつ樹脂注
入を行っていた。
脂被覆層の厚さが適切であり且つ均等であることが必要
である。 従来、前記のごとき樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止］二程では、第８図に示すようにチップマウン
トベース２Ｂの下面各所における樹脂被覆の厚ざ［、及
びｔ２がすべて等しく且つ適切な値となるようにリード
フレーム２のリード部２Ａと連結部分２Ｃとを成形用金
型の型合せ面に支持させることにより、チップマウント
ベース２Ｂを金型キャビティ内で水平に保ちつつ樹脂注
入を行っていた。
［背景技術の問題点］
前記のごとき従来の樹脂封止型半導体装置では樹脂モー
ルド部１Ｃの側面にリードフレーム切断痕２Ｃが突出し
ているため、該切断痕２Ｃがない場合よりも絶縁耐圧が
低くなり、その結果、所定の絶縁耐圧に達しないものが
生じやすいという欠点があった。 すなわち、該半導体
装置の絶縁耐圧は第８図に示すように下面樹脂被覆層の
厚さ１１，１２及び樹脂モールド部１の下面とリード２
Ａとの間の最小沿面距離ｌで決まるものであるが、リー
ドフレーム切断痕２Ｃが樹脂モールド部側面に突出して
いると、最小沿面距離ｅ（ｅ＜ｊである）となってｅに
よって絶縁耐圧が支配されてしまうからである。 従っ
て、絶縁耐圧を高くするためにはリードフレーム切断痕
２Ｃを完全になくせばよい訳であるが、該切断痕を完全
になくすことは以下のごとき理由のため不可能である。
ルド部１Ｃの側面にリードフレーム切断痕２Ｃが突出し
ているため、該切断痕２Ｃがない場合よりも絶縁耐圧が
低くなり、その結果、所定の絶縁耐圧に達しないものが
生じやすいという欠点があった。 すなわち、該半導体
装置の絶縁耐圧は第８図に示すように下面樹脂被覆層の
厚さ１１，１２及び樹脂モールド部１の下面とリード２
Ａとの間の最小沿面距離ｌで決まるものであるが、リー
ドフレーム切断痕２Ｃが樹脂モールド部側面に突出して
いると、最小沿面距離ｅ（ｅ＜ｊである）となってｅに
よって絶縁耐圧が支配されてしまうからである。 従っ
て、絶縁耐圧を高くするためにはリードフレーム切断痕
２Ｃを完全になくせばよい訳であるが、該切断痕を完全
になくすことは以下のごとき理由のため不可能である。
すなわち、下面樹脂被覆層の厚さはせいぜい０．１〜０
．１５ｎｍ程度の厚さであって、リードフレーム連結部
２Ｇを金型の型合せ面で支持させないとリードフレーム
の位置ずれを起こし下面樹脂被覆層の厚さを均一に維持
することができないからである。
．１５ｎｍ程度の厚さであって、リードフレーム連結部
２Ｇを金型の型合せ面で支持させないとリードフレーム
の位置ずれを起こし下面樹脂被覆層の厚さを均一に維持
することができないからである。
それゆえ、従来は、該切断痕２Ｃに樹脂塗布を行なうこ
とによって該切断痕２Ｃが露出しないようにしていたが
、この方法によると工程が増加するため半導体装置の製
造コストの上昇を招き、また、機能及び外観の面で安定
した製品を得ることが難かしいという問題点があった。
とによって該切断痕２Ｃが露出しないようにしていたが
、この方法によると工程が増加するため半導体装置の製
造コストの上昇を招き、また、機能及び外観の面で安定
した製品を得ることが難かしいという問題点があった。
５−
［発明の目的］
この発明の目的は、リードフレーム切断痕が樹脂モール
ド表面に露出している樹脂封止型半導体装置であるが、
絶縁耐圧が低くならないように製造することのできる、
改良された樹脂封止型半導体装置を提供することである
。
ド表面に露出している樹脂封止型半導体装置であるが、
絶縁耐圧が低くならないように製造することのできる、
改良された樹脂封止型半導体装置を提供することである
。
［発明の概要〕
この発明により改良された樹脂封止型半導体装置は、樹
脂モールド部側面に突出したリードフレーム切断痕の突
出長とほぼ等しい突出長の棚状もしくは庇状の絶縁突出
部を該切断痕の直下位置に設け、該樹脂モールド部の下
面から該切断痕に至る沿面距離が増大するように構成さ
れていることを特徴とするものである。 また、本発明
の半導体装置は従来の半導体装置と同−工程数で製造す
ることができ、しかも従来の半導体装置よりも高耐圧で
あることを特徴５とする。
脂モールド部側面に突出したリードフレーム切断痕の突
出長とほぼ等しい突出長の棚状もしくは庇状の絶縁突出
部を該切断痕の直下位置に設け、該樹脂モールド部の下
面から該切断痕に至る沿面距離が増大するように構成さ
れていることを特徴とするものである。 また、本発明
の半導体装置は従来の半導体装置と同−工程数で製造す
ることができ、しかも従来の半導体装置よりも高耐圧で
あることを特徴５とする。
［発明の実施例］
第１図は本発明により改良された樹脂封止型半導体装置
の第一実施例の平面図であり、第２図は６− 第１図のＴｌ−１方向から見た一部の端面図である。
の第一実施例の平面図であり、第２図は６− 第１図のＴｌ−１方向から見た一部の端面図である。
なお、以下の図において第５図乃至第１０図と同一符号
で表示されている部分は従来の半導体装置と同一の部分
を示しているので、この同一部分についての説明を省略
する。
で表示されている部分は従来の半導体装置と同一の部分
を示しているので、この同一部分についての説明を省略
する。
本発明の第一実施例の半導体装置では、樹脂モールド部
１Ｃの側面にリードフレーム切断痕２Ｃの突出長１−と
ほぼ等しい長さの絶縁突出部１Ｄが設けられていること
を特徴とする。 この絶縁突出部１Ｄは樹脂モールド部
１Ｃと同じ樹脂で構成されており、樹脂モールド部１と
一体成形されている。 樹脂モールド部１Ａ〜１Ｃと該
絶縁突出部１Ｄとを成形後、リードフレームの連結部分
２Ｃを切断除去する時には絶縁突出部ＩＤの先端に沿っ
て第２図の矢印ｆ、の方向から（すなわち下側から）該
連結部分２Ｃを切断することにより、図示のごときリー
ドフレーム切断痕２Ｃが形成される。 この場合、リー
ドフレーム切断痕２Ｇは） 図示の如く、その先端が上反り状態に曲げられて絶縁突
出部１Ｄより離れるため、リードフレーム切断痕２Ｇに
対する沿面塵ｔｎ ｅ、は絶縁突出部１Ｄの厚ざ ｔ３
（これは第１０図に示したｅと等しい）よりも大きくな
り、従って、従来の半導体装置（第７図参照）よりも絶
縁耐圧が大きくなる。
１Ｃの側面にリードフレーム切断痕２Ｃの突出長１−と
ほぼ等しい長さの絶縁突出部１Ｄが設けられていること
を特徴とする。 この絶縁突出部１Ｄは樹脂モールド部
１Ｃと同じ樹脂で構成されており、樹脂モールド部１と
一体成形されている。 樹脂モールド部１Ａ〜１Ｃと該
絶縁突出部１Ｄとを成形後、リードフレームの連結部分
２Ｃを切断除去する時には絶縁突出部ＩＤの先端に沿っ
て第２図の矢印ｆ、の方向から（すなわち下側から）該
連結部分２Ｃを切断することにより、図示のごときリー
ドフレーム切断痕２Ｃが形成される。 この場合、リー
ドフレーム切断痕２Ｇは） 図示の如く、その先端が上反り状態に曲げられて絶縁突
出部１Ｄより離れるため、リードフレーム切断痕２Ｇに
対する沿面塵ｔｎ ｅ、は絶縁突出部１Ｄの厚ざ ｔ３
（これは第１０図に示したｅと等しい）よりも大きくな
り、従って、従来の半導体装置（第７図参照）よりも絶
縁耐圧が大きくなる。
なお、この場合、リードフレーム切断痕２Ｃの突出長が
絶縁突出部１Ｄの突出長しよりも長くなる可能性がある
（すなわち、絶縁突出部１Ｄの先端面とカッターとのク
リアランスが必要であるため）が、リードフレーム切断
痕２Ｃの先端が前記のように上反り状態に曲げられて絶
縁突出部１Ｄの上面から離れるため、リードフレーム切
断痕２Ｇの突出長が絶縁突出部１Ｄの突出長より長くて
も実質的な沿面距離は少なくともｔ３よりは大きくなり
、従って、従来の半導体装置よりも耐圧が増大すること
になる。
絶縁突出部１Ｄの突出長しよりも長くなる可能性がある
（すなわち、絶縁突出部１Ｄの先端面とカッターとのク
リアランスが必要であるため）が、リードフレーム切断
痕２Ｃの先端が前記のように上反り状態に曲げられて絶
縁突出部１Ｄの上面から離れるため、リードフレーム切
断痕２Ｇの突出長が絶縁突出部１Ｄの突出長より長くて
も実質的な沿面距離は少なくともｔ３よりは大きくなり
、従って、従来の半導体装置よりも耐圧が増大すること
になる。
第３図は本発明の第二実施例を示した図であり、第２図
と同じく第二実施例の半導体装置をその端面側から児た
図である。 この実施例では絶縁突出部１Ｄが階段状に
構成されているため、沿面距離ｅ２は前記第一実施例よ
りも大ぎくなっており、従って、この実施例の半導体装
置は第一実施例の半導体装置よりも更に大きな耐圧を有
していることがわかる。゛ なお、この実施例の半導体
装置では、リードフレームの連結部分２Ｃの切断時には
図示矢印ｆ２の方向から該連結部分の切断を行なうこと
になる。
と同じく第二実施例の半導体装置をその端面側から児た
図である。 この実施例では絶縁突出部１Ｄが階段状に
構成されているため、沿面距離ｅ２は前記第一実施例よ
りも大ぎくなっており、従って、この実施例の半導体装
置は第一実施例の半導体装置よりも更に大きな耐圧を有
していることがわかる。゛ なお、この実施例の半導体
装置では、リードフレームの連結部分２Ｃの切断時には
図示矢印ｆ２の方向から該連結部分の切断を行なうこと
になる。
第４図は本発明の第三実施例の概略図であり、第２図及
び第３図と同じく半導体装置を端面側から見た端面図で
ある。 この第三実施例では、リードフレーム切断痕
２Ｃの上下に棚状もしくは庇状に絶縁突出部１Ｄが設け
られており、樹脂モールド部１Ｃの上下両面に対して沿
面距離が大きくなるように構成されている。 この半導
体装置における沿面距離ｅ３は前記実施例と同様にｅ（
第１０図参照）よりも大きいので、第三実施例の半導体
装置も従来の半導体装置よりも高い耐圧を有しているこ
とがわかる。 なお、この実施例ではリードフレームの
連結部分２Ｃの切断を矢印ｆ３の方向から絶縁突出部１
Ｄの先端面に沿って行うことが望ましい。
び第３図と同じく半導体装置を端面側から見た端面図で
ある。 この第三実施例では、リードフレーム切断痕
２Ｃの上下に棚状もしくは庇状に絶縁突出部１Ｄが設け
られており、樹脂モールド部１Ｃの上下両面に対して沿
面距離が大きくなるように構成されている。 この半導
体装置における沿面距離ｅ３は前記実施例と同様にｅ（
第１０図参照）よりも大きいので、第三実施例の半導体
装置も従来の半導体装置よりも高い耐圧を有しているこ
とがわかる。 なお、この実施例ではリードフレームの
連結部分２Ｃの切断を矢印ｆ３の方向から絶縁突出部１
Ｄの先端面に沿って行うことが望ましい。
９−
以上のいずれの実施例においても、絶縁突出部１Ｄは樹
脂モールド部１Ａ〜１Ｃと一体に同時に成形されるので
、従来の半導体装置の製造■稈と同じ工程で実施するこ
とができる。 なお、絶縁突出部１Ｄをモールド樹脂以
外の絶縁物で構成してもよいが、その場合も樹脂モール
ド部１Ａ〜１Ｃと一体に同時成形することが望ましい。
脂モールド部１Ａ〜１Ｃと一体に同時に成形されるので
、従来の半導体装置の製造■稈と同じ工程で実施するこ
とができる。 なお、絶縁突出部１Ｄをモールド樹脂以
外の絶縁物で構成してもよいが、その場合も樹脂モール
ド部１Ａ〜１Ｃと一体に同時成形することが望ましい。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、樹脂モールド部の表面
にリードフレーム切断痕が突出している樹脂封止型半導
体装置であっても絶縁耐圧が低下しないようにすること
ができ、また、絶縁耐圧低下防止のために工数増加を招
くことな〈従来と同じ工程数で従来の半導体装置よりも
高耐圧で歩留りのよい樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。
にリードフレーム切断痕が突出している樹脂封止型半導
体装置であっても絶縁耐圧が低下しないようにすること
ができ、また、絶縁耐圧低下防止のために工数増加を招
くことな〈従来と同じ工程数で従来の半導体装置よりも
高耐圧で歩留りのよい樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。
第１図は本発明の第一実施例の平面図、第２図は第１−
の■−■方向から見た部分的端面図、第３図及び第４図
は第２図と同じく本発明の第二及１０− び第Ｅ実施例の部分的端面図、第５図は従来の樹脂封止
型半導体装置の斜視図、第６図は第５図の半導体装置に
使用されるリードフレームの平面図、第７図は第５図に
示した半導体装置の平面図、第８図は第７図の■−■矢
視断面図、第９図は第５図の半導体装置における絶縁耐
圧の測定方法を示した図、第１０図は第７図のＸ−Ｘ矢
視拡大一部端面図である。 １、ＩＡ、１Ｂ、ＩＣ・・・樹脂モールド部、 ２・・
・リードフレーム、２Ａ・・・リード、２Ｂ・・・チッ
プマウントベース、 ２０．２Ｆ・・・連結部分、２Ｃ
・・・リードフレーム切断痕、 １Ｄ・・・絶縁突出部
、 ３・・・半導体チップ、 ４・・・ボンディングワ
イヤ。 −１１−。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
の■−■方向から見た部分的端面図、第３図及び第４図
は第２図と同じく本発明の第二及１０− び第Ｅ実施例の部分的端面図、第５図は従来の樹脂封止
型半導体装置の斜視図、第６図は第５図の半導体装置に
使用されるリードフレームの平面図、第７図は第５図に
示した半導体装置の平面図、第８図は第７図の■−■矢
視断面図、第９図は第５図の半導体装置における絶縁耐
圧の測定方法を示した図、第１０図は第７図のＸ−Ｘ矢
視拡大一部端面図である。 １、ＩＡ、１Ｂ、ＩＣ・・・樹脂モールド部、 ２・・
・リードフレーム、２Ａ・・・リード、２Ｂ・・・チッ
プマウントベース、 ２０．２Ｆ・・・連結部分、２Ｃ
・・・リードフレーム切断痕、 １Ｄ・・・絶縁突出部
、 ３・・・半導体チップ、 ４・・・ボンディングワ
イヤ。 −１１−。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 樹脂モールド部の側面に突出したリードフレーム切
断痕を有する樹脂封止型半導体装置において、 該リード切断痕の少なくとも下方位置の該樹脂モールド
部側面に該リードフレーム切断痕の突出長とほぼ等しい
突出長の棚状もしくは庇状の絶縁突出部を設け、該樹脂
モールド部の下面から該リードフレーム切断痕に至る沿
面距離を大きくするように構成したことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11398384A JPS60258940A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11398384A JPS60258940A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60258940A true JPS60258940A (ja) | 1985-12-20 |
| JPH0317219B2 JPH0317219B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=14626115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11398384A Granted JPS60258940A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60258940A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793156U (ja) * | 1980-11-28 | 1982-06-08 |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP11398384A patent/JPS60258940A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793156U (ja) * | 1980-11-28 | 1982-06-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0317219B2 (ja) | 1991-03-07 |
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